场效应管电机驱动
mos管驱动功率
MOS管驱动功率1. 介绍MOS管（金属氧化物半导体场效应管）是一种常见的功率开关器件，常用于电源、电机和通信设备等领域。
MOS管的功率输出能力受到其驱动电路的限制，而驱动功率则是决定MOS管开关速度和效率的关键因素。
本文将详细讨论MOS管驱动功率的相关知识。
2. MOS管的工作原理MOS管由金属门极、氧化层和半导体基区构成。
当控制电压施加在金属门极上时，MOS管的导通状态由基区内的电荷控制决定。
MOS管在导通状态时，可以将较大的电源电流传递至负载电路，完成功率输出。
3. MOS管驱动电路的基本要求为了充分发挥MOS管的性能，驱动电路需要满足以下几个基本要求：3.1 高速驱动MOS管的关断和导通速度直接影响功率开关的效率和稳定性。
驱动电路应具备足够的驱动能力，以确保MOS管能够迅速从导通状态切换至关断状态，或者从关断状态切换至导通状态。
3.2 低功耗驱动电路应具备尽可能低的功耗，以减少对供电系统的负荷。
高效率的驱动电路能够在MOS管的导通和关断状态之间实现较小的能量损耗。
3.3 耐压能力MOS管可以在高电压下工作，而驱动电路需要提供足够的耐压能力以保证工作的稳定性。
合理的驱动电路设计要能够适应不同工作电压下的应用需求。
3.4 可靠性驱动电路需要具备较高的可靠性，以确保MOS管能够在长时间工作中保持稳定。
驱动电路应防止异常电压和电流对MOS管造成损坏，并提供适当的保护功能。
4. MOS管驱动电路设计MOS管驱动电路的设计需要考虑以上要求，并结合具体应用场景进行优化。
以下是常见的MOS管驱动电路设计方案：4.1 单极性驱动电路单极性驱动电路适用于低电压应用场景，通过一个晶体管实现对MOS管的驱动。
晶体管的控制信号使得MOS管从导通到关断的过程变得更加迅速。
4.2 双极性驱动电路双极性驱动电路适用于高电压应用场景，通过两个晶体管实现对MOS管的驱动。
两个晶体管的工作互补，可以提供更高的驱动能力和更快的开关速度。
场效应管在开关电路中的应用
应用场景
描述
示例
电机控制
MOSFET可用作电机驱动器的开关，控制电机的启停和转向。
N沟道或P沟道MOSFEБайду номын сангаас驱动单相或三相电机，实现电机的正反转和速度控制。
灯光控制
在照明系统中，MOSFET可用于控制LED灯或其他类型灯具的开关。
使用MOSFET构建的LED驱动器，通过控制栅极电压来点亮或熄灭LED灯。
电源管理
在电源管理电路中，MOSFET可用作电源开关，控制电源的通断和电压转换。
笔记本电脑等便携式设备中的电源管理芯片，利用MOSFET实现电池的充放电控制。
数字逻辑电路
MOSFET可用于构建数字逻辑门（如与门、或门、非门等），进而实现复杂的数字逻辑系统。
使用MOSFET构建的与非门（NAND）电路，通过组合多个与非门可以实现任意逻辑功能。
高功率应用
由于MOSFET能够承受较大的电流和电压，因此特别适用于电机、变压器等大功率应用。
工业级逆变器中的MOSFET开关，用于将直流电转换为交流电，驱动大功率电机。
快速切换
MOSFET在饱和区域之间可以快速切换，这使得它在需要高频开关的应用中非常有用。
PWM（脉冲宽度调制）控制器中的MOSFET，通过调整占空比来控制电机的转速。
电机驱动 mosfet 损坏原因
电机驱动 mosfet 损坏原因在电机驱动电路中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）扮演着重要角色，负责将控制信号转换为电机驱动信号。
然而，有时候我们会发现 MOSFET 损坏，导致电机无法正常工作。
在本文中，我们将讨论电机驱动 MOSFET 损坏的几个可能原因。
一、过电流过电流是最常见的导致MOSFET 损坏的原因之一。
当电机启动时，电流峰值可能会超过 MOSFET 的额定电流承受能力。
这会导致MOSFET 内部温度升高，损坏其结构。
