三极管
三极管
Q点的影响因素有很多，如电源波动、偏
置电阻的变化、管子的更换、元件的老化等等，
不过最主要的影响则是环境温度的变化。三极
管是一个对温度非常敏感的器件，随温度的变 化，三极管参数会受到影响，具体表现在以下 几个方面。
• 1.温度升高，三极管的反向电流增大
• 2.温度升高，三极管的电流放大系数β增大
• 3.温度升高，相同基极电流IB下，UBE减小，
2.2 共射放大电路
一、 放大的概念
电子学中放大的目的是将微弱的变化信号放大成
较大的信号。这里所讲的主要是电压放大电路。
电压放大电路可以用有输入口和输出口的四端网
络表示，如图。
ui
Au
uo
1、放大体现了信号对能量的控制作用，放大的信
号是变化量。
2、放大电路的负载所获得的随信号变化的能量要
比信号本身所给出的能量大得多，这个多出的
②电感视为短路
共射电路的直流通路
用图解法分析放大器的静态工作点
直流负载线 UCE=UCC–ICRC
U CC RC
ICQ
IC Q
IB UCE
与IB所决 定的那一 条输出特 性曲线的 交点就是 Q点
UCEQ UCC
2、动态分析
计算动态参数Au、Ri、Ro时必须依据交流通路。 交流通路：是指ui单独作用（UCC=0）时，电路 中交流分量流过的通路。 画交流通路时有两个要点：
有以下两种。
IC
IB A RB
V
mA C
B E
UBE
RC USC V
UC（1）输入特性曲线
它是指一定集电极和发射极电压UCE下，三极管 的基极电流IB与发射结电压UBE之间的关系曲线。实 验测得三极管的输入特性曲线如下图所示。
三极管型号参数查询大全
三极管型号参数查询大全1.BC系列三极管：-BC547：NPN型三极管，最大集电极电流为100mA，最大集电极-基极电压为45V，最大功率耗散为500mW。
-BC557：PNP型三极管，最大集电极电流为100mA，最大集电极-基极电压为45V，最大功率耗散为500mW。
2.2N系列三极管：-2N2222：NPN型三极管，最大集电极电流为800mA，最大集电极-基极电压为60V，最大功率耗散为500mW。
-2N3906：PNP型三极管，最大集电极电流为200mA，最大集电极-基极电压为40V，最大功率耗散为625mW。
3.S901X系列三极管：-S9012：NPN型三极管，最大集电极电流为500mA，最大集电极-基极电压为40V，最大功率耗散为625mW。
-S9013：NPN型三极管，最大集电极电流为500mA，最大集电极-基极电压为40V，最大功率耗散为625mW。
4.JL系列三极管：-JL1117：NPN型三极管，最大集电极电流为500mA，最大集电极-基极电压为50V，最大功率耗散为625mW。
-JL2222：NPN型三极管，最大集电极电流为800mA，最大集电极-基极电压为60V，最大功率耗散为625mW。
以上仅列举了一些常用的三极管型号，每个型号具体参数可能根据不同的制造商而有所不同。
要查询具体的三极管型号参数，可以参考制造商的官方网站、数据手册或商家提供的技术资料。
一般来说，三极管的主要参数包括：- 最大集电极电流（ICmax）：三极管允许通过的最大电流。
-最大集电极-基极电压（VCEO）：三极管可承受的最大集电极-基极电压。
- 最大功率耗散（PDmax）：三极管可承受的最大功率。
-直流电流放大倍数（hFE）：三极管的放大倍数。
-开关频率（fT）：三极管可实现的最高工作频率。
同时，还需要关注三极管的引脚排列和包装形式，并根据具体的应用需求选择合适的三极管型号。
实际应用中，可以参考相关电路设计手册、电子元器件手册以及网络技术资料，以获取更详细的三极管型号参数和应用指导。
三极管的概念
三极管的概念
三极管的概念：
三极管，也称为双极型晶体管或晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。
其主要功能是将微弱信号放大成幅度值较大的电信号，同时也用于实现无触点的开关操作。
三极管通常由一个N型半导体和一个P型半导体组成的两个PN结构成，这两个PN结将半导体基片分割成三个区域：基区、发射区和集电区。
基区位于中间，两侧分别为发射区和集电区。
