暗电流(光伏)
硅基HgCdTe光伏器件的暗电流特性分析
为中 态 现， 陷 辅 隧 流， ： 间 实 即 阱 助 穿电 〔们 一 ｏ １召－Ｆ ｒｌ 互：（） 几 二一 二 ２ ｍ 矿（ Ｖ七Ｐ ， Ａ， ２从 ： 气一 ） 左竺ａ＼ ｘ Ｉ一 ， 浮 二 ｈ Ｅ一 ｔ ， ：Ｅ （ ） ＼ ８ 尸 口 七 １ 程
式中， 为耗尽区陷阱浓度； 为陷阱能级； ｔ Ｎ ． Ｅ ｐ是
（． １中国科学院上海技术物理研究所， ２ 刃 ３ ． 上海 侧 ８汉 中国科学院研究生院， １刀 ９ 北京 以 ３）
摘 要： 对硅墓ＨＣｊ 中 ｇｄｅ 波器件进行了变温电流电压特性的测试和分析。测量温度从３Ｋ ｒ ０ 到２０ ， ４ Ｋ 得到Ｒ 对数与 。 温度的１ｘ Ｔ 砚 〕 的实验曲线及拟合结果。同时选取印Ｋ ８Ｋ １ Ｋ 洲／ 、 及 １ ０ ０ 下动态阻 杭Ｒ与电 Ｖ 压 的曲线进行拟合分析。研究表明 在我们器件工作的温度点８Ｋ 零偏． ０ ， 压附近主要的电 流机制是产生复合电 流和陷阱辅助隧穿电流。要提高器件的水平， 必须降低 陷阱 辅助隧穿电 流和产生复合电流对暗电 流的贡献。 关健词： 硅基；邪ｄｅ变温； 流 Ｈ Ｔ； 暗电
４ １ 不同温度下动态阻抗 Ｒ与偏置电压 Ｖ的关系 ．
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从图２ 线可知， ４Ｋ 实验曲 从２ 直到１ Ｋ凡 ｏ ０ ５ ，
随温度变化明 而且 Ｒ 与 ｌＴ 显， 。 ／ 呈指数线性关系； 从 １ Ｋ到６Ｋ凡 随温度下降缓慢上升； Ｋ以下 ０ ５ ０ ， ０ ６ Ｒ 变化相对较小， 。 随温度下降仅有小幅上升。在热 电流是主要的暗电 流机制范围内， 对凡一仪 ／ 半 １旧Ｔ 对数 曲线进行线性拟合， 出 Ｒ 确实正 比于 得 。
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光电流 暗电流
光电流
金属物体在光的照射下发射电子，使金属带正电的现象叫光电效应。
发射出的电子叫光电子。
很多光电子形成的电流叫光电流。
要金属发射电子的条件是：1.入射光的频率必须大于金属的极限频率。
2.当有光电子发出后，光电流的强度跟入射光强度成正比。
暗电流
dark current 也称无照电流
光电耦合器的输出特性是指在一定的发光电流IF下，光敏管所加偏置电压VCE与输出电流IC之间的关系，当IF=0时，发光二极管不发光，此时的光敏晶体管集电极输出电流称为暗电流，一般很小。
此外在生理学方面，是指在无光照时视网膜视杆细胞的外段膜上有相当数量的Na离子通道处于开放状态，故Na离子进入细胞内，形成一个从外段流向内段的电流，称为暗电流（dark current）。
暗电流是指器件在反偏压条件下,没有入射光时产生的反向直流电
流.(它包括晶体材料表面缺陷形成的泄漏电流和载流子热扩散形成的本征暗电流.)
所谓暗电流指的是光伏电池在无光照时，由外电压作用下P-N结内流过的单向电流。
光电倍增管在无辐射作用下的阳极输出电流称为暗电流。
视杆细胞在静息（非光照）状态时，犹豫胞质内cGMP浓度很高，所以感受器细胞外段膜上的钠通道处于开放状态，钠离子流入胞内，形成从视杆细胞内段流向外段的电流，称为暗电流（dark current），这时感受器细胞处于去极化状态，其突触终末释放兴奋性递质谷氨酸。
暗电流(光伏)
暗电流报告太阳电池在无光照条件下相当于一个整流二极管，当给它加一个方向偏压时(p区接负，n区接正)，外加电压与其内建电势差方向相反，使得内建场势垒高度增加，势垒宽度也增加，于是n区中的电子及p区中的空穴都难以向对方扩散，扩散电流趋近于0，但是由于结电场的增加，增强了少子的漂移作用，把n区中的空穴驱向p区，而把p区中的电子拉向n 区，在结中形成了由n指向p的反向电流，由于少数载流子是由本证激发产生的，数目比较少，所以反向电流一般都比较小，在一定温度T下，由于热激发而产生的少数载流子数量是一定的，电流值趋于恒定，这时的反向电流就是反向饱和电流，如下图第三象限，显示了p-n结的反向电流特性。
p-n的整流特性和太阳电池的明暗特性（p-n结的整流特性和太阳电池的暗特性相同，受照明时暗特性曲线下移，成为明特性曲线）当p-n结两端的反向电压加到一定数值时，反向电流或突然增加，这个现象称为p-n结反向击穿，p-n结击穿后电流很大。
产生p-n结击穿的原因是，在强电场作用下，大大地增加了自由电子和空穴的数目，引起反向电流的急剧增加，这种现象的产生分为雪崩击穿和齐纳击穿两种类型。
雪崩击穿：当p-n结反向电压较高时，结内电场很强，使得在结内作漂移运动的少数载流子获得很大的动能。
当它与结内原子发生直接碰撞时，将原子电离，产生新的"电子一空穴对"。
这些新的"电子一空穴对"，又被强电场加速再去碰撞其它原子，产生更多的"电子一空穴对"。
如此链锁反应，使结内载流子数目剧增，并在反向电压作用下作漂移运动，形成很大的反向电流，这种击穿称为雪崩击穿。
雪崩击穿的物理本质是碰撞电离，它的击穿电压一般在8－1000V。
齐纳击穿（隧道击穿）：齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的p-n结内。
由于掺杂浓度很高，p-n结很窄，这样即使施加较小的反向电压（5V以下），结层中的电场却很强（可达10V/cm左右）。
太阳光伏能源系统术语
太阳光伏能源系统术语Just be happy, remember on the morning of June 18, 2022太阳光伏能源系统术语一、一般术语1、太阳光伏能源系统—solar photovoltaic energy system指利用太阳能电池的光生伏特效应;将太阳辐射能直接转换成电能的发电系统..2、太阳电池—solar cell指太阳辐射能直接转换成电能的一种器件..3、硅太阳电池—silicon solar cell指以硅为基体材料的太阳电池..4、单晶硅太阳电池—single crystalline silicon solar cell指以单晶硅为基体材料的太阳电池..5、非晶硅太阳电池a-Si太阳电池—amorphous silicon solar cell指用非晶硅材料及其合金制造的太阳电池..亦称无定形硅太阳电池;简称a-Si太阳电池..6、PINNIP非晶硅太阳电池—PINNIPa-Si solar cell指由PN型非晶硅;本征非晶硅和NP型非晶硅构成的太阳电池..其光照面为PN型区..7、集成型非晶硅太阳电池—integrated a-Si solar cell指用激光切割或其他方法把生长在同一块玻璃衬底或其它衬底上的非晶硅太阳电池切割成许多单体;使其串联、并联而构成的电池.. 8、多晶硅太阳电池—polycrystalline silicon solar cell指以多晶硅为基体材料而制作的太阳电池..9、多晶太阳电池—polycrystalline solar cell指用多晶材料为基体而制作的太阳电池..10、多结太阳电池—multi-junctions solar cell指由多个p-n结形成的太阳电池..这类电池的光电转换效率较高..