无机材料物理性能考试试题及答案
无机材料物理性能考试复习题

无机材料物理性能考试复习题(含答案)一、名词解释(选做5个,每个3分,共15分)1. K IC :平面应变断裂韧度,表示材料在平面应变条件下抵抗裂纹失稳扩展的能力。
2.偶极子(电偶极子):正负电荷的平均中心不相重合的带电系统。
3.电偶极矩:偶极子的电荷量与位移矢量的乘积,ql =μ。
(P288)4.格波:原子热振动的一种描述。
从整体上看,处于格点上的原子的热振动可描述成类似于机械波传播的结果,这种波称为格波。
格波的一个特点是,其传播介质并非连续介质,而是由原子、离子等形成的晶格,即晶格的振动模。
晶格具有周期性,因而,晶格的振动模具有波的形式。
格波和一般连续介质波有共同的波的特性,但也有它不同的特点。
5.光频支:格波中频率很高的振动波,质点间的相位差很大,邻近的质点运动几乎相反时,频率往往在红外光区,称为“光频支振动”。
(P109)6.声频支:如果振动着的质点中包含频率很低的格波,质点之间的相位差不大,则格波类似于弹性体中的应变波,称为“.声频支振动”。
(P109)7.色散:材料的折射率随入射光频率的减小(或波长的增加)而减小的性质,称为折射率的色散。
8.光的散射:物质中存在的不均匀团块使进入物质的光偏离入射方向而向四面八方散开,这种现象称为光的散射,向四面八方散开的光,就是散射光。
与光的吸收一样,光的散射也会使通过物质的光的强度减弱。
9.双折射:光进入非均匀介质时,一般要分为振动方向相互垂直、传播速度不等的两个波,它们分别构成两条折射光线,这个现象就称为双折射。
(P172)10.本征半导体(intrinsic semiconductor):完全不含杂质且无晶格缺陷的、导电能力主要由材料的本征激发决定的纯净半导体称为本征半导体。
N 型半导体:在半导体中掺入施主杂质,就得到N 型半导体;在半导体中掺入受主杂质,就得到P 型半导体。
12.超导体:超导材料(superconductor ),又称为超导体,指可以在特定温度以下,呈现电阻为零的导体。
无机材料物理性能试题及答案

无机材料物理性能试题及答案Happy First, written on the morning of August 16, 2022无机材料物理性能试题及答案无机材料物理性能试题及答案一、填空题每题2分;共36分1、电子电导时;载流子的主要散射机构有中性杂质的散射、位错散射、电离杂质的散射、晶格振动的散射..2、无机材料的热容与材料结构的关系不大 ;CaO和SiO2的混合物与CaSiO3的热容-温度曲线基本一致 ..3、离子晶体中的电导主要为离子电导 ..可以分为两类:固有离子电导本征电导和杂质电导..在高温下本征电导特别显着;在低温下杂质电导最为显着..4、固体材料质点间结合力越强;热膨胀系数越小 ..5、电流吸收现象主要发生在离子电导为主的陶瓷材料中..电子电导为主的陶瓷材料;因电子迁移率很高;所以不存在空间电荷和吸收电流现象..6、导电材料中载流子是离子、电子和空位..7. 电子电导具有霍尔效应;离子电导具有电解效应;从而可以通过这两种效应检查材料中载流子的类型..8. 非晶体的导热率不考虑光子导热的贡献在所有温度下都比晶体的小 ..在高温下;二者的导热率比较接近 ..9. 固体材料的热膨胀的本质为:点阵结构中的质点间平均距离随着温度升高而增大 ..10. 电导率的一般表达式为∑=∑=iiiiiqnμσσ..其各参数ni、qi和i的含义分别是载流子的浓度、载流子的电荷量、载流子的迁移率 ..11. 晶体结构愈复杂;晶格振动的非线性程度愈大 ..格波受到的散射大 ; 因此声子的平均自由程小 ;热导率低 ..12、波矢和频率之间的关系为色散关系..13、对于热射线高度透明的材料;它们的光子传导效应较大;但是在有微小气孔存在时;由于气孔与固体间折射率有很大的差异;使这些微气孔形成了散射中心;导致透明度强烈降低..14、大多数烧结陶瓷材料的光子传导率要比单晶和玻璃小1~3数量级;其原因是前者有微量的气孔存在;从而显着地降低射线的传播;导致光子自由程显着减小..15、当光照射到光滑材料表面时;发生镜面反射 ;当光照射到粗糙的材料表面时;发生 漫反射 ..16、作为乳浊剂必须满足:具有与基体显着不同的折射率;能够形成小颗粒..