三通道、双通道对比测试-好
示波器通道时延差校准与时基误差估计
示波器通道时延差校准与时基误差估计————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：示波器通道时延偏差校准与时基误差估计李孝辉 王丹妮 张慧君 边玉敬中国科学院国家授时中心 陕西省西安市临潼区书院东路3号 710600摘要：在进行高精度时差或相位测量时，由于测量设备各通道时延的不一致性会影响测量结果，本文分析了示波器通道时延偏差的测量方法。
同时，也分析了示波器的时基误差对测量结果的影响。
关键词：通道 时延 测量1 引言现在，很多场合需要高精度的时差测量，在进行ns 级和更高精度的时差测量时，设备通道时延已经成了必须要考虑的因素，我们测量结果表明，SR620计数器两个通道的时延差约为0.1ns~0.5ns ，在测量时必须要考虑。
另外，测量设备时基也是影响测量精度的另一个重要因素，如果测量设备的时基不准，会影响测量结果，在工程应用中，需要分析时基对测量结果的影响。
本文研究了我们使用多通道示波器（54855AgilentA ）的通道偏差和时基误差估计方法。
2 示波器通道时延偏差校准示波器的不同通道，时延值并不相同，两个通道间时延差称为通道时延偏差。
本节分析通道时延偏差的校准方法，并比较两种校准方法。
2．1 校准方法共有两种校准方法，一种是双通道交换法，另一种是三通道法。
双通道交换法的原理如图1所示。
实验分两次，首先，将S A 信号送入示波器1通道，将S B 信号送入示波器2通道，两个通道的时延值分别为L 1和L 2，则示波器测量两个信号的时延差与实际值是有偏差的。
示波器测量值为：)()(121L S L S Value B A +-+=然后，将S A 信号送入示波器2通道，将S B 信号送入示波器1通道，两个通道的时延值分别为L 1和L 2，则示波器测量值为：)()(212L S L S Value B A +-+=两次测量结果平均，就扣除了通道时延偏差：B A S S Value Value -=+221 两次测量结果相减，就可以计算出通道时延偏差：21221L L Value Value -=-三通道法的原理如图2所示。
颠覆2012年高端市场 Intel X79市场解析
●桌面级处理器第一大，超大的核心面积基于SNB-E架构的酷睿i7 3960X处理器给用户留下最深刻的印象莫过于器超大的体积。
SNB-E架构系列产品采用了最新的LGA2011接口，相比上一代旗舰LGA1366接口，一如既往出色的制造工艺，SNB-E在功耗和发热方面基本与Nehalem架构酷睿i7处理器持平。
处理器“身材”对比●没有八核不给力，SNB-E 6核心12线程设计AMD推土机架构处理器首次将桌面级处理器推向了八核时代。
因此在Intel尚未推出SNB-E架构的时候，我们都对SNB-E能够拥有8核心充满期待。
而事实告诉我们，我们失望了。
SNB-E架构的酷睿i7 3960X处理器依旧采用了原生6个Core设计。
不过依靠超线程优势，酷睿i7 3960X处理器充分利用操作系统对线程的调动机制，充分发挥六核处理器性能。
Core i7 3960X Extreme Edition 核心架构示意图当然，除了超线程技术，Intel SNB-E架构的环形总线技术的延伸，以及超大并且够快的3级缓存，为Intel SNB-E处理器卓绝的性能奠定了基础。
换句话说，就是处理器核心数量并不能决定处理器性能。
●卖内存的乐了，SNB-E支持四通道内存四通道，最高64G内存支持2004年，双通道内存技术首次出现，双通道内存系统带来的位宽和带宽的提升，为整代。
历史貌似总是惊人地相似，同样是在时隔三年之后的现在，Core i7 3960X Extreme Edition和X79芯片组所带来的将是完全超越三通道的四通道内存架构，这又将引起新一轮的性能升级。
●升级还是降级X79到底源自何处？在关于X79到底源自何处的问题上，一直有着比较大的争议。
"SNB"代号，让我们一直认为SNB-E与现有的Sandy Bridge系列产品同出一脉，是现有的SNB产品的升级产品。
但也有另外一种说法，SNB-E平台基于服务器架构，在服务器架构的基础上，进行了简化，属于降级产品。
防抱死制动系统
防抱死制动系统听一听！了解防抱死制动系统的发展历史；掌握防抱死制动系统的基本原理；掌握防抱死制动系统的基本组成以及各部件的结构和功能；了解其它几种先进的制动系统。
通过本章的学习，使读者对日益受到关注的ABS系统有一个全面的认识。
从汽车如何制动、该怎样制动、如何充分利用地面的附着条件等问题出发，理解防抱死制动系统的控制内容、控制过程以及最终的控制目标。