光谱响应有所改善..11、垂直多结太阳电池—vertical multi-junction solar cell指与常规不同的一种太阳电池;其光照表面层被腐蚀成许多相互平行;有一定间距和深度的槽;用适当工艺在槽壁、槽底和槽顶部制成一个连续的p-n结;结的大部分或全部与光照面垂直..12、水平多结太阳电池—horizontal multi-junction solar cell指按制造多结太阳电池工艺制成的p-n结中大部分或全部的p-n结与光照面平行的多结太阳电池..13、化合物半导体太阳电池—compound semiconductor solar cell指用化合物半导体材料制成的太阳电池..14、Ⅱ---Ⅵ族太阳电池—Ⅱ---Ⅵ group solar cell指用元素周期表中第Ⅱ族和第Ⅵ族元素形成的化合物半导体材料制成的太阳电池..15、Ⅲ---Ⅴ族太阳电池—Ⅲ---Ⅴ group solar cell指用元素周期表中第Ⅲ族和Ⅴ族元素形成的化合物半导体材料制成的太阳电池..16、硫化镉太阳电池—cadmium sulfide solar cell指以硫化镉为基体材料的太阳电池..17、砷化镓太阳电池—gallium arsenide solar cell指以砷化镓为基体材料的太阳电池..18、有机半导体太阳电池—organic semiconductor solar cell指用有机半导体材料制成的太阳电池..19、聚光太阳电池—concentrator solar cell指在基体电阻率、结深和栅线结构等方面进行特殊设计的、适用于聚光条件下工作的太阳电池..20、常规太阳电池—conventional solar cell指用常规工艺制造的太阳电池;通常指只有一个P—n结、没有背场;没有绒面等特殊结构的单晶硅太阳电池..21、掺锂太阳电池—lithium-doped solar cell指在基区中掺锂的硅太阳电池;这种电池具有较高的抗辐射能力.. 22、带硅太阳电池—silicon ribbon solar cell指用带壮硅制造的太阳电池..23、叠层太阳电池级联太阳电池—stacked solar cell; tandem solar cell;cascade solar cell指在入射光方向上做成两个以上彼此串联的单结太阳电池;它能充分吸收太阳光能;提高开路电压..24、多带隙非晶硅太阳电池—multi – band gap a-Si solar cell指为充分利用太阳光能;以不同带隙的a-Si 材料制成的叠层电池;其受光面的带隙最宽;中间次之;第三层最窄;以充分利用太阳能..25、背场太阳电池—back surface fieldBSFsolar cell指在电池基区背面加一个与原建内电场指向相同的电场;形成高地结电场;以提高开路电压..26、背反射太阳电池—back surface reflection cell指在电池基区材料的背表面加上一薄层具有高反射能力的介质薄层;使透过基区的光被反射回来;从而提高了电池的长波响应..27、背场背反射太阳电池—back surface reflection and back surface field solar cell指具有背反射结构的背场太阳电池..28、卷包式太阳电池—wrap – around type solar cell指将电池的结面沿电池边缘卷包到电池背面;使两个电极都在背面的太阳电池..29、聚合物半导体太阳电池—polymer semiconductor solar cell指用聚合物如聚乙炔制成的有机半导体太阳电池..30、紫光太阳电池—violet solar cell指对太阳光谱中短波响应较好的一种硅太阳电池;其特点是浅结、密栅..31、绒面太阳电池—textured solar cell亦称黑电池或无反射太阳电池;指太阳电池受光面采用各向异性腐蚀法制成绒面状以减少光反射的太阳电池..32、肖特基太阳电池—Schottky solar cell指利用金属-半导体界面上的肖特基势垒而构成的太阳电池..33、MIS太阳电池— MIS solar cell指由金属—绝缘体—半导体结构制成的一种太阳电池..34、MINP太阳电池——MINP solar cell指一种改进的n—P结高效率太阳电池;其结构为n-p结太阳电池的光照面;先生长一层绝缘氧化物再蒸发金属栅和减反射膜;实际上是MIS和n-p结电池串联而成的复合电池..35、整体二极管太阳电池—integral diode solar cell指二极管和太阳电池制在同一基片上的组合体..36、薄膜太阳电池— thin film solar cell指用硅、硫化镉、砷化镓等薄膜为基体材料的太阳电池;这些薄膜通常用辉光放电、化学气相淀积、溅射、真空蒸镀法等方法制得.. 37、同质结太阳电池—homo-junction solar cell由同一种半导体材料所形成的P—n 结或梯度结称为同质结..用同质结构成的电池称为同质结太阳电池..38、异质结电池—hetero-junction solar cell指由两种禁带宽度不同的半导体材料形成的结称为异质结..用异质结构成的电池称为异质结太阳电池..39、漂移型光伏器件—drift type photovoltaic device指对于像非晶硅这样的半导体材料;由于其扩散长很小..用它做成光伏器件都采用PINNIP结构..Ⅰ层中有较强的电场;使其漂移电流远大于扩散电流..此类器件称为漂移型光伏器件..40、太阳电池面积—solar cell area指太阳电池全部光照面面积包括栅线..41、单体太阳电池—single solar cell指具有正、负电极并能把光能转换成电能的最小太阳电池单元.. 42、单体太阳电池的有效光照面积—active area of a solarcell指单体太阳电池受光面的几何面积与电极所占面积的差43、定域态密度—density of localized state指非晶态材料中;由于其组分排列的无序和存在着杂质与缺陷;在带隙中产生了分立的能级;这些分立的能级称定域态..单位体积单位能量间隔中定域态的数目叫定域态密度..它包括带尾定域态和缺陷定域态..44、迁移率边—mobility edge指扩展态与定域态的分界..45、欧母接触—ohmic contact指电流通过金属---半导体接触面时;不呈现整流效应的接触..46、光电效应—photo-electric effect指光辐射和物质之间的一种相互作用;其特征是物质吸收光子产生电子空穴..47、光伏效应—photovoltaic effect指以出现电动势为特征的光电效应48、光电子—photo-electron指由光电效应放出的电子..49、光吸收—absorption of the photons指光电材料接受光子产生载流子或声子的效应称为光吸收..在光伏效应中当能量大于禁带宽度的光子被吸入时;太阳电池内的电子从价带迁到导带;产生电子——穴对..50、光电导效应—photo- conductive effect指以导电率变化为特征的光电效应..51、太阳聚光器—solar concentrator指会聚太阳辐射的光学器件交太阳聚光器..