用ADS设计介质振荡器
基于ADS的振荡器设计
.基于ADS的2.45GHz的振荡器设计电子科技大学.1、设计步骤如下：二、选管本节的振荡器采用HP公司生产的AT41411硅双极二级管，变容二极管选择MV1404。
AT41411主要的指标有：（1）低噪声特性：1GHz时噪音系数是1.4dB；2GHz时噪音系数是1.8dB；（2）高增益：1GHz是增益为18dB；2GHz时增益为13dB；（3）截至频率：7GHz，有足够宽的频带；（4）1.8GHz时的最佳噪声特性：Vce＝8V；Ic＝10 mA。
三、直流仿真偏置电路设置如下图所示，采用双电源供电方法，设置两个GOAL来进行两个偏置电阻的优化，考虑到振荡器中三极管的工作状态最好远离饱和区，还要满足三极管2.45Ghz 时的最佳噪声特性，所以直流偏置优化的目标是10c I mA=,5.3cb V V=。
图中电阻阻值已经是直流仿真更新后的数据。
得到R7=492.249 Ohm ，R6=792.102 Ohm四、可变电容VC 特性曲线仿真为获得谐振网络部分，变容二极管随电压的变化关系，我们对可变电容的VC 特性曲线进行测试。
测试电路如下图所示：测试结果如下：Eqn C_Varactor=-1/(2*pi*freq[0,0]*imag(Z11[0]))246810125.0E-126.0E-127.0E-128.0E-129.0E-124.0E-121.0E-11VbiasC _V a r a c t o r这样一来可以方便调节Vdc ，使之谐振。
五、瞬态仿真利用Transient Simulation 仿真器仿真0-40ns 的瞬时波形，电路原理图如下所示：得到结果：E qn spectrum=fs(Vout,,,,,,indep(m1),indep(m2))m1m2time, nsecV o u t , m Vm1m2time=Vout=0.523P eak21.17nsec time=Vout=0.524P eak 31.02nsec m3f req, GHzm a g (s p e c t r u m )m3freq=mag(spectrum)=0.365Max 2.450GHz结果分析：从波形可以看到，振荡器已经很稳定的震荡起来了，并且有一定的震荡空间，从抽出的两点m1-m2的数据可以看出，该震荡波形是相当稳定的，幅度差可以不必考虑，频谱纯度也较高。
利用ADS和Serenade设计S波段压控振荡器
利用ADS 和Serenade 设计S 波段压控振荡器郑贵强 周邦华(中国工程物理研究院电子工程研究所 绵阳 621900) 收稿日期:2002-09-06 收修改稿日期:2002-10-29文 摘 简介设计S 波段压控振荡器(V CO )的理论基础,阐述利用A g ilent 公司的A DS 软件进行S 波段V CO 的初步设计过程及如何通过A nsoft 公司的Serenade 软件快速改进V CO 性能,使其达到实际要求。
主题词 S 波段 压控振荡器 调频 设计前 言在再入遥测系统的射频传输阶段,需要高频谱纯度和高频稳度的频率源作为发射机的关键部件。
近几年来,随着武器系统复杂度的提高,被测对象和被测参数逐渐增多,较低的发射机传输速率已经不能适应21世纪再入遥测系统的实际需要。
同时,为了有效地解决记忆重发技术的局限性,迫切需要将码速率从目前的几百K 提高到2M b/s 以上,这就对再入遥测系统提出了更高的要求。
对PCM 遥测发射机调频振荡源的研究是改进发射机的必由之路。
而调频压控振荡器是调频源最关键的也是设计难度最大的部分。
本文结合ADS 和Serenade 软件对设计压控振荡器(Voltage Controlled Oscillator )的过程进行详细的介绍。
1 VCO 设计的理论基础微波晶体管在适当的端接下都可以构成振荡器。
微波振荡器电路的设计利用负阻分析法比较简便,常用的是结合S 参数和Z 参数进行分析。
VCO 的设计和一般振荡器的设计没有太大区别,只是输入或输出回路中含有变容二极管。
其基本原理是在振荡器的谐振回路中接入可变电抗元件,使其电抗值随调制参数而变化,达到改变频率的目的[1]。
从设计角度看,VCO 的初步设计和放大器设计很类似。
都要以一定频率下的器件的S 参数为基础,输入、输出匹配网络和直流偏置也没有很大区别,不同之处在于设计振荡器时,为了产生并维持振荡和形成负阻,应该使S 11或S 22大于1,而且要满足稳定系数k =1-ûS 11û2-ûS 22û2+ûD û22ûS 12S 21û<1的要求。
X波段介质振荡器的设计与仿真