用高反射率;厚釉层和高的散射系数;可以得到良好的乳浊效果..17、材料的折射随着入射光的频率的减少或波长的增加而减少的性质;称为折射率的色散..二、 问答题每题8分;共48分1、简述以下概念:顺磁体、铁磁体、软磁材料..答:1顺磁体:原子内部存在永久磁矩;无外磁场;材料无规则的热运动使得材料没有磁性..当外磁场作用;每个原子的磁矩比较规则取向;物质显示弱磁场..2铁磁体:在较弱的磁场内;材料也能够获得强的磁化强度;而且在外磁场移去;材料保留强的磁性..3软磁材料:容易退磁和磁化磁滞回线瘦长;具有磁导率高;饱和磁感应强度大;矫顽力小;稳定型好等特性..2、简述以下概念:亚铁磁体、反磁体、磁致伸缩效应答:1亚铁磁体:铁氧体:含铁酸盐的陶瓷磁性材料..它和铁磁体的相同是有自发磁化强度和磁畴;不同是:铁氧体包含多种金属氧化物;有二种不同的磁矩;自发磁化;也称亚铁磁体..2反磁体:由于“交换能”是负值;电子自旋反向平行..3磁致伸缩效应:使消磁状态的铁磁体磁化;一般情况下其尺寸、形状会发生变化;这种现象称为磁致伸缩效应..3、简述以下概念:热应力、柯普定律、光的双折射..答:1由于材料热膨胀或收缩引起的内应力称为热应力..2柯普定律:化合物分子热容等于构成该化合物各元素原子热容之和..理论解释:i i c n C ∑=..3光进入非均质介质时;一般要分为振动方向相互垂直、传播速度不等的两个波;它们构成两条折射光线;这个现象称为双折射..4、什么是铁氧体 铁氧体按结构分有哪六种主要结构答:以氧化铁Fe3+2O3为主要成分的强磁性氧化物叫做铁氧体..铁氧体按结构:尖晶石型、石榴石型、磁铅石型、钙钛矿型、钛铁矿型和钨青铜型..5、影响材料透光性的主要因素是什么提高无机材料透光性的措施有哪些答:影响透光性的因素:1吸收系数可见光范围内;吸收系数低1分2反射系数材料对周围环境的相对折射率大;反射损失也大..1分3散射系数材料宏观及微观缺陷;晶体排列方向;气孔..1分提高无机材料透光性的措施: 1提高原材料纯度减少反射和散射损失2分.. 2掺外加剂降低材料的气孔率2分..3采用热压法便于排除气孔2分6、影响离子电导率的因素有哪些并简述之..答:1温度..随着温度的升高;离子电导按指数规律增加..低温下杂质电导占主要地位..这是由于杂质活化能比基本点阵离子的活化能小许多的缘故..高温下;固有电导起主要作用..2分2晶体结构..电导率随活化能按指数规律变化;而活化能反映离子的固定程度;它与晶体结构有关..熔点高的晶体;晶体结合力大;相应活化能也高;电导率就低..2分结构紧密的离子晶体;由于可供移动的间隙小;则间隙离子迁移困难;即活化能高;因而可获得较低的电导率..2分3晶格缺陷..离子晶格缺陷浓度大并参与电导..因此离子性晶格缺陷的生成及其浓度大小是决定离子电导的关键..2分7、比较爱因斯坦模型和德拜比热模型的热容理论;并说明哪种模型更符合实际..答:1爱因斯坦模型Einstein model他提出的假设是:每个原子都是一个独立的振子;原子之间彼此无关;并且都是以相同的角频w振动2分;即在高温时;爱因斯坦的简化模型与杜隆—珀替公式相一致..但在低温时;说明CV值按指数规律随温度T而变化;而不是从实验中得出的按T 3变化的规律..这样在低温区域;爱斯斯坦模型与实验值相差较大;这是因为原子振动间有耦合作用的结果2分..2德拜比热模型德拜考虑了晶体中原子的相互作用;把晶体近似为连续介质2分..当温度较高时;与实验值相符合;当温度很低时;这表明当T →0时;C V 与T 3成正比并趋于0;这就是德拜T 3定律;它与实验结果十分吻合;温度越低;近似越好2分..8、晶态固体热容的量子理论有哪两个模型 它们分别说明了什么问题答:爱因斯坦模型在高温时;爱因斯坦的简化模型与杜隆—珀替公式相一致..2分但在低温时;V C 值按指数规律随温度T 而变化;而不是从实验中得出的按T 3变化的规律..