半导体探测器解析
各类核物理探测器比较 - 副本
二．探测器的分类和原理
1.气体探测器
气体探测器根据工作电压的不同，主要有电离室、正比计数器和G-M计数器三类。
基本原理：
气体电离：当带电粒子通过气体时，与气体分子的电离碰撞而逐次损失能量，最后被阻止在探测器中。碰撞的结果使气体分子电离或激发，并在粒子通过的径迹上生成大量的电子－离子对。上述电离过程包括入射粒子直接与气体分子碰撞引起的电离，以及由碰撞打出的高速电子（电子）引起的电离。
电离室：
•主体由两个处于不同电位的电极组成。
•电极大多是平行板和圆柱形的，也有球形或其他形状的。
•平板电离室的两个电极通常是圆形金属板。为了减少电场的边缘效应，应使两电极的间距远小于它们的直径，且两极板精确平行。
•圆柱形电离室中心的收集极一般是一个圆棒或一根金属丝。圆柱形外壳是阴极，用不锈钢、铝、黄铜等材料制成。
正比计数器
～6%（β）
适用于低能β谱的测量，但最大一般限于1Mev以下。
闪烁计数器
1.8%（α）
～6%（β）
分辨时间小，适合于符合测量。能测量射程较大的粒子。灵敏面积较大，但分辨率差。
半导体计数器
～0.2%（α及β）
能量分辨率好，小巧，使用方便，线性响应好，时间分辨小。但灵敏面积小，且温度效应和辐射损伤效应较大。
闪烁体：
闪烁体是一类能吸收能量，并能在大约一微秒或更短的时间吧所吸收iud一部分能量以光的形式再发射出来的物质。闪烁体分为无机和有机两大类。闪烁体必须具备的性能是：对自身发射的光子应是高度透明的。闪烁体吸收它自己发射的一部分光子所占的比例随闪烁材料而变化。无机闪烁体[如Nal（Tl），ZnS（Ag）]几乎是100%透明的，有机闪烁体（如蔥，塑料闪烁体，液体闪烁体）一般来说透明性较差。现在常使用的几种闪烁体是：（1）无机晶体，主要是含杂质或不含杂质的碱金属碘化物；（2）有机晶体，在都是未取代的或取代的芳香碳氢化合物；（3）液态的有机溶液，即液体闪烁体；（4）塑料溶液中的有机溶液，即固溶闪烁体。
硅探测器原理
硅探测器原理
硅探测器是一种常用的半导体探测器，其工作原理基于硅材料的半导体特性和光电转换过程。
硅探测器的工作原理如下：
1. 光电转换：当光射到硅探测器上时，光子会激发硅中的电子从价带跃迁至导带，产生电子空穴对。
2. 电子漂移：激发的电子在电场的作用下向电极方向漂移，而空穴则向相反方向漂移。
3. 电子扩散：若有足够的电子空穴对，由于浓度梯度的存在，电子和空穴会发生扩散，形成电流。
4. 电流测量：通过连接至外部电路的电极，可以测量到由光电转换过程产生的电流信号。
硅探测器的主要特点是灵敏度高、响应速度快、线性范围广、可靠性好以及成本相对较低等。
此外，硅探测器还可以根据不同应用需求进行优化设计，例如厚度的选择、掺杂类型的调整和增加PN结等措施，以提高其性能和适应各种探测需求。
半导体探测器的工作原理
半导体探测器的工作原理半导体探测器是一种利用半导体材料制成的探测器，它可以用于测量辐射、粒子和光子等。
半导体探测器的工作原理主要基于半导体材料的特性以及辐射或粒子与半导体材料相互作用的过程。
本文将从半导体材料的基本特性、探测器的结构和工作原理等方面进行介绍。
半导体材料的基本特性。
半导体材料是介于导体和绝缘体之间的一类材料，它的导电性介于导体和绝缘体之间。
半导体材料的导电性主要取决于其杂质浓度和温度。
在半导体材料中，掺杂了少量的杂质可以显著地改变其导电性能，形成n型半导体和p型半导体。
n型半导体中电子是主要的载流子，而p型半导体中空穴是主要的载流子。
探测器的结构。
半导体探测器通常由半导体材料制成的探测器本体和前端电路、后端电路组成。
探测器本体是由高纯度的半导体材料制成的，通常是硅(Si)或锗(Ge)材料。
前端电路主要用于收集和放大探测器本体中产生的电荷信号，而后端电路则用于信号的处理和数据的采集。
工作原理。
当辐射或粒子穿过半导体探测器时，会与半导体材料发生相互作用，产生电荷对。
这些电荷对会在半导体材料中产生电场，并在电场的作用下分离，形成电荷信号。
前端电路会收集并放大这些电荷信号，然后将其送入后端电路进行进一步处理和数据采集。
半导体探测器的工作原理主要基于半导体材料的能带结构和电荷输运的过程。
当辐射或粒子穿过半导体材料时，会激发半导体材料中的电子和空穴，形成电荷对。