X波段介质振荡器的设计与仿真于春蕾【摘要】主要介绍了介质振荡器的设计理论,以及使用Agilent公司的ADS仿真软件进行X波段介质振荡器的设计和仿真.在设计过程中使用NEC公司的MESFET 管NE71084作为振荡器的有源器件,利用介质谐振器实现了输出信号的稳频与反馈.给出仿真结果和输出信号相位噪声与功率的实际测试结果.测试结果表明,该方法可以有效地指导介质振荡器的设计过程,提高设计效率.【期刊名称】《现代电子技术》【年(卷),期】2010(000)013【总页数】4页(P27-30)【关键词】介质振荡器;相位噪声;ADS;X波段【作者】于春蕾【作者单位】中航雷达与电子设备研究院,江苏无锡,214063【正文语种】中文【中图分类】TN9110 引言振荡器是雷达、通信等现代电子设备的重要组成部分，通过在特定的载波频率点建立稳定的振荡可以为调制和混频等信号处理过程提供必要的条件，振荡器的指标尤其是相位噪声的优劣将直接影响到系统整体性能的高低[1-2]。
20世纪30年代，美国斯坦福大学的R.D.Richtmyer从理论上证明了介质谐振器的可行性，但限于工艺和技术水平直到60,70年代才开发出合适的材料用于介质谐振器的设计和生产。
由介质振荡器由于温度稳定性好，工作于高频率时可以提供优良的频谱特性和相位噪声特性，已在厘米波、毫米波的领域得到了广泛应用[3-6]。
本文主要借助于Agilent公司的ADS仿真软件(Advanced Design System,ADS)对一个工作于X波段的介质振荡器进行了原理设计、仿真评估和实际测试，着重介绍了如何利用仿真软件实现对所设计产品的性能评估。
1 介质振荡器原理介质振荡器在工作原理上与通常的振荡器没有本质区别。
振荡器都是使用有源电路提供能量，利用反馈等手段使得有源电路发生自激振荡，再通过外接的谐振电路实现选频、稳频功能，并将得到的最终信号通过输出网络送往后级电路。
介质振荡器在具体实现上利用了介质谐振器同时实现了信号反馈和输出信号选频、稳频的功能。
振荡器DRO的HFSS和ADS联合仿真总结
11.78GDRO设计第1章预备知识 (2)1.1振荡器分为两种：反射式和反馈式 (2)1.2DRO分为两种：反射式和反馈式 (2)第2章HFSS11产生S2P文件并在ADS中进行仿真 (4)2.1HFSS11导出S2P文件 (4)2.2在ADS2008中对产生的S2P文件仿真 (5)第3章放大管ATF36077的直流扫描和直流仿真 (6)3.1直流扫描(目的：确定直流工作点V DS,V GS,I D,为设计偏置电路提供依据) (6)3.2直流仿真(目的：根据3.1确定的偏置点设计和仿真偏置电路) (8)第4章S参数仿真 (10)第1章预备知识1.1 振荡器分为两种：反射式和反馈式判断这两种形式振荡器是否能振荡的方法分别如下（1）反射式（VCO也属于这一种）（2）反馈式1.2 DRO分为两种：反射式和反馈式本文介绍反馈式DRO的设计方法，其电路框图和大致的autoCAD版图如下：11.78GDRO设计第2章HFSS11产生S2P文件并在ADS中进行仿真概述：ADS中模型库中自带有一个介质和单根微带线耦合的模型，但是没有一个介质和两根微带线耦合，所以必须在HFSS中建立一个介质和两根微带线耦合的模型，并仿真出S曲线，导出S2P文件，最后导入ADS中进行联合仿真。
2.1 HFSS11导出S2P文件（1）下面是模型和仿真得到的S21曲线（3）导出S2P文件HFSS---->Results--->Solution DATA---->Matrix Data--->Export Matrix Data就是默认的格式不用改，导出来就是s2p文件了11.78GDRO设计2.2 在ADS2008中对产生的S2P文件仿真概述：由第一章的预备知识可知，反馈式振荡器产生振荡必须同时满足幅度条件和相位条件，具体判断这个11.78GDRO是否能振荡的条件就是：(1)放大器的增益大于谐振网络(DRO组成的窄带滤波器)的损耗(一般大10dB比较稳当)。
ADS实验教程RFCD大信号振荡器及混频器9
动态范围是放大器的另一个主要 指标,记为d 指标,记为 R: dR=Pout,1dB-Pout,mds Pout,mds是放大器所要求最小输入信号 Pin,mds的输出功率. 的输出功率. Pout,mds=Pn,out+SNR, ,
Pout,1dB
动态范围d 动态范围 R
1dB
饱和态
Pin Pout,mds
三阶交调
用交调失真IMD衡量放大器三阶交调: 衡量放大器三阶交调: 用交调失真 衡量放大器三阶交调 IMD=Pout( f2 ) - Pout( f2 -2f1 ). = .
