CMOS运算放大器版图设计毕业论文
CMOS高性能运算放大器研究与设计
CMOS运算放大器的优势
CMOS运算放大器具有低功耗、高集成度、宽频带和良好的温度稳定性等优点。 相较于其他类型的运算放大器，如双极型和MOSFET型，CMOS运放具有更低的功耗 和更高的集成度，使得它在便携式设备和嵌入式系统中的应用具有显著优势。
CMOS低功耗运算放大器的设计 考虑因素
设计CMOS低功耗运算放大器时，需要考虑以下几个关键因素：
随着科技的不断发展，电子设备对高性能运算放大器的需求日益增长。其中， CMOS多级运算放大器因其高精度、低功耗、高稳定性等优点，被广泛应用于各种 模拟电路中。本次演示将探讨高性能CMOS多级运算放大器的研究与设计。
一、CMOS多级运算放大器概述
CMOS多级运算放大器是一种复杂的模拟电路，其性能由其增益、带宽、电源 抑制比、共模抑制比等因素决定。在CMOS工艺中，通过多级的放大级联，可以实 现更高的放大倍数和更低的噪声。
CMOS高性能运算放大器研究与设计
01 引言
03 研究方法
目录
02 文献综述 04 参考内容
引言
随着科技的不断发展，运算放大器在各种应用领域中的作用越来越重要。特 别是在复杂电子系统中，高性能运算放大器的设计和应用更是不可或缺。CMOS技 术由于其低功耗、高集成度和易于规模化的优点，成为了高性能运算放大器设计 的首选。本次演示将重点探讨CMOS高性能运算放大器的设计与研究。
3、仿真与优化
在设计和版图完成后，需要通过仿真软件对电路进行仿真，以验证其性能是 否满足设计要求。如果性能不满足要求，需要对电路和版图进行优化。优化的目 标通常包括提高增益、提高带宽、降低电源抑制比、降低噪声等。
三、高性能CMOS多级运算放大 器的应用
高性能CMOS多级运算放大器因其优异的性能被广泛应用于各种模拟电路中， 如放大器、比较器、模拟乘法器、模拟加减法器等。同时，在通信、雷达、音频 处理、图像处理等领域，高性能CMOS多级运算放大器也有着广泛的应用。
《2024年CMOS高性能运算放大器研究与设计》范文
《CMOS高性能运算放大器研究与设计》篇一一、引言随着集成电路技术的飞速发展，CMOS（互补金属氧化物半导体）高性能运算放大器在电子系统中的应用越来越广泛。
其高精度、低噪声、低功耗等特性使得它在信号处理、数据采集、通信等领域发挥着重要作用。
因此，对CMOS高性能运算放大器的研究与设计具有重要的理论意义和实际应用价值。
二、CMOS运算放大器的基本原理CMOS运算放大器是一种基于CMOS工艺的放大器，其基本原理是利用CMOS管的电压控制电流特性，将输入信号进行放大并输出。
CMOS运算放大器具有高输入阻抗、低输出阻抗、低噪声、低失真等优点，因此在各种电路中得到了广泛应用。
三、高性能CMOS运算放大器的设计要求高性能CMOS运算放大器的设计要求主要包括以下几个方面：1. 高增益：放大器应具有较高的增益，以保证信号的放大效果。
2. 低噪声：放大器的噪声应尽可能低，以保证信号的信噪比。
3. 高精度：放大器的精度应满足应用需求，以保证信号的准确性。
4. 低功耗：在保证性能的前提下，应尽可能降低功耗，以延长电池寿命或减少散热需求。
5. 稳定性：放大器应具有良好的稳定性，以避免自激振荡等问题。
四、CMOS高性能运算放大器的设计方法CMOS高性能运算放大器的设计方法主要包括以下几个方面：1. 选择合适的CMOS工艺：根据应用需求选择合适的CMOS 工艺，以保证器件的性能和可靠性。
2. 设计合理的电路结构：根据设计要求，设计合理的电路结构，包括输入级、输出级、中间级等。
3. 优化电路参数：通过优化电路参数，如增益、带宽、相位裕度等，以提高放大器的性能。
4. 采用低噪声设计技术：采用低噪声设计技术，如噪声匹配、噪声整形等，以降低放大器的噪声。
5. 仿真与测试：通过仿真与测试，验证设计方案的正确性和可行性。
五、CMOS高性能运算放大器的实例设计以一款二阶CMOS运算放大器为例，介绍其设计过程。
首先，根据应用需求确定放大器的性能指标，如增益、带宽、噪声等。
《2024年CMOS高性能运算放大器研究与设计》范文
《CMOS高性能运算放大器研究与设计》篇一一、引言随着电子技术的飞速发展，运算放大器（Op-Amp）在信号处理和数据分析中的应用越来越广泛。