过电流可能是由于电机过载、输入信号错误或电机运行异常等原因引起的。
为了避免过电流造成的损坏，我们可以采取以下措施：1. 定期检查电机负载，确保电机没有过载。
2. 使用电流传感器监测电机运行时的电流变化，及时检测并解决异常情况。
3. 使用过电流保护装置，当电流超过设定值时能够及时切断电源或采取相应措施。
二、过电压过电压也是导致 MOSFET 损坏的常见原因之一。
过电压可能是由于电源电压异常、输入信号波形异常或电路设计错误等引起的。
过电压会导致 MOSFET 的场氧化物破裂，使其无法正常工作。
1. 使用稳定的电源，并对输入信号进行滤波和保护。
2. 在设计电路时，合理选择电容、电阻和瞬态电压抑制二极管等元件，以防止过电压的传导。
3. 定期检查电路，确保没有异常波形或电压过高的情况发生。
三、过热过热也是导致 MOSFET 损坏的一个常见原因。
在电机运行时，电机驱动电路可能会发热，而过高的温度会损坏 MOSFET。
过热可能是由于电路散热不良、环境温度过高或长时间高负载运行等原因引起的。
为了避免过热对 MOSFET 的损害，我们可以采取以下措施：1. 合理设计电路布局和散热系统，确保 MOSFET 能够在额定温度条件下工作。
2. 使用散热片、散热风扇等散热设备，增强电路的散热能力。
3. 对于长时间高负载运行的情况，可以考虑使用风冷或液冷方式进行散热。
四、静电击穿静电击穿是导致 MOSFET 损坏的潜在原因之一。
大功率mos管 场效应管触发开关驱动 模块
大功率mos管场效应管触发开关驱动模块大功率MOS管场效应管触发开关驱动模块是一种常用于电子电路中的设备，它具有高效、可靠、节能等优点。
本文将详细介绍该模块的工作原理、应用领域以及使用时需要注意的事项，希望能对读者有一定的指导意义。
首先，让我们来了解一下大功率MOS管场效应管触发开关驱动模块的工作原理。
该模块通过使用场效应管作为开关元件，来控制电流的通断。
当输入信号为高电平时，模块将场效应管导通，电流能够正常流动；当输入信号为低电平时，模块将场效应管截断，电流被阻断。
通过这种方式，我们可以控制外部负载电路的通断，实现相应的功率控制。
大功率MOS管场效应管触发开关驱动模块广泛应用于各种电子电路中。
例如，在电源系统中，可以通过该模块来控制电源的开关，实现电源的启动和关闭；在电动机驱动系统中，可以通过该模块来控制电动机的启动和停止，实现对电机的精确控制；在充电器和逆变器等电源变换系统中，也可以使用该模块来实现电源的切换和转换。
可以说，大功率MOS管场效应管触发开关驱动模块在各个领域都有着广泛的应用。
在使用大功率MOS管场效应管触发开关驱动模块时，我们需要注意一些事项。
首先，选择适合的工作电压范围。
不同的模块具有不同的工作电压范围，我们需要根据具体的应用需求选择合适的模块。
其次，注意模块的散热问题。
大功率MOS管场效应管触发开关驱动模块在工作时会产生一定的热量，如果散热不良，可能会导致模块的过热，影响其工作效果甚至损坏模块。
因此，我们应该合理设计散热装置，确保模块能够在适当的温度范围内工作。
最后，注意输入信号的稳定性。
在使用该模块时，输入信号的稳定性对于模块的工作效果具有很大的影响，我们需要确保输入信号的稳定性，避免其产生波动，以免影响到模块的正常工作。
综上所述，大功率MOS管场效应管触发开关驱动模块是一种高效、可靠、节能的设备，具有广泛的应用领域。
在使用该模块时，我们需要根据具体的需求选择合适的模块，并注意散热和输入信号的稳定性等问题。
电机驱动
图4.12 H桥驱动电路
H桥场效应管驱动电路设计
+7.5V 1 C1 104
U4 IN OUT GND 4 3 C2 104 LM7805
+5V
R30 Z DS1
R35 1k R36 RE DS4 GR DS3
F 7.5V
C3 200R 100uF
RE
+5V R15 150R 3 2 DM74LS00M
光光
1K
Q1 si4405 BX Z FRONT
Q2 si4405 F