对于ABS的基本原理要有充分的理解，可参阅有关介绍ABS的书籍；对于ABS的基本结构，掌握各元件的功能以及如何实现这些功能；了解其它先进的制动系统。
建议读者对实际的汽车制动系统进行观察，了解其布置及各部件的结构功能。
发展历史基本原理滑动率与附着系数的关系ABS控制及布置方式ABS的工作过程基本结构轮速传感器液压调节器电子控制单元其它先进的制动系统电子控制助力器滑动率与附着系数的关系汽车的制动过程ABS控制及布置方式汽车的制动过程ABS的工作过程小结转速传感器液压调节器电子控制单元小结电子控制助力器全电子制动系统智能制动控制系统小结全电子制动系统智能制动控制系统当汽车制动前轮抱死时，汽车会失去转向能力，后轮抱死时会造成汽车急转甩尾。
制动防抱死系统就是在制动过程中防止车轮被制动抱死，提高制动减速度、缩短制动距离，能有效地提高汽车的方向稳定性和转向操纵能力，保证汽车的行驶安全。
ABS 系统对汽车性能的影响主要表现在减少制动距离、保持转向操纵能力、提高行驶方向稳定性以及减少轮胎的磨损方面。
显示视频用鼠标指向下图框中的文字，你将看到更多信息！下一页滑动率与附着系数的关系汽车在制动时，车速与轮速之间产生速度差，车轮发生滑动现象。
滑动率的定义为：在非制动状态（滑动率为0）下，制动附着系数等于0；在制动状态下，滑动率达到最优滑动率时，制动附着系数最大，在此之前的区域为稳定区域；之后，随着滑动率的增大制动附着系数反而减少，侧向附着系数也下降很快，汽车进入不稳定区域，特别是当滑动率为100%时，侧向附着系数接近于0，也就是汽车不能承受侧向力，这是很危险的。
什么是双通道内存使用双通道内存有什么好处
什么是双通道内存使用双通道内存有什么好处
当我们谈论电脑内存时，经常会听到“双通道内存”的名词。
那么什么是双通道内存？使用双通道内存有什么好处呢？接下来我们来详细解答这些问题。
什么是双通道内存
双通道内存，顾名思义，即使用两根相同规格的内存条同时工作，以提高内存访问速度和效率。
通常情况下，主板上会有两个内存插槽，通过插入两根内存条并启用双通道模式，可以发挥更好的性能。
双通道内存的好处
1.提升内存带宽
双通道内存可以同时读取和写入数据，有效提高了内存的传输带宽，加快了数据访问速度，提升了系统整体性能。
2.提高系统稳定性
通过双通道内存，系统可以更有效地管理内存资源，减少内存延迟，提高了系统的稳定性和可靠性，尤其在运行大型程序或多任务处理时效果更为明显。
3.改善多任务处理能力
双通道内存能够更好地支持多任务处理，对于需要频繁切换任务或同时运行多个程序的用户来说，可以更流畅地完成各项任务。
4.提高游戏性能
对于游戏爱好者来说，双通道内存可以提高游戏的帧率和流畅度，减少游戏过程中的卡顿现象，带来更好的游戏体验。
5.节约能源
相比单通道内存，双通道内存在同等性能下功耗更低，能够更高效地利用能源，降低电脑的运行成本。
双通道内存不仅可以提升系统性能和稳定性，还能改善多任务处理能力、提高游戏性能，并且在能源利用方面也有一定优势。
因此，在选择内存时，如果条件允许，推荐选择双通道内存，以获得更好的电脑使用体验。
三通道硬盘检测开关详解
三通道硬盘检测开关详解：笔记本电脑里，为了检测识别光驱位内的光驱或者硬盘，必须有个“接地”的反馈信号给电脑主板。
上图中“从右向左起第6脚”，是通过4.7K 电阻(472)接地的，这个识别方式已成为大多数笔记本的标准。
但是，Thinkpad在推出T400S后，这个“识别脚”改在空闲的“右起第3脚”接地。
如果不接地，Thinkpad笔记本将切断光驱位的电源，硬盘因为缺电不工作，电脑系统内就找不到硬盘了。
新款的HP和富士通笔记本，还是采用原来的识别方式，如果“第3脚”接地，将引起干扰冲突，有可能会出现“软件关不了机”或“假死机”的症状。
我们全球首创的“三通道硬盘检测开关”完美解决了这个问题。
老电脑用了5年了，速度就跟老爷车似的，本打算重新买新的。
无意中听一朋友说他的改装电脑能3秒启动PS，出于好奇，一了解，果真要得。
已经很久没玩硬件了，IT的飞速发展使得本店主早已对当今硬件潮流几乎陌生了，这次改装升级电脑，重新唤起当年DIY的兴趣，一阵捣鼓，老电脑居然飞起来了。
只花了新电脑五分之一的价钱得到一台与新电脑毫不逊色的速度享受！（实际比较居然比许多新电脑本还快）老电脑已经飞了一段时间了，早就想把这种飞起来的喜悦与大伙共享。
除了正事太忙外，还想考虑用时间验证一下飞行的稳定性。
现在看来，无论是速度还是舒适性，飞的感觉真好！说起来，让老电脑飞起来其实就是改装、加装、升级，突破老硬件的速度瓶颈，让硬件各部件的速度匹配，充分发挥软硬件技术的潜力，废话少说，看图就明白了。
第一步、检查老电脑硬件配置情况我的电脑是2008年出品的华硕笔记本F8VA，在当时算是中高档配置。