三极管的结构包括三个端子，分别是基极（用字母b表示）、集电极（用字母c表示）和发射极（用字母e表示）。
这些端子允许电流从一个区域流向另一个区域，从而实现了信号的放大和切换功能。
三极管的工作状态可以是放大状态，此时它起到放大作用；也可以是饱和状态，这时它可以作为开关使用。
三极管是电子电路的核心元件，广泛应用于各种电子设备中，包括放大器、振荡器、开关电路以及稳压器等。
此外，根据三极管的类型不同，可以分为NPN型和PNP型。
在使用三极管时，可以通过对其电流放大系数的测量来确定其好坏，这个系数通常用符号β表示。
总结来说，三极管是一种能够控制电流的半导体设备，主要用于信号放大和开关应用，它是电子学中最基本的组件之一。
三极管特性
三极管特性
三极管是一种可以在电力技术中被广泛应用的一种半导体器件，它具有很强的控制和放大能力，因此在电路中有着重要的应用。
本文主要介绍三极管的特性及其电路运用。
一、三极管特性
1.三极管主要由三个极份构成，即正极(P)、负极(N)和控制极(C)。
正极和负极之间构成PN结，它的特性是具有一个可控的双极性，具
有一个控制尖峰，被称为控制极。
2.PN结在通电时，将会发生电流传导，当控制极连接地线时，
由于电场的作用，将产生放大的效果，从而影响PN结的电流传导。
3.三极管有npn和pnp两种类型，当控制极与正极相连时，为npn类型，当控制极与负极相连时，为pnp类型。
4.三极管具有较强的放大能力，可以放大信号，并能控制和调节信号的大小。
二、三极管的电路运用
1.电源放大器：三极管可以用来当作电源放大器，可以放大电源的电压，从而改变电源的电压等级，实现电源放大。
2.稳压器：三极管还可以作为一种稳压器，可以用来调整电路内的电压大小，以便电路在较低稳定电压下工作，使其能够稳定地运行。
3.电流放大器：三极管还可以用作电流放大器，可以把小电流放大为大电流，从而满足电路工作要求。
4.衰减器：三极管还可以用作衰减器，可以使电路的输出信号大
小衰减，从而满足工作要求。
三、总结
三极管是一种常用的半导体器件，它具有强大的控制和放大能力，因此在电路中可以实现电源放大、稳压、电流放大和衰减器等功能。
因此，三极管在电技术中有着广泛的应用。
什么是三极管
什么是三极管三极管，又被称为晶体管，是一种常见的电子元件。
它是一种半导体器件，能够用来放大电流、开关电路或作为电流稳定源。
三极管的结构和工作原理决定了它在电子电路中的重要性和广泛应用。
本文将详细介绍三极管的定义、结构、工作原理以及应用领域。
一、定义三极管是一种包含三个电极的半导体器件，通常由两种不同类型的半导体材料组成。
它的三个电极分别为基极、发射极和集电极。
三极管可用于控制电流流动，并在电子电路中实现信号放大功能。
二、结构三极管的结构由两种类型的半导体材料构成：P型半导体和N型半导体。
这两种材料的结合形成了两个 P-N 结，分别被称为基结和发射结。
其中，发射结夹在基结中间，集电极连接到基结，而发射极连接到发射结。
三、工作原理三极管的工作原理是通过调节基极电流控制集电极电流的大小。
当基极电流很小或者没有流过时，三极管处于截止状态，完全不导电。
当基极电流逐渐增大时，三极管进入放大区。
此时，三极管的集电极电流将正比于基极电流，且比基极电流大很多倍。
当基极电流进一步增大时，三极管会饱和，此时集电极电流不再随基极电流的增大而增大，达到饱和电流后保持不变。
四、应用领域由于三极管具有信号放大和电流控制的特点，因此在电子领域有广泛的应用。
以下是几个常见的三极管应用领域：1. 放大器: 三极管可以作为放大电路的关键元件，用于放大音频、视频等信号。
通过调节输入信号的电流，可以实现不同增益的放大效果。
2. 开关电路: 三极管可以用作开关电路的控制器。
在开关状态下，三极管可以让电流通过或者阻断，从而实现开关的功能。
3. 正反馈电路: 三极管可以用于正反馈电路的构建，从而实现自激振荡。
在振荡器、发射机等电子设备中都有广泛应用。
4. 电流稳定源: 三极管可以作为电流稳定源，提供一个稳定且可控的电流。
这在一些需要精确电流控制的电路中特别有用。
结论通过了解三极管的定义、结构、工作原理和应用领域，我们可以看到三极管在电子电路中的重要性和多功能性。
三极管的相关参数
三极管的相关参数三极管是一种重要的电子器件，广泛应用于电子电路中的放大、开关、斩波等功能。
