用放大电路直流通路确定静态值_New
14版电工及电子技术基础B习题册

R1 A
R2
R5
S
R3
R4 B
1-8:图示电路中,已知:US=9V,IS =3A,R1 = 3Ω,R2 = 6Ω。试用支路电流法求电流I1和 I2。计算各元 件的功率,并说明哪个元件是电源。
.
+ US
I2
IS
I1
R2
. R1
1-9:电路如图所示,E=12V,R1=R2=R3=R4,Uab=10V,若将理想电压源除去后,试问这时Uab 等于多少?
4-8:图中电源线电压Ul=380V。(1)如果图中各相负载的阻抗都等于10Ω,是否可以说负载对称?(2)试 求各相电流,并用电压与电流的相量图计算中线电流。如果中线电流的正方向选得同电路图上所示的方向 相反,则结果有何不同?(3)试求三相平均功率P。
iA
A
iN
N
iB
B
C
iC
RA
XL XC
(13)
电工学B习题册-电动机
R1
+ US
R2
A.
R3
.
IS
.B
R
(4)
1-12:图示电路中,已知:R1=R2=5Ω,R3=4Ω,R4=6Ω,US=15V,IS=6A。用戴维宁定理求A,B两点间的等效 电压源。
R1 IS
.
R3
R2
.
. +
A
US
R4
.
B
1-13:分别用戴维宁定理和诺顿定理求电阻RL上的电流IL。。
8Ω
RS R3 4Ω
求B相和C相灯泡上的电压。
4-3:三相对称星形负载的电流和线电压的相量图如图所示。已知线电压为380V,电流为10A。求每相负载的 等效阻抗及每相的功率因数。
最新《电工电子技术》习题-第7章

《电工电子技术》习题-第7章------------------------------------------作者xxxx------------------------------------------日期xxxx第7章基本放大电路【基本要求】理解晶体三极管的基本构造和工作原理;理解晶体三极管的放大、饱和、截止三种工作状态以及电流放大作用;理解共射极单管放大电路的基本结构和工作原理;掌握几种基本放大电路的分析计算以及多级放大电路的分析计算。
【重点】晶体三极管的放大、饱和、截止三种工作状态以及电流放大作用;共射极单管放大电路的基本结构和工作原理;几种基本放大电路的分析计算:静态工作点的估算和动态指标的近似计算;多级放大电路的分析计算。
【难点】晶体三极管的三种工作状态以及电流放大作用;几种基本放大电路的近似计算;多级放大电路的近似计算。
7。
1基本理论7。
1。
1 晶体三极管1. 要使三极管起放大作用,发射结必须正向偏置,集电结必须反向偏置,这是放大的外部条件。
因此,采用NPN型或PNP型三极管联接放大电路时,一定要注意集电极电源EC和基极E B极性的正确联接。
2 / 40另外,要使三极管起放大作用,基区必须做得很薄,基区的掺杂浓度必须远小于发射区的掺杂浓度,这是放大的内部条件。
对于NPN型三极管来说,这样才可以大大减少自由电子与空穴在基区复合的机会,使从发射区扩散过来的电子绝大部分到达集电区。
2。
三极管的输入特性I B=f(U BE)|U CE=常数与二极管的伏安特性相似,也有死区电压.三极管的输出特性I C=f(U CE)|I B=常数是一族曲线,可分为放大区、截止区和饱和区。
在输出特性曲线上近于水平的部分是放大区。
放大区具有恒流特性,且I C=β̄I B,β̄近似为常数。
此时发射结处于正偏,集电结处于反偏。
I B=0的曲线以下的区域是截止区,I C近似为零,发射结和集电结均处于反偏。
当UCE<UBE时,集电结处于正偏,三极管工作于饱和状态,UCE≈0。
经典电工学电子技术试题库(含答案)