U3A
7.5V
A
BACK
+
R13 1K *IR4227 PWM +5V R16 U6B 150R 6 B 5 DM74LS00M R14 1K
光光
Q3 7.5V si4336 NC O
1
U6A
Q4 si4336
H桥电机驱动的内部原理
• 一、H桥驱动电路 桥驱动电路 图4.12中所示为一个典型的直流电机控制电路。电路得名于“H桥驱动电路”是因为它 的形状酷似字母H。4个三极管组成H的4条垂直腿，而电机就是H中的横杠（注意：图 4.12及随后的两个图都只是示意图，而不是完整的电路图，其中三极管的驱动电路没有 画出来）。 如图所示，H桥式电机驱动电路包括4个三极管和一个电机。要使电机运转，必须导通 对角线上的一对三极管。根据不同三极管对的导通情况，电流可能会从左至右或从右 至左流过电机，从而控制电机的转向。
电机驱动
电机驱动的认识 电机驱动的内部原理及实际应用 电机驱动芯片L298N 电机驱动芯片L298N
电机驱动的认识
电机是单向还是双向转动？需不需要调速？对于单向的电机驱动，只要用 一个大功率三极管或场效应管或继电器直接带动电机即可，当电机需要 双向转动时，可以使用由4个功率元件组成的H桥电路或者使用一个双刀 双掷的继电器。如果不需要调速，只要使用继电器即可；但如果需要调 速，可以使用三极管，场效应管等开关元件实现PWM（脉冲宽度调制） 调速。 性能：对于PWM调速的电机驱动电路，主要有以下性能指标。1）输 出电流和电压范围，它决定着电路能驱动多大功率的电机。2）效率， 高的效率不仅意味着节省电源，也会减少驱动电路的发热。要提高电路 的效率，可以从保证功率器件的开关工作状态和防止共态导通（H桥或 推挽电路可能出现的一个问题，即两个功率器件同时导通使电源短路） 入手。3）对控制输入端的影响。功率电路对其输入端应有良好的信号 隔离，防止有高电压大电流进入主控电路，这可以用高的输入阻抗或者 光电耦合器实现隔离。4）对电源的影响。共态导通可以引起电源电压 的瞬间下降造成高频电源污染；大的电流可能导致地线电位浮动。5） 可靠性。电机驱动电路应该尽可能做到，无论加上何种控制信号，何种 无源负载，电路都是安全的。
无刷电机mos管工作原理
无刷电机mos管工作原理
无刷电机是一种使用电子换向技术而不是机械换向的电机。
它
们通常使用MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）来控制电流
流向电机的不同相位。
以下是MOSFET在无刷电机中的工作原理：
1. 基本原理，MOSFET是一种场效应晶体管，由栅极、漏极和
源极组成。
通过在栅极上施加电压，可以控制漏极和源极之间的电流。
在无刷电机中，多个MOSFET被用于控制电流的流向和大小，从
而驱动电机的转动。
2. 换向控制，无刷电机需要在不同的转子位置和速度下改变相
位电流的方向。
MOSFET被用来实现这种换向控制。
当电机需要换向时，控制器会相应地改变MOSFET的通断状态，从而改变电流的流向，使电机保持旋转。
3. PWM调速，此外，MOSFET还可以通过脉冲宽度调制（PWM）
来控制电机的转速。
通过改变PWM信号的占空比，可以改变MOSFET
导通和截止的时间，从而控制电机的平均电流，进而控制电机的转速。
4. 保护功能，MOSFET还可以提供一些保护功能，例如过流保护和过压保护。
当电机工作时，MOSFET可以监测电流和电压，并在超出设定范围时切断电路，以保护电机和驱动电路不受损坏。
总的来说，MOSFET在无刷电机中起着至关重要的作用，它们通过控制电流的流向和大小，实现了无刷电机的高效、精确的控制，同时也提供了对电机的保护功能。
这些特性使得无刷电机在许多领域得到广泛应用，如电动工具、电动汽车、航空航天等领域。
基于场效应管的直流电机驱动控制电路设计
基于场效应管的直流电机驱动控制电路设计一、本文概述随着现代电子技术的飞速发展，直流电机因其优良的控制性能和简单的结构设计，在工业自动化、精密仪器和消费电子等领域得到了广泛应用。