当然，必须首先对电脑实施开膛了，拆机是一个技巧活，需要找到关键的机关。
记录硬盘、内存、光驱的技术规格。
第二步：根据技术规格购买相应配件（略）第三步：安装固态硬盘卸下原机硬盘和可能存在的托架。
将固态硬盘安到托架上将固态硬盘装入电脑。
第四步：安装原硬盘拆卸电脑光驱将原硬盘安装至光驱托架别忘了将老光驱的面板拆卸下来，安装到光驱托架上，以保证恢复电脑外观，然后安装到光驱位置（见小图）。
RS2253 三路双通道模拟多路复用 多路解复用 CMOS 电路芯片说明书
CMOS Triple 2-Channel Analog Multiplexer/DemultiplexerFEATURES•-3dB Bandwidth: 180MHz•Single Supply Operation +2.5V to +5.5V •Low ON Resistance, 48Ω(TYP) With 5V Supply•High Off-Isolation: -83dB (RL = 50Ω,f = 1MHz)•Break-Before-Make Switching•Binary Address Decoding on Chip •Operating Temperature Range:-40°C to +125°C•PACKAGES: SOIC-16(SOP16), SSOP-16, TSSOP-16 and QFN-3×3-16LAPPLICATIONS•Sensors•Analog and Digital Multiplexing and Demultiplexing•A/D and D/A Conversion•Signal Gating•Battery-Operated Equipment•Factory Automation•Appliances•Communications Circuits DESCRIPTIONThe RS2253 is a CMOS analog IC configured as three single-pole/double-throw (SPDT) switches. This CMOS device can operate from 2.5 V to 5.5 V.The RS2253 device are digitally-controlled analog switches. It has low on-resistance (48Ω TYP) and very low off-leakage current (1nA TYP).The RS2253 is available in Green SOIC-16, SSOP-16, TSSOP-16 and QFN-3×3-16L packages. It operates over an ambient temperature range of -40°C to +125°C.Functional Diagrams of RS2253PIN CONFIGURATIONS(TOP VIEW)SOIC-16(SOP16)/SSOP-16/TSSOP-16ENABLEYV CC X X1X0B CAXNC QFN-3×3-16LAX0X1(TOP VIEW)PIN DESCRIPTIONFUNCTION TABLEX=Don’t careNOTE: Input and output pins are identical and inter-changeable. Either may be considered an input or output; signals pass equally well in either direction.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(1)V CC to GND..........................................................−0.3 to 6VInput Terminals, Voltage. (2) .................– 0.3 to (V+) + 0.3V Continuous Current into Any Terminal......................±20mAPeak Current, X_(Pulsed at 1ms,10% duty cycle)…………………….. ±40mA Storage Temperature ……….……………−65°C to +150°C Operating Temperature ……….…….