可控硅资料P0102
PHILIPS系列双向可控硅
PHILIPS 系列双向可控硅Product Mode 产品型号 PDF 参数下载 ProductClassfication 产品类别 ITRMS 电流 (A ) VDRM 电压 (V) Gate Trigger Current 门极触发电流 IGT (mA/ 卩 A)Package 封装形式IGT I IGT n IGT 山 IGT IV T2+G+ T2+G- T2-G- T2-G+ BT1306-400D(新) 四象限双向 0.6A 400V 1〜5mA 2~5mA 2~5mA 4~7mA TO-92 BT1306-600D(新) 四象限双向 0.6A 600V 1〜5mA 2~5mA 2~5mA 4~7mA TO-92 BT1308-400D(新) 四象限双向 0.8A 400V 1〜5mA 2~5mA 2~5mA 4~7mA TO-92 BT1308-600D(新) 四象限双向 0.8A 600V 1〜5mA2~5mA2~5mA 4~7mA TO-92 BTA204W-500D 三象限双向 1A 500V < 5mA < 5mA < 5mA ■ SOT-223 BTA204W-500E 三象限双向 1A 500V < 10mA < 10mA < 10mA ■ SOT-223 BTA204W-500F 三象限双向 1A 500V < 25mA < 25mA < 25mA ■ SOT-223 BTA204W-600D 三象限双向 1A 600V < 5mA < 5mA < 5mA ■ SOT-223 BTA204W-600E 三象限双向 1A 600V < 10mA < 10mA < 10mA ■ SOT-223 BTA204W-600F 三象限双向 1A 600V < 25mA < 25mA < 25mA ■ SOT-223 BTA204W-800E 三象限双向 1A 800V < 10mA < 10mA < 10mA ■ SOT-223 BTA204W-800F 三象限双向 1A 800V < 25mA < 25mA < 25mA ■ SOT-223 BTA204W-500B 三象限双向 1A 500V < 50mA < 50mA < 50mA ■ SOT-223 BTA204W-600B 三象限双向 1A 600V < 50mA < 50mA < 50mA ■ SOT-223 BTA204W-800B 三象限双向 1A 800V < 50mA < 50mA < 50mA ■ SOT-223 BTA204W-500C 三象限双向 1A 500V < 35mA < 35mA < 35mA ■ SOT-223 BTA204W-600C 三象限双向 1A 600V < 35mA < 35mA < 35mA ■ SOT-223 BTA204W-800C三象限双向 1A 800V < 35mA < 35mA < 35mA ■ SOT-223 Z0103MA 四象限双向 1A 600V < 3mA < 3mA < 3mA < 5mA TO-92 Z0103NA 四象限双向 1A 800V < 3mA < 3mA < 3mA < 5mA TO-92 Z0107MA 四象限双向 1A 600V < 5mA < 5mA «6mA < 7mA TO-92 Z0107NA 四象限双向 1A 800V < 5mA < 5mA < 5mA < 7mA TO-92 Z0109MA 四象限双向 1A 600V < 10mA < 10mA < 10mA < 10mA TO-92 Z0109NA 四象限双向 1A 800V < 10mA < 10mA < 10mA < 10mA TO-92 Z0103MN 四象限双向 1A 600V < 3mA < 3mA < 3mA < 5mA SOT-223 Z0103NN 四象限双向 1A 800V < 3mA < 3mA < 3mA < 5mA SOT-223 Z0107MN四象限双向 1A 600V < 5mA < 5mA < 5mA < 7mA SOT-223 Z0107NN四象限双向1A800V< 5mA< 5mA< 5mA< 7mASOT-223如需技术资料（pdf 文档）请回首页按搜索MA9 0 TO-22QABA2 G (BTA41>TOP3 InsulatedRD91(BTA40)>>> ST 系列.…….(1) >>> PHILIPS .……⑵ >>> TONSION 系歹y …(3) >>> NEC 系列 ..…..⑷ >>> TECCOF 系歹 y….(5) >>> ON 系歹 y . .(6)>>> MIT 系列..… ..⑺A1。
可控硅的特性及检测
可控硅的特性及检测dzzl 发表于 2005-8-6 11:29:001. 可控硅的特性。
可控硅分单向可控硅、双向可控硅。
单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。
双向可控硅有第一阳极A1（T1），第二阳极A2（T2）、控制极G三个引出脚。
只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压，同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。
此时A、K间呈低阻导通状态，阳极A与阴极K间压降约1V。
单向可控硅导通后，控制器G即使失去触发电压，只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压，单向可控硅继续处于低阻导通状态。
只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变（交流过零）时，单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。
单向可控硅一旦截止，即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压，仍需在控制极G和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。
单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态，用它可制成无触点开关。