电工电子技术试题库一、单项选择题1.硅稳压管的工作状态是(D)A.正向导通B.正向击穿C.反向截止D.反向击穿2.要得到N型杂质半导体,应在本征半导体硅或锗中掺入少量的(C )A.三价元素B.四价元素C.五价元素D.六价元素3.下列关于P型半导体中载流子的描述,正确的是( C )A.仅自由电子是载流子B.仅空穴是载流子C.自由电子和空穴都是载流子D.三价杂质离子也是载流子4.理想运算放大器的两个基本特点是( C )A.虚地与虚断B.虚短与虚地C.虚短与虚断D.断路与短路5.在本征半导体中加入少量的五价元素后,可形成( B )A.P型半导体,其少子为自由电子B.N型半导体,其多子为自由电子C.P型半导体,其少子为空穴D.N型半导体,其多子为空穴6.理想二极管构成的电路如题2图所示,则输出电压U O为( B )A.3VB.10VC.-3VD.-10V7.关于三极管的结构特点,以下说法不正确的为( B )A.基区很薄B.基区掺杂浓度最高C.发射区掺杂浓度最高D.发射结的结面积小于集电结的结面积8.测得某放大电路中的三极管,各管脚电位如题4图所示,则可判定该管为( D )A.锗管①为b极B.硅管③为c极C.锗管②为e极D.硅管③为b极9.放大电路如题7图所示,该电路引入了交直流( B )A.电流并联负反馈B.电流串联负反馈C.电压并联负反馈D.电压串联负反馈10.理想二极管构成的电路如题2图所示,则输出电压U0为( B ) RA.-10VB.-4VC.+6VD.+10V11.NPN型三极管处在放大状态时,各电极的电位关系是( D )A.E极电位最高,C极电位最低B.E极电位最高,B极电位最低C.C极电位最高,B极电位最低D.C极电位最高,E极电位最低12.若要求放大电路输入电阻高,且稳定输出电压,在放大电路中应引入的负反馈组态为( C )A.电流串联B.电流并联C.电压串联D.电压并联13.要降低放大电路输入电阻,可引入(D)A.电压负反馈B.电流负反馈C.串联负反馈D.并联负反馈14.共射极放大电路直流负载线由(C)A.电流放大系数β确定B.基极电阻Rb与电源Ucc确定C.集电极电阻Rc与电源Ucc确定D.负载电阻RL确定=++等价于(B)15.函数Y A B CA.Y=ABCB. C=⋅BAY⋅=++C.Y=AB+CD. Y A B C16.下列与F=A+B+C相等的逻辑函数为( C )A.F=ABCB.F=A+B+CC.F=ABCD.F=A+B+C17.下列逻辑式中,正确的逻辑公式是( D )A.AA AAA==B.1C.AA AAA==D.018.逻辑表达式AB与下列式子中的哪一个相等(D)A.A B⊕+ B.A BC.ABD.A B+19.逻辑符号如下图所示,其中表示“与非”门的是( C )20.在以下输入情况中,“或非”运算的结果为逻辑1的是( A )A.全部输入为0 B.全部输入为1C.任一输入是0,其它输入为1 D.任一输入是1,其它输入为0 21.主从型JK触发器,当J=K=0时,则CP脉冲来到后JK触发器的次状态Q n+1为( C )A.0 B.1C.Q n D.n Q22.题l2图为同步RS触发器,已知S D=R D=l。
秦曾煌《电工学电子技术》(第版)(下册)笔记和课后习题详解(基本放大电路)【圣才出品】

第15章 基本放大电路15.1 复习笔记一、共发射极放大电路的组成1.电路结构图15-1是共发射极接法的基本交流放大电路。
图15-1 共发射极基本交流放大电路2.性能指标(1)输入电阻放大电路的输入端用一个等效电阻r i 表示,它称为放大电路的输入电阻,是信号源的负载,即(2)输出电阻放大电路的输出端也可用一电压源表示,它是负载电阻R L 的电源,其内阻r o 称为放大电路的输出电阻。
放大电路的输出电压与输入电压之比,称为放大电路的电压放大倍数。
即o U &iU &二、放大电路的静态分析1.用放大电路的直流通路确定静态值图15-2是图l5-1放大电路的直流通路。
画直流通路时,电容C 1和C 2可视为开路。
图15-2 图15-1交流放大电路的直流通路①由直流通路,可得出静态时的基极电流②由I B 可得出静态时的集电极电流③静态时的集-射极电压则为晶体管集电极电流I C与集-射极电压U CE之间的伏安特性曲线即为输出特性曲线(图15-3)。
在图15-2所示的直流通路中,晶体管与集电极负载电阻R C串联后接于电源U CC。
可列出或图15-3 用图解法确定放大电路的静态工作点这是一个直线方程,其斜率为,在横轴上的截距为U CC,在纵轴上的截距为。
这一直线很容易在图15-3上作出,称为直流负载线。
负载线与晶体管的某条输出特性曲线的交点Q,称为放大电路的静态工作点,由它确定放大电路的电压和电流的静态值。
