场效应管工作原理
场效应管工作原理及应用
场效应管工作原理（1）场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。
一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。
它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
一、场效应管的分类场效应管分结型、绝缘栅型两大类。
结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。
目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS 功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。
按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。
若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。
结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。
而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
见下图。
二、场效应三极管的型号命名方法现行有两种命名方法。
第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。
第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。
例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。
第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。
例如CS14A、CS45G等。
场效应管 开关 原理
场效应管开关原理
场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种半导体
器件，具有电子控制的特性，常被用作开关。
其工作原理是通过控制栅极电压来改变漏极和源极之间的电流流动。
相比于另一种常见的功率管——双极型晶体管（BJT），场效应管具有
更高的输入阻抗和更低的功耗。
场效应管通常有三种类型：MOSFET（金属-氧化物-半导体场
效应管）、JFET（结型场效应管）和IGBT（绝缘栅双极型晶
体管）。
其中，MOSFET是最常见和最广泛使用的一种。
MOSFET由一块绝缘层（氧化层）分隔成的金属栅极和半导
体材料中的N型或P型区域组成。
当栅极上施加正向电压时，形成电场，改变了N型或P型区域中的电荷分布，形成了一
个导电通道，使得漏极和源极之间的电流流动。
栅极电压越高，导电通道越强，电流越大。
基于这种工作原理，MOSFET可以被用作电子开关。
当栅极
电压为0V时，不会有导电通道形成，MOSFET处于关断状态，没有电流流过。
而当栅极电压高于某个阈值电压时，导电通道形成，MOSFET处于导通状态，电流可以流过。
因此，通过
控制栅极电压的高低，可以实现对MOSFET的开关控制。
在实际应用中，MOSFET常常用于各种电子设备和电路中，
例如功率放大器、逆变器、电源开关等。
由于其优秀的性能和可靠性，MOSFET成为了现代电子技术中不可或缺的部分。
mos场效应管工作原理
mos场效应管工作原理
场效应管(又称为MOSFET, Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一种三极管，它是由金属-氧化物-半导体结
构组成的。
MOS场效应管的工作原理基于其门电压对导电状态的控制。
它主要由四个部分组成：栅极(gate)、漏极(drain)、源极(source)和绝缘层(insulating layer)。
栅极和源极之间绝缘层两侧有一个
半导体通道。
当没有电压应用在栅极时，绝缘层将阻止电流在通道中的流动，MOSFET处于关断状态，导电性排斥。
但是，当正电压应用
在栅极上时，它会形成一个电场，这个电场会吸引并导致半导体通道中的载流子(电子或空穴)向栅极周围移动。
这将导致通
道处于导通状态，由源极到漏极流动的电流增加。
根据栅极与源极之间的电压，MOSFET可以操作在三个不同
的工作区域：截止区、线性区和饱和区。
- 截止区：当栅极电压低于门阈电压时，MOSFET处于截止状态，没有电流流过整个器件。
- 线性区：当栅极电压高于门阈电压时，MOSFET处于线性区，电流的大小与栅极电压的差值成正比。
- 饱和区：当栅极电压进一步增加，使得MOSFET工作在饱和区，此时电流基本保持不变。
通过调整栅极电压，可以控制MOSFET的导通和截止，从而
实现对电流的控制和放大功能。
因此，MOSFET被广泛应用于电子设备，如放大器、开关和逻辑电路等。
场效应管的基础知识