……−40°C to +125°C Junction Temperature...............................................+150°C Package Thermal Resistance @ T A = +25°CQFN-3×3-16L………………….………..……………. 80°C/WSSOP-16……….…………........................................64°C/WSOIC-16, TSSOP-16………….……….…………….100°C/WLead Temperature (Soldering, 10s) …………….........260°CESD SusceptibilityHBM (1000V)MM (100V)(1) Stresses above these ratings may cause permanent damage. Exposureto absolute maximum conditions for extended periods may degradedevice reliability. These are stress ratings only, and functionaloperation of the device at these or any other conditions beyond thosespecified is not implied.(2) Input terminals are diode-clamped to the power-supply rails. Inputsignals that can swing more than 0.3V beyond the supply rails shouldbe current-limited to 10mA or less.PACKAGE/ORDERING INFORMATIONPRODUCT ORDERING NUMBER TEMPERATURERANGEPACKAGE LEADPACKAGEMARKINGPACKAGE OPTIONRS2253 RS2253XS16 -40°C ~+125°C SOIC-16(SOP16) RS2253 Tape and Reel,3000 RS2253XSS16 -40°C ~+125°C SSOP-16 RS2253 Tape and Reel,3000 RS2253XTSS16 -40°C ~+125°C TSSOP-16 RS2253 Tape and Reel,3000 RS2253XTQC16 -40°C ~+125°C QFN-3×3 -16L RS2253 Tape and Reel,3000ESD damage can range from subtle performancedegradation to complete device failure. Precisionintegrated circuits may be more susceptible todamage because very small parametric changescould cause the device not to meet its publishedspecifications.ESD SENSITIVITY CAUTIONELECTRICAL CHARACTERISTICSV CC = 5.0 V or 3.3V, FULL= –40°C to +125°C,Typical values are at TA = +25°C. (unless otherwise noted)(1) All unused digital inputs of the device must be held at V IO or GND to ensure proper device operation.ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)V CC= 5.0 V or 3.3V, FULL= –40°C to +125°C Typical values are at TA = +25°C (unless otherwise noted)TYPICAL CHARACTERISTICSParameter Measurement InformationTest Circuit 1. Address Transition Times (t TRANS)Test Circuit 2. Switching Times (t ON, t OFF)Test Circuit 