I B通常称它为偏置电流,简称偏流。
产生偏流的电路,称为偏置电路。
R B称为偏置电阻。
通常是改变R B的阻值来调整偏流I B的大小。
三、放大电路的动态分析1.微变等效电路法放大电路的微变等效电路,就是把非线性元件晶体管所组成的放大电路等散为一个线性电路,也就是把晶体管线性化,等效为一个线性元件。
(1)晶体管的微变等效电路图15-4(b)所示就是晶体管微变等效电路(a )(b )图15-4 晶体管及其微变等效电路其中①晶体管的输入电阻②晶体管的电流放大系数③晶体管的输出电阻(2)放大电路的微变等效电路由晶体管的微变等效电路和放大电路的交流通路可得出放大电路的微变等放电路。
基本放大电路

集电极电流
iC
+
O
iC ic t
IC
O
t
O
t
动态分析
静态分析
结论: (3) 若参数选取得当, 输出电压可比输入电压大 ,
即电路具有电压放大作用。
ui
O
uO
t
O
t
(4) 输出电压与输入电压在相位上相差180°, 即 共发射极电路具有反相作用。
实现放大的条件
(1) 晶体管必须工作在放大区。发射结正偏,集电 结反偏。 (2) 正确设置静态工作点,使晶体管工作于放大区。 (3) 输入回路将变化的电压转化成变化的基极电流。 (4) 输出回路将变化的集电极电流转化成变化的集 电极电压,经电容耦合只输出交流信号。
输入信号通过耦合电容加在三极管 变化的 ic 通过 Rc转变为 的发射结,于是有下列过程: 变化的输出
C 1 v 2 v vi C i i β i i R ( 或 R || R ) v be b c b c c c L c o
三极管放大作用
15.1.3 直流通路和交流通路 电容对交、直流的作用不同。在放大电路中,如 果电容的容量足够大,可以认为它对交流分量不起作 用,即对交流短路,而对直流可以看成开路。这样, 交、直流所走的通路是不同的。
U CC U BE IB RB
UCC
UCEQ
UCE
直流负载线斜率
1 RC
在直流通路里确定静态工作点的目的: 判断电路是否满足外部工作条件
判断电路在没有外加交流信号时是否处在合适
的状态(是否准备好接收信号) 如果上面条件成立,那么:这个电路能把信号放大 多少倍?与前后级的配合是不是很好?能放大什么频
电工第六版课后答案第15章秦增煌

15.2.5晶体管放大电路图如图15.01(a)所示,已知Ucc=12V,Rc=3kΩ,RB=240kΩ,晶体管的β=40。
(1)试用直流通路估算各静态值IB,IC,UCE;(2)如晶体管的输出特性如图15.01(b)所示,试用图解法作出放大电路的静态工作点;(3)在静态时(ui=0)在C1和C2上的电压各为多少?并标出极性。
解:(1)如图(a)所示的直流通路:C1,C2上的电压极性标在原图。
-6由 IB= Ucc-UBE=12-0.7=50X10 A=50μARB 240Ic=Βib=40x50=20mAUCE=Ucc-IcRc=12-2x3=6v。
(2)由输出特性作出直流负载线UCE=Ucc-IcRc已知:Ic=0,UCE=12V,UCE=0时。
Ic=Ucc=12=4mARc 3过(0,12),(4,0)两点,于是可作如图(b)所示,即为直流负载线。
由图可知IB=50βA时,Q点(2,6),即Ic=2mA,UCE=6v。
(3)静态时,Uc1=UBE,Uc2=UCE=6V。
极性在原图(a)中。
15.2.6在图中,U cc=10V,今要求U cE=5V,I c=2mA,试求R和R的阻值。
设晶体管的β=40。
解:由于U cE = U cc– I c R cR c ==2.5kΩ由于I c=βI B,I B ==I c ==50μ AR B ==200k15.2.7在图15.02中,晶体管是PNP型锗管。
(1)Ucc和C1,C2的极性如何考虑?请在图上标出;(2)设Ucc=-12v,Rc=3千欧姆,β=75,如果要将静态值Ic调到1.5毫安,问RB应调到多大?(3)在调整静态工作点时,如不慎将RB调到0,对晶体管有无影响?为什么?通常采取何种措施来防止这种情况发生?解答:(1)PNP三极管的电源极性和NPN型三极管相反,故电容C1和C2极性也和15.25中所示相反,用-或者+标明在图15.25中。