这样在低温区域;爱斯斯坦模型与实验值相差较大;这是因为原子振动间有耦合作用的结果..2分德拜比热模型1) 当温度较高时;即D T θ>>;R Nk C V 33==;即杜隆—珀替定律..2分2) 当温度很低时;表明当T →0时;C V 与T 3成正比并趋于0;这就是德拜T 3定律;它与实验结果十分吻合;温度越低;近似越好..2分9、如何判断材料的电导是离子电导或是电子电导 试说明其理论依据..答:1材料的电子电导和离子电导具有不同的物理效应;由此可以确定材料的电导性质..2分利用霍尔效应可检验材料是否存在电子电导;1分利用电解效应可检验材料是否存在离子电导..1分2霍尔效应的产生是由于电子在磁场作用下;产生横向移动的结果;离子的质量比电子大得多;磁场作用力不足以使它产生横向位移;因而纯离子电导不呈现霍尔效应..2分3电解效应离子电导特征离子的迁移伴随着一定的物质变化;离子在电极附近发生电子得失;产生新的物质..由此可以检验材料是否存在离子电导..2分三、 计算题共16分1、一陶瓷零件上有一垂直于拉应力的边裂;如边裂长度为:12 mm20.049mm32 m ;分别求上述三种情况下的临界应力..设此材料的断裂韧性为162Mpa·m 1/2; 讨论诸结果.. c K c c πσ=I 2分MPa c c K 4.20310262.1=-I ⨯⨯=ππσ= 2分 MPa c c K 5.646610262.1=-I ⨯⨯=ππσ= 2分3 c =577.19Gpa2分2c 为4mm 的陶瓷零件容易断裂;说明裂纹尺寸越大;材料的断裂强度越低..2分2、光通过厚度为X 厘米的透明陶瓷片;入射光的强度为I 0;该陶瓷片的反射系数和散射系数分别为m 、 cm -1和scm -1..请在如下图示中用以上参数表达各种光能的损失..当X=1;m=0.04;透光率I/I 0=50%;计算吸收系数和散射系数之和..图中标识每个1分;计算5分。
无机材料物理性能考题-08

无机材料物理性能考试题一、简答题(30分)1.比较陶瓷材料在受张应力作用时,名义应变与实际应变的大小。
2.阐述粘弹性的概念;或说出陶瓷材料σmax=(a/ρ)1/2的含义。
3.说明材料的塑性形变与应变硬化现象。
4.说明延性--脆性转变温度(DBTT)在材料设计与选型中的作用。
5.说明材料厚度对断裂韧性的影响。
6.什么是材料的疲劳破坏。
7.写出下列方程式中各符号的含义σ=Nqμ,J=σE.8.简要说明四种极化形式及对材料光学与介电性能之影响9.说明压电效应其应用。
10.简要说明光导纤维的全反射原理。
二、计算与证明题(40分)1.证明ε=ε0+P/ξ2.已知BaTiO3电介质的极板间距d=0.02cm,在3kV时,电量为10C,请设计该电容,BaTiO3的介电强度为120V/m。
3.若Ge与ZnO的禁带宽度分别为(Eg)0.67eV和3.2eV,计算使之产生光导的波长.4.一柱状材料受到100MPa的拉应力,变形前后的尺寸分别为Φ10×40mm 和Φ9.9986×40.019mm,若变形后材料的保持弹性,计算该材料的弹性模量,剪切模量及泊松比。
5、己知ρ(T)=ρ0[1+αe△T],μe=1.22×10-3m2/VS(T=250C),αe =0.00429(0C)-1;求1500C时该导体中的电子迁移率。
6、已知ɛ=α△T,一根铝杆和一根尼龙杆在20℃时同长,其弹性模量分别是70GPa,线膨胀系数分别是25×10-6和80×10-6℃-1.着两杆均受到5MPa的热应力,计算二杆同长时的温度。
三、论述题(30分)1、比较金属,陶瓷与有机高分子材料的应力--应变特性。
σdɛ,可视作单位体积的能量,或韧性;说明它与KIc=σ(π2、若U=ʃεa)1/2的关系.3、比较Inglis 孔板理论与Griffith微裂纹理论。
4、举例说明一种断裂韧性测试的方法5、说明电子电导与离子电导的温度系数。
无机材料物理性能试题及答案

无机材料物理性能试题及答案It was last revised on January 2, 2021无机材料物理性能试题及答案无机材料物理性能试题及答案一、填空题(每题2分,共36分)1、电子电导时,载流子的主要散射机构有中性杂质的散射、位错散射、电离杂质的散射、晶格振动的散射。