这些电荷对在半导体材料中运动，产生电荷信号。
通过对电荷信号的收集和处理，可以获得辐射或粒子的能量和位置信息。
在实际应用中，半导体探测器可以用于核物理实验、医学成像、核辐射监测等领域。
由于半导体探测器具有高能量分辨率、快速响应速度和较高的空间分辨率等优点，因此在科学研究和工程应用中得到了广泛的应用。
总结。
半导体探测器的工作原理基于半导体材料的特性以及辐射或粒子与半导体材料相互作用的过程。
通过对电荷信号的收集和处理，可以获得辐射或粒子的能量和位置信息。
5-5半导体探测器的应用
å S µZ
i
2
Front-end electronics
p-side
n-side
VA64hdr
10 VAs on the p-side (Y direction) 6 VAs on the n-side (X direction)
Each VA reads 64 channels
• Each VA produces a signal with different characteristics • In particular differences in the gain are observed • FEE response curve is deliberately non-linear, different for p and n
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CMS硅微条径迹探测器
• 每个花瓣安装17－28个 不等的硅探测器
2012/11/14
Байду номын сангаас
中国科大 汪晓莲
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五、在空间物理和宇宙线实验中的应用
1. AMS
丁肇中先生领导的AMS组, 计划 把磁谱仪AMS(Alpha Magnetic Spectromenter) 送到国际空间站 ISSA (International Space Station Alpha), 在宇宙线中寻找反物质和 暗物质。AMS 的中间核心部分的 多层径迹室都是采用双边读出的 硅微条探测器。谱仪的体积不大 (直径和高才1m多) , 但这些精密 的径迹探测器与谱仪中的永久磁 铁、飞行时间计数器、契伦科夫 探测器、量能器等紧密配合, 可能 会为天体物理和宇宙线科学作出 非常卓越的贡献。
每一片SVXIIb就有128 路读出。
半导体光电探测器的原理及其应用
半导体光电探测器之阳早格格创做纲要：本文介绍了光电与系统的组成、一些半导体光电探测器的处事本理及其个性，末尾叙述了光电导探测器与光伏探测器的辨别.闭键词汇：半导体光电探测器，光电系统，光电导探测器，光伏探测器弁止光电探测器是一种受光器件,具备光电变更功能.光敏器件的种类繁琐,有光敏电阻、光电二极管、光电三极管、光晶闸管、集成光敏器件等;有雪崩型的及非雪崩型的;有PN 结型、PIN结型及同量结型的等.由于光电探测器的赞同速度快,体积小,暗电流小,使之正在光纤通讯系统、光纤尝试系统、光纤传感器、光断绝器、彩电光纤传输、电视图象传输、赶快光源的光探测器、微小光旗号的探测、激光测距仪的接支器件、下压电路中的光电丈量及光电互感器、估计机数据传输、光电自动统造及光丈量等圆里得到了广大应用.半导体光电探测器是用半导体资料创造的能接支战探测光辐射的器件.光映照到器件的光敏区时，它便能将光旗号转形成电旗号，是一种光电变更功能的测光元件.它正在国防战工农业死产中有着要害战广大的应用.半导体光电探测器可分为光电导型战光伏型二种.光电导型是指百般半导体光电导管，即光敏电阻；光伏型包罗光电池、P-N结光电二极管、PIN光电二级管、雪崩光电二极管、光电三级管等.本文最先介绍了光电系统的组成，而后分别介绍其处事本理及其个性，末尾将那二类探测器举止比较.一、光电子系统的组成系统又称为收射天线，果为光波是一种电磁波，收射光教系统所起的效率战无线电收射天线所起的效率真足相共.收支进去的光旗号通过传输介量，如大气等，到达接支端.由接支光教系统或者接支天线将光散焦到光电探测器上，光电过少距离传输后会衰减，使接支到的旗号普遍很强，果此需要用前置搁大器将其搁大，而后举止解码，还本成收支端本初的待传递旗号，末尾由末端隐现器隐现出去.