它具有许多关键参数，下面将详细介绍三极管的相关参数。
1. 最大集电极电流（ICmax）：三极管可以承受的最大集电极电流。
超过这个电流极限，三极管可能会损坏。
2. 最大集电极-基极电压（VCEOmax）：三极管可以承受的最大集电极到基极的电压。
超过这个电压极限，三极管可能发生击穿。
3. 最大功耗（PDmax）：三极管可以承受的最大功耗。
超过这个功耗极限，三极管可能会过热，导致故障。
4. 最大集电极-发射极电压（VCESmax）：三极管可以承受的最大集电极到发射极的电压。
超过这个电压极限，三极管可能发生击穿。
5.最大集电极电流放大倍数（hFE）：三极管的集电极电流与基极电流之间的比例关系。
它表示三极管的放大能力，通常在工作区域内具有较高的值。
6. 饱和区（Saturation Region）：当三极管的基极电流足够大时，集电极-发射极间的电压达到最低值，此时三极管工作在饱和区。
7. 切断区（Cut-off Region）：当三极管的基极电压较低时，集电极-发射极间的电压达到最高值，此时三极管工作在切断区。
8. 属性（Transconductance）：三极管的输入特性之一，它是指集电极电流变化与基极-发射极电压变化之比，常用单位是毫安每伏特（mA/V）。
9. 剪切频率（Cut-off Frequency）：三极管的输出特性之一，它是指在特定放大倍数下，三极管的功耗输出能力降低到原来的一半所对应的频率。
10. 输入电阻（Input Resistance）：三极管的输入电阻，也称为基极电阻，是指输入端电压与输入端电流之比。
11. 输出电阻（Output Resistance）：三极管的输出电阻，是指输出端电压与输出端电流之比。
12. 射极电阻（Emitter Resistance）：三极管的发射极电阻，是指发射极电压与发射极电流之比。
三极管的作用和工作原理
三极管的作用和工作原理首先，我们来了解一下三极管的结构。
三极管由三个掺杂不同的半导体材料层叠而成，分别是发射极（E）、基极（B）和集电极（C）。
发射极连接一个P型半导体，基极连接一个N型半导体，而集电极连接一个P型半导体。
这种结构决定了三极管的放大、开关和稳压等特性。
三极管的作用主要体现在放大和开关两个方面。
在放大电路中，三极管可以放大微弱的信号，使其具有足够的能量驱动负载。
在开关电路中，三极管可以控制电路的通断，实现数字信号的处理和控制。
这两种作用使得三极管在电子技术中扮演着至关重要的角色。
接下来，我们来详细了解三极管的工作原理。
在正常工作状态下，三极管有三种工作状态，分别是放大状态、截止状态和饱和状态。
在放大状态下，通过控制基极电流，可以使得集电极电流的变化成倍放大，从而实现信号的放大。
在截止状态下，通过控制基极电流，可以使得集电极电流截断，实现开关功能。
在饱和状态下，通过控制基极电流，可以使得集电极电流达到最大值，实现信号的稳压。
三极管的工作原理可以用电子的输运和控制来解释。
当外加电压使得发射结和集电结正向偏置时，发射结注入少数载流子，集电结收集少数载流子，形成电流放大。
当外加电压使得发射结和集电结反向偏置时，少数载流子被阻挡，电流截断。
这种输运和控制的机制决定了三极管的放大和开关特性。
总的来说，三极管的作用和工作原理是非常复杂的，但是通过对其结构和工作原理的了解，我们可以更好地应用它于电子技术中。
三极管的放大和开关功能使得它成为电子技术中不可或缺的器件，其工作原理也为我们理解电子技术提供了重要的基础。
希望通过本文的介绍，能够让大家对三极管有一个更深入的了解。
三极管
Vceo
在选择晶体管时， 大约为所用电源电压2倍 在选择晶体管时，Vceo大约为所用电源电压 倍 S8050的Vceo为25V 的
S8050 NPN型三极管参数 型三极管参数
c
Ic
b
Ib Ie
Vce
+
e
最大集电极电流， 最大集电极电流，即流过三极管集电极的最大电流
Icm
在选择晶体管时， 在选择晶体管时，Icm大约为三极管正常工作时流过 集电极最大电流的2倍 集电极最大电流的 倍 S8050的Icm为0.5A 的
Ec = Ic x Rc + Vce
三极管仿真电路分析
Ib、Ic、Vce 波形 波形?