3. Break-Before-Make Time Delay (t D)Parameter Measurement Information (continued)Test Circuit 4. Charge Injection (Q)Test Circuit 5. Off Isolation, On LossTest Circuit 6. CapacitanceAPPLICATION NOTESThe RS2253 device is a triple 2-channel multiplexer having three separate digital control inputs, A, B, and C, and an inhibit input. Each control input selects one of a pair of channels which are connected in a single-pole, double-throw configuration.When the devices are used as demultiplexers, the CHANNEL IN/OUT terminals are the outputs and the COMMON OUT/IN terminals are the inputs.BINARY TO 1 OF 2Figure 1. The RS2253 Functional Block DiagramPACKAGE OUTLINE DIMENSIONSSOIC-16RECOMMENDED LAND PATTERN (Unit: mm)SSOP-16RECOMMENDED LAND PATTERN (Unit: mm)TSSOP-16RECOMMENDED LAND PATTERN (Unit: mm)QFN-3x3-16LSIDE VIEWTOP VIEW BOTTOM VIEW(Unit: mm)。
变压器直流电阻测量
变压器绕组直流电阻测试有关问题探讨共分以下几部分进行进行探讨：一、概述二、绕组直流电阻测试测量原理三、变压器直流电阻测试仪的性能指标要求四、五柱式，低压d联接大容量变压器低压绕组直流电阻测试五、三通道仪器的使用六、变压器直流电阻测试仪使用有关问题探讨七、变压器直流电阻测试验后的消磁问题八、金达产品介绍一、概述变压器绕组直流电阻测试是变压器出厂及预防性试验的主要项目之一，通过该项试验可以：1、检查绕组焊接质量；2、检查分接开关各个位置接触是否良好；3、检查绕组或引出线有无折断处；4、检查并联支路的正确性，是否存在由几根并联导线绕制成的绕组发生一处或多处断线的情况；5、检查层、匝间有无短路的现象；6、确定绕组的平均温升。
所以变压器绕组直流电阻测量既是简单常规的试验项目，但又是耗时、准确度要求高的项目，它是确保变压器生产质量、检修质量和安全运行的一个重要手段。
结合国家标准及电力设备预防性试验规程有关规定：| 1、 l600kVA以上变压器，各相绕组电阻相互间的差别不应大于三相平均值的2%，无中性点引出的绕组其线间差别不应大于三相平均值的1%。
2、1600kVA及以下的变压器，相间差别一般不大于三相平均值的4%，线间差别一般不大于三相平均值的2%。
3、与以前相同部位测得值比较，其变化不应大于2%。
不同温度下电阻值按下式换算：R2＝R1式中：R1、R2分别为在温度t1、t2下的电阻值；T为电阻温度常数，铜导线为235，铝导线为225。
二、绕组直流电阻测试测量原理电力变压器绕组的电感很大为数百亨至数千亨，而直流电阻很小最小至数百微欧，用稳压电源给大型变压器绕组充电达到稳定的时间可能长达数十分钟至数小时，因此如何快速准确测量电力变压器绕组的直流电阻一直是人们研究和追求的目标。
下图为稳压电源给绕组充电原理图见图一：图一Lx，Rx为绕组电感和电阻，合上开关K后可知：E=i=其中，τ=为回路时间常数。
由此可见，i含有一直流分量和一衰减分量，当衰减分量衰减至零时i达到稳定值I=时，电感不起作用，此时可通过测量E和I来得到Rx。
三检测通道-气相色谱法快速分析天然气的组成
三检测通道-气相色谱法快速分析天然气的组成肖细炼;李季;张彩明;蒋启贵;梁舒;张芳【摘要】采用配有五阀（2个十通阀和3个六通阀）、七柱（2根毛细管柱和5根填充柱）和三检测器（氢火焰离子化检测器A、热导检测器B和C）的气相色谱法测定了天然气的组分。
借助阀的切换系统及设置的分析程序，一次进样便可实现天然气常规组分的测定。
检测器A用于烃类气体的检测，检测器B用于永久气体的检测，检测器C用于氢气检测。
根据标准样品组分的保留时间对未知样品作定性检测，用外标法进行定量测定。