在众多类型的运算放大器中，CMOS（互补金属氧化物半导体）高性能运算放大器因其低功耗、高速度和高精度的特性而备受关注。
本文旨在研究并设计一款CMOS高性能运算放大器，以适应现代电子系统的需求。
二、CMOS运算放大器的基本原理与特点CMOS运算放大器利用互补金属氧化物半导体技术，通过P 型和N型晶体管的组合，实现高精度、低噪声和低功耗的信号处理。
其基本原理是通过差分输入和共源共栅放大的方式，实现信号的放大和传输。
CMOS运算放大器具有以下特点：1. 高精度：由于采用差分输入方式，CMOS运算放大器具有较高的共模抑制比（CMRR），能够有效抑制共模噪声。
2. 低噪声：CMOS器件的噪声性能优异，能够满足低噪声信号处理的需求。
3. 低功耗：CMOS器件具有较低的电压摆幅和较低的静态电流，从而实现低功耗设计。
三、高性能CMOS运算放大器的设计要求为了满足现代电子系统的需求，高性能CMOS运算放大器的设计应遵循以下要求：1. 宽动态范围：能够处理大信号输入范围，并保持较高的增益和精度。
2. 高带宽：具备较快的响应速度，以适应高速信号处理的需求。
3. 低噪声：在保持高增益的同时，尽可能降低噪声性能，提高信噪比。
4. 低功耗：在保证性能的前提下，尽可能降低功耗，延长电池使用寿命。
四、CMOS高性能运算放大器的设计方法针对上述设计要求，本文提出以下设计方法：1. 优化电路结构：采用差分输入、共源共栅放大的电路结构，提高电路的对称性和稳定性。
同时，通过优化晶体管尺寸和偏置电流，提高电路的增益和带宽。
2. 降低噪声性能：通过优化电路布局、减小晶体管失配以及采用低噪声器件等方法，降低电路的噪声性能。
3. 降低功耗：采用低电压摆幅和低静态电流的设计方法，降低电路的功耗。
同时，通过优化偏置电路和电源管理策略，进一步提高功耗性能。
cmos运算放大器设计
目
录
摘要 ................................................................... 3 Abstract ................................................................ 4 0 文献综述 ............................................................ 5 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 1 集成电路概述 ................................................... 5 集成电路的发展 ................................................. 5 集成电路应用领域 ............................................... 6 CMOS 集成电路................................................ 9 运算放大器 ..................................................... 9 CMOS 运算放大器............................................. 10
4
CMOS 运算放大器版图设计 .......................................... 25 4.1 版图设计流程 ................................................... 25 4.2 工艺设计规则 ................................................... 26 4.3 单元器件的绘制——图元 ......................................... 27 4.4 4.5 CMOS 放大器的版图设计........................................ 31 T-Spice 仿真 ................................................... 34
Bi-CMOS集成运算放大器的电路分析及版图设计毕业论文