太阳聚光器通常有反射式、透射式、荧光式等多种..52、参考太阳电池—reference solar cell见三-29条53、菲涅尔透镜— frensnel lens指利用微分原理将通光口径划分成若干个环带而设计和制成的透镜在光伏系统中多为薄板式..54、聚光率—concentration ratio指聚光器接收到的阳光辐照度与太阳电池接收到的辐照度之比.. 55、二次聚光器—secondary concentrator指将通过聚光器的会聚阳光再一次进行会聚的光学装置..56、几何聚光率—geometrical concentrator ratio指聚光器面积与太阳电池面积之比..57、能量偿还时间—energy payback time指太阳电池工作后累计输出的总能量等于制造它所耗用的能量所需要的时间..二、光电转换和光伏、光谱特性术语1、光生电流光电流—photo –generated currentphotocurrent指太阳电池在光照下;光生载流子的移动所产生的电流..2、光生电压—photovoltage指电池吸收光能后;在电池的内建电场两侧;分别有空穴和电子的积累;因而产生的电压..3、量子效率—quantum efficiency指某个波长的光子产生电子---空穴对的几率..4、收集效率—collection efficiency指收集到的光生载流子对数目与所产生的光生载流子对总数之比..5、太阳电池的伏安特性曲线—the Ⅰ-Ⅴ characteristic curve ofa solar cell指受光照的太阳电池;在不同的外电路负载下;流入负载的电流Ⅰ和电池端电压V的关系曲线..6、短路电流I sc—short – circuit current指在一定的温度和辐照度条件下;光伏发电器在端电压为零时的输出电流..用Isc表示..7、短路电流密度—short – circuit current density指单位面积上的短路电流;常用J sc表示..8、开路电压V oc—open –circuit voltage指在一定的温度和辐照度条件下;光伏发电器在空载开路情况下的端电压;通常用Voc来表示..9、最大功率—maximum power指在太阳电池的伏安特性曲线上;电流电压乘积的最大值..10、最大功率点—maximum power point指在太阳电池的伏安特性曲线上对应最大功率的点;亦称最佳工作点..11、最佳负载—optimum load指使受光照的电池工作在最大功率点的负载..12、最佳工作电压—optimum operating voltage指太阳电池伏安特性曲线上最大功率点所对应的电压;通常用Vm表示..13、最佳工作电流—optimum operating current指太阳电池在伏安特性曲线上最大功率点所对应的电流;通常用Im 表示..14、填充因子曲线因子—fill factor curve factor指太阳电池的最大功率与开路电压和短路电流乘积之比;通常用FF或CF表示..15、本征填充因子理论填充因子—intrinsic fill factor theoretical fill factor指太阳电池略去串联电阻和并联电阻之后;最大功率与开路电压和短路电流乘积之比..16、曲线修正系数—curve correction coefficient指测试电池时;由于温度的不同而引起伏安特性曲线的变化;修改此项变化的系数称曲线修正系数;用KmΩ/℃表示..17、太阳电池温度—solar cell temperature指太阳电池中势垒区的温度..18、电流温度系数—current temperature coefficient指在规定的试验条件下;被测太阳电池温度每变化1℃;太阳电池短路电流的变化值..通常用法α来表示..19、电压温度系数—voltage temperature coefficient指在规定的试验条件下;被测太阳电池温度每变化1℃;太阳电池开路电压的变化值..通常用β表示..20、串联电阻—series resistance指太阳电池内部的与p-n结或MIS结等串联的电阻;它是由半导体材料体电阻、薄层电阻、电极接触电阻等组成..21、并联电阻—shunt resistance指太阳电池内部的、跨连在电池两端的等效电阻..22、转换效率—conversion efficiency指受光照太阳电池的最大功率与入射到该太阳电池上的全部辐射功率的百分比..23、本征转换效率本征效率intrinsic conversion efficiency intrinsic efficiency指太阳电池略去串、并联电阻上的损失和太阳电池表面反射损失等之后的转换效率..24、暗电流—dark current指在光照情况下;产生于太阳电池内部与光生电流方向相反的正向结电流..25、暗特性曲线—dark characteristic curve指在无光照条件下给太阳电池加外部偏压所得到的伏安特性曲线.. 26、蓝红比红蓝比—blue-red ratio指用滤光片滤除标准太阳光中波长小于λm的光谱成分;测得太阳电池的短路电流;称为红电流..再用另一滤光片滤除标准太阳光中波长大于λm的光谱成分;测得太阳电池的短路电流;称为蓝电流..两者之比称为蓝红比或红蓝比..Λm应选介于红光与蓝光之间的某一波长;一般选0.45-0.6ｕm之间..27、光谱效应光谱灵敏度—spectral responsespectral sensitivity指各个波长上;单位辐照度所产生的短路电流密度与波长的函数关系..28、绝对光谱响应绝对光谱灵敏度—absolute spectral responseabsolute spectral sensitivity指在规定的波长上;短路电流密度与辐照度之比..29、相对光谱响应—relative spectral response指以某一特定的波长通常是以光谱响应的最大值进行归一化的光谱响应..30、偏置光—bias light指以单色光照射到太阳电池表面进行光谱响应测试时;为了模拟太阳电池的实际工作环境;有时附加一个模拟阳光照射到太阳电池表面..这个附加光照称为偏置光..31、辐射—radiation指以电磁波的形式或粒子光子形式传播能量的过程..32、辐射光谱—spectrum of a radiation辐射能量分解成单色成分的能量分布;即辐射能量与波长的关系.. 33、辐射计-radiometer指测量辐射能的仪器..34、辐射通量radiant flux指单位时间内向一定的立体角范围内辐射和传播的辐射能量;单位为W/s..35、临界通量—critical flux指在空间辐射粒子轰击太阳电池;使其最大功率下降到初始值的75%时;太阳电池所承受的辐射粒子的累计通量..36、粒子辐射损伤—particle radiation damage当太阳电池受到空间粒子如电子、质子、中子等轰击后;使太阳电池产生的缺陷称为粒子辐射损伤;其结果表现为电性能衰减..