Pout
功率放大器
由上面亦可看到高阶信号功率随输入信号的增加率快于基波信号:基波线性增加, 由上面亦可看到高阶信号功率随输入信号的增加率快于基波信号:基波线性增加, 二阶信号平方律增加,三阶信号三次方增加. 二阶信号平方律增加,三阶信号三次方增加. 因为滤波器不能滤除,在进行系统设计时,必须仔细考虑三阶交调. 因为滤波器不能滤除,在进行系统设计时,必须仔细考虑三阶交调. OIP3 Pout,1dB
振荡器
以往的振荡器的设计要求电路满足Barkhausen判据,即振荡器放大单元 以往的振荡器的设计要求电路满足 判据, 判据 的传递函数HA(ω)与反馈单元的传递函数 F(ω)之积等于 .但对于工作频率 的传递函数 与反馈单元的传递函数H 之积等于1. 与反馈单元的传递函数 之积等于 高于500MHz的振荡器设计,必须采用反射系数和传输系数以及相应的S参量 高于 的振荡器设计,必须采用反射系数和传输系数以及相应的 参量 的振荡器设计 来描述电路的特性. 来描述电路的特性.
Vo= a1 [ Vi1 sin(ω1t) + Vi2 sin(ω2t) ]
Ku波段介质振荡器(DRO)研制实例
Ku波段介质振荡器(DRO)研制实例卢士强杨国渝（电子科技大学微波工程系邮编：610054 ）摘要：本文介绍了用三维场精确仿真介质谐振器，并运用负阻理论和谐波平衡法来设计12.75GHz的GaAs MESFET介质稳频振荡器（DRO）。
设计过程使用了Agilent公司的ADS(Advanced Systerm Design )软件对DRO进行了非线性分析和优化设计。
最终对振荡器的性能进行了评估。
关键词：负阻、介质谐振器、振荡器、场效应管、谐波平衡法。
一． 引言振荡器是微波毫米波系统的关键部件之一，其性能好坏直接关系到系统的性能指标。
介质振荡器具有低相噪、高频率稳定度和结构简单等优点。
因此，介质振荡器已成为一种应用广泛的毫米波频率源。
以往的DRO设计，一般通过理论计算DR（介质谐振器）部分，然后通过等效电路转为近似路仿真，然后再经过反复的调试实验，才能成为正品。
本文则运用了三维场的仿真来精确计算DR以及其与微带线耦合的空间的三维场，代替了以往的近似路仿真，从而使振荡器的设计更加准确。
最后运用ADS的软件优化功能，达到最终目标。
二． DRO振荡器设计过程GaAs MESFET振荡器常常用于中等功率以下的频率源，工作频率可达35GHz。
其具体设计形式有许多不同形式，本文采用一种常用的易于调试的负反馈电路。
如图1所示：图1 FET DRO振荡器电路图图2 DRO振荡器等效电路图具体步骤如下：1选用适当的MESFET和适当的电路拓扑结构，一般采用共漏或共源结构，有时也可以根据具体情况采用共栅电路。
加入网络正反馈或负反馈后，满足FET在栅极反射系数ГIN>1,从而使FET处于不稳定区域内。
2调节输出匹配电路，满足从栅极看向器件、负载的电阻为负阻。
即要满足稳定振荡条件：R in＋R L＝0 X in＋X L ＝0 。
3通过给定的FET小信号S参数设计完成上两个步骤后，再对GaAs FET振荡器进行大信号S参数仿真设计。
振荡器DRO的HFSS和ADS联合仿真总结
振荡器DRO的HFSS和ADS联合仿真总结第一篇：振荡器DRO的HFSS和ADS联合仿真总结11.78GDRO设计第1章1.1 1.2第2章2.1 2.2第3章3.1 3.2第4章预备知识 (2)振荡器分为两种：反射式和反馈式.................................................................................2 DRO分为两种：反射式和反馈式 (2)HFSS11产生S2P文件并在ADS中进行仿真 (4)HFSS11导出S2P文件......................................................................................................4 