图1-1光电子系统图二、半导体探测器的本理1、光电导探测器光电导探测器主假如通过电阳值的变更去检测，以下尔将以光敏电阻为例介绍其处事本理.光敏电阻又称光导管, 它不极性, 杂粹是一个电阻器件, 使用时既可加曲流电压, 也不妨加接流电压.无光照时, 光敏电阻值（暗电阻）很大, 电路中电流（暗电流）很小. 当光敏电阻受到一定波少范畴的光照时, 它的阻值（明电阻）慢遽缩小, 电路中电流赶快删大. 普遍期视暗电阻越大越佳, 明电阻越小越佳,此时光敏电阻的敏捷度下. 本量光敏电阻的暗电阻值普遍正在兆欧级, 明电阻正在几千欧以下.它的处事本理图如2-1图当不光照时，Rd=10断路当有光照时，Rd= 导通2、光伏探测器光伏探测器鉴于光照爆收电势好，用测电势好的本理.它分为光电池与光电二极管二种典型，光电池主假如把光能变更为电能的器件，暂时有硒光电池、硅光电池、砷化镓及锗光电池等，但是暂时使用最广的是硅光电池.光电二级管分为P-N结光电二极管、PIN光电二级管、雪崩光电二极管、光电三级管等.以下尔将分别介绍其处事本理及其个性. 1）P-N结光电二级管2）PIN光电二级管PIN光电二极管又称赶快光电二极管，与普遍的光电二极管相比，它具备不的时间常量，并使光谱赞同范转背少波目标移动，其峰值波少可移至1.04~1.06um而与YAG激光器的收射波少相对于应.它具备敏捷度下的便宜，所以通时常使用于强光检测（线性）.它的结构图如2-3所示，它是由P型半导体战N型半导体之间夹了一层本征半导体形成的.果为本征半导体近似于介量，那便相称于删大了P-N结结电容二个电极之间的距离，使结电容变得很小.其次，P型半导体战N型半导体中耗尽层的宽度是随反背电压减少而加宽的，随着反偏偏压的删大，结电容也要变得很小.由于I层的存留，而P区普遍干得很薄，进射光子只可正在I层内被吸支，而反背偏偏压主要集结正在I区，产死下电场区，I区的光死载流子正在强电场效率下加速疏通，所以载流子渡越时间常量（）减小，进而革新了光电二极管的频次赞同.共时I层的引进加大了耗尽区，展宽了光电变更的灵验处事地区，进而使敏捷度得以普及.3）雪崩光电二级管雪崩光电二级管（APD）是得用光死载流子正在下电场区内的雪崩效力而赢得光电流删益，具备敏捷度下、赞同快等便宜，通时常使用于激光测距、激光雷达、强光检测（非线性）.APD雪崩倍删的历程是：当光电二极管的p-n结加相称大的反背偏偏压时，正在耗尽层内将爆收一个很下的电场，它脚以使正在强电场区漂移的光死载流子赢得充分的动能，通过与晶格本子碰碰将爆收新的电子-空穴对于.新的电子-空穴对于正在强电场效率下，分别背好同的目标疏通，正在疏通历程中又大概与本子碰碰再一次爆收新的电子-空穴对于.如许反复，产死雪崩式的载流子倍减少.那个历程便是APD的处事前提.APD普遍正在略矮于反背北脱电压值的反偏偏压下处事.正在无光照时，p-n结不会爆收雪崩倍删效力.但是结区一朝有光映照，激励出的光死载流子便被临界强电场加速而引导雪崩倍删.若反背偏偏压大于反背打脱电压时，光电流的删益可达（十的六次圆）即爆收“自持雪崩倍删”.由于那时出现的集粒噪声可删大到搁大器的噪声火仄，以以致器件无法使用.4）光电三级管光电三级管与光电二极管比较，光电三级管输出电流较大，普遍正在毫安级，但是光照个性较好，多用于央供输出电流较大的场合.光电三极管有pnp战npn型二种结构，时常使用资料有硅战锗.比圆用硅资料创造的npn型结有3DU型，pnp型有3CU型.采与硅npn型光电三极管，其暗电流比锗光电三极管小，且受温度变更效率小，所以得到位广大应用.底下以3DU型光电三极管为例证明它的结构、处事本理与主要个性.3DU型光电三极管是以p型硅为基极的三极管，如图2-4（a）所示.由图可知，3DU管的结媾战一般晶体管类似，不过正在资料的掺杂情况、结里积的大小战基极引线的树立上战一般晶体管分歧.果为光电三极管要赞同光辐射，受光里即集电结（bc结）里积比普遍晶体管大.其余，它是利用光统造集电极电流的，所以正在基极上既可树立引线举止电统造，也不妨不设，真足共光一统造.它的处事本理是处事时各电极所加的电压与一般晶体管相共，即要包管集电结反偏偏置，收射正偏偏听偏偏置.由于集电结是反偏偏压，正在结区有很强的内修电场，对于3DU管去道，内修电场目标是由c到b的.