三、组件、方阵和系统术语1、组件太阳电池组件—module;solar cell module指具有封装及内部联结的;能单独提供直流电输出的;最小不可分割的太阳电池组合装置..2、太阳电池组件面积—solar cell module area指太阳电池组件全部光照面面积包括边缘、框架和任何凸出物..3、太阳电池组件表面温度—solar cell module surface temperature指太阳电池组件背表面的温度..4、组件的电池额定工作温度—NOCTnominal operating cell temperature指在辐照度为800Wm-2、环境气温20℃;风速为1ms-1;开路状态;在中午时太阳光垂直照射于敞开安装于框架中的组件上;在这个标准参考环境中;测得的组件内太阳电池的平均平衡温度..5、组件效率—module efficiency指按组件外形尺寸面积所计算的转换效率..6、组件实际效率—practical module efficiency指按组件中所有单体电池几何面积之和计算得到的转换效率..7、平板式组件平板式太阳组件—flat plate moduleflat plate solar cell module指上、下盖板由平板材料构成的组件..8、聚光太阳电池组件—photovoltaic concentrator module指组成聚光太阳电池方阵的中间组合体;由聚光器、太阳电池、散热器、互连引线和壳体等组成..9、板太阳电池板—panelsolar cell panel指由若干个太阳电池组件按一定方式组装在一块板上的组装件叫做板太阳电池板;通常作为方阵的一个安装单元..10、方阵太阳电池方阵—arraysolar cell array指由若干个太阳电池组件或太阳电池板在机械和电气上按一定方式组装在一起并且有固定的支撑结构而构成的直流发电单元..地基、太阳跟踪器、温度控制器等类似的组件不包括在方阵中..11、地面太阳电池方阵—terrestrial solar cell array指工作在地球大气层内的太阳电池方阵..12、卷式方阵—roll—up type solar array指使用前被卷在一个滚筒或一个滚轴上;使用时才伸展为一个较大面积的方阵..13、折叠式方阵—fold—out type solar array指使用前被折叠在一起;使用时可伸展为一个较大面积的方阵.. 14、壳体式方阵—body—mounted type solar array指布置于载体外壳的太阳电池方阵..15、定向方阵—oriented array指对太阳定向的太阳电池方阵..16、聚光太阳电池方阵—photovoltaic concentrator array指由若干聚光电池组件组合成的方阵..17、方阵效率—efficiency of solar array指按方阵的外形尺寸面积所计算的方阵转换效率18、方阵的实际效率—practical efficiency of solar array指方阵所有单体电池几何面积的总和计算的方阵转换效率..19、方阵的重量比功率—weight to power ratio of solar array指方阵输出的电功率与方阵总重量之比;单位为W/kg..20、方阵的面积比功—area to power ratio of solar array指方阵输出的电功率与方阵总面积之比;单位为W/m221、方阵的面积利用率—area utilization of solar array指所用单体电池几何面积的总和与方阵总面积的百分比..22、子方阵太阳电池子方阵sub-arraysolar cell sub-array指如果一个方阵中有不同的组件或组件的连接方式不同;其中结构和连接方式相同部分称为子方阵...23、方阵场—array field指某个发电系统内发电的全部太阳电池方阵..24、聚光太阳电池方阵场—photo-voltaic concentrator array field指由一系列聚光太阳电池方阵组成的发电系统..25、方阵子场—array sub-field指如果一个方阵场中有不同的方阵、不同的排列方式、不同的连接方式和不同的功率调节方式、其中方阵、排列方式、连接方式和调节方式全部相同的部分成为子方阵..26、隔离二极管—blocking diode指与太阳电池组件或太阳电池板串联的二极管;用于防止反向电流流过它们..27、旁路二极管—bypassshuntdiode指与太阳电池、太阳电池组件或太阳电池板并联的二极管;当部分太阳电池、太阳电池组件或太阳电池板被遮或损坏时;方阵中的太阳电池可由旁路二级管形成通路;保证整个方阵还能正常工作..28、太阳跟踪控制器sun – tracking controller指使太阳电池方阵或测试设备按规定要求对准太阳的一种装置.. 29、充电控制器—charge controller指按预定方式给某电池组充电;并根据蓄电池的荷电程度及时改变充电速率;防止过充电的控制装置..30、方阵联结开关系统—array switching system指能将方阵内部的串、并联方式加以改变的开关系统..31、系统测试设备—systems test facility STF指能对太阳光伏发电系统的性能进行测试和评价的设备..32、功率调节器—power conditioning指在太阳光伏能源系统中用于把电功率转换为适于后续负载使用的电器设备..33、直流/直流电压变换器— D.C/D.C converter指把直流电压升高或降低的设备..34、直流/交流电压变换器逆变器— D.C/A..C converterinverter指把直流电变换成交流电的设备..35、变换效率—converter efficiency指变换器的有用输出功率对输入功率的比值..36、逆变效率—inverter efficiency指逆变器的有用输出功率对输入功率的比值37、主控和监控—master control and monitoring指对光伏系统内部或和它相联的子系统作最高级的控制和监视.. 38、最大功率跟踪法—maximum power tracking指一种使太阳电池始终运行在或接近于最大功率点的控制方案.. 39、完全匹配—perfect matching指光伏发电系统的工作点和最大功率点重合的工作状态..40、准完全匹配—near perfect matching指光伏发电系统的工作点接近于最大功率点时的工作状态..41、电站—utilityelectric指用公用电力系统及其安装、运行及维护的机构..42、太阳电池方阵库—solar array banket指在双卷筒式光伏发电站停止运行时;它所携带的方阵卷起来贮藏的场所..43、太阳能电力卫星—solar power satellite SPS指一种运行在地球同步轨道上的人造卫星;卫星上的光伏发电系统能24小时连续发电;并以微波形式向地球输送电能..44、双卷筒式光伏发电站—double roll out solar-generator指太阳电池空间发电站它所携带的太阳电池方阵可以卷成二个卷筒;在使用时展开..45、超轻级伸展式光伏发电站—ultra light fold out solar-generator指太阳电池空间发电站的一种;它所携带的太阳电池方阵可以折叠起来;在使用时向两侧伸展..46、主动式冷却—active cooling指用流动的水或其它介质将聚光方阵工作时产生的热量带走;达到冷却太阳电池的目的;这种散热方式称为主动式冷却..47、被动式冷却—passive