场效应管的基础知识：
场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种利用电场效应来控制半导体器件中的电流流动的半导体器件。
以下是场效应管的基础知识：
1.工作原理：场效应管利用电场效应原理，通过控制栅极电压来控制源极和漏极之间
的电流。
当栅极电压为零时，源极和漏极之间没有电流。
当栅极电压不为零时，电场效应使得半导体内的电子聚集在沟道的一侧，形成导电沟道，从而使得源极和漏极之间有电流流动。
2.结构：场效应管的结构包括源极（Source）、漏极（Drain）、栅极（Gate）三个电
极。
源极和漏极之间是半导体材料，称为沟道。
栅极位于源极和漏极之间，通过控制栅极电压来控制沟道的通断。
3.类型：场效应管有N沟道和P沟道两种类型。
N沟道场效应管的源极和漏极之间是
N型半导体，P沟道场效应管的源极和漏极之间是P型半导体。
4.特性曲线：场效应管的特性曲线包括转移特性曲线和输出特性曲线。
转移特性曲线
表示栅极电压对漏极电流的影响，输出特性曲线表示漏极电流与漏极电压之间的关系。
5.应用：场效应管广泛应用于电子设备中，如放大器、振荡器、开关等。
由于场效应
管具有体积小、重量轻、寿命长等优点，因此在便携式设备、移动通信等领域得到广泛应用。
什么是场效应管
什么是场效应管场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种用于电子设备中的半导体器件。
场效应管利用静电场控制电流流动，其工作原理与晶体管相似。
本文将介绍场效应管的定义、工作原理、类型以及应用领域。
定义：场效应管是一种三极管，由栅极（Gate）、源极（Source）和漏极（Drain）组成。
其中，栅极是控制电流的电极，源极是电流进入管子的电极，漏极是电流从管子流出的电极。
工作原理：场效应管的工作原理基于氧化物半导体场效应。
在FET内部，栅极和基底之间存在一层绝缘氧化物。
当栅极上施加电压时，电压在绝缘氧化物上产生电场，控制了栅极和基底之间的电流。
根据电压的极性和大小，场效应管可以分为两种类型：1. N沟道型场效应管（N-channel FET）：N沟道型FET的基底为P型半导体，漏极和源极之间存在一个N型的沟道。
当栅极电压为正值时，电场将吸引阳极中电子，导致电子从源极流向漏极，形成电流。
2. P沟道型场效应管（P-channel FET）：P沟道型FET的基底为N型半导体，漏极和源极之间存在一个P型的沟道。
当栅极电压为负值时，电场将吸引阴极中的空穴，导致空穴从源极流向漏极，形成电流。
应用领域：场效应管在电子设备中有广泛的应用，包括：1. 放大器：场效应管可以作为放大器，放大小信号电压或电流，用于音频放大、射频放大等应用。
2. 开关：场效应管可以作为开关，控制电流的通断。
例如，在数字逻辑电路中，场效应管可用于构建数字逻辑门电路。
3. 电源稳定器：场效应管可用于构建电源稳定器，保持电源输出的稳定性，用于电子设备的供电。
4. 数模转换器：场效应管可以将模拟信号转换为数字信号，用于模数转换器中的采样和保持电路。
总结：场效应管是一种重要的半导体器件，通过控制电场实现电流控制。
它具有放大器、开关、电源稳定器等多种应用，广泛用于电子设备和电路中。
了解场效应管的工作原理和应用，有助于理解电子技术中的基本原理和电路设计。
mosfet 与 jfet 的工作原理及应用场合
MOSFET 与 JFET 的工作原理及应用场合一、引言在现代电子领域中，场效应晶体管（F ET）是一种重要的半导体器件，具有优越的性能和广泛的应用。
其中，金属氧化物半导体场效应管（M OS FE T）和结型场效应管（J FE T）是两种常见的FE T。
本文将介绍M O SF ET和J FE T的工作原理及其在不同应用场合的应用。
二、M O S F E T（金属氧化物半导体场效应管）M O SF ET是由一层金属氧化物绝缘层隔离门极和半导体基片的晶体管。
其工作原理如下：1.栅极电压变化：当栅极电压变化时，M O SF ET内部的电场分布发生变化，进而改变了通道中的载流子浓度。
2.载流子控制：当正向偏置栅极，使得栅极与源极之间形成正向偏压时，可以控制通道中的正负载流子的浓度。
M O SF ET在数字电路、模拟电路和功率放大器等方面有着广泛的应用：-逻辑门电路：M OS FE T可用于构建与门、或门、非门等逻辑门电路。
-放大器电路：M OS FE T可以实现低噪声、高增益的放大器电路，常用于音频放大器等领域。
-电源开关：由于MOS F ET具有低导通电阻和高关断电阻的特点，适用于电源开关电路，如开关稳压器。
三、J F E T（结型场效应管）J F ET是由P型或N型半导体材料形成的通道，两侧有控制端和漏源端的晶体管。
其工作原理如下：1.控制电压：当控制端电压变化时，通过改变通道中的空间电荷区宽度，从而改变了导电性能。
2.漏源电压：调整漏源间的电压，使其达到最大或最小值，以控制导电。
J F ET在放大器、开关和稳流源等方面具有广泛的应用：-放大器电路：J FE T具有高输入阻抗和低输出阻抗的特点，适用于低频放大器、微弱信号放大器等。