双向可控硅第一阳极A1与第二阳极A2间，无论所加电压极性是正向还是反向，只要控制极G和第一阳极A1间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状态。
此时A1、A2间压降也约为1V。
双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。
只有当第一阳极A1、第二阳极A2电流减小，小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。
2. 单向可控硅的检测。
万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。
此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。
此时万用表指针应不动。
用短线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。
如阳极A 接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。
可控硅参数说明及中英文对照表p
dVCOM/dt
Critical rate of change of commutating voltage
临界转换电压上升率
切换电压上升率dVCOM/dt。驱动高电抗性的负载时，负载电压和电流的波形间通常发生实质性的相位移动。当负载电流过零时双向可控硅发生切换，由于相位差电压并不为零。这时双向可控硅须立即阻断该电压。产生的切换电压上升率（dVCOM/dt）若超过允许值，会迫使双向可控硅回复导通状态，因为载流子没有充分的时间自结上撤出。
V
VGD
Non-triggering gate voltage
门极不触发电压
-
V
VFGM
Peak Forward Gate Voltage
门极正向峰值电压
-
V
VRGM
Peak Reverse Gate Voltage
门极反向峰值电压
-
V
IFGM
Peak Forward Gate Current
门极正向峰值电流
mA
ID
Off-state leakage current
断态漏电流
-
mA
VGT
Triggering gate voltage
门极触发电压
—可以选择Vgt 25度时max值的β倍。β为门极触发电压—结温特性系数，查数据手册可得，取特性曲线中最低工作温度时的系数。若对器件工作环境温度无特殊需要，通常选择时β取1~1.2倍即可。
A
IGM
Forward Peak Gate Current
门极峰值电流
-
A
I2T
Circuit Fusing Consideration
周期电流平方时间积
双向可控硅工作原理及应用
双向可控硅工作原理及应用双向可控硅（also known as Bidirectional Triode Thyristor，简称BTT）是一种常用的电力控制元件，其工作原理基于可控硅的结构和性能。
与普通的可控硅相比，双向可控硅还具备双向控制的能力，即可以在正向和反向的工作电压下触发和控制。
双向可控硅的结构与常用的可控硅相似，由四层半导体材料构成，分别是P-N-P-N的结构。
它通常由两个普通的可控硅反并联而成，使得正向和反向都能够触发和控制。
双向可控硅的工作原理如下：当正向工作电压施加在双向可控硅的正向P-N结上时，如果触发电流超过一定的阈值，则电流在P-N结之间形成导通通道，电压降低，双向可控硅的正向电流流过。
同时，当反向工作电压施加在双向可控硅的反向P-N结上时，如果触发电流超过一定的阈值，则电流在P-N结之间形成导通通道，电压降低，双向可控硅的反向电流流过。
通过控制正向和反向的触发电流，可以实现对双向可控硅的双向可控性。
双向可控硅的应用非常广泛，以下是一些主要的应用领域：1. 交流电源控制：由于双向可控硅可以同时控制正向和反向电流，因此特别适用于交流电源控制。
它可以用于电子变压器、电源电压调节、电能质量控制等方面。
2. 交流调光：双向可控硅可以用于交流调光，调整照明设备的亮度。
通过控制正向和反向的触发脉冲，可以实现对照明设备的调光效果，提高照明效果和节能效果。
3. 电动机控制：双向可控硅可以用于电动机的控制，实现对电动机的启动、停止、正转和反转等操作。
通过控制正向和反向的触发电流和电压，可以实现对电动机的精确控制。
4. 温度控制：双向可控硅可以用于温度控制，通过控制加热元件的工作周期，可以实现温度的控制。
例如，将双向可控硅应用于电炉控制，可以实现对电炉的温度控制。
5. 电力电子开关：双向可控硅可以用作电力电子开关，控制电流和电压的开关状态。
例如，将双向可控硅应用于交流电压调节器中，可以实现对电压的平滑调节和控制。
bcr2pm可控硅参数
BCR2PM可控硅参数1. 简介BCR2PM是一种可控硅（Thyristor）参数。
可控硅是一种电子器件，具有双向导通特性，常用于交流电路的控制和开关。
BCR2PM是一种具有高度集成化和稳定性的可控硅模块。
2. 可控硅的基本原理可控硅是一种半导体器件，由四层PNPN结构组成。
它的基本原理是利用PN结的正向和反向特性来实现对电流的控制。
在正向偏置下，当阳极电压超过阈值电压时，PN结会进入正向导通状态，形成一个低阻抗通道，电流可以通过。
而在反向偏置下，PN结处于绝缘状态，并且只有当施加一个触发脉冲时才能使其进入导通状态。
3. BCR2PM模块BCR2PM模块是一种集成了多个可控硅的模块化设计。
它具有以下特点：•高集成度：BCR2PM模块内部集成了多个可控硅器件，并且通过封装在同一个模块中，从而实现了高度集成化。
•稳定性：BCR2PM模块采用优质材料和先进的制造工艺，具有良好的稳定性和可靠性。
•可控性：BCR2PM模块可以通过外部电压或触发脉冲来控制其导通状态，实现对交流电路的精确控制。
4. BCR2PM可控硅参数4.1 额定参数•额定电压（Vdrm）：BCR2PM模块能够承受的最大反向电压。
•额定电流（Idrm）：BCR2PM模块能够承受的最大反向电流。
4.2 触发参数•触发电流（Igt）：需要施加在可控硅门极上的触发电流，使其进入导通状态。
•触发电压（Vgt）：需要施加在可控硅门极上的触发电压，使其进入导通状态。
4.3 动态参数•关断时间（tq）：当施加一个关断脉冲时，可控硅从导通状态到绝缘状态所需的时间。