传统的直流电机驱动控制电路存在功耗大、效率低、响应速度慢等问题，难以满足当前对高性能电机控制系统的需求。
研究新型的直流电机驱动控制电路具有重要意义。
本文主要聚焦于基于场效应管的直流电机驱动控制电路设计。
场效应管（FET）作为一种高效、快速的电子器件，在电机驱动领域具有独特的优势。
本文将首先介绍场效应管的基本原理和特性，以及其在直流电机驱动控制中的应用优势。
接着，本文将详细阐述一种基于场效应管的直流电机驱动控制电路的设计方法，包括电路的拓扑结构、工作原理以及关键参数的设计与优化。
本文的研究重点在于如何通过优化电路设计，提高直流电机驱动控制系统的性能，包括降低功耗、提高效率、加快响应速度等。
本文还将探讨电路设计中可能遇到的问题和挑战，并提出相应的解决策略。
总体而言，本文旨在为直流电机驱动控制电路的设计提供一种新的思路和方法，以推动电机控制技术在现代工业和电子领域的应用与发展。
二、场效应管基础知识场效应管（FieldEffect Transistor，简称FET）是一种利用电场效应来控制电流流动的半导体器件。
它具有三个引脚：源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。
场效应管的主要类型包括结型场效应管（JFET）和金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。
在直流电机驱动控制电路中，MOSFET因其高输入阻抗、低导通电阻和高开关速度等特点而得到广泛应用。
场效应管的工作原理基于电场效应。
在MOSFET中，当在栅极和源极之间施加一个电压时，会在栅极和硅基片之间形成一个电场。
这个电场会影响硅基片中的电荷分布，从而控制源极和漏极之间的电流流动。
当栅极电压达到一定阈值时，MOSFET开始导通，电流可以在源极和漏极之间流动。
场效应管的特性参数对其在电路中的应用至关重要。
单mos管驱动电机
单mos管驱动电机MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的电子元件，其优异的开关特性使得它成为驱动电机的理想选择。
本文将介绍单MOS 管驱动电机的原理、优势以及使用中应注意的事项，旨在为读者提供全面、生动且指导性的信息。
首先，我们来了解一下单MOS管驱动电机的工作原理。
MOS管是一种可以控制电流传导的半导体器件。
通过调节MOS管的栅极电压，可以实现对其通道的开关控制，从而控制电流的流动。
当栅极电压为高电平时，MOS管导通，电流可以通过。
而栅极电压为低电平时，MOS管截止，电流无法通过。
利用这种开关特性，可以实现对电机的转速和方向的控制。
单MOS管驱动电机具有多个优势。
首先，MOS管具有较低的开关损耗和导通电阻，能够提供高效的功率转换和传输。
其次，MOS管的开关速度非常快，能够迅速响应外部控制信号，实现高灵活性的电机控制。
此外，MOS管还具有良好的耐压性能和温度稳定性，能够适应各种工作环境的需求。
在使用单MOS管驱动电机时，有几点需要注意。
首先，应根据电机的额定电流和电压选择合适的MOS管型号，避免过载和损坏。
其次，为了保护MOS管免受电流的冲击，可以在电路中添加适当的保护电路，如二极管反并联等。
此外，还应合理设计驱动电路，确保输入控制信号的准确性和稳定性。
总的来说，单MOS管驱动电机是一种灵活、高效且稳定的电机驱动方案。
通过充分发挥MOS管的开关特性，可以实现对电机的精确控制。
在使用过程中，我们需要选择合适的MOS管型号，合理设计驱动电路，并采取必要的保护措施，以确保电机的安全和稳定运行。
希望通过本文的介绍，读者们对单MOS管驱动电机有了更深入的了解，能够在实际应用中更好地利用其优势，实现各种电机的可靠驱动。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
