经典过压保护电路
直流电源过电压过流保护电路
直流电源过电压、欠电压及过流保护电路该保护电路在直流电源输入电压大于30V或小于18V或负载电流超过35A时，晶闸管都将被触发导通，致使断路器QF跳闸。
图中，YR为断路器QF的脱扣线圈；KI为过电流继电器。
带过流保护的电动自行车无级调速电路图中，RC为补偿网络，以改善电动机的力矩特性。
具体数值由实验决定。
电路如图16-91所示。
它适用于电动自行车或电动三轮车。
调节电位器RP，可改变由555时基集成电路A组成的方波发生器的方波占空比，达到调速的目的。
Rs是过电流取样电阻，当电动机过载时，Rs上的压降增大，使三极管VTz导通，触发双向晶闸管V导通，分流了部分负载，从而保护了功率管VTi。
过流保护用电子保险的制作电路图本电路适用于直流供电过流保护，如各种电池供电的场合。
如果负载电流超过预设值，该电子保险将断开直流负载。
重置电路时，只需把电源关掉，然后再接通。
该电路有两个联接点(A、B标记)，可以连接在负载的任意一边。
负载电流流过三极管T4、电阻R10和R11。
A、B端的电压与负载电流成正比，大多数的电压分配在电阻上。
当电源刚刚接通时，全部电源电压加在保险上。
三极管T2由R4的电流导通，其集电极的电流值由下式确定：VD4=VR7+0.6。
因为D4上的电压(VD4)和R7上的电压(VR7)是恒定的，所以T2的集电极电流也是恒定。
该三极管提供稳定的基极电流给T3，因而使其导通，接着又提供稳定的基极电流给T4。
保险导电，负载有电流流过。
当电源刚接通时，电容器C1提供一段延时，从而避免T1导电和保持T2断开。
保险上的电压(VAB)通常小于2V，具体值取决于负载电流。
当负载电流增大时，该电压升高，并且在二极管D4导通时，达到分流部分T2的基极电流，T2的集电极电流因而受到限制。
由此，保险上的电压进一步增大，直到大约4.5V，齐纳二极管D1击穿，使T1导通，T2便截止，这使得T3和T4也截止，此时保险上的电压增大，并且产生正反馈，使这些三极管保持截止状态。
单片机5v过压保护电路
单片机5V过压保护电路简介单片机（Microcontroller）是一种集成了处理器、存储器和各种输入输出接口的微型计算机系统。
在实际应用中，单片机常常需要与外部电源进行连接，而不同的电源可能存在过压的情况，这对单片机的正常工作会造成损坏甚至灾难性后果。
因此，设计一个有效的过压保护电路对于确保单片机系统的稳定运行至关重要。
本文将介绍一种基于5V供电的单片机过压保护电路设计方案，并详细解释其原理和实现方法。
设计原理过压保护电路是通过监测输入电压并在超出设定范围时切断或限制电流流动来保护目标设备。
为了实现单片机5V过压保护，我们可以采用以下原理：1.采用稳压芯片：使用稳压芯片将输入电源稳定在5V以供给单片机使用。
2.过压检测：通过比较输入电压与设定阈值来检测是否存在过压情况。
3.过压切断：当检测到输入电压超出阈值时，切断输入电源以保护单片机。
电路设计稳压芯片为了稳定供电，我们可以选择一款适合的稳压芯片，例如LM7805。
这款芯片能够将输入电压稳定在5V输出，并具有过热保护和短路保护功能。
稳压芯片的接线如下：•输入端（VIN）连接到外部电源正极（VCC）。
•接地端（GND）连接到外部电源负极和单片机的接地端。
•输出端（VOUT）连接到单片机的供电输入端。
过压检测为了检测输入电压是否超出设定阈值，我们可以使用比较器和参考电压。
以下是一种简单的过压检测方法：1.使用一个分压电阻将一部分输入电压分配给比较器。
2.将参考电压设置为期望的阈值，例如4.7V。
3.将比较器的正输入端连接到分压后的输入信号，负输入端连接到参考电压。
4.比较器输出与单片机相连，用于触发过压保护。
过压切断当检测到过压情况时，我们需要切断或限制电流流动以保护单片机。
以下是一种简单的过压切断方法：1.使用一个继电器或MOSFET作为开关，将其控制端连接到比较器的输出端。