cooling指太阳电池方阵产生的热量通过散热器直接散放到大气中;这种散热方式叫被动式冷却..48、电压窗口—voltage window指方阵、功率调节器或蓄电池组所工作的电压范围49、电压闪变—flicker指短期的电压波动;通常用额定电压的百分比来表示..50、组合损失—assembling loss指在单体太阳电池组装后;转换效率下降的百分数称为组合损失..51、太阳电池底板—solar cell basic plate指布贴太阳电池片的底板..52、平面底板—flat plate指部贴太阳电池的底板为平面板..53、刚性底板—rigid plate指具有很大的刚度的太阳电池底板....54、柔性底板—flexible plate指具有很好的柔性的太阳电池底板..55、标准工作条件—stand operating conditions指用标准太阳电池测量的辐照度为1000W/m2并具有标准的太阳光谱辐照度分布;太阳电池温度为组件的电池额定工作温度NOCT..56、额定电压—rated voltage指在规定的工作条件下;依据同一类型光伏发电器的特性选择确定其输出电压;使这一类光伏发电器的输出功率都接近最大功率;此电压称额定电压..57、额定功率—rated power指在规定的工作条件下;光伏发电器在额定电压下所规定的输出功率..58、额定电流— rated current指在规定的工作条件下;光伏发电器在额定电压下所规定的电流.. 59、峰瓦—watts peak指太阳电池组件方阵;在标准测试条件下的额定最大输出功率..四、标定和测试术语1、标定—calibrating指获得标准太阳电池的方法或手段..2、标定值—calibration value指在标准测试条件下标准太阳电池的短路电流与辐照度之比..3、直接辐射标定法准直标定法—direct irradiation calibratingmethodsnormal incidence calibrating method指利用太阳的直射辐射对太阳电池所进行的标定方法..4、总辐射标定法—global calibrating method指利用太阳直射辐射和散射辐射对太阳电池所进行的标定方法..5、太阳常数——solar constant指在地球的大气层外;太阳在单位时间内投射到距太阳平均日地距离处垂直于射线方向的单位面积上的全部辐射能..6、大气质量AM—Air Mass指太阳光束穿过大气层的光学路径;以该光学路径与太阳在天顶时其光束到达海平面所通过的光学路径的比值来表示;大气质量的值可以近似的由下述公式算出：P 1大气质量= ——— X ————Po sinθ其中;P—当地的大气压力;以Pa表示..Po=1.013×105 Pa..θ—太阳高度角..在地球的大气层外P=0;大气质量定义为零;记为AM0；在海平面处P=1.013×105 Pa;在太阳当顶时sinθ=1大气质量定义为1;记为AM1..7、AMO条件—AMO condition指标定和测试空间用AM=0太阳电池所规定的辐照度和光谱分布..8、AM1条件—AM1 condition指标定和测试空间用AM=1太阳电池所规定的辐照度和光谱分布..9、AM1.5条件—AM1.5 condition指标定和测试空间用AM=1.5太阳电池所规定的辐照度和光谱分布..10、太阳高度角—solar elevation angle指太阳光线与观测点处水平面的夹角;称为该观测点的太阳高度角..11、沉积的水蒸气含量—precipitable water vapor content指在一平方厘米的截面积上;整个大气柱内沉积的水蒸气的总含量..12、混浊度—turbidity指用来描述悬浮在大气中的固体或液体微粒除云层以外;对太阳辐射的吸收和散射作用使大气透明度降低的程度..13、臭氧含量—ozone content指在规定温度和压力下;截面积为一平方厘米的气柱中所含臭氧的数量..14、辐照度—irradiance指照射到面元上的辐射通量与该面元面积之比W/m2..15、散射辐照散射太阳辐照量—diffuse irradiancediffuse insolation指在一段规定的时间内;除去直射太阳辐照外;照射到单位面积上来自天空的辐射能量..16、直射辐照直射太阳辐照量—direct irradiancedirectinsolation指在一段规定的时间内;照射到单位面积上的来自天空太阳圆盘及其周围对照射点所张的半圆锥半顶角为8o的辐射能量..17、总辐照总的太阳辐照量—global irradiation globalinsolation指在规定的一段时间内根据具体情况而定为每小时;每天、每周、每月、每年照射到水平表面的单位面积上的太阳辐射能量..18、倾斜面总辐照倾斜面太阳总辐照量—total irradiation total insolation指在规定的一段时间内根据具体情况而定为每小时;每天、每周、每月、每年照射到某个倾斜表面的单位面积上的太阳辐照..19、总辐照度太阳辐照度—global irradiancesolar global irradiance指入射于水平表面单位面积上的全部的太阳辐射通量W/m 2..20、倾斜面总辐照度倾斜面太阳总辐照度—total irradiancesolar total irradiance指入射于倾斜表面单位面积上的全部的太阳辐射通量W/m2..21、直射辐照度—direct irradiance指照射到单位面积上的;来自天空太阳圆盘及其周围对照射点所张的半圆锥角为8o的辐射通量..22、散射辐照度—diffuse irradiance。
光伏效应实验报告
光伏效应实验报告篇一：半导体光伏效应实验实验4 半导体光伏效应实验本实验以单晶硅太阳能电池为例，通过实验让学生了解太阳能光伏电池的机理，学习和掌握测量短路电流的方法和技巧，以及光电转换的基本参数测量。
一、实验目的1、初步了解太阳能电池机理2、测量太阳能电池开路电动势、短路电流、内阻和光强之间关系3、在恒定光照下测量光电流、输出功率与负载之间关系二、实验原理在p型半导体上扩散一薄层施主杂质而形成的p-n结（如图1），由于光照，在a 、b电极之间出现一定的电动势。
在有外电路时，只要光照不停止，就会源源不断地输出电流，这种现象称为光伏效应。
利用它制成的元器件称之为太阳能电池。
光伏效应最重大的应用是可以将阳光直接转换成电能，是当今世界众多国家致力研究和开拓应用的课题。
从光伏效应的机理可知，太阳能电池输出的电流il是光生电流ip 和在光生电压vp作用下产生的p-n结正向电流if之差，即il?ip?if 。
根据p-n结的电流和电压关系qvpif=is（ekt- 1)is为反向饱和电流，式中vp是光生电压，所以输出电流qvpil=ip–is(ekt- 1) (1)此即光电流表达式。
通常ip>>is，上式括号内的1可忽略。
对于太阳能电池有外加偏压时，（1）式应改为qv图1 光伏效应结构示意图il=il+i=il+is(ekt- 1)（2）qv上式中is(ekt- 1)，就是p-n结在外加偏压v作用下的电流。
图2中的(a)(b)两条曲线分别表示无光照和有光照时太阳能电池的i-v 特性，由此可知，太阳能电池的伏安特性曲线相当于把p-n结的伏安特性曲线向下平移，它在横轴与纵轴的截距分别给出了voc和isc 。