方法的精密度符合国家标准GB／T 13610-2003中的规定，本方法所测得的由标准气体所混合组成的标准样品中，各组分的测定值与标准值之间的相对误差均小于5％。
%Gas chromatograph equipped with 5 valves （2 10 way valves and 3 6-way valves）, 7 columns （2 capillary columns and ,5 packed columns） and 3 detectors （FID A, TCD B and TCD C）, was used for componenfffl analysis of natural gas. By applying the switching system of the valves and the pre-set analytical program, determination of the common components of a natural gas sample could be realized by a single sample introduction. Qualitative detections were performed on the base of retention times of the components in standard samples, and quantitative analysis was performed by the external standard method. Precision of the method was tested, giving results of repeatability and reproducibility in conformity with the requirements stated in the standard GB/T 13610-2003. The relative errors between the values of components in a mixed standard of standard gasesfound by this method and the standard values were all found to be less than 50/00.【期刊名称】《理化检验-化学分册》【年(卷),期】2012(048)006【总页数】5页(P678-681,684)【关键词】气相色谱法;天然气组分分析;永久气体;烃类气体【作者】肖细炼;李季;张彩明;蒋启贵;梁舒;张芳【作者单位】中国地质科学院地球物理地球化学勘查研究所,廊坊065000;中国地质大学材料科学与化学工程学院,武汉430074;中国地质大学材料科学与化学工程学院,武汉430074;中国石油化工股份有限公司石油勘探开发研究院无锡石油地质研究所,无锡214151;中国石油化工股份有限公司石油勘探开发研究院无锡石油地质研究所,无锡214151;中国地质科学院地球物理地球化学勘查研究所,廊坊065000【正文语种】中文【中图分类】O657.7天然气的组成分析实际上是对天然气中的甲烷、乙烷等烃类组分和氮气、氧气、二氧化碳等常见的永久气体组分及氢气组分含量的分析。
使用双通道内存的优势与配置方法
使用双通道内存的优势与配置方法双通道内存，听起来有点高大上的名词，但其实并不难理解，也不是什么高深的黑科技。
它实际上是一种提高计算机内存传输速度的简单而有效的技术。
那么，为什么要选择双通道内存呢？接下来就让我们一起来探讨一下使用双通道内存的优势以及如何正确配置双通道内存。
优势提升性能：双通道内存能够同时传输数据，相比单通道内存有着更高的带宽，因此能够提升计算机的性能，让你的电脑速度更快更稳定。
平衡负载：双通道内存可使内存模块之间协同工作，均衡地分担负载，提高数据传输效率，减轻单通道内存的压力。
提高稳定性：由于双通道内存能够同时处理更多数据，有效减少内存延迟，从而提高系统的稳定性和响应速度，让你的电脑更加可靠。
配置方法在享受双通道内存带来的种种优势之前，我们首先需要正确配置双通道内存，下面是一些简单的配置方法：选择匹配的内存条：确保选择两根品牌、型号、容量均相同的内存条插槽，以保证双通道内存的稳定性和性能表现。
安装内存条：将两根内存条分别插入同色插槽，一般来说，主板上会标有插槽的颜色用于匹配。
务必按照主板说明书的指引正确插入内存条，避免接触不良导致不稳定。
BIOS设置：进入计算机的BIOS界面，找到内存相关设置，确保启用了双通道模式。
如果需要，还可以手动调整内存频率和时序以获取更好的性能和稳定性。
测试稳定性：在完成配置后，建议进行内存稳定性测试，如运行内存压力测试软件，确保系统能够正常工作。