2.当比较器输出高电平时，开关关闭，切断输入电源与单片机的连接。
3.当比较器输出低电平时，开关打开，恢复输入电源与单片机的连接。
过压保护电路
过压保护电路
开关管的开关频率就是行频，采用PTN3361行频作为开关管的工作频率是为了减小开关电源对图像的干扰影响。
由于开关管的开关频率是由行频控制的，这样开关管的工作周期是一定的。
开关管导通时间的长短是由输出电压的大小决定的，它是可以改变的，所以这是一个调宽式电路。
过压保护电路分析.开关型稳压电源的一个优点是能够很方便地引入各种保护电路，这一电源电路设有3种保护电路：一是过压保护电路，二是行输出过流保护电路，三是场瑜出级短路保护电路。
图3-165所示是这种机芯电源电路中的保护电路，电路中的VT704用于保护电路中的晶闸管，VT702是行输出管，M601构成场输出级
电路，rl703是行输出变压器。
过压保护电路是用来防止彩色电视机中高压太高的电路，当高压太高时会出现危险情况。
这一保护电路的工作原理是这样：当高压升高时，行输出变压器T703的另一组绕组(②．⑧)两端的电压也升高，这一电压经VD707、VD705和C729构成的倍压整流电路的整流，再经C730滤波后，加到电源电路中CP701的①脚上，经内电路中的Rl、R2分压，加到稳压二极管上，使之导通，这样CP701的③脚输出一个直流电压，加到晶闸管控制极上，使之导通。
在VT704导通后，将电阻R729接地，由于该电阻只有1Q，这样相当于将稳压电源+60V输出端对地短接，使脉冲变压器的二次绕组对地短接，自激振荡所需要的正反馈被破坏，电源电路停止工作，没有直流电压输出，达到过压保护的目的。
过压保护电路
过压保护电路
最近在做一个东西，以前用的一个过压保护电路，保护范围不够大，测试了一下，超过26V就不行了（26V一下还是很好用的，也在我上传的文库里），但是我的保护电压设定的是28V，所以又另外换了一个方案，电路其实很简单，肯定也有很多人在用这个电路，但是我没见有谁分享出来，所以就贴出来，和大家分享，为需要但又不知如何下手的朋友提供个参考。
下面分析下原理。
1、当VCC_IN电压在28V以内的时候，稳压管D1不会导通，所以Q1就相当于通过R1和R4两个电阻上拉到VCC_IN，Q1截止，注意Q1是PNP的管子！Q1截止，就相当于是个开路，可以将左边部分电路去掉，相当于下面电路
Shao_hx 2012-04-10
这样Q2就会导通，VCC_OUT就会有输出，给后级电路供电。
2、当VCC_IN超过28V，稳压管导通，并使稳压管阴极电压维持在28V，这样，Q1的BE极间电压就不为0，三极管开始导通，从而使Q2的门极电压等于源极电压，使其关断。
则后级供电也就断开了。
图中VD2是为了保护三极管的BE极电压不要超过范围，稳压管的稳压值不的高于三极管BE级间电压所能承受的范围。
如果觉得对您有帮助，请朋友推荐一下，谢谢！
本人QQ：330597893，愿结识有共同爱好的朋友。
Shao_hx 2012-04-10。
过压保护电路
过压保护电路MAX6495-MAX6499/MAX6397/MAX6398过压保护(OVP)器件用于保护后续电路免受甩负载或瞬间高压的破坏。
器件通过控制外部串联在电源线上的n沟道MOSFET实现。
当电压超过用户设置的过压门限时，拉低MOSFET的栅极，MOSFET关断，将负载与输入电源断开。
过压保护器件数据资料中提供的典型电路可以满足大多数应用的需求(图1)。
然而，有些应用需要对基本电路进行适当修改。
本文讨论了两种类似应用：增大电路的最大输入电压，在过压情况发生时利用输出电容存储能量。
图1 过压保护的基本电路增加电路的最大输入电压虽然图1电路能够工作在72V瞬态电压，但有些应用需要更高的保护。
因此，如何提高OVP器件的最大输入电压是一件有意义的事情。
图2所示电路增加了一个电阻和齐纳二极管，用来对IN的电压进行箝位。
如果增加一个三极管缓冲器(图3)，就可以降低对并联稳压器电流的需求，但也提高了设计成本。
