第七讲：热辐射探测器件

由热敏材料制成的厚度为0.01mm左右的薄片电阻（因为在相同的入 射辐射下得到
较大的温升）粘 合在导热能力高 的绝缘衬底上， 电阻体两端蒸发 金属电极以便与 外电路连接，再 把衬底同一个热 容很大、导热性 能良好的金属相 连构成热敏电阻。
红外辐射通过探测窗口投射到热敏元件上，引起元件的电阻变 化。为了提高热敏元件接收辐射的能力，常将热敏元件的表面进行 黑化处理。
GQ等措施都是有效的。对于交流响应率，降低工作频率，减小时间
常数τT，也会有明显的提高。但是，热电偶的响应率与时间常数
是一对矛盾，应用时只能兼顾。
（2）响应时间
热电偶的响应时间约为几毫秒到几十毫秒左右，在BeO衬底上 制造Bi-Ag结结构的热电偶有望得到更快的时间响应，响应时间可 达到或超过10-7s。
（5-14）
D
Af
1 2
PNE
1
16kT5 2
即它只与探测器的温度有关。
（5-15）
5.2 热敏电阻与热电堆探测器
5.2.1 热敏电阻
1. 热敏电阻及其特点
凡吸收入射辐射后引起温升而使电阻改变，导致负载电阻两端电压 的变化，并给出电信号的器件叫做热敏电阻。
相对于一般的金属电阻，热敏电阻具备如下特点：
①热敏电阻的温度系数大，灵敏度高，热敏电阻的温度系数常比一 般金属电阻大10～100倍。 ②结构简单，体积小，可以测量近似几何点的温度。
③电阻率高，热惯性小，适宜做动态测量。
④阻值与温度的变化关系呈非线性。
⑤不足之处是稳定性和互换性较差。
大部分半导体热敏电阻由各种氧化物按一定比例混合，经高温 烧结而成。多数热敏电阻具有负的温度系数，即当温度升高时，其 电阻值下降，同时灵敏度也下降。由于这个原因，限制了它在高温 情况下的使用。
已知热敏电阻温度系数aT后，当热敏电阻接收入射辐射后温度变 化△T，则阻值变化量为
ΔRT=RTaTΔT
式中，RT为温度T时的电阻值，上式只有在△T不大的条件下才能 成立。
（3）热敏电阻的输出特性
热敏电阻电路如图5-5所示，图中 RT RT1 ，RL1 RL2 。若在热敏电 阻上加上偏压Ubb之后，由于辐射的照射使热敏电阻值改变，因而负 载电阻电压增量
（3）最小可探测功率
热电偶的最小可探测功率NEP取决于探测器的噪声，它主要由 热噪声和温度起伏噪声，电流噪声几乎被忽略。半导体热电偶的最 小可探测功率NEP一般为10-11W左右。
C dd TtG TΦ 0ejt
（5-4）
2. 热电器件的最小可探测功率
根据斯忒番-玻耳兹曼定律，若器件的温度为T，接收面积为A， 并可以将探测器近似为黑体（吸收系数与发射系数相等），当它 与环境处于热平衡时，单位时间所辐射的能量为
Φe AT4
（5-11）
由热导的定义
GdΦe 4AT3
dT
（5-12）
（1）灵敏度（响应率） 在直流辐射作用下，热电偶的灵敏度S0为
S0
UL Φ0
M12RL
(Ri RL)GQ
（5-30）
在交流辐射信号的作用下，热电偶的灵敏度S为
SUL
M12 RL
Φ (Ri RL)GQ 12T 2
（5-31）
由上面两式可见，提高热电偶的响应率最有效的办法除选用塞贝克
系数较大的材料外，增加辐射的吸收率α，减小内阻Ri，减小热导
2. 热敏电阻的原理、结构及材料
半导体材料对光的吸收除了直接产生光生载流子的本征吸收和杂 质吸收外，还有不直接产生载流子的晶格吸收和自由电子吸收等， 并且不同程度地转变为热能，引起晶格振动的加剧，器件温度的上 升，即器件的电阻值发生变化。
由于热敏电阻的晶格吸收，对任何能量的辐射都可以使晶格振 动加剧，只是吸收不同波长的辐射，晶格振动加剧的程度不同而已， 因此，热敏电阻无选择性地吸收各种波长的辐射，可以说它是一种 无选择性的光敏电阻。
（5）灵敏度（响应率）
单位入射辐射功率下热敏电阻变换电路的输出信号电压称为 灵敏度或响应率，它常分为直流灵敏度S0与交流灵敏度SS。 直流灵敏度S0为
S0
Ubb 4
aTaR
交流灵敏度SS为
Ss
Ubb 4
aTaR
122
可见，要增加热敏电阻的灵敏度，需采取以下措施：
①增加偏压Ubb但受热敏电阻的噪声以及不损坏元件的限制； ②把热敏电阻的接收面涂黑增加吸收率a；
② 负温度系数的热敏电阻
（5-16）
RT ReBT
（5-17）
式中，RT为绝对温度T时的实际电阻值；分别为背景环境温度下的 阻值，为与电阻的几何尺寸和材料物理特性有关的常数；A、B为
材料常数。
由上式（5-16）和（5-17）可分别求出正、负温度系数的热敏电阻 的温度系数aT 。
aT表示温度变化1℃时，热电阻实际阻值的相对变化为
ULU4bR bTRT U4bbaTT