集电极电压V 集电极电压 c
NPN 型 集电极电源Ec 集电极电源
基极电源E 基极电源 b
三极管仿真电路分析
Vo 集电极电压（V） 集电极电压（ Ic 集电极电流（mA） 集电极电流（
集电极电压V 集电极电压 c
驱动继电器(工作原理 驱动继电器 工作原理) 工作原理
+Vcc
3.R1、R2电阻取值
D IN4007
例如： 例如： 若Vcc=+5V,Ics=50mA,β=100， 且R2=4.7kΩ，计算R1取值。 Vcc-Vbe . . I . b= R 1 5V-0.7V R1 . . . Vbe R2 Ic > β
+Vcc
释放
D IN4007
继电器
c
输入Vi 输入 +Vcc OFF 0V R2 4.7K R1
续流二极管
S8050
b e
用NPN三极管驱动继电器电路图 三极管驱动继电器电路图
驱动继电器(工作原理 驱动继电器 工作原理) 工作原理
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备注栏中“*”表示带阻尼，“--”表示不
2N3708 2N3716 2N3725 2N3740 2N3741 2N3742 2N3767 2N3771 2N3772 2N3773 2N3792 2N3819 2N3820 2N3821 2N3824 2N3866 2N3904 2N3906 2N3909 2N3958 2N3963 2N3972 2N4001 2N4033 2N4036 2N409 2N4126 2N4220 2N4236 2N427 2N428 2N4286 2N4287 2N4291 2N4302 2N4347 2N4348 2N4351 2N4391 2N4392 2N4393 2N4401 2N4403 2N4416 2N4420 2N4427 2N4906
SI-N 30V 0.03A 0.36W 80MHz SI-N 100V 10A 150W 4MHz SI-N 80V 0.5A 1W 35/60ns SI-P 60V 4A 25W >4MHz SI-N 80V 4A 25W >4MHz SI-N 300V 0.05A 1W >30MHz SI-N 100V 4A 20W >10MHz SI-N 50V 30A 150W POWER SI-N 100V 20A 150W POWER SI-N 160V 16A 150W POWER SI-P 80V 10A 150W 4MHz N-FET 25V 20mA 0.36W P-FET 20V 15mA 0.36W N-FET 50V 2.5mA 0.3W N-FET 50V 10mA 0.3W <250E SI-N 55V 0.4A 1W 175MHz SI-N 60V 0.2A .35W 300MHz SI-P 40V 0.2A .35W 250MHz P-FET 20V 10MA 0.3W N-FET 50V 5mA 0.25W SI-P 80V 0.2A 0.36W >40MHz N-FET 40V 50mA 1.8W SI-N 100V 1A 15W 40MHz SI-P 80V 1A 0.8W 150MHz SI-P 90V 1A 1W 60MHz GE-P 13V 15mA 80mW 6.8MHz SI-P 25V 200mA HF N-FET 30V 0.2A SI-P 80V 3A 1W >3MHz GE-P 30V 0.4A 0.15W B>40 GE-P 30V 0.4A 0.15W B>60 SI-N 30V 0.05A 0.25W SI-N 45V 0.1A 0.25W 40MHz SI-P 40V 0.2A 0.25W 150MH N-FET 30V 0.5mA 0.3W SI-N 140V 5A 100W 0.8MHz SI-N 140V 10A 120W >0.2MHz N-FET 30V 30mA 0.3W 140KHz N-FET 40V 50mA 30E Up<10V N-FET 40V 25mA 60E Up<5V N-FET 40V 5mA 100E Up<3V SI-N 60V 0.6A 200MHz SI-P 40V 0.6A 200MHz N-FET 30V 15mA VHF/UHF SI-N 40V 0.2A 0.36W SI-N 40V 0.4A 1W 175MHz SI-P 80V 5A 87.5W >4MHz
SI-P 80V 1A 30W SI-N 80V 1A 30W SI-N 150V 20A 140W 0.5us SI-N 55V 0.4A 4W 5mA SI-N 40V 0.5A 2.5W 1.5GHz P-FET 30V 5mA 150E Up<4V SI-N 100V 2A 10W SI-N 20V 50mA 0.2W >1GHz SI-N 80V 4A 40W 2MHz SI-N 375V 5A 100W >2MHz SI-N 80V 4A 36W >0.8MHz N-DARL 40V 0.3A 0.4W B>7K SI-N 100V 2A 10W AFSWITCH SI-P 100V 2A 10W AFSWITCH SI-P 160V 0.6A 0.31W SI-P 350V 1A 10W 15MHz N-FET 25V 0.4A 0.3W 7E N-FET 25V 1mA Up<6V N-FET 25V 2.9mA UNI P-FET 40V 5mA Up<6V GEN.P P-FET 40V 9mA 0.31W P-FET 40V 16mA