2、无机材料的热容与材料结构的关系不大,CaO和SiO2的混合物与CaSiO3的热容-温度曲线基本一致。
3、离子晶体中的电导主要为离子电导。
可以分为两类:固有离子电导(本征电导)和杂质电导。
在高温下本征电导特别显着,在低温下杂质电导最为显着。
4、固体材料质点间结合力越强,热膨胀系数越小。
5、电流吸收现象主要发生在离子电导为主的陶瓷材料中。
电子电导为主的陶瓷材料,因电子迁移率很高,所以不存在空间电荷和吸收电流现象。
6、导电材料中载流子是离子、电子和空位。
7. 电子电导具有霍尔效应,离子电导具有电解效应,从而可以通过这两种效应检查材料中载流子的类型。
8. 非晶体的导热率(不考虑光子导热的贡献)在所有温度下都比晶体的小。
在高温下,二者的导热率比较接近。
9. 固体材料的热膨胀的本质为:点阵结构中的质点间平均距离随着温度升高而增大。
10. 电导率的一般表达式为∑=∑=iiiiiqnμσσ。
其各参数n i、q i和i的含义分别是载流子的浓度、载流子的电荷量、载流子的迁移率。
11. 晶体结构愈复杂,晶格振动的非线性程度愈大。
格波受到的散射大,因此声子的平均自由程小,热导率低。
12、波矢和频率之间的关系为色散关系。
13、对于热射线高度透明的材料,它们的光子传导效应较大,但是在有微小气孔存在时,由于气孔与固体间折射率有很大的差异,使这些微气孔形成了散射中心,导致透明度强烈降低。
14、大多数烧结陶瓷材料的光子传导率要比单晶和玻璃小1~3数量级,其原因是前者有微量的气孔存在,从而显着地降低射线的传播,导致光子自由程显着减小。
15、当光照射到光滑材料表面时,发生镜面反射 ;当光照射到粗糙的材料表面时,发生 漫反射 。
南京工业大学无机材料物理性能习题与答案2013年考试必备

<无机材料物理性能>习题与答案一、填空题(每题2分,共36分)1、电子电导具有霍尔效应,离子电导具有电解效应,从而可以通过这两种效应检查材料中载流子的类型。
2、电导率的一般表达式为∑=∑=iiiiiqnμσσ。
其各参数n i、q i和μi的含义分别是载流子的浓度、载流子的电荷量、载流子的迁移率。
3、离子晶体中的电导主要为离子电导。
可以分为两类:固有离子电导(本征电导)和杂质电导。
在高温下本征电导特别显著,在低温下杂质电导最为显著。
4、电子电导时,载流子的主要散射机构有中性杂质的散射、位错散射、电离杂质的散射、晶格振动的散射。
5、电流吸收现象主要发生在离子电导为主的陶瓷材料中。
电子电导为主的陶瓷材料,因电子迁移率很高,所以不存在空间电荷和吸收电流现象。
6、导电材料中载流子是离子、电子和空位。
7. 固体材料质点间结合力越强,热膨胀系数越小。
8. 非晶体的导热率(不考虑光子导热的贡献)在所有温度下都比晶体的小。
在高温下,二者的导热率比较接近。
9. 固体材料的热膨胀的本质为:点阵结构中的质点间平均距离随着温度升高而增大。
10. 无机材料的热容与材料结构的关系不大,CaO和SiO2的混合物与CaSiO3 的热容-温度曲线基本一致。
11. 晶体结构愈复杂,晶格振动的非线性程度愈大。
格波受到的散射大,因此声子的平均自由程小,热导率低。
12、波矢和频率之间的关系为色散关系。
13、对于热射线高度透明的材料,它们的光子传导效应较大,但是在有微小气孔存在时,由于气孔与固体间折射率有很大的差异,使这些微气孔形成了散射中心,导致透明度强烈降低。
14、大多数烧结陶瓷材料的光子传导率要比单晶和玻璃小1~3数量级,其原因是前者有微量的气孔存在,从而显著地降低射线的传播,导致光子自由程显著减小。
15、当光照射到光滑材料表面时,发生镜面反射;当光照射到粗糙的材料表面时,发生漫反射。
16、作为乳浊剂必须满足:具有与基体显著不同的折射率,能够形成小颗粒。
无机材料物理性能习题解答