上式为假定 ，RL1 RT RTRTRL1的条件下得到的。
（4）冷阻与热阻
RT为热敏电阻在某个温度下的电阻值，常称
为冷阻，如果功率为φ的辐射入射到热敏电
阻上，设其吸收系数为a，则热敏电阻的热阻 定义为吸收单位辐射功率所引起的温升，即
R
T a
因此，式（5-23）可写成
图5-1所示分别为半导体材料和金属材料（白金）的温度特性曲线。 白金的电阻温度系数为正值，大约为±0.37%左右；将金属氧化物 （如铜的氧化物，锰-镍-钴的氧化物）的粉末用黏合剂黏合后，涂 敷在瓷管或玻璃上烘干，即构成半导体材料的热敏电阻。半导体材 料热敏电阻的温度系数为负值，大约为-3%~-6%，约为白金的10倍 以上。所以热敏电阻探测器常用半导体材料制作而很少采用贵重的 金属。
由于入射辐射引起的温升ΔT很小，因此对热电偶材料要求很 高，结构也非常严格和复杂,成本昂贵。
图5-7所示为半导体辐射热电偶的结构示意图。图中用涂黑的 金箔将N型半导体材料和P型半导体材料连在一起构成热结，另一
端（冷端）将产生温差电势，P型半导体的冷端带正电，N型半导
体的冷端带负电。开路电压UOC与入射辐射使金箔产生的温升ΔT的
1. 温度变化方程
热电器件在没有受到辐射作用的情况下，器件与环境温度处于
平衡状态，其温度为T0。当辐射功率为的热辐射入射到器件表面时， 令表面的吸收系数为α，则器件吸收的热辐射功率为αφe ；其中一部
分使器件的温度升高，另一部分补偿器件与环境的热交换所损失的
能量。设单位时间器件的内能增量为Δφi ，则有
3. 热敏电阻的参数
热敏电阻探测器的主要参数有：
（1）电阻-温度特性
热敏电阻的阻温特性是指实际阻值与电阻体温度之间的依赖 关系，这是它的基本特性之一。电阻温度特性曲线如图5-1所示。
热敏电阻器的实际阻值RT与其自身温度T的关系有正温度系数 与负温度系数两种，分别表示为：
① 正温度系数的热敏电阻
RT R0eAT
③增加热阻，其办法是减少元件的接收面积及元件与外界对流所 造成的热量损失，常将元件装入真壳内，但随着热阻的增大，响应 时间也增大。为了减小响应时间，通常把热敏电阻贴在具有高热导 的衬底上；
④选用aT大的材料，也即选取B值大的材料。当然还可使元件冷
却工作，以提高aT的值。
（6）最小可探测功率
热敏电阻的最小可探测功率受噪声的影响。热敏电阻的噪声主要 有：
一般金属的能带结构外层无禁带，自由电子密度很大，以致外界光 作用引起的自由电子密度相对变化较半导体而言可忽略不计。相反， 吸收光以后，使晶格振动加剧，妨碍了自由电子作定向运动。因此， 当光作用于金属元件使其温度升高，其电阻值还略有增加，也即由 金属材料组成的热敏电阻具有正温度系数，而由半导体材料组成的 热敏电阻具有负温度特性。
经证明，当热敏器件与环境温度处于平衡时，在频带宽度内，热
敏器件的温度起伏均方根值为
1
T
4k T2Gf
G2 C2T2
2
（5-13）
可以求出热敏器件仅仅受温度影响的最小可探测功率或称温 度等效功率PNE为
1
1
PNE 4kT 2G 2f21A 6kT 5f2
由式（5-14）很容易得到热敏器件的比探测率为
第5章 热辐射探测器件
热辐射探测器件为基于光辐射与物质相互作用的热效应而制 成的器件。由于它具有工作时不需要制冷，光谱响应无波长选择 性等突出特点，使它的应用已进入某些被光子探测器独占的应用 领域和光子探测器无法实现的应用领域。
5.1 热辐射的一般规律
热电传感器件是将入射到器件上的辐射能转换成热能，然后 再把热能转换成电能的器件。输出信号的形成过程包括两个阶段； 第一阶段为将辐射能转换成热能的阶段（入射辐射引起温升的阶 段），是共性的，具有普遍的意义。第二阶段是将热能转换成各 种形式的电能（各种电信号的输出）阶段。
材料常数B是用来描述热敏电阻材料物理特性的一个参数，又 称为热灵敏指标。在工作温度范围内，B值并不是一个严格的常数, 而是随温度的升高而略有增大，一般说来，B值大电阻率也高，对 于负温度系数的热敏电阻器，B值可按下式计算：
B2.303T1T2 lgR1 T2 T1 R2
（2）热敏电阻阻值变化量
（5-21）
Φi C
dT
dt
（5-1）
上式表明内能的增量为温度变化的函数。
热交换能量的方式有三种；传导、辐射和对流。设单位时间通
过传导损失的能量
Φ GT
（5-2）
上式中G为器件与环境的热传导系数。根据能量守恒原理，器件吸 收的辐射功率应等于器件内能的增量与热交换能量之和。即
ΦeCdd TtGT
（5-3）
设入射辐射为正弦辐射通量 Φe Φ0ejt ，则式（5-3）变为
关系为
UOC=M12ΔT
（5-27）
式中，M12为塞贝克常数，又称温差电势率（V/℃）。