论文题目: Bi-CMOS集成运算放大器的电路分析及版图设计摘要集成运算放大器是一种重要电子元器件，在电子产品中得到广泛应用,可作为误差放大器、比较器、滤波器等。
理想的放大器应该无噪声、具有无穷大增益和输入阻抗、无穷小输出阻抗以及零失调电压等。
在这篇论文中，我本文主要研究了运算放大器电路的工作原理和版图设计，同时还了简要解了Bi-CMOS工艺步骤。
运算放大器电路主要包括输入级、偏置电路、中间级和输出级，输入信号加载到输入级并在合适的偏置下通过输出级得到放大信号。
版图设计主要是熟悉设计规则，布局布线合理美观，并要进行DRC验证和LVS 验证。
Bi-CMOS工艺可满足现代大规模集成电路对器件性能的要求，特别适用于高压和大电流的功率电路，在今后的高性能集成电路中有很大的发展潜力。
通过本次毕业设计，我完成了一个增益为86dB,输出共模范围为3.5V，失调电压为6.5mV，摆率较小的放大器电路设计。
绘制出了放大器的版图，并且通过了进行DRC验证和LVS验证。
关键词：放大器,电路,版图,工艺Subject: Analysis and layout design of CMOS integrated OPAbstractIntegrated operational amplifier is an important electronic components, it is used in electronic applications is very extensive currently, for example, it can be used as amplifiers, comparators, filters, etc. The ideal amplifier should without noise, has infinite gain and input impedance, infinite output impedance and zero offset voltage.In this paper, I mainly study the works of the op amp circuit principle and layout design, and also study briefly the solution of the Bi-CMOS process steps. The op amp circuit including the input stage, bias circuit, the middle stage and output stage. The input signal is loaded into the input stage and output stage amplifies the signal in the right bias. Layout design main is familiar with the design rules, the layout wiring reasonable and beautiful, and must carry on the DRC validation and LVS verification. Bi-CMOS technology to meet the requirements of modern LVSI device performance, especially suitable for high voltage and high current power circuit, there is great potential in future high performance integrated circuits.By the graduation project, I completed a gain of 86dB; the output common-mode range is 3.5V, the offset voltage of 6.5mV, smaller slew rate amplifier circuit design. Map out the territory of the amplifier, and through the DRC verification and LVS verification.Keywords: Amplifier, Circuit, Layout, Process毕业设计（论文）原创性声明和使用授权说明原创性声明本人郑重承诺：所呈交的毕业设计（论文），是我个人在指导教师的指导下进行的研究工作及取得的成果。