•恢复时间（trr）：当可控硅从绝缘状态恢复到导通状态时所需的时间。
4.4 热参数•额定功率（Pd）：BCR2PM模块能够承受的最大功率。
•热阻（Rth）：BCR2PM模块在工作过程中产生的热量与温度之间的关系。
5. 应用领域由于BCR2PM模块具有高度集成化和稳定性，以及对交流电路精确控制的能力，因此广泛应用于以下领域：•变频器：BCR2PM模块可以用于变频器中，实现对交流电机转速的调节和控制。
双向可控硅工作原理
双向可控硅工作原理1.可控硅是p1n1p2n2四层三端结构元件，共有三个pn结，分析原理时，可以把它看作由一个pnp管和一个npn管所组成当阳极a加上正向电压时，bg1和bg2管均处于放大状态。
此时，如果从控制极g输入一个正向触发讯号，bg2便有基流ib2流过，经bg2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。
因为bg2的集电极直接与bg1的基极相连，所以ib1=ic2。
此时，电流ic2再经bg1放大，于是bg1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。
这个电流又流回到bg2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈迴圈的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。
由于bg1和bg2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极g的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发讯号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。
由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化2,触发导通在控制极g上加入正向电压时（见图5）因j3正偏，p2区的空穴时入n2区，n2区的电子进入p2区，形成触发电流igt。
在可控硅的内部正反馈作用（见图2）的基础上，加上igt的作用，使可控硅提前导通，导致图3的伏安特性oa 段左移，igt越大，特性左移越快。
一、可控硅的概念和结构？闸流体又叫可控硅。
自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它的主要成员有单向闸流体、双向闸流体、光控闸流体、逆导闸流体、可关断闸流体、快速闸流体，等等。
今天大家使用的是单向闸流体，也就是人们常说的普通闸流体，它是由四层半导体材料组成的，有三个pn结，对外有三个电极〔图2(a)〕：第一层p型半导体引出的电极叫阳极a，第三层p型半导体引出的电极叫控制极g，第四层n型半导体引出的电极叫阴极k。
从闸流体的电路符号〔图2(b)〕可以看到，它和二极体一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极g，这就使它具有与二极体完全不同的工作特性。
可控硅元件的工作原理及基本特性
可控硅元件的工作原理及基本特性1、工作原理可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如图1所示当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。
此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2= 3 2ib2因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。
此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1= 3 1ib1= 3 1 32这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。
由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。
由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化，此条件见表1状态条件说明从关断到导通1、阳极电位咼于是阴极电位2、控制极有足够的正向电压和电流两者缺一不可维持导通1、阳极电位咼于阴极电位2、阳极电流大于维持电流两者缺一不可从导通到关断1、阳极电位低于阴极电位2、阳极电流小于维持电流任一条件即可2、基本伏安特性可控硅的基本伏安特性见图 2(1 )反向特性当控制极开路，阳极加上反向电压时(见图3), J2结正偏，但J1、J2结反偏。
此时只能流过很小的反向饱和电流，当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后，接差J3结也击穿，电流迅速增OR段所示，弯曲处的电压URO叫反向转折电压”。
此时，可控加，图3的特性开始弯曲，如特性硅会发生永久性反向击穿。
图1可控硅等效图解图图2可控硅基本伏安特性图3阳极加反向电压（2 ）正向特性当控制极开路，阳极上加上正向电压时（见图4）, J1、J3结正偏，但J2结反偏，这与普通PN结的反向特性相似，也只能流过很小电流，这叫正向阻断状态，当电压增加，图3的特性发生了弯曲，如特性OA段所示，弯曲处的是UBO叫：正向转折电压图4阳极加正向电压由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后，J2结发生雪崩倍增效应，在结区产生大量的电子和空穴，电子时入N1 区,空穴时入P2区。
可控硅工作原理及参数详解
随着脉冲直流电压VP通过可调电阻RP1、R1对电容C1进行充电，当电容C1上的电压足以触发可控硅VT时，可控硅导通后负载回路畅通，从而使电灯泡点亮，如下图所示：
这两个值与之前介绍的IDRM、VDRM是一样的，只不过IDRM、VDRM是在控制G极断开、可控硅阻断状态下测量的，而IRRM、VRRM是在可控硅A、K极接反向电压下测量的。
如果在可控硅阳极A与阴极K间加上反向电压时，开始可控硅处于反向阻断状态，只有很小的反向漏电流流过。当反向电压增大到某一数值时，反向漏电流急剧增大，这时，所对应的电压称为反向不重复峰值电压VRSM（Peak Non-Repetitive Surge Voltage）。