图2太阳能电池的伏安特性实验表明：在v=0情况下，当太阳能电池外接负载电阻rl，其输出电压和电流均随rl变化而变化。
只有当rl取某一定值时输出功率才能达到最大值pm，即所谓最佳匹配阻值rl?rlb，而rlb则取决于太阳能电池的内阻ri=vocvocisc。
光电检测技术与应用课后答案
光电检测技术与应⽤课后答案第2章1、简述光电效应的⼯作原理。
什么是暗电流？什么是亮电流？P11答：暗电流指的是在⽆光照时，由外电压作⽤下P-N结内流过的单向电流；光照时，光⽣载流⼦迅速增加，阻值急剧减少，在外场作⽤下，光⽣载流⼦沿⼀定⽅向运动，形成亮电流。
2、简述光⽣伏特效应的⼯作原理。
为什么光伏效应器件⽐光电导效应器件有更快的响应速度？P15答：（1）光⽣伏特效应的⼯作基础是内光电效应.当⽤适当波长的光照射PN结时，由于内建场的作⽤（不加外电场），光⽣电⼦拉向n区，光⽣空⽳拉向p区，相当于PN结上加⼀个正电压。
（2）光⽣伏效应中，与光照相联系的是少数载流⼦的⾏为，因为少数载流⼦的寿命通常很短，所以以光伏效应为基础的检测器件⽐以光电导效应为基础的检测器件有更快的响应速度。
3、简述光热效应⼯作原理。
热电检测器件有哪些特点？P15、P17第3章2、对于同⼀种型号的光敏电阻来讲，在不同光照度和不同环境温度下，其光电导灵敏度与时间常数是否相同？为什么？如果照度相同⽽温度不同时情况⼜会如何？3、为什么结型光电器件在正向偏置时，没有明显的光电效应？它必须在哪种偏置状态？为什么？答：因为p-n结在外加正向偏压时，即使没有光照，电流也随着电压指数级在增加，所以有光照时，光电效应不明显。
p-n结必须在反向偏压的状态下，有明显的光电效应产⽣，这是因为p-n结在反偏电压下产⽣的电流要饱和，所以光照增加时，得到的光⽣电流就会明显增加。
5、光电导器件响应时间（频率特性）受哪些因素限制？光伏器件与光电导器件⼯作频率哪个⾼？实际使⽤时如何改善其⼯作频率响应？6、硅光电池的开路电压为什么随着温度的升⾼⽽下降？影响光电倍增管⼯作的环境因素有哪些？如何减少这些因素的影响？答：温度升⾼时，半导体的导电性将发⽣⼀定的变化，即少数载流⼦浓度随着温度的升⾼⽽指数式增⼤，相对来说多数载流⼦所占据的⽐例即越来越⼩，这就使得多数载流⼦往对⽅扩散的作⽤减弱，从⽽起阻挡作⽤的p-n结势垒⾼度也就降低。
光伏组件lid测试原理
光伏组件lid测试原理光伏组件LID(testing)即Light Induced Degradation，是指太阳能电池在初始照射和加速照射之后，会出现严重的功率损失。
这种现象的出现是由于太阳能电池中的氧、钠等掺杂物在光照下形成了复合态，进而导致流经它们的电荷的移动受到限制，以至于太阳能电池的发电效果下降。
LID测试可以检测电池板在高温、高湿度环境下的变化情况，帮助开发人员提前发现潜在问题，维护太阳能电池的长期稳定性并确保其电池组件的高效发电。
LID测试工作原理有以下几个步骤：1.样品准备：准备待测试的太阳能电池板和测试设备。
采集太阳能电池板和标准电池的型号和批号，说明待测试的电池板是新鲜的。
2.测试样品暗电流：在太阳能电池板的正负极之间加上足够的电压，在黑暗中测量样品的暗电流，通常使用1-23毫安左右的电流密度进行测试。
3.加速照射测试：将太阳能电池板置于特定的气氛环境中，在一定的温度和湿度下对其进行加速照射。
通常使用阳光模拟器对样品进行1000w/m2的照射，照射时间为48-72小时。
4.二次测量：在加速试验之后，再次测量被测样品的暗电流。
如果样品受到光诱导性退化影响，则第二次测量的暗电流将要比第一次测量高得多。
5.数据清洗和处理：将收集到的数据进行归一化处理，以比较各批次太阳能电池板之间的差异。
如果测试结果没有达到标准要求，则需要对太阳能电池板进行重新评估和测试。
LID测试是一项有用的测试技术，可以帮助工程师及时发现太阳能电池板中存在的问题，以便于对电池板进行保养和修理工作。
因此，此测试技术对太阳能电池的可持续性发展和应用具有重要意义。
光伏电池暗电流空间电荷区
光伏电池暗电流空间电荷区
光伏电池是一种将太阳能转化为电能的装置，被广泛应用在太阳能发电系统中。
它通过光生效应将太阳辐射转化为电能，然后输出到电网或者储存设备中。
在光伏电池中，暗电流是一个重要的参数，它直接影响着电池的性能和效率。
暗电流是指在没有光照的情况下，电池内部产生的电流。
这种电流主要由空间电荷区的载流子在电场的作用下产生。
在光伏电池中，空间电荷区是有源区和耗尽区的交界处，是载流子的主要传输区域。
在没有外界光线的情况下，电池内部不会产生电荷对流，但是载流子依然会在电场的作用下进行扩散和漂移，从而产生暗电流。
暗电流的大小受到多种因素的影响，例如温度、载流子浓度、材料性质等。
在太阳能电池中，暗电流主要由固体材料的本征缺陷和杂质引起的非辐射复合引起。
因此，提高材料的纯度和控制杂质浓度是减小暗电流的有效途径。
此外，通过优化电池的结构和工艺，也可以减小暗电流的影响。
暗电流的存在会影响光伏电池的开路电压和填充因子，从而降低电池的效率。
因此，研究和控制暗电流是提高光伏电池性能的关键。
通过对光伏电池内部载流子的传输和复合过程的深入研究，可以更好地理解暗电流的产生机制，并采取相应的措施进行控制。
总之，暗电流是光伏电池中一个重要的参数，影响着电池的性能和效率。
通过研究暗电流的产生机制和影响因素，可以有效地提高光伏电池的性能，推动太阳能发电技术的发展。
希望未来能够有更多的研究和技术创新，进一步提高光伏电池的效率和可靠性，为清洁能源的发展做出贡献。
光伏型碲镉汞长波探测器暗电流特性的参数提取研究
Ｋｅ ｒ ｓ Ｈ Ｃ Ｔ ＭＣ ） ｐ ｏ ｄｏｅ ａｋｃｒ ｎ； ａａ ｔｒ ｘ ａｔ ｎ ｙｗｏｄ ： ｇ ｄ ｅ（ Ｔ ； ｈｔ ｉｄ ；ｄ ｕ ｅｔ ｐ ｍｅ ｔ ｃ ｏ ｏ ｒ ｒ ｅｅｒ ｉ
引言
由于其优 良的性能 ， 光伏型碲镉汞 （ Ｃ ） Ｍ Ｔ 探测 器成 为 目前 最 重 要 的一 种 红 外 探 测 器 ’． 镉 汞 ｌＪ碲 ２
光 伏 型 碲 镉 汞 长 波探 测 器 暗 电流 特 性 的参 数 提 取研 究
全知 李 觉， 志锋， 伟达， 叶 胡 振华， 卫 陆
（ 中国科 学院上海技术物理研究所 红外 物理 国家重点实验室 ， 上海 ２ ０ ８ ） ００ ３ 摘要 ： 报道 了一种适用 于碲镉汞长波光伏探测器 的 由典 型 电阻电压（ － ） Ｒ Ｖ 曲线提 取器件 基本特征 参数 的数据 处理 途径． 拟合程序 中采用 的暗电流机制包括 了扩散 电流机 制， 生复合 电流机制 ， 产 陷阱辅助 隧穿机制 以及带到 带直接 隧穿 电流机 制． 文详细地 给 出了该拟合计算所采用 的方法和途径 ， 本 分析 了拟合参数 的误差 范 围． 过对 实际器件 通 的 Ｒ Ｖ特 性 曲线 的拟合计算 ， 出了实 际器件 的基本特 征参数 ， ． 给 验证 了该 数据处理途径 的实用 性．