CMOS高性能运算放大器研究与设计
CMOS高性能运算放大器研究与设计一、本文概述随着现代电子技术的飞速发展，高性能运算放大器（Operational Amplifier，简称运放）作为电子系统的核心元件，其性能对整个系统的性能有着至关重要的影响。
特别是互补金属氧化物半导体（CMOS）技术下的高性能运算放大器，因其低功耗、高集成度、优良的温度稳定性和较小的噪声特性等优点，在模拟信号处理、通信、医疗仪器、测试测量等领域有着广泛的应用。
本文旨在深入研究CMOS高性能运算放大器的设计与实现技术，分析影响其性能的关键因素，探索提升性能的有效方法。
文章将首先回顾CMOS运算放大器的发展历程，分析其基本工作原理和性能指标。
然后，将重点探讨CMOS高性能运算放大器的电路设计技术，包括输入级、中间级、输出级和偏置电路等关键部分的设计原则和实现方法。
文章还将讨论CMOS运算放大器的噪声优化、功耗优化和稳定性提升等关键技术，并给出具体的设计实例和实验结果。
本文的目标是为CMOS高性能运算放大器的设计者提供一套完整的设计理念和方法论，帮助他们在满足性能要求的实现更低的功耗、更小的面积和更高的可靠性。
也希望通过本文的研究，能够为CMOS 运算放大器的发展和应用提供新的思路和方向。
二、CMOS运算放大器的基本原理运算放大器（Operational Amplifier，简称Op-Amp）是一种广泛应用于模拟信号处理电路中的核心元件，它能在宽频率范围内提供高放大倍数、高输入阻抗和低输出阻抗。
CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）运算放大器则是以CMOS工艺制造的运算放大器，具有低功耗、低噪声和高集成度等优点，因此在现代电子系统中得到了广泛应用。
CMOS运算放大器的基本原理主要基于差动放大电路和反馈网络。
差动放大电路由两个结构相同、性能对称的晶体管构成，通过差分输入信号控制两个晶体管的导通程度，从而实现信号的放大。
毕业设计(论文)-cmos运算放大电路的版图设计[管理资料]
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目录摘要 (3)第一章引言 (3)§ (3)§ CMOS 电路的发展和特点 (5)第二章CMOS运算放大器电路图 (8)§Pspice软件介绍 (8)Pspice运行环境 (12)Pspice功能简介 (12)§CMOS运算放大器电路图的制作 (14)§小结 (20)第三章版图设计 (20)§L-EDIT软件介绍 (20)§设计规则 (21)§集成电路版图设计 (24)PMOS版图设计 (24)NMOS版图设计 (27)CMOS运算放大器版图设计 (27)优化设计 (32)第四章仿真 (40)§DRC仿真 (41)§LVS 对照 (42)第五章总结 (48)附录 (50)参考文献 (52)致谢 (53)摘要介绍了CMOS运算放大电路的版图设计。
并对PMOS、NMOS、CMOS运算放大器版图、设计规则做了详细的分析。
通过设计规则检查（DRC）和版图与原理图对照（LVS）表明，此方案已基本达到了集成电路工艺的要求。
关键词：CMOS 放大器 NMOS PMOS 设计规则检查版图与原理图的对照AbstractThe layout desigen of CMOS operation amplifer is presented in this the layouts and design rules of PMOS,NMOS, and CMOS operation amplifer. The results of design rule check(DRC)and layout verification schmatic(LVS) shown that the project have already met to the needs of IC fabricated processing. Keywords: CMOS Amplifer NMOS PMOS DRC LVS第一章引言1．1 集成电路版图设计的发展现状和趋势集成电路的出现与飞速发展彻底改变了人类文明和人们日常生活的面目。