图2 增大最大输入电压的过压保护电路图3 功过三极管缓冲器增大输入电压的过压保护电路齐纳二极管的选择，要求避免在正常工作时消耗过多的功率，并可承受高于输入电压最大值的电压。
此外，齐纳二极管的击穿电压必须小于OVP的最大工作电压(72V)，击穿时齐纳二极管电流最大。
串联电阻(R3)既要足够大，以限制过压时齐纳二极管的功耗，又要足够小，在最小输入电压时能够维持OVP器件正常工作。
图2中电阻R3的阻值根据以下数据计算：齐纳二极管D1的击穿电压为54V;过压时峰值为150V，齐纳二极管的功率小于3W。
根据这些数据要求，齐纳二极管流过的最大电流为：3W/54V = 56mA根据这个电流，R3的下限为：(150V - 54V)/56mA = 1.7kWR3的峰值功耗为：(56mA)2 ×1.7kW = 5.3W如果选择比5.3W对应电阻更小的阻值，则会在电阻和齐纳二极管上引起相当大的功率消耗。
为了计算电阻R3的上限，必须了解供电电压的最小值。
单片机5v过压保护电路
单片机5v过压保护电路一、引言随着电子技术的不断发展，单片机在各领域应用日益广泛。
为确保单片机系统稳定可靠运行，过压保护电路设计显得尤为重要。
本文将介绍一种5V过压保护电路，旨在为单片机系统提供有效的过压保护。
二、5V过压保护电路原理1.过压保护必要性过压保护是为了防止单片机系统在供电电压超出正常范围时受到损坏。
当输入电压高于单片机工作电压时，过压保护电路能及时动作，将电压控制在安全范围内。
2.5V过压保护电路工作原理5V过压保护电路主要由稳压器、比较器、晶体管、电容和电阻等元件组成。
稳压器用于提供稳定的电源电压，比较器用于检测输入电压是否超过设定阈值，晶体管作为开关元件，实现输入电压的调整。
三、电路元件选择与设计1.稳压器选用线性稳压器，例如LM317，可提供稳定的输出电压，且具有短路保护和过温保护等功能。
2.比较器选用Operational Amplifier（如OP07），其具有高输入阻抗、低输出阻抗的特点，能够准确检测输入电压是否超过设定阈值。
3.晶体管选用硅材料NPN晶体管，如2N3904，作为开关元件。
在过压情况下，晶体管导通，将多余电压释放到地，从而实现过压保护。
4.电容和电阻电容选用陶瓷电容，如0.1uF，用于滤波和耦合；电阻选用固定电阻，如240Ω，用于限制电流。
四、电路元件布局与调试1.布局注意事项电路元件布局时，应注意以下几点：（1）各元件间相互干扰问题，尽量远离；（2）遵循信号flow，避免信号走弯；（3）电源线和地线宽度要足够，以减小电阻和电感；（4）电容尽量靠近电源输入端。
2.调试方法调试时，可通过改变比较器输入端电压，模拟过压情况，观察晶体管是否能够及时动作，将电压控制在安全范围内。
同时，检查各元件工作状态，确保电路正常工作。
五、应用实例1.某单片机系统过压保护电路设计以某单片机系统为例，其工作电压为5V。
根据实际需求，设定过压保护阈值为7V。
选用LM317线性稳压器、OP07运算放大器、2N3904晶体管等元件，按照上述电路原理和布局要求，设计过压保护电路。
直流电源过电压过流保护电路
直流电源过电压、欠电压及过流保护电路该保护电路在直流电源输入电压大于30V或小于18V或负载电流超过35A时，晶闸管都将被触发导通，致使断路器QF跳闸。
图中，YR为断路器QF的脱扣线圈；KI为过电流继电器。
带过流保护的电动自行车无级调速电路图中，RC为补偿网络，以改善电动机的力矩特性。
具体数值由实验决定。
电路如图16-91所示。
它适用于电动自行车或电动三轮车。
调节电位器RP，可改变由555时基集成电路A组成的方波发生器的方波占空比，达到调速的目的。
Rs是过电流取样电阻，当电动机过载时，Rs上的压降增大，使三极管VTz导通，触发双向晶闸管V导通，分流了部分负载，从而保护了功率管VTi。
过流保护用电子保险的制作电路图本电路适用于直流供电过流保护，如各种电池供电的场合。