(2)由于Ic=βIB,于是IB=Ic/β=1.5/75=20µA此时RB=(-Ucc+UBE) /IB≈600千欧姆(3)若RB=0时,UBE=12V>>0.7V(硅管)或UBE=12V>>0.3(锗管),于是IB大大增加,使得PN结发热而损坏。
模拟电子技术基础课后答案----3
第三部分习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度,而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。
2、当PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄。
当外加反向电压时,扩散电流小于漂移电流,耗尽层变宽。
3、在N型半导体中,自由电子为多数载流子,空穴为少数载流子。
二.判断题1、由于P型半导体中含有大量空穴载流子,N型半导体中含有大量电子载流子,所以P型半导体带正电,N型半导体带负电。
(×)2、在N型半导体中,掺入高浓度三价元素杂质,可以改为P型半导体。
(√)3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。
(×)4、本征激发过程中,当激发与复合处于动态平衡时,两种作用相互抵消,激发与复合停止。
(×)5、PN结在无光照无外加电压时,结电流为零。
(√ )6、温度升高时,PN结的反向饱和电流将减小。
(×)7、PN结加正向电压时,空间电荷区将变宽。
(×)习题2客观检测题一、填空题1、半导体二极管当正偏时,势垒区变窄,扩散电流大于漂移电流。
2、在常温下,硅二极管的门限电压约0.6 V,导通后在较大电流下的正向压降约0.7 V;锗二极管的门限电压约0.1 V,导通后在较大电流下的正向压降约0.2 V。
3、利用硅PN结在某种掺杂条件下反向击穿特性陡直的特点而制成的二极管,称为(稳压)二极管。
请写出这种管子四种主要参数,分别是最大整流电流、反向击穿电压、反向电流和极间电容。
二、判断题1、二极管加正向电压时,其正向电流是由(a )。
a. 多数载流子扩散形成b. 多数载流子漂移形成c. 少数载流子漂移形成d. 少数载流子扩散形成2、PN结反向偏置电压的数值增大,但小于击穿电压,( c )。
a. 其反向电流增大b. 其反向电流减小c. 其反向电流基本不变d. 其正向电流增大3、稳压二极管是利用PN结的( d )。
直流通路带负载的共射放大电路静态分析
Value Engineering0引言模拟电子技术中典型的电路之一为基本放大电路,而共射放大电路是最为常用的基本放大电路。
因此,共射放大电路的分析成了放大电路分析的主要内容[1]。
放大电路的分析包括静态分析和动态分析,静态分析是动态分析的基础,合适的静态工作点是放大电路进行放大的前提。
直流通路中带有负载的放大电路的静态分析中,参数U CEQ 的计算在放大电路的静态分析中是一个难点,也是重点[2]。
但一些教材或参考辅导教材是直接给出应用的公式,并没有给出推导过程。
本文主要针对直流通路中带有负载的直接耦合式共射放大电路进行静态分析,特别是对参数U CEQ 给出了三种不同的求解方法。
1共射放大电路三极管构成的基本放大电路根据输入输出信号连接方式的不同,具有三种基本接法:共射极放大电路、共基极放大电路和共集电极放大电路,其中根据耦合方式的不同,又分为直接耦合式、阻容耦合式、变压器耦合式和光电耦合式。
共射极放大电路由于输入电阻高、输出电压与输入电压反相、既有电压放大作用又具有电流放大作用的特点,在三极管放大电路中用途较为广泛。
共射放大电路是三极管基极输入、集电极输出,图1为输出端未带负载的直接耦合式共射极放大电路,该放大电路的直流通路中输出端未带负载。
图2为输出端带负载的直接耦合式共射极放大电路,该放大电路的直流通路中输出端带有负载。
2静态分析放大电路的静态分析是指在直流通路中计算参数I BQ 、I CQ 、U BEQ 和U CEQ ,其中U BEQ 往往看作是已知参数,对于硅三极管,U BEQ =0.7V ,锗三极管U BEQ =0.2V 。