《2024年CMOS高性能运算放大器研究与设计》范文
《CMOS高性能运算放大器研究与设计》篇一一、引言随着集成电路技术的飞速发展，CMOS（互补金属氧化物半导体）高性能运算放大器在电子系统中的应用越来越广泛。
其性能的优劣直接影响到整个电路系统的性能。
因此，对CMOS高性能运算放大器的研究与设计显得尤为重要。
本文将介绍CMOS高性能运算放大器的研究背景、意义以及设计方法和关键技术。
二、CMOS高性能运算放大器的研究背景与意义CMOS运算放大器作为一种核心的模拟电路元件，具有低噪声、高精度、低功耗等优点，广泛应用于各种电子设备中。
随着科技的发展，对运算放大器的性能要求越来越高，如更高的增益、更低的噪声、更快的响应速度等。
因此，研究与设计CMOS高性能运算放大器对于提高电子设备的性能、推动科技进步具有重要意义。
三、CMOS高性能运算放大器的设计方法1. 拓扑结构选择：选择合适的拓扑结构是设计高性能CMOS 运算放大器的关键。
常见的拓扑结构包括套筒式、折叠式、差分式等。
根据应用需求，选择合适的拓扑结构以实现所需的性能指标。
2. 参数设计：在确定拓扑结构后，需要进行参数设计。
包括确定放大器的增益、带宽、噪声等性能参数。
这些参数的合理设计将直接影响放大器的性能。
3. 电路仿真与优化：利用电路仿真软件对设计进行仿真，验证设计的可行性和性能。
根据仿真结果，对电路进行优化，以提高性能指标。
4. 版图设计与验证：将电路设计转化为版图，并进行验证。
在版图设计中，需要考虑工艺、布局、走线等因素，以确保最终产品的性能。
四、关键技术1. 低噪声设计：降低噪声是提高CMOS运算放大器性能的重要手段。
通过优化电路结构、采用低噪声器件、降低电源电压等方法，可以有效降低噪声。
2. 高增益设计：高增益是CMOS运算放大器的关键性能指标之一。
通过优化电路拓扑、采用增益提升技术等方法，可以提高放大器的增益。
3. 高速响应设计：为了提高响应速度，需要降低电路的寄生电容和电阻。
通过优化电路布局、采用高速器件等方法，可以降低寄生参数，提高响应速度。
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CMOS运算放大器版图设计毕业论文目录前言 (5)第1章绪论 (6)1.1 课题背景 (6)1.1.1 研究背景 (6)1.1.2研究容 (7)1.2 电路设计流程 (8)1.3 主要工作以及任务分配 (10)1.3.1主要工作 (10)1.3.2 任务分配 (10)第2章版图基础知识 (11)2.1 版图的设计简介 (11)2.1.1 版图的概念 (11)2.1.2 版图中层的意义 (11)2.2 CMOS工艺技术 (14)2.2.1概述 (14)2.2.2 CMOS工艺的一些主要步骤 (15)2.2.3 CMOS制造工艺的基本流程 (16)2.3 设计规则 (18)2.4 MOS集成运放的版图设计 (22)第3章 CMOS运算放大器简介 (23)3.1 概述 (23)3.2两级CMOS运算放大器的优点 (24)3.3 两级运算放大器原理简单分析 (24)第4章 CMOS运算放大器的仿真 (27)4.1 概述 (27)4.2 MOS运算放大器技术指标总表 (27)4.3仿真数据 (29)4.3.1 DC分析 (29)4.3.2测量输入共模围 (30)4.3.3 测量输出电压围 (31)4.3.4 测量增益与相位裕度 (33)4.3.5 电源电压抑制比测试 (34)4.3.6 运放转换速率和建立时间分析 (36)4.3.7 CMRR的频率响应测量 (38)第5章算放大器版图设计 (40)5.1 Cadence使用说明 (40)5.2 版图设计 (42)5.3 CMOS运放版图 (43)第6章总结 (44)参考文献 (44)致谢词 (45)外文资料原文 (45)外文资料译文 (46)第1章绪论1.1 课题背景1.1.1 研究背景运算放大器（简称运放）是具有很高放大倍数的电路单元。
在实际地电路中，通常结合反馈网络共同组成某种功能模块。
由于早期应用于模拟计算机中，用以实现数字运算，故得名“运算放大器”。