-开关电路：JF ET由于其控制电压变化范围大，可用于开关电路中的信号开关。
-稳流源：通过合理选择JF ET工作状态和参数，可以将其应用于稳流源电路，如电流源。
四、M O S F E T与J F E T的优缺点对比-M OS FE T的优点：1.噪声低：MO SF ET具有较低的输入噪声。
场效应管工作原理(经典)
场效应管工作原理MOS场效应管电源开关电路。
这是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下MOS 场效应管的工作原理。
MOS 场效应管也被称为MOS FET，既Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor（金属氧化物半导体场效应管）的缩写。
它一般有耗尽型和增强型两种。
本文使用的为增强型MOS场效应管，其内部结构见图5。
它可分为NPN型PNP型。
NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。
由图可看出，对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。
我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。
但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。
为解释MOS场效应管的工作原理，我们先了解一下仅含有一个P—N结的二极管的工作过程。
如图6所示，我们知道在二极管加上正向电压（P端接正极，N端接负极）时，二极管导通，其PN结有电流通过。
这是因为在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端，而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动，从而形成导通电流。
同理，当二极管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时，这时在P型半导体端为负电压，正电子被聚集在P型半导体端，负电子则聚集在N型半导体端，电子不移动，其PN结没有电流通过，二极管截止。
N沟道MOS FET的源极S接负，漏极接正，栅极接正，与NPN三极管接法相同！（发射极E、集电极C、基极B）MOSFET管内部两根线连载一起的是源极S图7 N沟道MOSFET场效应管在栅极没有电压时，由前面分析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应管处与截止状态（图7a）。
当有一个正电压加在N沟道的MOS 场效应管栅极上时，由于电场的作用，此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中（见图7b），从而形成电流，使源极和漏极之间导通。
场效应管的工作原理和使用方法
场效应管的工作原理和使用方法
场效应管是一种由三个组成的电子器件，通常用于放大低电平信号。
它的原理是当受到一个电场时，它会产生一个电流，这个电流可以放大原始信号。
它由三个部分组成，即源极，漏极和控制极。
源极是电场的源，漏极是电场的接受者，而控制极则用来控制电场的强度。
使用场效应管的方法主要有两种：一种是直接放大信号，另一种是作为放大运算放大器。
直接放大信号的方法是将信号输入到源极，然后在控制极上设置一个电场，最后从漏极输出放大的信号。
在作为放大运算放大器的方式中，信号可以被放大，但是它们必须在控制极上施加电场，然后从漏极输出放大的信号。
使用场效应管时，需要注意一些事项。
首先，控制极上的电场必须设置得当，以便能够有效地放大信号。
其次，必须确保源极和漏极上的电压保持稳定，以免影响放大效果。
最后，在使用场效应管时，必须注意它的温度。
如果温度过高，则可能会影响场效应管的性能。
总的来说，场效应管是一种十分有效的放大工具，它可以有效地放大低电平信号，而且在操作上也比较容易。
但是，在使用场效应管时，必须注意控制极上的电场强度，以及源极和漏极上的电压稳定性，以及场效应管的温度。
只有这样，才能有效地放大信号。
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场效应管工作原理这是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下MOS 场效应管的工作原理。
MOS 场效应管也被称为MOS FET，既Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor （金属氧化物半导体场效应管）的缩写。
它一般有耗尽型和增强型两种。
本文使用的为增强型MOS场效应管，其内部结构见图5。
它可分为NPN型PNP型。
NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P 沟道型。