目录1 材料的力学性能 (1)2 材料的热学性能 (11)3 材料的光学性能 (16)4 材料的电导性能 (19)5 材料的磁学性能 (28)6 材料的功能转换性能 (36)1材料的力学性能1-1一圆杆的直径为2.5 mm 、长度为25cm 并受到4500N 的轴向拉力,若直径拉细至 2.4mm ,且拉伸变形后圆杆的体积不变,求在此拉力下的真应力、真应变、名义应力和名义应变,并比较讨论这些计算结果。
解:根据题意可得下表由计算结果可知:真应力大于名义应力,真应变小于名义应变。
1-2一试样长40cm,宽10cm,厚1cm ,受到应力为1000N 拉力,其杨氏模量为3.5×109 N/m 2,能伸长多少厘米?解:拉伸前后圆杆相关参数表)(0114.0105.310101401000940000cm E A l F l El l =⨯⨯⨯⨯⨯=⋅⋅=⋅=⋅=∆-σε0816.04.25.2ln ln ln 22001====A A l l T ε真应变)(91710909.4450060MPa A F =⨯==-σ名义应力0851.0100=-=∆=A A l lε名义应变)(99510524.445006MPa A F T =⨯==-σ真应力1-3一材料在室温时的杨氏模量为3.5×108 N/m 2,泊松比为0.35,计算其剪切模量和体积模量。
解:根据可知:1-4试证明应力-应变曲线下的面积正比于拉伸试样所做的功。
证:1-5一陶瓷含体积百分比为95%的Al 2O 3 (E = 380 GPa)和5%的玻璃相(E = 84 GPa),试计算其上限和下限弹性模量。
若该陶瓷含有5 %的气孔,再估算其上限和下限弹性模量。
解:令E 1=380GPa,E 2=84GPa,V 1=0.95,V 2=0.05。
则有当该陶瓷含有5%的气孔时,将P=0.05代入经验计算公式E=E 0(1-1.9P+0.9P 2)可得,其上、下限弹性模量分别变为331.3 GPa 和293.1 GPa 。
无机材料物理性能学习题和答案

无机材料物理性能学习题和答案力学的习题1、阐述以下概念:弹性弹性模量切变模量体积模量滞弹性未弛豫模量弛豫模量断裂强度应力强度因子断裂韧性断裂功塑性蠕变相变增韧弥散增韧2、试用图示比较典型的无机材料、金属材料和高分子材料在常温常条件下的变形行为有何异同?3、材料的3种弹性模量E 、G 和K 之间有何数值关系。
4、结合原子结合力示意图分析说明弹性模量随原子间距变化的规律。
5、弹性模量与熔点和原子体积之间存在何种关系?为什么?.6、如何解释弹性模量随温度的变化关系?7、一含有球形封闭气孔的陶瓷材料,气孔率为多少时,其弹性模量会降至其完全致密状态时的一半?8、采用Si 3N 4和h-BN 粉体为原料,热压烧结制备出层厚均匀致密的三明治结构的复合陶瓷材料。
其中,h-BN 层的体积含量为30%,试分别计算该复合陶瓷材料沿平行方向和垂直于层面方向的弹性模量(Si 3N 4和h-BN 陶瓷的弹性模量分别为300GPa 和80GPa )9、分析滞弹性产生的机制及其影响因素。
10、解释陶瓷材料的实际强度为何只有其理论强度的1/100~1/10?13、分析材料的组织结构因素如何影响陶瓷材料的断裂强度。
14、根据联合强度理论,举列说明在设计和使用陶瓷材料时,应该怎样使用才能杨长避短?15、从显微组织结构角度分析改善陶瓷材料断裂韧性的可行措施。
16、说明ZrO2相变增韧陶瓷的原理,并指出该种韧化措施的利弊。
17、给出常见的材料的裂纹起源种类,并说明在无机材料构件的使用过程中需要注意的问题。
18、动用塑性变形的位错运动理论来解释无机材料的脆性特征。
19、分析影响无机材料塑性变形能力的影响因素。
21、给出陶瓷材料典型的蠕变曲线,并阐述其特征。
22、说出无机材料的蠕变机制,并分析陶瓷材料蠕变的影响因素。
23、分析亚临界裂纹扩展的几种机制。
24、对Si 3N 4陶瓷,其弹性模量E 为300GPa ,断裂表面能γs 为1J/m2,若其中存在有长度为2μm的微裂纹,计算其临界断裂应力。
无机材料物理性能,2014年考试必备

<无机材料物理性能>习题与答案一、填空题(每题1分,共20分)1、电子电导具有霍尔效应,离子电导具有电解效应,从而可以通过这两种效应检查材料中载流子的类型。