运算放大器（简称运放）是许多混合信号系统和模拟系统中的一个组成部分。
不同层次的复杂的运算放大器是用来实现多种功能的：高速放大或过滤的直流偏置。
每一代CMOS技术，由于供应减少电压和晶体管沟道长度的运算放大器的设计，继续为运放的设计提出一个复杂的问题。
我们粗略地把运放定义为“高增益的差动放大器”。
所谓“高”，指的是对应用，10。
由于运放一般用来实现一个反馈系统，其其增益已足够了，通常增益围在10~5开环增益的大笑根据闭环增益电路的精度要求来选取。
20年前，大多数的运放是各种应用的一个通用模块。
这些努力试图创造一个“理想”的运算放大器，例如，高电压增益，高输入阻抗和低输出阻抗。
然而，却要牺牲成本费用的其他性能如输出幅度，速度和功耗。
与次相反，今天的运放设计，放大器的设计从开始就认识到妥协之间的各种参数，这样一个妥协，最终将需要更多地考虑整体的设计，因此，我们需要知道满足每个人从适当的值的参数。
例如，如果高速度的要求，增益误差要求不高的选择电路结构应有利于前者，后者可以牺牲。
运算放大器的版图设计，是模拟集成电路版图设计的典型，利用Cadence对设计初稿加以模拟，然后对不符合设计目标的参数加以修改并进行模拟，重复这一过程，最终得到优化设计方案，其关键在于寻找目标与决定因素之间的关系。
1.1.2研究容模拟集成电路设计过程可以分为俩大部分设计的前端和后端。
前段设计包括设计电路、输入原理图和仿真电路；后端设计（也可以叫物理设计）包括版绘制版图及其验证。
前段设计包括设计电路结构和输入原理图。
根据要求参数设计所需电路后，把原理图输入到设计环境中并对其进行电路仿真，也就是对元件尺寸的设计、电路的结构、布局前电路及负载估计进行模拟。
在此过程中要求芯片的生产厂家提供出可以模拟库文件以便用于仿真。
分析电路主要还包括瞬态分析、直流分析、交流分析、温度分析、模拟参数分析、噪声分析等。
如果仿真结果完全符合了设计的要求以后就可以将电路提供给后端从而进行版图方面的设计。
后端中在绘制完成版图后最初要通过版图的一些验证，版图的验证包括版图与电路原理图的对比验证（LVS; Layout Versus Schematic）、电气规则的检查（ERC; Electrical Rule Check）、设计规则的验证（DRC; Design Rule Check）。
DRC验证是对电路的一些布局进行几何空间的验证从而保证厂家在工艺技术方面可以实现线路的连接；ERC验证用来检查电气连接中的一些错误，像电源和地是否短路、器件是否悬空等等所制定的一些电特性。
在设计的规则检查中包括了ERC检查的规则，一般来说只需要LVS和后仿真能够通过，ERC都不会有问题，所以ERC验证不经常出现，而厂家也就不会提供出ERC的规则文件。
LVS验证是把电路图与版图作一个拓扑关系的对比，从而检查出在布局前后元件值、衬底的类型是否相符，电路连接的方式是否保持一致。
版图中的一些寄生元件将对集成电路的某些性能产生严重的影响。
因此必须要对从版图中提取出来的网表（其中包含着寄生元件）进行仿真，此过程称为后仿真。
最后的模拟验证是将包含有寄生效应的整个电路加进输入信号。
通过了电气规则的检查，设计规则的检查，电路抽取的验证和后仿真，就可以提交各芯片厂家试流片了。
在严格按照设计程序进行电路仿真并通过版图验证和后仿真之后，投片是否成功，关键是看芯片制造厂了。
本论文主要分析CMOS集成运算放大各个部分的主要原理；完成对CMOS运放的设计，用Spectre进行仿真模拟，从模拟的结果中推导出各个参量和其决定因素之间的关系，从而确定出符合设计指标所的版图几何尺寸以及工艺参数，建立出从性能指标到版图设计的优化路径。
运算放大器的版图设计，是模拟集成电路版图设计的典型，利用Spectre对设计初稿加以模拟，然后对不符合设计目标的参数加以修改，重复这一过程，最终得到优化设计方案。
最后根据参数尺寸等进行版图设计以及验证。
本设计采用全制定模拟集成电路设计方法，严格根据模拟集成电路的正向设计流程，采用上华0.6umCMOS双多晶双铝CMOS混合工艺设计规则，全部设计过程在Cadence的设计平台上完成。
1.2 电路设计流程一般完整的CMOS电路设计包括多个步骤，将它简要分为4步，如图1.1所示。
下面对每一步的工作进行简单的说明。
首先是确定设计目标。