由图可看出，对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N 型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P 型半导体上。
我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。
但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。
为解释MOS场效应管的工作原理，我们先了解一下仅含有一个P 饱和漏源电流。
是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压U GS=0时的漏源电流。
2、UP 开启电压。
是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。
4、gM 对漏极电流I D的控制能力，即漏极电流I D变化量与栅源电压UGS变化量的比值。
gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。
5、BUDS 最大耗散功率。
也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。
使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。
7、IDSM UGS=0时的漏极电流。
UP —夹断电压，使ID=0对应的UGS的值。
P沟道场效应管的工作原理与N沟道类似。
我们不再讨论。
下面我们看一下各类绝缘栅场效应管(MOS场效应管)在电路中的符号。
§3 场效应管的主要参数场效应管主要参数包括直流参数、交流参数、极限参数三部分。
一、直流参数1、饱合漏极电流IDSSIDSS是耗尽型和结型场效应管的一个重要参数。
定义：当栅、源极之间的电压UGS=0，而漏、源极之间的电压UDS大于夹断电压UP时对应的漏极电流。
2、夹断电压UPUP也是耗尽型和结型场效应管的重要参数。
定义：当UDS一定时，使ID减小到某一个微小电流(如1μA，50μA)时所需UGS的值。
3、开启电压UTUT是增强型场效应管的重要参数。
定义：当UDS一定时，漏极电流ID达到某一数值(如10μA)时所需加的UGS 值。
4、直流输入电阻RGSRGS是栅、源之间所加电压与产生的栅极电流之比，由于栅极几乎不索取电流，因此输入电阻很高，结型为106Ω以上，MOS管可达1010Ω以上。
二、交流参数1、低频跨导gm此参数是描述栅、源电压UGS对漏极电流的控制作用，它的定义是当UDS一定时，ID与UGS的变化量之比，即跨导gm的单位是mA/V。
它的值可由转移特性或输出特性求得。
在转移特性上工作点Q外切线的斜率即是gm。
或由输出特性看，在工作点处作一条垂直横坐标的直线(表示UDS=常数)，在Q点上下取一个较小的栅、源电压变化量ΔUGS，然后从纵坐标上找到相应的漏极电流的变化量ΔID/ΔUGS，则gm=ΔID/ΔUGS。
此外。
对结型场效应管，可由求得只要将工作点处的UGS值代入就可求得gm2、极间电容场效应管三个极间的电容。
包括CGS、CGD和CDS。
这些极间电容愈小，则管子的高频性能愈好。
一般为几个pF。
三、极限参数1、漏极最大允许耗散功率PDmPDm=IDUDS2、漏源间击穿电压BUDS在场效应管输出特性曲线上，当漏极电流ID急剧上升产生雪崩击穿时的UDS。
工作时，外加在漏极、源极之间的电压不得超过此值。
3、栅源间击穿电压BUGS结型场效应管正常工作时，栅、源之间的PN结处于反向偏置状态，若UGS过高，PN结将被击穿。
对于MOS管，栅源极击穿后不能恢复，因为栅极与沟道间的SiO2被击穿属破坏性击穿。
§4 场效应管的特点场效应管具有放大作用，可以组成各种放大电路，它与双极性三极管相比，具有以下几个特点：1、场效应管是一种电压控制器件通过UGS来控制ID。
而双极性三极管是电流控制器件，通过IB来控制IC。
2、场效应管输入端几乎没有电流场效应管工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，输入端几乎没有电流。
所以其直流输入电阻和交流输入电阻都非常高。
而双极性三极管，发射结始终处于正向偏置，总是存在输入电流，故b、e极间的输入电阻较小。
3、场效应管利用多子导电由于场效应管是利用多数载流子导电的，因此，与双极性三极管相比，具有噪声小、受幅射的影响小、热稳定性好而且存在零温度系数工作点等特性。
4、场效应管的源漏极有时可以互换使用由于场效应管的结构对称，有时漏极和源极可以互换使用，而各项指标基本上不受影响。
因此使用时比较方便、灵活对于有的绝缘栅场效应管，制造时源极已和衬底连在一起，则源极和漏极不能互换。
5、场效应管的制造工艺简单，便于大规模集成每个MOS场效应管在硅片上所占的面积只有双极性三极管的5%，因此集成度更高。