战光电二极管处事本理相共，如果有光照到集电结上，激励电子-空穴对于，接着那些载流子被内修电场分散，电子流背集电极，空穴流背基极，相称于中界背基极注进一个统造电流Ib=Ip.果为收射打队结是正偏偏置的，空穴则留正在基区，使基极电位降下，收射极便有洪量电子经基极流背集电极，总的集电极电流为Ic=Ip+βIp=(1+β)Ip，式中β为电流删益系数.由此可睹，光电三极管的集电结是光电变更部分.共时集电极、基极、收射极形成一个有搁大效率的晶体管.所以正在本理上不妨把它瞅万里一个由光电二极管与一般晶体管分散而成的拉拢件，如图2-4(b)所示.光电三级管另一个个性是它的明暗电流比要比光电二极管、光电池、光电导探测器大，所以光电三极管是用去做光启闭的理念元件.3．光电导探测器与电伏探测器的辨别1）光电导探测器是均值的，而光伏探测器是结型的.2）光。
半导体探测器的工作原理
半导体探测器的工作原理一、引言半导体探测器是一种利用半导体材料制成的探测器，具有高灵敏度、快速响应和较好的能量分辨率等优点。
它广泛应用于核物理、天文学、医学等领域。
本文将详细介绍半导体探测器的工作原理。
二、半导体材料半导体材料是指在温度为零度时，其电阻率介于导体和绝缘体之间的物质。
常见的半导体材料有硅(Si)和锗(Ge)等。
这些材料具有特殊的电子结构，其价带和导带之间存在禁带宽度，能够在外界电场或光照下发生电子跃迁。
三、PN结PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结构。
P型半导体中掺入了少量三价元素(如硼)，形成空穴(P+)；N型半导体中掺入了少量五价元素(如磷)，形成自由电子(N-)。
当P型和N型半导体相接触时，由于两者禁带宽度不同，在接触面上会形成一个耗尽层，其中自由电子和空穴会发生复合，形成正负离子。
这样就形成了PN结。
四、反向偏置将PN结的P端连接到正极，N端连接到负极，这样就形成了反向偏置。
此时，外界电场会加速耗尽层中的载流子，使得耗尽层变宽。
当反向电压达到一定值时，耗尽层变得很宽，这时候探测器的电流基本上不再增加。
五、正向偏置将PN结的P端连接到负极，N端连接到正极，这样就形成了正向偏置。
此时，在PN结中注入少量载流子(如空穴)，这些载流子会在耗尽层中发生复合，并产生少量电流。
如果在PN结两侧分别接上金属电极，则可以通过测量两个电极之间的电压来检测探测器中的辐射信号。
六、能量沉积当高能粒子穿过半导体材料时，会与材料原子相互作用并损失能量。
其中一部分能量被转化为激发或离化原子所需的能量，而另一部分能量则被转化为热能。
这样就在半导体材料中形成了电子空穴对，它们会在外界电场的作用下向PN结两端运动，并产生电流信号。
七、能量分辨率探测器的能量分辨率是指探测器能够分辨出两个不同能量的信号的能力。
它受到多种因素的影响，如材料本身的能带结构、探测器制备工艺、探测器温度等。
通常情况下，半导体探测器具有较好的能量分辨率。
半导体探测器的探测原理
半导体探测器的探测原理
半导体探测器的基本结构是p-n结。
它由p型半导体和n型半导体材料组成，这两种材料通过接触形成一个结。
在p-n结中，p型的材料处于正电位，n型的材料处于负电位。
当半导体处于不受光照射时，两种材料之间会形成一个正电势差，形成电场。
当有入射光照射到半导体探测器中时，光子将撞击半导体材料中的原子。
这将导致一些电子被激发到能量较高的能级。
在p-n结的界面处，正电势差会使得被激发的电子向p型区移动，而正空穴则向n型区移动。
这些移动的电子和空穴将导致电流的变化。
这是因为电子和空穴在移动的过程中会与材料中的原子相互作用，发生电离和复合等过程。
被激发的电子和正空穴将继续与周围的离子产生相互作用，形成一系列电子空穴对。
这些电子空穴对会以电流的形式流动，形成一个电信号。
此外，半导体探测器还可以通过对电信号的时间参数进行分析来获取更多的信息。
不同入射光子的能量会导致电信号的上升时间和下降时间不同。
通过测量电流的上升和下降曲线，可以确定入射光子的能量范围和事件的时间特征。
总结起来，半导体探测器的探测原理是通过入射光子激发半导体材料中的电子空穴对，产生电信号。
该电信号的强度和时间特征可以用于确定入射光子的能量和其他信息。
这使得半导体探测器成为许多领域中不可或缺的工具。
半导体探测器概述
原因是不满足上面提到的要求。