2、电导率的一般表达式为∑=∑=iiiiiqnμσσ。
其各参数n i、q i和μi的含义分别是载流子的浓度、载流子的电荷量、载流子的迁移率。
3、离子晶体中的电导主要为离子电导。
可以分为两类:固有离子电导(本征电导)和杂质电导。
在高温下本征电导特别显著,在低温下杂质电导最为显著。
4、电子电导时,载流子的主要散射机构有中性杂质的散射、位错散射、电离杂质的散射、晶格振动的散射。
5、电流吸收现象主要发生在离子电导为主的陶瓷材料中。
电子电导为主的陶瓷材料,因电子迁移率很高,所以不存在空间电荷和吸收电流现象。
6、导电材料中载流子是离子、电子和空位。
7. 固体材料质点间结合力越强,热膨胀系数越小。
8. 非晶体的导热率(不考虑光子导热的贡献)在所有温度下都比晶体的小。
在高温下,二者的导热率比较接近。
9. 固体材料的热膨胀的本质为:点阵结构中的质点间平均距离随着温度升高而增大。
10. 无机材料的热容与材料结构的关系不大,CaO和SiO2的混合物与CaSiO3 的热容-温度曲线基本一致。
11. 晶体结构愈复杂,晶格振动的非线性程度愈大。
格波受到的散射大,因此声子的平均自由程小,热导率低。
12、波矢和频率之间的关系为色散关系。
13、对于热射线高度透明的材料,它们的光子传导效应较大,但是在有微小气孔存在时,由于气孔与固体间折射率有很大的差异,使这些微气孔形成了散射中心,导致透明度强烈降低。
14、大多数烧结陶瓷材料的光子传导率要比单晶和玻璃小1~3数量级,其原因是前者有微量的气孔存在,从而显著地降低射线的传播,导致光子自由程显著减小。
15、当光照射到光滑材料表面时,发生镜面反射;当光照射到粗糙的材料表面时,发生漫反射。
16、作为乳浊剂必须满足:具有与基体显著不同的折射率、能够形成小颗粒。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
无机材料物理性能考试试题及答案一、填空(18)1. 声子的准粒子性表现在声子的动量不确定、系统中声子的数目不守恒。
2. 在外加电场E的作用下,一个具有电偶极矩为p的点电偶极子的位能U=-p·E,该式表明当电偶极矩的取向与外电场同向时,能量为最低而反向时能量为最高。
3. TC为正的温度补偿材料具有敞旷结构,并且内部结构单位能发生较大的转动。
4. 钙钛矿型结构由 5 个简立方格子套购而成,它们分别是1个Ti 、1个Ca 和3个氧简立方格子5. 弹性系数ks的大小实质上反映了原子间势能曲线极小值尖峭度的大小。
6. 按照格里菲斯微裂纹理论,材料的断裂强度不是取决于裂纹的数量,而是决定于裂纹的大小,即是由最危险的裂纹尺寸或临界裂纹尺寸决定材料的断裂强度。
7. 制备微晶、高密度与高纯度材料的依据是材料脆性断裂的影响因素有晶粒尺寸、气孔率、杂质等。
8. 粒子强化材料的机理在于粒子可以防止基体内的位错运动,或通过粒子的塑性形变而吸收一部分能量,达从而到强化的目的。
9. 复合体中热膨胀滞后现象产生的原因是由于不同相间或晶粒的不同方向上膨胀系数差别很大,产生很大的内应力,使坯体产生微裂纹。
10.裂纹有三种扩展方式:张开型、滑开型、撕开型11. 格波:晶格中的所有原子以相同频率振动而形成的波,或某一个原子在平衡位置附近的振动是以波的形式在晶体中传播形成的波二、名词解释(12)自发极化:极化并非由外电场所引起,而是由极性晶体内部结构特点所引起,使晶体中的每个晶胞内存在固有电偶极矩,这种极化机制为自发极化。
断裂能:是一种织构敏感参数,起着断裂过程的阻力作用,不仅取决于组分、结构,在很大程度上受到微观缺陷、显微结构的影响。
包括热力学表面能、塑性形变能、微裂纹形成能、相变弹性能等。
电子的共有化运动:原子组成晶体后,由于电子壳层的交叠,电子不再完全局限在某一个原子上,可以由一个原子的某一电子壳层转移到相邻原子的相似壳层上去,因而电子可以在整个晶体中运动。
这种运动称为电子的共有化运动。
平衡载流子和非平衡载流子:在一定温度下,半导体中由于热激发产生的载流子成为平衡载流子。
由于施加外界条件(外加电压、光照),人为地增加载流子数目,比热平衡载流子数目多的载流子称为非平衡载流子。