6、MOS管输入电阻高，栅源极容易被静电击穿MOS场效应管的输入电阻可高达1015Ω，因此，由外界静电感应所产生的电荷不易泄漏。
而栅极上的SiO2绝缘层双很薄，这将在栅极上产生很高的电场强度，以致引起绝缘层击穿而损坏管子。
7、场效应管的跨导较小组成放大电路时，在相同负载电阻下，电压放大倍数比双极性三极管低。
§5 场效应管放大电路根据前面讲的场效应管的结构和工作原理，和双极性三极管比较可知，场效应管具有放大作用，它的三个极和双极性三极管的三个极存在着对应关系即：G(栅极)→b(基极) S(源极)→e(发射极) D(漏极)→c(集电极)所以根据双极性三极管放大电路，可组成相应的场效应管放大电路。
但由于两种放大器件各自的特点，故不能将双极性三极管放大电路的三极管简单地用场效应管取代，组成场效应管放大电路。
双极性三极管是电流控制器件，组成放大电路时，应给双极性三极管设置偏置偏流，而场效应管是电压控制器件，故组成放大电路时，应给场效应管设置偏压，保证放大电路具有合适的工作点，避免输出波形产生严重的非线性失真。
一、静态工作点与偏置电路由于场效应管种类较多，故采用的偏置电路，其电压极性必须考虑。
下面以N沟道为例进行讨论。
N沟道的结型场效应管只能工作在UGS<0的区域，MOS管又分为耗尽型和增强型，增强型工作在UGS>0，而耗尽型工作在UGS<0。
1、1、自给偏压偏置电路右图给出的是一种称为自给偏压电路的偏置电路，它适用于结型场效应管或耗尽型场效应管。
它依靠漏极电流ID在Re上的电压降提供栅极偏压。
即UGS=–IDRS同样，在RS上要并联一个足够大的旁路电容。
由场效应管的工作原理我们知道ID是随UGS变化的，而现在UGS又取决于ID的大小，怎么确定静态工作点的ID和UGS的值呢？一般可采用两种方法：图解法和计算法。
⑴图解法首先，作直流负载线，由漏极回路写出方程UDS=UDD－ID(RD+RS)由此在输出特性曲线上做出直流负载线AB，将此直流负载线逐点转到uGS～iD坐标，得到对应直流负载线的转移特性曲线CD，再由UGS=–IDRS在转移特性坐标中作另一条直线，两线的交点即为Q点。
⑵计算法【例】电路如上页图，场效应管为3DJG，其输出特性曲线如下图所示，已知RD=2kΩ，RS=1、2kΩ，UDD=15V，试用图解法确定该放大器的静态工作点。
解：写出输出回路的电压电流方程，即直流负载线方程。
UDS=UDD－ID(RD+RS)设 UDS=0V时ID=0mA时在输出特性图上将上述两点相连得直流负载线。
再根据上述直流负载线与输出特性曲线簇的交点，转移到uGS～iD坐标系中，画出相应于该直流负载线的转移特性曲线。
在转移特性曲线上，做出UGS=–IDRS的曲线。
它在uGS～iD坐标系中是一条直线，找出两点即可。
令 ID=0 UGS=0ID=3mA UGS=3、6V连接这两点，在uGS～iD坐标系中得一直线，此直线与转移特性曲线的交点即为Q点，对应Q点的值为：ID=2、5mA UGS=–3V UDS=7V2、分压式偏置电路分压式偏置电路也是一种常用的偏置电路，该种电路适用于所有类型的场效应管，如下图所示，为了不使分压电阻R1、R2对放大电路的输入电阻影响太大，故通过RG与栅极相连。
该电路栅、源电压为：⑴图解法同上，不过ID=0，UGS不等于0，而为⑵计算法联立解下面方程组：【例】试计算上图的静态工作点。
已知R1=50kΩ，R2=150kΩ，RG=1MΩ，RD=RS=10kΩ，RL=1MΩ，CS=100μF，UDD=20V，场效应管为3DJF，其Up=–5V，IDSS=1mA。
解：即将UGS代入ID式得：漏极对地电压为：UD=UDD–IDRD=20–0、61×10=13、9V二、场效应管的微变等效电路由于场效应管输入端不取电流，输入电阻极大，故输入端可视为开路。
场效应管仅存在如下关系：rD很大，可以认为开路。
根据电路方程可画出等效电路如右上图所示。
三、共源极放大电路放大电路和微变等效电路如下图与示。
场效应管放大电路的动态分析同双极性三极管，也是求电压放大倍数Au、输入电阻ri和输出电阻ro。
1、电压放大倍数根据电压放大倍数的定义由等效电路可得：再找出Uo和Ui的关系，即Ugs和Ui的关系，从等效电路可得：Ui=Ugs所以：2、输入电阻3、输出电阻四、共漏极放大器(源极输出器)电路和等效电路如下图所示。
同样求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。
1、电压放大倍数根据电压放大倍数的定义从等效电路可得：又有 Ui=Ugs+Uo Ugs=Ui – Uo2、输入电阻ri=RG3、输出电阻根据求输出电阻的方法，令：Us=0，并在输出端加一信号U2如下图所示则：【例】计算下面电路的电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。
电路参数为：R1=50kΩ，R2=150kΩ，RG=1MΩ，RD=RS=10kΩ，RL=1MΩ，CS=100μF，UDD=20V，场效应管为3DJF，其Up=–5V，IDSS=1mA，。