常用半导体材料：Si、Ge 目前纯度最高的硅的电阻率大约为105Ωcm，如果将厚度为1mm 的这种硅片切成面积为1cm2，当加上100V的电压时，则有
0.01A的电流流过，显然，这么大的漏电流将会把待测信号全
部湮没。一个好的探测器的漏电流应该在－10-9A。
5
§1.基本原理—概述
一个半导体的PN结能满足前面提到的三个条件，因而可以构
成核辐射探测器。
半导体的PN结内电阻很高，加上反向电压后，电压几乎完全 降落在结区，在结区形成一个足够强的电场，而几乎没有漏 电流流过。 当带电离子射入结区后，通过与半导体材料相互作用，很快 地损失掉能量，带电离子所损失的能量在结区中形成了可以 导电的电子－空穴对。 在电场的作用下，电子和空穴分别向两极漂移，于是在输出 回路中形成信号。
4)受主杂质
受主杂质为III族元素，其电离电位EA很低，受主杂质的能级一定很接近 禁带底部(即价带顶部)，室温下价带中电子容易跃迁这些能级上；在价 带中出现空穴。所以，此时多数载流子为空穴，杂质原子成为负电中心。 掺有受主杂质的半导体称为P 型半导体。
8
空穴浓度：
p NA
受主杂质浓度
§1.基本原理—概述
3
相对统计涨落也就小得多，所以半导体探测器的能量分辨率很高。
§1.基本原理—概述
半导体探测器的基本原理是带电粒子在半导体探测器的灵敏体 积内产生电子－空穴对，电子－空穴对在外电场的作用下漂移 而输出信号。 半导体探测器的探测原理与电离室类似，只是探测介质是半导体
电离室能够成为一个探测器应满足三个条件 ：
7
§1.基本原理—概述
3) 施主杂质
施主杂质为V族元素，其电离电位ED很低，施主杂质的能级一定接近禁带 顶部(即导带底部)。在室温下，这些杂质原子几乎全部电离。由于杂质 浓度远大于本征半导体导带中的电子浓度，多数载流子为电子，杂质原 子成为正电中心。掺有施主杂质的半导体称为N 型半导体。 电子浓度： n N D 施主杂质浓度
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0.136 0.40 0.55
137Cs, 662KeV 0.9
2020/10/22741Am,5.48MeV 13.5
Ge
CdTe
32
48、52
5.32
6.06
15.7
4.46
0.67/0.74 1.47
2.80/2.96 4.46
CdZnTe HgI2 48、30、 80、53 52 5.9～5.95 6.4
锗Ge
n p 2.4 1013 / cm3
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7
Silicon Detector
Some characteristics of Silicon
crystals
• Small band gap Eg = 1.12 eV
⇒ 0(e-h pair) = 3.6 eV • High specific density 2.33 g/cm3
在热力学温度为零时，即使有外电场作用，它们并不导电。但 是当温度升高或有光照时，半导体满带中少量电子会获得能量 而被激发到导带上，这些电子在外电场作用下将参与导电。同 时满带中留下的空穴也参与导电。
• N型（电子型）半导体：导带内电子运动，参与导电。 • P型（空穴型）半导体：满带内空穴运动，参与导电。 • 载流子：是电子和空穴的统称。温度高，禁带宽度小，产生
dE/dx (M.I.P.) ≈ 3.9 MeV/cm
≈ 102 e-h/µm (average)
• High carrier mobility
µe =1450cm2/ V.s, µh = 450 cm2/ V.s ⇒ fast charge collection (<10 ns)
• Very pure < 1ppm impurities
2. 导体、半导体、绝缘体的能带
由于电场力对电子的作用，使电子的运动速度和能量发生变化。
从能带论来看，电子能量变化就是电子从一个能级跃迁到另一个
能级上。
• 满带：被电子占满的能级，一般外电场作用时，其电子不形成电
流，对导电没有贡献，亦称价带。
• 导带：被电子部分占满的高能态能级，在外电场作用下，电子从
CdSe 48、34 5.74
1.70
300 650 65 10-3 1012