使用双通道内存能够显著提升计算机的性能和稳定性。
通过正确选择和配置双通道内存，你可以让电脑的运行速度更快、更流畅，提升工作效率和游戏体验。
因此，在购买内存时，不妨考虑选择双通道内存，从而享受到更好的计算机性能。
防滑控制系统简介
1.2.2储能器
储能器的结构形式多种多 样。图5-109为活塞-弹簧 式储能器示意图，该储能 器位于电磁阀与回油泵之 间，由轮缸来的液压油进 入储能器，进而压缩弹簧 使储能器液压腔容积变大， 以暂时储存制动液。如右 图所示为一种形式的储能 器。
1.2.3电磁阀
电磁控制阀是液压调节器的重要部件，由它 完成对ABS的控制。ABS系统中都有一个或 两个电磁阀体，其中有若干对电磁控制阀， 分别控制前、后轮的制动。常用的电磁阀有 三位三通阀和二位二通阀等多种形式。 下图所示为一种三位三通阀。
4.3.1四通道ABS系统
为了对四个车轮的制动压力进行独立控制，在每个 车轮上各安装一个转速传感器，并在通往各制动轮 缸的制动管路中各设置一个制动压力调节分装置 (通道)。 由于四通道ABS可以最大程度地利用每个车轮的附 着力进行制动，因此汽车的制动效能最好。但在附 着系数分离(两侧车轮的附着系数不相等)的路面上 制动时，由于同一轴上的制动力不相等，使得汽车 产生较大的偏转力矩而产生制动跑偏。因此，ABS 通常不对四个车轮进行独立的制动压力调节。
二、防滑控制系统的基本组成及工作过程
1.ABS的基本组成及工作过程 2.ASR的基本组成及工作过程 3. ABS与ASR的比较 4.控制通道
1.1ABS的基本组成
通常ABS由车轮转速传感器、制动压力调节 器、电子控制单元和警示装置等组成。
1.1ABS的基本组成
1.前轮速度传感器 2.制动压力调节装置 3.ABS电控单元 4.ABS警告灯 5.后轮速度传感 器 6.停车灯开关 7.制动主缸 8.比例分配阀 9.制动轮缸 10.蓄电池 11.点火开关
三、防滑控制系统组成件的结构及工 作原理
1.防滑控制系统组成件的结构
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两个打不过一个？三通道、双通道对比测试
作者：马振华来源：ZOL [2008-12-05]
下面我们将针对内存性能，对X48和X58平台做深入测试对比，读者可以借此了解到以下几点内容：
◎X58&i7系统对内存时序是否敏感？
◎除了三通道外，X58&i7系统的双通道和单通道性能如何？
◎与X58相比，在X48乃至以往的Core 2平台上，双通道的意义有多大？
●测试选用博帝内存三通道套装
这款内存专为X58平台三通道系统做了优化。
内存容量为2GB×3，总共6GB，默认频率DDR3-1600，延迟9-9-9-24。
（许注：单通道对于FSB1333已经溢出！）
X58平台所用处理器为目前Core i7四核中的入门级型号920，默认频率133×20 @2.66GHz。
X48平台则使用本站这颗体质优良，经历过无数测试的Core 2 Duo E8500。
X48平台之所以采用双核处理器有两个原因，一是E8500与920一样都可以完美实现3.8GHz主频；二是因为测试中我们需要对比X48平台在高低前端总线下的内存带宽，凭借E8500能轻松获得超标准的FSB 2GHz。
为了确保测试结果的可靠性，我们使用Everest和Sandra这两款具有专业内存测试功能的软件，综合其测试结果可下最后的结论。
●测试平台软硬件构成
第一阶段，我们检验内存时序的高低是否会对X58和X48平台的内存各项性能产生明显的影响。
在X58平台上，让内存分别运行于DDR3-1600 9-9-9-24-2T和DDR3-1600 8-8-8-20-2T，处理器频率都为3.8GHz。
在这个状态下，使用Everest测试内存频宽和延迟。
X58平台高内存延迟
X58平台低内存延迟
从测试结果可以明显地看出，第二种状态内存频率较低，导致三项带宽都有所下降，不过内存潜伏也相应地减少了3ns左右。
另外有趣的是尽管内存频率也降低了，但低内存延迟还直接导致i7处理器三级缓存速率提升，尤其是缓存读取和缓存潜伏最为明显。
由此看来，虽说从DDR2时代内存就进入频率至上的时代，但当内存控制器与缓存直连后低延迟还是能发挥不可忽视的作用。
用户在若购买X58&i7系统时不妨稍微注意一下选用内存的品质，优先入手低时序的产品。
X48平台的测试中我们让E8500运行在默认频率，内存异步分频为DDR3-1333，分别以9-9-9-27-2T和8-8-8-20-2T的时序进行测试对比。
X48平台高内存延迟
X48平台低内存延迟
频率不变，延迟降低，这必然会导致带宽的增加。