三、简答题(13)1. 玻璃是无序网络结构,不可能有滑移系统,呈脆性,但在高温时又能变形,为什么?答:正是因为非长程有序,许多原子并不在势能曲线低谷;在高温下,有一些原子键比较弱,只需较小的应力就能使这些原子间的键断裂;原子跃迁附近的空隙位置,引起原子位移和重排。
不需初始的屈服应力就能变形-----粘性流动。
因此玻璃在高温时能变形。
2. 有关介质损耗描述的方法有哪些?其本质是否一致?答:损耗角正切、损耗因子、损耗角正切倒数、损耗功率、等效电导率、复介电常数的复项。
多种方法对材料来说都涉及同一现象。
即实际电介质的电流位相滞后理想电介质的电流位相。
因此它们的本质是一致的。
3. 简述提高陶瓷材料抗热冲击断裂性能的措施。
答:(1) 提高材料的强度 f,减小弹性模量E。
(2) 提高材料的热导率c。
(3) 减小材料的热膨胀系数a。
(4) 减小表面热传递系数h。
(5) 减小产品的有效厚度rm。
4. 产生晶面滑移的条件是什么?并简述其原因。
答:产生滑移的条件:面间距大;(面间作用力弱)·每个面上是同一种电荷的原子,相对滑动面上的电荷相反;(滑移时,没有静电斥力的作用)·滑移矢量(柏格斯矢量)小。
(消耗能量小,容易滑动)5. 为什么常温下大多数陶瓷材料不能产生塑性变形、而呈现脆性断裂?答:陶瓷多晶体的塑性形变不仅取决于构成材料的晶体本身,而且在很大程度上受晶界物质的控制。
因此多晶塑性形变包括以下内容:晶体中的位错运动引起塑变;晶粒与晶粒间晶界的相对滑动;空位的扩散;粘性流动。
在常温下,由于非金属晶体及晶界的结构特点,使塑性形变难以实现。
又由于在材料中往往存在微裂纹,当外应力尚未使塑变以足够的速度运动时,此应力可能已超过微裂纹扩展所需的临界应力,最终导致材料的脆断。
四、分析题(30)1. 多晶多相无机材料中裂纹产生和快速扩展的原因是什么?有哪些防止裂纹扩展的措施? 答:裂纹产生的原因(1)由于晶体微观结构中存在缺陷,当受到外力作用时,在这些缺陷处就引起应力集中,导致裂纹成核,例如位错在材料中运动会受到各种阻碍:(2)材料表面的机械损伤与化学腐蚀形成表面型纹,—这种表面裂纹最危险,裂纹的扩展常常由表面裂纹开始。
(3)由于热应力而形成裂纹。
大多数陶瓷是多晶多相体,晶粒在材料内部取向不同,不同相的热膨膨系数也不同,这样就会因各方向膨胀(或收缩)不同而在晶界或相界出现应力集中,导致裂纹生成。
(4)由于晶体的各向异性引起,如弹性模量的各向异性导致晶粒间存在一应力,如果该应力超过材料的强度则出现微裂纹。
快速扩展的原因按照格里菲斯微裂纹理论,材料的断裂强度不是取决于裂纹的数量,而是决定于裂纹的大小,即是由最危险的裂纹尺寸(临界裂纹尺寸)决定材料的断裂强度,一旦裂纹超过临界尺寸,裂纹就迅速扩展而断裂。
因为裂纹扩展的动力 E C G 2σπ=,当C 增加时,G 也变大,而 γ4=dC dW s 是常数,因此,断裂一旦达到临界尺寸而起始扩展,G 就愈来愈大于4γ,直到破坏。
所以对于脆性材料,裂纹的起始扩展就是破坏过程的临界阶段,因为脆性材料基本上没有吸收大量能量的塑性形变。
防止裂纹扩展的措施微晶、高密度与高纯度、预加应力、化学强化、相变增韧、韧性相(如金属粒子)弥散于材料中增韧、纤维增强复合材料等2. 比较同一组成的单晶、多晶、非晶态无机材料的热导率随温度的变化。
答:无机材料的热导主要为低温下的声子传导和高温下的光子传导.(1)影响热传导性质的声子散射主要机构有:声子间的碰撞过程;点缺陷的散射;晶界散射;位错的散射。
(2)对于晶体,在低温下,仅考虑声子间的碰撞,碰撞的几率正比于exp(-θD/2T),而声子平均自由程正比exp(θD/2T),即温度越高,平均自由程越小,同时热容又与温度的三次方呈正比,因此晶体的热导率于温度在低温时有一峰值,随着温度的升高,平均自由程小到原子的大小数量级,不能再小,而热容在高温为一常数,因此在高温晶体的热导率不随温度发生变化。
但随着温度继续升高,光子传热不可忽略,而光子的热导率与温度的三次方呈正比,因此热导率随温度提高而增大。