如果负载电流超过预设值，该电子保险将断开直流负载。
重置电路时，只需把电源关掉，然后再接通。
该电路有两个联接点(A、B标记)，可以连接在负载的任意一边。
负载电流流过三极管T4、电阻R10和R11。
A、B端的电压与负载电流成正比，大多数的电压分配在电阻上。
当电源刚刚接通时，全部电源电压加在保险上。
三极管T2由R4的电流导通，其集电极的电流值由下式确定：VD4=VR7+0.6。
因为D4上的电压(VD4)和R7上的电压(VR7)是恒定的，所以T2的集电极电流也是恒定。
该三极管提供稳定的基极电流给T3，因而使其导通，接着又提供稳定的基极电流给T4。
保险导电，负载有电流流过。
当电源刚接通时，电容器C1提供一段延时，从而避免T1导电和保持T2断开。
保险上的电压(VAB)通常小于2V，具体值取决于负载电流。
当负载电流增大时，该电压升高，并且在二极管D4导通时，达到分流部分T2的基极电流，T2的集电极电流因而受到限制。
由此，保险上的电压进一步增大，直到大约4.5V，齐纳二极管D1击穿，使T1导通，T2便截止，这使得T3和T4也截止，此时保险上的电压增大，并且产生正反馈，使这些三极管保持截止状态。
开关电源的各种过压保护电路
开关电源的各种过压保护电路开关电源输出过压保护电路，有通过控制自身电源来调节的，也有防止外部电压过高带来的电源损伤，自身调节一般是指，过压电路是在反馈环路出现问题的时候，控制输出电压不至于太高，或者是关闭开关电源控制，来避免输出电解电容与后级的用电设备损坏。
那我们就要知道当过压时，是限制电压不要超过一个电压还是要求关闭电源。
只有知道了要求后就根据要求来设计电路。
图1是输出保护电路的一种，这种电路应用非常多，他是用TL431与光耦的搭配，靠光耦的导通来控制原边的控制芯片停机，实现过于保护，的他的好处是过压保护电压精度高，一般应用到后级需要严格控制电源的电源。
他的成本是比较高的。
图2也是一种输出保护电路，这种电路就是在上一个电路的基础上进行了变动，原理是本来利用TL431来检测输出电压的电路改成了一个稳压管，稳压管的精度是没有TL431高的，但是价格比TL431便宜，这也就是他的优势，缺点是他的精度不高，对于这种电路一般应用在没有要求具体多少电压过压的电源，就是在出现过压的时候起到一个保护电解电容的作用，不至于电解电容坏。
上面的两种方法，我们一直看到有一个光耦的存在，这是应为我们的电源是隔离的原因，但是光耦的价格也是不便宜的。
如果不需要过压精度很高，那么我们是不是可以想办法吧光耦去除，而且是能检测输出电压的办法，是不是最好了，那有什么好的办法了，隔离不用光耦，我们是不是就想到用互感器等磁芯器件，但是这又违背了价格便宜的问题，最好是在不增加其他器件的基础上就能实现过压保护功能。
隔离电源我们都会有一个隔离变压器，这是每一个开关电源都有的，那么我们是不是可以利用这一个开关变压器来实现，我们知道电源是有VCC绕组，我们能不能用VCC绕组来实现过压保护了，肯定是可以的，只是精度与一致性不好，但是价格便宜，如果在你的接受范围内的话，是不是很好。
那么就有了下面的电路图，下面Latch脚是芯片检测过压的脚。
上面的三种电路都是对于电源自身反馈环路有问题的时才有作用，那要是输出电压被外电压强制提高怎么办了,很多的时候就想到了，看下面的图，是不是增加了一个TVS，这一个TVS 只能够钳位过压非常短的时间，要是长时间的，可能会坏，但是他的价格便宜。
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经典过压保护电路
过压保护器件需要修改电路讨论两种类似应用解决方案：增大电路的最大输入电压增
加一个电阻和齐纳二极管，用来对IN 的电压进行箝位利用输出端电容储能引言
MAX6495–MAX6499/MAX6397/MAX6398 过压保护(OVP)器件用于保护后续电路免受甩负载或瞬间高压的破坏。
器件通过控制外部串联在电源线上的n 沟道MOSFET 实现。