5.9
GaAs 31、33
5.36 12.5 1.43 4.35 300 8600 1000 0.1 107 1
2.6
5
3.本征半导体
• 理想的不含杂质的半导体称为本征半导体，导带上的电子数
目严格等于满带上的空穴数目，n=p 。 • 一般情况下，半导体的满带完全被电子占满，导带中没有电子。
2）很宽的能量响应线性范围
3）很快的响应时间，ns量级，高计数率>108/cm2·s
4）体积小
5）很好的位置分辨率，好于1.4 m。
• 缺点：对辐射损伤灵敏
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2
§4-1 半导体的基本知识和
探测器的工作原理
子在外电场作用下定向运动的结果。
• Rigidity of silicon allows thin self
8.8 1.4～2.26 2.13
4.3
300/77 3900 1900 103 102 103
300 1100 100 6 109 1
300
300
1100
100
50
4
1.1×10-2 25
1011
1013
1
1.1
1.5
0.295
0.3
1.5
3
1.2
0.4
4.5
3.9
2.0
0.9
8
10
4.5
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102 109 cm 1010 cm
由于能带取决于原子间距，所以Eg与温度和压力有关。一般禁带宽 度大的材料，耐高温性能和耐辐照性能好。
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几种半导体材料的性能参数
材料
Si
原子序数（Z）
14
密度（g/cm3） 介电常数 禁带宽度Eg(eV) 平均电离能W(eV)
每立方厘米体积中电子与空穴的浓度 比例系数
玻尔兹曼常数
不含杂质的理想本征半导体的载流子浓度
硅Si
ni2
1.5 1033T 3
exp
1.21 kT
锗Ge
ni2
3.11032T 3
exp
0.785 kT
在室温下，t 300K，本征半导体载流子浓度
硅Si
n p 1.51010 / cm3
外电场吸收能量跃迁到未被电子占据的能级上去，形成电流，起
2020/10/27导电作用。
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3
• 禁带：满带和导带之间的禁区称为禁带，其宽度也称为 能隙，记做Eg。
• 导体、半导体和绝缘体之间的差别在于禁带宽度不同：
导体不存在禁带，满带和导电交织在一起； 105 cm
半导体禁带较窄，Eg=0.1-2.2eV 绝缘体禁带较宽，Eg=2-10eV
2.33 11.7 1.12/1.16 3.62/3.76
工作温度（K）
漂移迁移率 [cm2/(V.s)]
电子 空穴
少数载流子寿命τ (s)
电阻率(Ω·cm)
俘获长度(mm)
300/77 1450 450 103 104 103
能量 分辨率 FWHM (KeV)
55Fe, X 5.9KeV
241Am, 59.5KeV 57.Co, 122KeV
第四章 半导体探测器
§4-1 半导体的基本知识和探测器 的工作原理 §4-2 能量测量半导体探测器 §4-3 半导体探测器的主要参量 §4-4 位置测量半导体探测器 §4-5 半导体探测器的应用
Semiconductor Detector
• 优点：
1）很高的能量分辨率，比气体探测器大约高一个数量级， 比闪烁计数器高的更多。因为在半导体中电离产生一 对电子－空穴对只需要3eV左右的能量；带电粒子在半 导体中的能量损失很多，在硅晶体中大约为3.9MeV/ cm，所以能量相同的带电粒子在半导体中产生的电子 －空穴对数比在气体中产生的离子对数高一个数量级 以上。这样,电离对数的统计误差比气体小很多。
的载流子数目就多；产生得越多，电子与空穴复合的几率也越 大。在一定温度下，产生率和复合率达到相对平衡，半导体中 保持一定数目的载流子。
2020/10/27
中国科大 汪晓莲
6
• 载流子浓度：固体物理可以证明本征半导体内的载流 子平衡浓度
ni2
n
p
UT 3
exp
Eg kT
禁带宽度(eV) 绝对温度(K)