对于同组成的多晶体由于晶粒尺寸小、晶界多、缺陷多、晶界处杂质多,对声子散射大,因此多晶体与单晶体同一种物质多晶体的热导率总比单晶小。
对于非晶态相,可以把其看作直径为几个晶格间距的极细晶粒组成的多晶体。
因此其平均自由程很小,而且几乎不随温度发生变化,因此热导率仅随热容发生变化。
(3)单晶和非晶态的热导率随温度变化的关系如图所示(图略)非晶体的声子导热系数在所有温度下都比晶体小;两者在高温下比较接近;两者曲线的重大区别在于晶体有一峰值。
由于非晶体材料特有的无序结构,声子平均自由程都被限制在几个晶胞间距的量级,因而组分对其影响小。
3. 分析各种电极化微观机制对介电常数的影响。
答:组成物质的带正、负电的粒子,如电子、离子等都会在外电场的作用下,发生位移,形成偶极矩,或通过转向表现出宏观极化强度,这些过程的完成可以分为两种:第一种,弹性的、瞬间完成的、不消耗能量的位移式极化;第二种,与热运动有关,其完成需要一定的时间,且是非弹性的,需要消耗一定能量的的松弛极化。
因此电极化微观机制有电子位移极化、离子位移极化、电子、离子松弛极化、空间电荷极化、转向极化等。
通过材料的极化率χ、极化强度P 和介电常数εr 间的关系:P=ε0(εr-1)E ,P=ε0χE 分析可知,容易极化的材料其介电常数也大,因此材料的极化都会提高其介电常数。
但是由于各种极化现象所需的时间不同,是否能发生极化与该极化机制和外加电场的频率有关,电子位移激化时间短,其极化范围在直流与光频间,即高于光频的电场不能使电子发生位移极化,小于光频的电场可以使电子发生位移极化,因此其对介电常数的影响主要在直流与光频间。
同样,离子位移极化、松弛极化、空间电荷极化分别在直流和红外间、直流和超高频间、直流和高频间对介电常数影响。
其影响位移极化小于松弛极化。
分析固体材料热膨胀本质答:源于材料内部的质点之间相互作用关于质点平衡位置不对称性。
五、计算题(27)1. 根据标准线性固体模型,推导应力σ和应变ε 的关系式:2212121)(E E E E E E E σσηεεη+=++••。
其中: •σ= dt d σ, •ε= dt d ε答案:由串并联条件得:(1)•ε= •1ε+ •ε= •2ε(2) σ3=η•3ε(3) 21•••+=σσσ(4) σ=σ1+σ2(5) σ1=E1ε1(6) σ1=σ3(7) σ2=E2ε2(8)2•σ=E2ו2ε=E2וε (9)1•σ=E1 1•ε解方程 ηεσσησσε211311E E dt d E dt d dt d -+=+=dt d dt d dt d 21σσσ+=dt d dt d dt d 12σσσ=-ηεσεσηεσσσηεσσησσε212212211311E E dt d E dt d E E dt d dt d E E dt d E dt d dt d -+-=-+-=-+=+=12121E dt d E E dt d E dt d E σσηεεηεη+=++σσηεεη+=++•12121)(E E E E E 得 2212121)(E E E E E E E σσηεεη+=++••2.有一构件,实际使用应力为1.30GPa,有下列两种钢供选: 甲钢: σf =1.95GPa, K1c =45Mpa ·m 1\2 乙钢: σf =1.56GPa, K1c =75Mpa ·m 1\2 试根据经典强度理论与断裂强度理论进行选择,并对结果进行说明。
(设:最大裂纹尺寸为1mm ,几何形状因子Y=1.5)答:经典强度理论断裂准则:σ≤σf/n 运用经典强度理论的传统设计:得: 甲钢的安全系数: 1.5,乙钢的安全系数 1.2<1.5。
因此选择甲钢比乙钢安全。
断裂强度理论的断裂准则:KI=σ(πc)1/2≤KIC 得: 甲钢的断裂应力为:1.0GPa<1.30GPa ;乙钢的断裂应力为:1.57GPa>1.30GPa 因此甲钢不安全会导致低应力断裂,而乙钢是安全可靠的。
通过上述分析,两种设计方法得到截然相反的结果。
由于断裂力学考虑了材料中裂纹尖端引起的应力集中,因此按照断裂力学观点设计材料即安全可靠,又能充分发挥材料的强度,合理使用材料。