场效应管电机驱动-MOS管H桥原理
所谓的H 桥电路就是控制电机正反转的。
下图就是一种简单的H 桥电路，它由2 个P型场效应管Q1、Q2 与2 个N 型场效应管Q3、Q3 组成，所以它叫P-NMOS 管H 桥。
桥臂上的4 个场效应管相当于四个开关，P 型管在栅极为低电平时导通，高电平时关闭；N 型管在栅极为高电平时导通，低电平时关闭。
场效应管是电压控制型元件，栅极通过的电流几乎为“零”。
正因为这个特点，在连接好下图电路后，控制臂1 置高电平（U=VCC）、控制臂2 置低电平（U=0）时，Q1、Q4 关闭，Q2、Q3 导通，电机左端低电平，右端高电平，所以电流沿箭头方向流动。
设为电机正转。
控制臂1 置低电平、控制臂2 置高电平时，Q2、Q3 关闭，Q1、Q4 导通，电机左端高电平，右端低电平，所以电流沿箭头方向流动。
设为电机反转。
当控制臂1、2 均为低电平时，Q1、Q2 导通，Q3、Q4 关闭，电机两端均为高电平，电机不转；
当控制臂1、2 均为高电平时，Q1、Q2 关闭，Q3、Q4 导通，电机两端均为低电平，电机也不转，所以，此电路有一个优点就是无论控制臂状态如何（绝不允许悬空状态），H 桥都不会出现“共态导通”（短路），很适合我们使用。
（另外还有4 个N 型场效应管的H 桥，内阻更小，有“共态导通”现象，栅极驱动电路较复杂，或用专用驱动芯片，如MC33883，原理基本相似，不再赘述。
）
下面是由与非门CD4011 组成的栅极驱动电路，因为单片机输出电压为0~5V，而我们小车使用的H 桥的控制臂需要0V 或7.2V 电压才能使场效应管完全导通，PWM 输入0V 或5V时，栅极驱动电路输出电压为0V 或7.2V，前提是CD4011 电源电压为7.2V。
切记！！
故CD4011 仅做“电压放大”之用。
之所以用两级与非门是为了与MC33886 兼容。
两者结合就是下面的电路：调试时两个PWM 输入端其中一个接地，另一个悬空（上拉置1），电机转为正常。
监视MOS 管温度，如发热立即切断电源检查电路。
CD4011 的14 引脚接7.2V，７引脚接地。
关于直流电机H 桥驱动方案的选择
一、背景
本文一直想留给做小车的同学去写，期望他们在制作过程中能够悟出其中的道理。
可无奈等至今日也未见一文半字，却接到了无数的质询：你为何要用分立元件构建H 桥驱动？为何不选择L298 集成电路桥？
为何要使用MOS 管？等等……，我回复的太累了，只好将其整理一下，供大家参考，有不妥之处望指正，更望能有人提出进一步的分析。
二、分析内容界定
本文只涉及有刷直流电机H 桥驱动部分的电路，不讨论如何控制H 桥？如何实现PWM？以及如何实现过流保护等；而且主要讨论构成H 桥 4 个桥臂对性能的影响。
三、H桥原理简述
所谓H 桥驱动电路是为了直流电机而设计的一种常见电路，它主要实现直流电机的正反向驱动，其典型电路形式如下：
从图中可以看出，其形状类似于字母“H”，而作为负载的直流电机是像“桥”一样架在上面的，所以称之为“ H 桥驱动”。
4个开关所在位置就称为“桥臂”。
从电路中不难看出，假设开关A、D接通，电机为正向转动，则开关B、C接通时，直流电机将反向转动。
从而实现了电机的正反向驱动。
借助这 4 个开关还可以产生另外2 个电机的工作状态：
A）刹车——将B 、D开关（或A、C）接通，则电机惯性转动产生的电势将被短路，形成阻碍运动的反电势，形成“刹车”作用。
B）惰行—— 4个开关全部断开，则电机惯性所产生的电势将无法形成电路，从而也就不会产生阻碍运动的反电势，电机将惯性转动较长时间。
以上只是从原理上描述了H 桥驱动，而实际应用中很少用开关构成桥臂，通常使用晶体管，因为控制更为方便，速度寿命都长于有接点的开关（继电器）。
细分下来，晶体管有双极性和MOS管之分，而集成电路只是将它们集成而已，其实质还是这两种晶体管，只是为了设计、使用方便、可靠而做成了一块电路。
双极性晶体管构成的H 桥：
MOS管构成的H 桥：