当电压超过用户设置的过压门限时，拉低MOSFET 的栅极，MOSFET 关断，将负载与输入电源断开。
过压保护(OVP)器件数据资料中提供的典型电路可以满足大多数应用的需求(图1)。
然而，有些应用需要对基本电路进行适当修改。
本文讨论了两种类似应用：增大电路的最大输入电压，在过压情况发生时利用输出电容存储能量。
图1. 过压保护的基本电路
增加电路的最大输入电压
虽然图1 电路能够工作在72V 瞬态电压，但有些应用需要更高的保护。
因此，如何提高OVP 器件的最大输入电压是一件有意义的事情。
图2 所示电路增加了一个电阻和齐纳二极管，用来对IN 的电压进行箝位。
如果增加一个三极管缓冲器(图3)，就可以降低对并联稳压器电流的需求，但也提高了设计成本。
图2. 增大最大输入电压的过压保护电路
图3. 通过三极管缓冲器增大输入电压的过压保护电路齐纳二极管的选择，要求避免在正
常工作时消耗过多的功率，并可承受高于输入电压最大值的电压。
此外，齐纳二极管的击穿电压必须小于OVP 的最大工作电压(72V)，击穿时齐纳二极管电流最大。
串联电阻(R3)
既要足够大，以限制过压时齐纳二极管的功耗，又要足够小，在最小输入电压时能够维持OVP 器件正常工作。
图2 中电阻R3 的阻值根据以下数据计算：齐纳二极管D1 的击穿电压为54V；过压时峰值为150V，齐纳二极管的功率小于3W。
根据这些数据要求，齐纳二
极管流过的最大电流为：3W/54V = 56mA 根据这个电流，R3 的下限为：(150V -
54V)/56mA = 1.7kΩR3 的峰值功耗为：(56mA)2 ×1.7kΩ= 5.3W 如果选择比5.3W
对应电阻更小的阻值，则会在电阻和齐纳二极管上引起相当大的功率消耗。
为了计算电阻
R3 的上限，必须了解供电电压的最小值。
保证MAX6495 正常工作的最小输入电压为5.5V。
例如，假设供电电压的最小值为6V，正常工作时R3 的最大压降为500mV。
由于MAX6495 的工作电流为150μA (最大)，相应电阻的最大值为：500mV/150μA = 3.3kΩ图2 中的
R3 设置为2kΩ，可以保证供电电压略小于6V 时OVP 器件仍可以正常工作。
注意，发生
过压故障时，R3 和D1 (图2)需要耗散相当大的功率。
如果过压条件持续时间较长(如：几十毫秒以上)，图3 所示电路或许更能胜任应用的要求。
图中射极跟随器通过降低从R3 与D1 节点抽取的电流大大增加R3 所允许的最大值。
以β值为100 的三极管为例，此时150μA 的器件工作电流变成1.5μA。
这种情况下，不能忽略5μA 的二极管反向漏电流。
R3 为10k Ω，因此，由于漏电流在R3 上产生的压降会达到50mV。
在IN 和GND 间使用一个1μF (最小值)的陶瓷电容。
确保器件的电压范围满足输入电压的要求，须注意MOSFET 的
VDS_MAX 额定值。
利用输出端电容储能
发生过压时，典型应用电路能够对输出电容自动放电，以保护下游电路(图4)，有些应用需要利用输出电容储存能量，并且能够在瞬间高压的条件下继续维持下游电路的供电，利用图5 电路可以达到这一目的。
图4. 典型的限压电路提供输出电容放电通道MAX6495–MAX6499/MAX6397/MAX6398 通过内部100mA 的电流源(见图4)连接到GATE 输出，以对栅极电容和输出电容放电。
电流源先对GATE 放电(电流I1，绿色箭头)，直到GATE 的电压等于OUTFB 电压，然后断开FET，电流源继续降低GATE 电压，最后，直到内部的箝位二极管变为正向偏置，对输出电容放电(电流I2，红色箭头)。
图5. 带有输出电容储能功能的过压限制电路如果OUTFB 没有连接，则断开了通过箝位二极管放电的通路，不再对输出电容放电。
然而，MOSFET 的栅极就不再有保护箝位二极管，VGS_MAX 有可能超出额定值。
在MOSFET 源极和栅极之间增加一个外部箝位二极管(图5 中的D1)可重新建立输出。