放大电路静态分析的方法有两种:图解法和公式法。
图解法是在三极管输入特性曲线坐标面内画出输入端的直流负载线(u be 与i b 之间的关系式),与输入特性曲线交点对应的坐标即为参数I BQ 和U BEQ ;在三极管输出特性曲线坐标面内画出输出端直流负载线(u ce 与i c 之间的———————————————————————作者简介:黄艳(1974-),女,安徽砀山人,硕士研究生,2007年毕业于中国矿业大学,讲师,研究方向为检测技术与自动化装置。
电路与电子技术基础第7章习题参考答案
Ic<βIb
βIb,而在转折区以下部分 Ic<βIb,此段为饱和区。 1
0
《电路与电子技术基础》第七章参考答案
第2页
图(e)的静态工作点
UB
=
(30
+
24 60) ×103
× 3 ×103
= 8(V)
Ie
=
8 − 0.7 2 ×103
=
3.85(mA)
Ic ≈ Ie
Ib
=
Ie β +1
=
3.85 80 + 1
0 2 4 6 8 10 12
(a) 电路图
(b) 输出特性曲线
题图 7-5 习题 7-9 电路与特性曲线
uCE(V)
《电路与电子技术基础》第七章参考答案
第5页
解:(1)直流负载线方程为:U ce = 12 − 5I c ,直流负载线见图。
(2)由图(b)可知,Ib=40μA
IC=2mA。所以 β
+10V
390kΩ
Uo I 2.2kΩ
对于图(b),
Ib
=
10 − 0.7 390 ×103
= 23.8 ×10−6
(A)
所以:
(a)
(b)
题图 7-4 习题 7-6 电路
I = I c = βI b = 100 × 23.8 ×10−6 = 2.38 ×10−3 (A)
U o = 2.2 ×103 × 2.38 ×10−3 = 5.24 (V)
Ib
= 24 − 0.7 120 ×103
≈ 0.194mA = 194μA
I c = βI b = 50 × 0.194 = 9.7(mA)
放大电路分析方法、图解法分析放大电路
放⼤电路分析⽅法、图解法分析放⼤电路放⼤电路分析⽅法、图解法分析放⼤电路⼀、本⽂介绍的定义⼆、放⼤电路分析⽅法三、图解法⼀、本⽂介绍的定义放⼤电路分析、图解法、微变等效电路法、静态分析、动态分析、直流通路、交流通路、单管共射放⼤电路的直流和交流通路、静态⼯作点、图解法分析静态、直流负载线、交流负载线、电压放⼤倍数公式、交直流并存状态、电压放⼤作⽤、倒相作⽤、⾮线性失真、截⽌失真、饱和失真、最⼤输出幅度、电路参数对静态⼯作点的影响、⼆、放⼤电路分析⽅法放⼤电路分析:放⼤电路主要器件如双极型三极管、场效应管,特性曲线是⾮线性的,对放⼤电路定量分析,需要处理⾮线性问题,常⽤⽅法,图解法和微变等效电路法。
图解法:在放⼤管特性曲线上⽤作图的⽅法对放⼤电路求解。
微变等效电路法:将⾮线性问题转化成线性问题,也就是,在较⼩变化范围内,近似认为特性曲线是线性的,导出放⼤器件等效电路和微变等效参数,利⽤线性电路适⽤的定律定理对放⼤电路求解。
静态分析:讨论对象是直流成分,分析未加输⼊信号时,电路中各处的直流电压、直流电流。
动态分析:讨论对象是交流成分,加上交流输⼊信号,估算动态技术指标,电压放⼤倍数、输⼊电阻、输出电阻、通频带、最⼤输出功率。
直流通路:电容所在路视为开路;电感所在路视为短路。
交流通路:电容容抗为1/(wC),电容值⾜够⼤,电容所在路视为短路;电感感抗为wL;理想直流电压源Vcc视为短路(因为电压恒定不变);理想电流源,视为开路(因为电流变化量为0) 。
单管共射放⼤电路的直流和交流通路:如下图,直流通路,将隔直电容开路;交流通路,将隔直电容短路,直流电源Vcc短路。
静态⼯作点:三极管基极回路和集电极回路存在着直流电流和直流电压,这些电流电压在三极管输⼊输出特性曲线上对应⼀个点,称为静态⼯作点,静态⼯作点的基极电流Ibq、基极与发射极之间的电压Ubeq、集电极电流Icq、集电极与发射极电压Uceq。
三、图解法图解法分析静态:⽤作图的⽅法分析放⼤电路静态⼯作点。