以下就分析一下这些电路的性能差异。
四、几种典型H 桥驱动电路分析
分析之前，首先要确定H 桥要关注那些性能：
A）效率——所谓驱动效率高，就是要将输入的能量尽量多的输出给负载，而驱动电路本身最好不消耗或少消耗能量，具体到H桥上，也就是4个桥臂在导通时最好没有压降，越小越好。
B）安全性——不能同侧桥臂同时导通；
C）电压——能够承受的驱动电压；
D）电流——能够通过的驱动电流。
大致如此，仔细考量，指标B）似乎不是H桥本身的问题，而是控制部分要考虑的。
而后两个指标通过选择合适参数的器件就可以达到，只要不是那些特别大的负载需求，每种器件通常都能选择到。
而且，小车应用中所能遇到的电流、电压更是有限。
只有指标A）是由不同器件的性能所决定的，而且是运行中最应该关注的指标，因为它直接影响了电机驱动的效率。
所以，经分析的重点放在效率上，也就是桥臂的压降上。
为了使分析简单，便于比较，将H 桥的驱动电流定位在2A 水平上，而电压在 5 - 12V 之间。
选择三个我所涉及到的器件：
A）双极性晶体管—— D772、D882
B）MOS管—— 2301、2302
C）集成电路H桥—— L298
D772的压降指标如下：
D882的压降指标如下：
2301的压降指标如下：
因为MOS管是以导通电阻来衡量的，需要换算一下，小车的控制电压是4.5V，按上面的导通电阻计算，2A的压降应该是：2* 0.093 = 0.186V，最大是：2 * 0.13 = 0.26V。
2302的压降指标如下：
同上换算一下，小车的控制电压是4.5V（电池电压），按上面的导通
电阻计算，2A的压降应该是：2* 0.045 = 0.09V，最大是：2 * 0.06 = 0.12V。
L298的压降指标如下：
表中第一行为上桥臂的压降，对应D772、2301，第二行为下桥臂的压降，对应D882、2302，第三行为两者之和。
对比一下不难看出，如果均以2A电流驱动计算，三种驱动自身所消耗
的功率如下：
D772、D882 ：（0.5+0.5）* 2 = 2 W
2301、2302：(0.26+0.12) * 2 = 0.76 W
L298： 4.9 * 2 = 9.8 W
如果以驱动一个4.5V 、2A 的直流电机为例：
电机得到的功率是：4.5 *2 = 9W；
用D772、D882 则需要供电 5.5V，效率为：9/（5.5*2）= 81% ；
用2301、2302 则需要供电4.88V，效率为：9 /（4.88*2）= 92%
用L298 则需要供电9.4V ，效率为：9/（9.4*2）= 48 %
结论不言自明了吧！
从这组数据还可以看出三者的散热需求及其外形差异的原因。
同时解释了圆梦小车开始使用D772、D882 驱动时为何选用3V 的130 电机，因为小车是4节充电电池供电，只有4.8 ~ 5V，H 桥压降1V，所以只能使用3V 的电机。
而改用MOS管驱动后，就选用了 4.5V 的N20 电机，因为MOS 管只带来了0.4V不到的压降。
而分析L298 的压降你就会知道，如果你的电机需要2A左右的启动电流，那使用5V是根本无法工作的。
有一个同学托我代购了一片L298，结果回去后说是电机只抖动不转，我问他使用几伏电压，他告诉我5V : ( 我只好请他仔细阅读L298 的资料。
实际上使用L298 不只是驱动压降限制了电机的供电电压，它的控制电平要求也使得你几乎无法使用低于6V 的工作电压，看如下信息：
表中Vs 为电机驱动的供电电压（L298 分 2 路供电，一路是电机驱动的，就是H 桥上的，一路是供给逻辑电路的），ViH 是指逻辑控制输入高电平。
此参数的含义是，电机驱动电压必须大于逻辑控制电平2.5V，如果你的逻辑部分使用5V 供电，那电机的供电电压至少7.5V，否则将无法保证正常工作。
除非你将逻辑控制电平降低。
很多同学用的都是L298，建议你们仔细分析一下，看看自己的设计是否符合L298 手册所规定的工作条件，也许很多现象都能自己解释了。