如果反向电压增大到某一数值时，反向漏电流急剧增大，此时所对应的电压称为反向门极峰值电压IGM（Reverse Peak Gate Voltage），使用时不应超过此值。
上面我们讨论的是常用的P型门极、阴极端受控的可控硅，还有一种不常用的N型门极、阳极端受控的可控硅，其原理图符号如下图所示，两者的原理是完全一样的，读者可自行分析一下。
调节可调电位器RP1即可控制电容C1的充电速度（充电常数越大充电速度越慢），这样施加在灯泡上的交流电压的平均值就可以随之调整，从而调节电灯泡的高度。
原文链接点击这里
但问题是，大多数时候VAK的电压不会那么容易（主动）下降，我帮主当得好好的，凭什么让我下台？老子有的是钱！
狡兔死，走狗烹，电压VGK深谙其中道理，也早早从“门极关断可控硅”手中重金买下简单的办法让灯泡熄灭。你丫的，我给你立下汗马功劳不让我当帮主，只有拆你的台了。如下图所示：
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1/6®P01 SeriesSENSITIVE0.8A SCRsSeptember 2000 - Ed: 3MAIN FEATURES:DESCRIPTIONThanks to highly sensitive triggering levels, the P01 SCR series is suitable for all applications where available gate current is limited, such as ground fault circuit interruptors, pilot circuits in solid state relays, stand-by mode power supplies,smoke and alarm detectors.Available in through-hole or surface mount pack-ages, the voltage capability of this series has been upgrated since its introduction, to reach 600 V.Symbol Value Unit I T(RMS)0.8A V DRM /V RRM400 and 600V I GT5 to 200µAABSOLUTE RATINGS (limiting values)Symbol ParameterValue Unit I T(RMS) RMS on-state current (180° conduction angle)TO-92Tl = 55°C 0.8ASOT -223Tamb = 70°C IT (AV) Average on-state current (180° conduction angle)TO-92Tl = 55°C 0.5ASOT -223Tamb = 70°C I TSM Non repetitive surge peak on-state currenttp = 8.3 ms Tj = 25°C 8A tp = 10 ms 7I ²t I ²t Value for fusingtp = 10ms Tj = 25°C 0.24A 2S dI/dt Critical rate of rise of on-state current I G = 2 x I GT , tr ≤ 100 ns F = 60 Hz Tj = 125°C 50A/µs I GM Peak gate currenttp = 20 µsTj = 125°C 1A P G(AV)Average gate power dissipation Tj = 125°C0.1W T stg TjStorage junction temperature range Operating junction temperature range- 40 to + 150- 40 to + 125°CP01 Series2/6ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj = 25°C, unless otherwise specified)THERMAL RESISTANCESS = Copper surface under tabPRODUCT SELECTORSymbol Test ConditionsP01xxUnit021118I GTV D = 12 V R L = 140 ΩMIN.-40.5µA MAX.200255V GT MAX.0.8V V GD V D = V DRM R L = 3.3 k Ω R GK = 1 k ΩTj = 125°CMIN.0.1V V RG I RG = 10 µAMIN.8V I H I T = 50 mA R GK = 1 k ΩMAX.5mA I L I G = 1 mA R GK = 1 k ΩMAX.6mA dV/dt V D = 67 % V DRM R GK = 1 k Ω Tj = 125°C MIN.758075V/µs V TM I TM = 1.6 A tp = 380 µs Tj = 25°C MAX. 1.95V V t0Threshold voltage Tj = 125°C MAX.0.95V R d Dynamic resistanceTj = 125°C MAX.600m ΩI DRM I RRMV DRM = V RRM = 400 V R GK = 1 k ΩTj = 25°C MAX.1µA V DRM = V RRM = 600 V R GK = 1 k Ω10µA V DRM = V RRM R GK = 1 k ΩTj = 125°C MAX.100µASymbol ParameterValue Unit R th(j-i)Junction to case (DC)TO-9280°C/WR th(j-t)Junction to tab (DC)SOT -22330°C/WR th(j-a)Junction to ambientTO-92150S = 5 cm ²SOT -22360Part