ｃ ａ ａ ｔ ｒ ｔ ｓ ｍｅ ｓ ｒ ｄ ｉ ｏ ｇ ｗ ｖ ｌｎ ｔ Ｃｄ ｅ ｐ ｏ ｏ ｉｄ ． Ｔ ｉ ｕ ｖ － ｔ ｎ ｄ ｌｉ ｃｕ ｅ ｈ ｉ ｕ ｉ ｎ，ｇ ｎ ｒ － ｈ ｃ ｅｉ ｉ ａ ｕ ｅ ｎ ｌｎ － ａ ｅｅ ｇ ｈ Ｈｇ Ｔ ｈ ｔ ｄｏ ｅ ｒ ｓｃ ｈ ｓ ｃ ｒ ｅ ｆ ｔ ｇ ｍｏ ｅ ｎ ｌ ｄ ｓ ｔ ｅ ｄｆ ｓｏ ｉｉ ｅ ｅ ａ ｔ ｎ ｒ ｃ ｍｂ ｎ ｔ ｎ，ｔａ － ｓ ｉｔ ｄ ｔ ｎ ｅｉ ｇ ｎ ａ ｄ ｔ－ ａ ｄ ｔ ｎ ｅｉ ｇ ｃ ｒｅ ｔ ａ ａｋ ｃ ｒｅ ｔｍｅ ｈ ｎ ｓ ． Ｔ ｅ ｆ ｔｎ ｉ －ｅ ｏ ｉ ａｉ ｏ ｏ ｒ ｐ ａ ｓｓ ｎ ｌ ，ａ ｄ ｂ ｎ － ｂ ｎ ｕ ｎ ｌ ｕ ｒ ｎ ｓ ｄ ｒ ｕ ｎ ｃ ａ ｉｍｓ ｈ ｉ ｉ ｇ ｅ ｕ ｎ ｏ ｎ ｔ
光伏系统中英文对照
光伏系统中英文对照太阳能光伏系统专业词汇中英对照顺德中山大学太阳能研究院罗宇飞孙韵琳一、太阳电池相关词汇太阳电池solar cell将太阳辐射能直接转换成电能的器件单晶硅太阳电池single crystalline silicon solar cell以单晶硅为基体材料的太阳电池多晶硅太阳电池multi crystalline silicon solar cell以多晶硅为基体材料的太阳电池非晶硅太阳电池amorphous silicon solar cell用非晶硅材料及其合金制造的太阳电池。
薄膜太能能电池Thin-film solar cell用硅、硫化镉、砷化镓等薄膜为基体材料的太阳电池。
这些薄膜通常用辉光放电、化学气相淀积、溅射、真空蒸镀等方法制得。
多结太阳电池multijunction solar cell由多个p\n 结形成的太阳电池。
化合物半导体太阳电池compound semiconductor solar cell 用化合物半导体材料制成的太阳电池带硅太阳电池silicon ribbon solar cell用带状硅制造的太阳电池光电子photo-electron由光电效应产生的电子。
太阳电池的伏安特性曲线I-V characteristic curve of solar cell受光照的太阳电池，在一定的辐照度和温度以及不同的外电路负载下，流入的电流I 和电池端电压V 的关系曲线。
短路电流short-circuit current （Isc）在一定的温度和辐照度条件下，光伏发电器在端电压为零时的输出电流。
开路电压open-circuit voltage （Voc）在一定的温度和辐照度条件下，光伏发电器在空载（开路）情况下的端电压。
最大功率maximum power (Pm)在太阳电池的伏安特性曲线上，电流电压乘积的最大值。
最大功率点maximum power point在太阳电池的伏安特性曲线上对应最大功率的点，亦称最佳工作点。
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暗电流报告太阳电池在无光照条件下相当于一个整流二极管，当给它加一个方向偏压时(p区接负，n区接正)，外加电压与其内建电势差方向相反，使得内建场势垒高度增加，势垒宽度也增加，于是n区中的电子及p区中的空穴都难以向对方扩散，扩散电流趋近于0，但是由于结电场的增加，增强了少子的漂移作用，把n区中的空穴驱向p区，而把p区中的电子拉向n 区，在结中形成了由n指向p的反向电流，由于少数载流子是由本证激发产生的，数目比较少，所以反向电流一般都比较小，在一定温度T下，由于热激发而产生的少数载流子数量是一定的，电流值趋于恒定，这时的反向电流就是反向饱和电流，如下图第三象限，显示了p-n结的反向电流特性。
p-n的整流特性和太阳电池的明暗特性（p-n结的整流特性和太阳电池的暗特性相同，受照明时暗特性曲线下移，成为明特性曲线）当p-n结两端的反向电压加到一定数值时，反向电流或突然增加，这个现象称为p-n结反向击穿，p-n结击穿后电流很大。
产生p-n结击穿的原因是，在强电场作用下，大大地增加了自由电子和空穴的数目，引起反向电流的急剧增加，这种现象的产生分为雪崩击穿和齐纳击穿两种类型。
雪崩击穿：当p-n结反向电压较高时，结内电场很强，使得在结内作漂移运动的少数载流子获得很大的动能。
当它与结内原子发生直接碰撞时，将原子电离，产生新的"电子一空穴对"。
这些新的"电子一空穴对"，又被强电场加速再去碰撞其它原子，产生更多的"电子一空穴对"。
如此链锁反应，使结内载流子数目剧增，并在反向电压作用下作漂移运动，形成很大的反向电流，这种击穿称为雪崩击穿。
雪崩击穿的物理本质是碰撞电离，它的击穿电压一般在8－1000V。
齐纳击穿（隧道击穿）：齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的p-n结内。
由于掺杂浓度很高，p-n结很窄，这样即使施加较小的反向电压（5V以下），结层中的电场却很强（可达10V/cm左右）。
在强电场作用下，会破坏共价键将束缚电子分离出来，形成"电子一空2×5穴对"，从而产生大量的载流子。
它们在反向电压的作用下，形成很大的反向电流，出现了击穿。
显然，齐纳击穿的物理本质是场致电离。
对于均匀掺杂的p-n结硅太阳电池，暗电流包括三个部分：1 、注入电流，也就是p区和n区的扩散电流。
少子寿命越长，有效扩散长度越长，暗电流中的注入电流分量就越小。
2、复合电流，它与耗尽区宽度成正比，与耗尽区中的载流子平均寿命成反比。
要减小暗电流中的复合电流分量，就要减少耗尽区宽度，减少耗尽区中的复合中心。
3、隧道电流，由隧道效应产生的电流，主要在高掺杂的p-n结区附近发生。
隧道效应：n区中的电子由于有p-n结势垒的阻挡层，一般不能穿过势垒，但有少数靠近p-n结，原来在n区导带中的电子却可以通过禁带中的深能级（由重金属杂质或其它能够作为复合中心的杂质、缺陷构成）隧穿过p-n结势垒与价带中的空穴复合，这过程称为隧道效应。
同样，那些靠近p-n结、原来在价带中的空穴也可以类似地隧穿复合。
针对我们目前的工艺环境，暗电流一般发生在以下几个工序：一、刻蚀处导致1、刻蚀不透原因：验证：2、刻蚀宽度过宽原因：刻蚀宽度过宽，会导致正面副栅线搭到过宽处导致漏电。
产生刻蚀过宽的情况比较多的是夹具未夹紧或是每个夹具的前一两片易产生。
验证：收集刻蚀过宽的片子112片，片源批次号：昱辉080716P125-3-BBB，统一生产下去，测试结果共有5片暗电流片，如下：对比当天生产的同批次暗电流片，高约3.35%分析所产生的五片暗电流片，有两片应该是刻蚀处引起，去除四边扫描LBIC ，响应变高。
二、PECVD 部分导致1、工艺点过大，已碰到正面栅线原因：石墨框上钩子的SiN 太多，工艺点较大，与正面栅线接触，导致工艺点处漏电。
验证：>整个电池片在做Lbic 扫描时，整体电流响应很低，但切掉工艺点区域后电流响应有所提升，如图：改善对策：定期清洁石墨框钩子，或寻找更加适合的钩子改进这一现象。
2、工艺点处暗裂原因：3、工艺点处点状穿透4、跟踪刚清扫完腔体后的片子暗电流比例情况：三、丝网部分导致：1、正面受到铝浆的污染，导致P-N结容易击穿：2、边缘浆料污染，背场印刷偏移，漏浆等导致。
验证：>整个电池片在做Lbic扫描时，整体电流响应很低，但切掉漏浆区域后电流响应有明显提升，如图：3、在收片时造成的叠片、追尾造成的正面沾到浆料等情况4、指纹上的浆料占到正面5、正面栅线含有铝浆也容易导致暗电流在丝网这一工序造成的暗电流情况一般为操作不规范引起，要减少暗电流的比例，加强这一工序的操作规范相当重要。