低时序状态下的X48各项内存带宽和潜伏都获得提升是在意料之中的。
只是除了内存潜伏之外，带宽的提升微乎其微。
同时，由于X48平台的内存控制器位于北桥当中，处理器缓存似远在大洋彼岸，前端总线的瓶颈使内存这边发生的变化影响到二级缓存时犹如强弩之末。
所以正如测试截图显示的结果，无论时序高低，E8500的L2速度无动于衷。
鉴于对X48平台前端总线瓶颈的切身体验，笔者意识到一个十分现实的问题。
内存频率发展至今已比当年的DDR1代内存提升了数倍，而年岁更高的前端总线技术如今也只是频率增加，架构并未更新。
无论MCH北桥支持单或双通道，最终都必须经过这唯一的FSB传递至处理器缓存，若单条
内存的带宽已经基本满足需求，那么我们曾为之津津乐道的双通道岂不成了摆设。
●低前端总线X48单、双通道对比
空想无凭无据，唯有测试结果使人信服。
首先在处理器保持默认，内存运行DDR3-1333的状态下测试X48平台单、双通道下的内存效率，软件使用Everest。
测试结果初步验证了笔者的猜测，双通道相对单通道的性能提升甚至可以归为浮动误差范围内。
以上状态系统的FSB为标准的1333MHz，那么如果我们大幅度提升FSB，是否可以减小瓶颈，凸显差距呢？
●高前端总线X48单、双通道对比
接着，我们测试X48平台在FSB 2000MHz时的单、双通道性能情况，此时内存3:5异步运行于DDR3-1666。
测试结果依然告诉我们，单纯地提高FSB频率，也难以让双通道性能发挥了。
（许注：但是，内存性能是增长的！）速度惊人的DDR3内存终于让这条年迈的总线遭遇了架构瓶颈，而不是频率瓶颈。
●Sandra测试一锤定音
关于支持DDR3内存的X48平台单双通道性能相近的问题，如果依靠单一的Everest测试还不足以使人信服，那现在再经历一次Intel官方推荐的Sandra Memorybenchmark结果又如何呢？按照上页中的频率设定，下面进行第二次对比。
为了方便读者辨别，这项测试制作了柱状图对比。
Sandra的测试结果与Everest如出一辙，单、双通道的差别甚至更难以区分。
显然，Intel肯定早就认识到了FSB问题的严重性，基于Nehalem架构的Core i7处理器和X58平台就是新铸就的利剑，用于突破这个障碍。
将内存控制器整合于处理器内部的X58&i7系统在三、双、单通道状态下又能有什么样的表现呢？依然使用Sandra MemoryBenchmark测试，答案即将揭晓。
●默认状态全方位对比
首先是标准频率下内存各种通道数量的测试对比，X48的测试结果也参与其中。
这里X58平台与X48平台都运行在默认状态：i7 920默认工作在2.66GHz，内存最高分频至DDR3-1066，延迟6-6-6-18-1T；E8500默认工作在3.16GHz，内存最高分频为DDR3-1333，延迟8-8-8-20-2T。
X58平台的各通道数量下的内存带宽呈阶梯状排列，每增加一个通道都会有相应的带宽提升，而X48仍然难有作为。
更让人吃惊的是，前者在单通道且内存频率较低的情况下带宽居然超过后者的双通道。
通道数量对延迟的影响甚弱，这一点毫无悬念。
●同频率状态全方位对比
在默认状态在下，虽然X58平台的频率方面处于劣势，却仍以绝对优势完胜X48平台。
那么若它们的处理器、内存频率、内存时序完全相同，又是什么样的结果呢。
下面我们将i7 920超频至200×19 @3.8GHz，E8500
超频至400×9.5 @3.8GHz，内存都运行于DDR3-1600，延迟设9-9-9-24-2T，开始Sandra MemoryBenchmark测试。
测试结果必然触目惊心，X58平台随着频率的提升内存性能大幅度增加，三、双、单通道模式下继续呈鲜明的阶梯状排列。
X48平台则相反，通道数量无法影响内存带宽，频率提升对性能的增长亦十分有限。
如此一来，X58平台仅需单通道便可以摧枯拉朽之势将后者斩落马下。
延迟方面依然不受通道数量左右，X58凭借高效内存控制器的天然优势胜出。
●结语
关于X58、X48内存性能属性的测试对比到这里已近尾声。
站在理论的角度上，X58&i7系统性能上的飞跃不容否认。
也许测试对比的结果对Core 2平台用户来说有些残酷，但也正因为如此，我们才明白Intel为何坚决在新产品中取消了FSB设计；为何坚决将内存控制器内臵，并添加三级缓存；以及为何AMD平台的内存效率自K8架构便开始领先他的竞争对手。
计算机技术发展的滚滚洪流不容阻挡。
Nehalem后生可畏，FSB廉颇老矣，光荣退役只是时间问题。
不过Nehalem想让所有的消费者对它心悦诚服还需解决一个关键问题，那就是磁盘效率。
总而言之，计算机的各个主要构成硬件到今天该升级的升级了，该换代的换代了，就看磁盘何时能不再拖后腿了。