NumberVoltageSensitivityPackage 400 V600 VP0102DA X 200 µA TO-92P0102DN X200 µA SOT -223P0102MA X 200 µA TO-92P0102MN X200 µA SOT -223P0111DA X 25 µA TO-92P0111DN X25 µA SOT -223P0111MA X 25 µA TO-92P0111MN X25 µA SOT -223P0118DA X 5 µA TO-92P0118DN X5 µA SOT -223P0118MA X 5 µA TO-92P0118MNX5 µA SOT -223P01 Series3/6ORDERING INFORMATIONOTHER INFORMATIONNote : xx = sensitivity, y = voltagePart Number MarkingWeight Base QuantityPacking modeP01xxyA 1AA3P01xxyA 0.2 g 2500Bulk P01xxyA 2AL3P01xxyA 0.2 g 2000Ammopack P0102yN 5AA4P2y 0.12 g 1000Tape & reel P0111yN 5AA4P1y 0.12 g 1000Tape & reel P0118yN 5AA4P8y0.12 g1000Tape & reelFig. 1: Maximum average power dissipation versus average on-state current.Fig. 2-1: Average and D.C. on-state current versus lead temperature.Fig. 2-2: Average and D.C. on-state current versus ambient temperature (device mounted on FR4 with recommended pad layout for SOT -223).Fig. 3: Relative variation of thermal impedancejunction to ambient versus pulse duration.P01 SeriesFig. 4: Relative variation of gate trigger current,holding current and latching current versus junction temperature (typical values).Fig. 5:Relative variation of holding current versus gate-cathode resistance (typical values).Fig. 6: Relative variation of dV/dt immunity versus gate-cathode resistance (typical values).Fig. 7: Relative variation of dV/dt immunity versus gate-cathode capacitance (typical values).P01 Series5/6Fig. 10: On-state characteristics (maximum values).Fig. 11: SOT -223 Thermal resistance junction to ambient versus copper surface under tab (Epoxy printed circuit board FR4, copper thickness:35µm).PACKAGE MECHANICAL DATAP01 SeriesPACKAGE MECHANICAL DATAFOOTPRINT DIMENSIONS (in millimeters)Information furnished is believed to be accurate and reliable. However, STMicroelectronics assumes no responsibility for the consequences of use of such information nor for any infringement of patents or other rights of third parties which may result from its use. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of STMicroelectronics. Specifications mentioned in this publication are subject to change without notice. This publication supersedes and replaces all information previously supplied. STMicroelectronics products are not authorized for use as critical components in life support devices or systems without express written approval of STMicroelectronics.© The ST logo is a registered trademark of STMicroelectronics© 2000 STMicroelectronics - Printed in Italy - All Rights ReservedSTMicroelectronics GROUP OF COMPANIESAustralia - Brazil - China - Finland - France - Germany - Hong Kong - India - Italy - Japan - Malaysia - Malta - MoroccoSingapore - Spain - Sweden - Switzerland - United Kingdom6/6。