目前我们产线上出现的情况：>印刷偏移、（边缘）漏浆、叠片等正面受到浆料污染的片子如何处理>银浆中混有铝的四、暗裂五、扩散制结时p-n结受到污染验证：跟踪刚洗完炉管以及石英舟的扩散炉所做出来的片子暗电流比例情况：六、材料本身导致七、Berger&NPC 对暗电流测试差别 设置差别：Berger 设置加的反向偏压为12V ，而NPC 设置加的反向偏压为10V 。
针对这种差异，取同样的暗电流片子在两台测试机上做个对比：L2A 代表2A 线测试，L2B-1代表2B 第一次测试，L2B-2代表2B 第二次测试。
>在2B Berger 上测试的50片暗电流片子效率情况：之后在2A NPC 上的测试情况：>取同样的片子在两台测试机测试的数据对比情况：IscFFEFFIrevNPC Berger NPC Berger NPC Berger NPCBerger 1 4.9628 4.9283 0.7260 71.9814 13.5378 0.13295 7.8135 10.7719 2 4.6271 4.5723 0.7632 75.6413 13.5092 0.13241 2.2086 4.7547 3 5.0400 5.0782 0.6732 67.5542 13.2560 0.13392 9.2511 11.0509 4 5.0436 5.0701 0.6970 68.3518 13.7934 0.13552 8.5044 10.5130 5 4.8938 4.9582 0.6731 68.7088 12.8070 0.13104 9.2869 11.4959 6 4.9433 4.9516 0.7106 70.5248 13.5715 0.13455 5.8141 10.3444 7 4.8101 4.7861 0.7346 73.1815 13.5811 0.13446 1.4658 1.9394 8 4.7424 4.6889 0.7609 75.3205 13.7552 0.13446 0.2303 0.2935 9 4.5650 4.5275 0.7762 76.7884 13.5935 0.13323 0.2020 0.3624 10 5.0301 5.0810 0.7185 70.8474 13.6958 0.13579 9.6401 11.4135 11 4.6450 4.5554 0.7575 75.3542 13.5500 0.13208 0.8579 1.0321 12 4.6962 4.5953 0.7492 74.5434 13.5249 0.13158 1.3538 1.6177 13 4.6576 4.5806 0.7724 75.9699 13.5678 0.13146 0.2930 0.3651 14 4.6929 4.6059 0.7690 75.6884 13.6130 0.13163 0.2197 0.2762 15 4.6933 4.6150 0.7645 75.5439 13.5389 0.13169 0.5097 0.6137 16 4.6664 4.6030 0.7630 75.5864 13.4666 0.13173 0.3012 0.3789 17 4.6879 4.6212 0.7625 75.7535 13.5248 0.13241 0.2420 0.3047 18 4.7167 4.6524 0.7368 74.1141 13.3984 0.13276 5.6438 8.1060 19 4.6908 4.6123 0.7623 75.9115 13.4901 0.13214 0.2042 0.2628 20 4.6998 4.6218 0.7725 75.9338 13.7186 0.13260 0.1391 0.2943 21 5.0645 5.2020 0.7677 76.3538 15.3038 0.15481 0.8873 0.2182 22 5.0685 5.2518 0.7492 76.7696 14.7634 0.15926 0.3902 0.2065 23 5.1987 5.0574 0.7715 77.2298 15.8289 0.15296 0.6553 0.5815 24 5.1915 5.2378 0.7719 77.0710 15.7407 0.15934 0.1831 0.2258 25 5.1860 5.1437 0.7802 75.7236 15.9739 0.14918 0.2934 0.2224 26 5.0820 5.1097 0.7686 77.2793 15.2973 0.15642 1.0291 0.4567 27 5.0798 5.1604 0.7675 76.0304 15.1778 0.15093 0.7145 0.2603 28 4.9873 5.16890.7902 75.2592 15.6981 0.15020 0.8512 0.808229 5.1002 5.0822 0.7783 77.1155 15.7498 0.15351 0.2526 0.5963 30 5.0475 5.1580 0.7680 75.7662 14.9403 0.15111 0.2109 0.1930 31 5.1115 5.1090 0.7572 76.0108 14.9498 0.15293 0.1509 1.1807 32 5.0563 5.2655 0.7765 76.5784 15.3382 0.15850 0.4099 0.2179 33 5.1234 5.2913 0.7690 75.7269 15.1521 0.15799 0.70180.7923 34 5.1111 5.1173 0.7666 75.9426 15.0651 0.15249 0.1988 1.4775 35 5.0494 5.2779 0.7852 76.9860 15.6782 0.16036 0.36150.3727 36 5.0864 5.1316 0.7652 76.1871 14.8820 0.15247 0.1868 0.8468 37 5.1807 5.0906 0.7785 76.4152 15.9052 0.14981 0.19480.2851 38 5.0352 4.9930 0.7808 77.1413 15.3911 0.15370 0.2342 5.8245 39 5.1715 5.1410 0.7796 76.8681 15.9315 0.15695 0.1801 0.4059 40 5.1186 5.2015 0.7735 76.1106 15.4386 0.15501 0.1825 0.2637 Avg4.9389 4.9474 0.7572 75.0466 14.4675 0.1437 1.8112 2.5407另外，由于Line 2B 的暗电流比例比Line 2A 高，我们取2A 烧结出来的片子到2B 测试，与2A 测试的片子对比，同样得到高的暗电流比例： >将2A 烧结后的片子拿到2B 测试，嘉晶片1143片，如下：>当天2A 测试的同批次嘉晶片片效率情况：实际测试区别。