根据目标的需求，以及需要使用的电路工艺，决定具体的电路要求。
这些要求包括：增益、电源电压、功耗、带宽、电路面积、噪声、失真、输入输出动态围等。
在这里设计者要对目标有清晰透彻的理解，并可通过一些方法如建模等对目标的可实现性进行验证，从而使后续工作能够顺利的进行。
其次是构造电路并进行仿真。
通常也可以称此阶段为电路设计。
但是，这里的“设计”只是整个电路设计流程中的一步。
这里要对电路的各个主要性能进行仿真，对不符合要求的参数进行修改，并重新仿真。
重复这一过程。
使其最终能达到所需要的性能指标。
再次是版图的绘制。
所谓电路原理图是指器件符号与连线的抽象关系的表示，并不是实际中的电路连接，因此我们必须将电路原理图转化为具有实际物理意义的版图，从而确定出电路各器件以及连线的真实形状。
电路原理图中的器件符号被版图中的器件所代替，而原理图中的连线也用版图中的导线来表示，最终电路的形状就被版图的形状所代替了。
因此也可以这么说，所见的版图就是需要的电路，最终将版图提交给生产厂家。
版图完成之后，把数据交给晶片制造厂进行生产，一般需要经过6至8周的时间，厂家会制造好电路，将芯片返回给设计者。
最后是对完成的芯片进行一些测试。
在管壳或测试PCB板上封装上芯片，使用测试仪器，通过设计外围电路进行测试，得到所设计电路的测试结果进行对比。
图1.1 模拟集成电路设计流程在经过“确定目标——电路仿真——版图制作——流片测试”这4个步骤后，才能算完成了全部的电路设计流程。
将最后的测试结果和最初的电路指标进行比较，总结电路设计的结果。
从而为下一次的电路设计做准备。
1.3 主要工作以及任务分配1.3.1主要工作（1）收集CMOS运算放大器和模拟集成电路版图设计的相关资料。
（2）分析CMOS运算放大器电路的构成和基本原理并对其相关电路进行筛选。
（3）学习有关参考书籍，掌握有关设计、计算方法。
（4）方案论证与比较。
（5）电路的单元设计（6）对电路进行仿真和参数分析（7）版图设计与优化。
（8）DRC验证及修改仿真。
（9）设计总结。
1.3.2 任务分配（1）第3周：资料收集及整理。
（2）第4周：设计基本原理图，并提交毕业设计开题报告。
（3）第5周~第8周：对设计的电路进行版图设计。
（4）第9周~第14周：根据从版图中提取的参数，进行软件仿真。
将仿真结果与设计参数进行比较，如不满足设计指标要求，则修改版图，再提取参数、仿真对比，知道满足需要为止。
（5）第15周~第16周：撰写设计报告，提交符合规的设计报告。
（6）第17周：答辩。
1.4 小结本小节主要介绍了CMOS运放的研究背景以及研究容，还介绍了模拟集成电路设计的基本流程。
使我们对设计模拟集成电路有了初步的了解。
最后指出了本次设计主要工作以及主要容。
第2章版图基础知识2.1 版图的设计简介2.1.1 版图的概念版图：就是按照规则画好器件，合理的摆放器件，再用金属线适当的连接。
不同的颜色图案表示不同的层次，工艺厂商按照图纸制造掩膜版，掩膜版的层数设计工艺步数和成本。
不同的颜色图案层叠起来，从平面图上反应着立体的存在。
2.1.2 版图中层的意义为了更好的理解版图的概念，这里介绍MOS管。
如图2.1的PMOS管，左侧是电路原理图中的符号，右边是物理结构图。
在PMOS管结构图中，包含了P衬底、N 阱、P+有源区、栅极下氧化层、多晶硅栅以及引出的G、D、S、B各级的接触孔。
实际上，它们是一层一层从下到上叠在一起的。
因此，一个MOS管包含了多层结构。
图2.1 PMOS符号和物理构造制作MOS管的过程也是按照顺序从下到上依次进行的。
换句话说，起初只有一层硅片；然后把N阱制作在P衬底上，这就形成了第二层；把有源区注入N阱中，这就形成了第三层；而作为栅极下的氧化层，要在有源区上产生一层氧化物，这就形成了第四层；在氧化层上增加多晶硅栅，这就形成了第五层；最后把接触孔打在MOS管各级上，通过金属，使MOS管能和其他电路器件相连接，这就形成了第六层。
而在MOS管的每一层的制作中又包含若干个步骤。
实际上，除了这里提到的这六层外，为了保证制作的可靠性还会适当加入其他物质层。
一个电路的制作需要使用多项工艺，执行许多个步骤。
这里我们只要知道集成电路是分层制造，器件具有多层的结构。
由于集成电路是按层制作出来的，而版图是表示电路实际构造的，也就需要不同的层来表示器件、电路的结构以及连接。