Up<9V GEN. N-FET 25V 5mA 0.31W P-FET 25V 4mA Up<4V SI-N 180V 0.6A 0.31W VID. SI-N 36V 0.6A 3W 175MHz N-FET 30V 10mA 310mW SI-N 150V 30A 140W 0.5us SI-P 120V 1A 1W SI-N 120V 1A 1W >30MHz SI-P 80V 50A 200W SI-N 80V 50A 300W >2MHz SI-N 30V 0.05A 0.7W >900MHz SI-P 15V 50mA 625mW >850MHz SI-P 80V 10A 150W >4MHz SI-N 80V 10A 150W >4MHz SI-N 60V 10A 150W >4MHz SI-P 80V 25A 200W AFPOWSW SI-N 80V 25A 200W >4MHz SI-P 140V 16A 200W 1MHz P-DARL+D 60V 12A 100W SI-N 100V 12A 150W SI-N 36V 5A PQ=30W 175MHz SI-N 70V 10A 75W AFPOWSWITCH SI-N 70V 10A 75W AFPOWSWITCH SI-P 60V 7A 40W 10MHz SI-P 45V 4A 40W
2N6211 2N6213 2N6248 2N6284 2N6287 2N6292 2N635 2N6491 2N6517 2N6520 2N6547 2N6556 2N6609 2N6660 2N6661 2N6675 2N6678 2N6716 2N6718 2N6725 2N6728 2N697 2N7002 2N914 2N918 2SA1006B 2SA1009 2SA1011 2SA1013 2SA1015 2SA1016 2SA1017 2SA1018 2SA1020 2SA1027 2SA1029 2SA1034 2SA1037 2SA1048 2SA1049 2SA1061 2SA1062 2SA1065
2N4920 2N4923 2N5038 2N5090 2N5109 2N5116 2N5154 2N5179 2N5192 2N5240 2N5298 2N5308 2N5320 2N5322 2N5401 2N5416 2N5433 2N5457 2N5458 2N5460 2N5461 2N5462 2N5484 2N5485 2N5551 2N5589 2N5639 2N5672 2N5680 2N5682 2N5684 2N5686 2N5770 2N5771 2N5876 2N5878 2N5879 2N5884 2N5886 2N6031 2N6050 2N6059 2N6083 2N6098 2N6099 2N6109 2N6124
关键参数 GE-P 35V 0.15A 0.165W GE-N 25V 0.3A 0.15W 10MHz GE-P 30V 0.3A 0.15W 5MHz GE-P 30V 0.3A 0.15W B>60 SI-N 75V 1A 0.8W 60MHz SI-N 75V 1A 0.8W 70MHz SI-N 120V 0.5A 0.8W SI-N 120V 1A 1W <120MHz GE-P 60V 5A 12.5W SI-P 30V 50mA 0.15W 18MHz SI-P 15V 50mA 0.15W 10MHz SI-N 40V 0.8A 0.8W 250MHz SI-N 40V 0.8A 0.5W 300MHz 2xSI-N 100V 0.5A 0.6W >50 2xSI-N 100V 0.5A 0.6W >50 SI-N 120V 1A 0.8W 50MHz SI-N 40V 0.2A .36W 12/18ns SI-N 30V 40mA 0.2W >1GHz SI-P 12V 0.2A 1.2W 60/90ns SI-P 60V 0.6A 0.6W 45/100 SI-P 60V 0.6A 0.4W 45/100 SI-P 60V 0.6A 0.4W 45/100 SI-N 45V 0.03A >60Mz SI-N 25V 0.1A 0.2W 300MHz GE-P 40V 0.1A 0.15W 200MHz SI-N 140V 1A 0.8W 100MHz SI-N 60V 0.7A 5W 100MHz SI-N 90V 4A 25W 3MHz SI-N 100V 15A 115W 800kHz SI-N 100V 15A 115W 800kHz SI-N 100V 15A 115W 800kHz SI-P 50V 0.2A 0.36W SI-N 40V 0.5A 11.6W 500MHz SI-N 450V 1A 10W 15MHz SI-N 300V 1A 10W 15MHz SI-N 160V 3A 25W POWER SI-N 160V 10A 117W 0.8MHz SI-P 120V 0.1A 0.6W >150MHz SI-P 45V 0.6A 0.7W 200MHz SI-N 65V 0.35A 7W 500MHz SI-N 30V 0.05A 0.2W 1.4GHz SI-N 250/175V 2A 35W >10MHz SI-N 40V 0.25A 23W 400MHz SI-N 40V 0.2A 0.2W SI-N 140V 1A 0.5W 200MHz SI-N 30V 0.03A 0.36W 100MHz