在ADS2008中对产生的S2P文件仿真 (5)放大管ATF36077的直流扫描和直流仿真 (6)直流扫描(目的：确定直流工作点VDS,VGS,ID,为设计偏置电路提供依据)...................6 直流仿真(目的：根据3.1确定的偏置点设计和仿真偏置电路) (8)S参数仿真 (10)第1章预备知识1.1 振荡器分为两种：反射式和反馈式判断这两种形式振荡器是否能振荡的方法分别如下（1）反射式（VCO也属于这一种）（2）反馈式1.2 DRO分为两种：反射式和反馈式本文介绍反馈式DRO的设计方法，其电路框图和大致的autoCAD版图如下：11.78GDRO设计第2章 HFSS11产生S2P文件并在ADS中进行仿真概述：ADS中模型库中自带有一个介质和单根微带线耦合的模型，但是没有一个介质和两根微带线耦合，所以必须在HFSS中建立一个介质和两根微带线耦合的模型，并仿真出S曲线，导出S2P文件，最后导入ADS中进行联合仿真。
2.1 HFSS11导出S2P文件（1）下面是模型和仿真得到的S21曲线（3）导出S2P文件HFSS---->Results--->Solution DATA---->Matrix Data--->Export Matrix Data 就是默认的格式不用改，导出来就是s2p文件了11.78GDRO设计2.2 在ADS2008中对产生的S2P文件仿真概述：由第一章的预备知识可知，反馈式振荡器产生振荡必须同时满足幅度条件和相位条件，具体判断这个11.78GDRO是否能振荡的条件就是：(1)放大器的增益大于谐振网络(DRO组成的窄带滤波器)的损耗(一般大10dB比较稳当)。
ADS软件设计VCO的方法介绍
ADS软件设计VCO的方法介绍
ADS软件的使用：本章内容是介绍使用ADS软件设计VCO的方法：包括原理图绘制，电路参数的调整优化、仿真等。
下面开始按顺序详细介绍ADS软件的使用方法。
设计振荡器这种有源器件，第一步要做的就是管子的选取，设计前必须根据自己的指标确定管子的参数，选好三极管和变容二极管；第二步是根据三极管的最佳噪音特性确定直流偏置电路的偏置电阻；第三步是确定变容二极管的VC特性，先由指标（设计的振荡器频率）确定可变电容的值，然后根据VC曲线确定二极管两端直流电压；第四步是进行谐波仿真，分析相位噪音，生成压控曲线，观察设计的振荡器的压控线性度。
设计指标：设计一个压控振荡器，振荡频率在1.8GHz左右。
第一步根据振荡频率确定选用的三极管，因为是压控振荡器，所以还需要一个变容二极管；第二步需要用到ADS的直流仿真；第三步通过S参数仿真确定变容二极管的VC曲线；第四步用HB模块来进行谐波仿真，计算相位噪音。
管子的选取：
设计的振荡器采用HP 公司生产的AT41411 硅双极管［12］，变容二极管选MV1404。
AT41411的主要指标有：
低噪音特性：1GHz噪音系数是1.4dB，2GHz噪音系数是1.8dB；
高增益：1GHz时增益为18dB，2GHz时增益为13dB；
截止频率：7GHz，有足够宽的频带；
1.8GHz时最佳噪音特性：Vce＝8V，Ic＝10mA；
振荡器采用的初始电路：振荡器采用的初始电路如下图所示，图中的三极管、二极管以及电阻电容等器件在ADS的器件库中均可以找到。
偏置电路的设计：在电路原理图窗口中点击，打开Component library
按ctrl+F1打开搜索对话窗口。
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用ＡＤＳ设计介质振荡器
杨霖顾忠诚
（总参第６３研究所南京２１０００７）
摘要：本文介绍了使用负阻法设计９ＧＨｚ介质振荡器的实例。
在设计过程中使用了Ａｎｇｉｌｅｎｔ公司的ＡｄｖａｎｃｅｄＳｙｓｔｅｍＤｅｓｉｇｎ软件，并对最终所设计的振荡器的性能进行了评估。
关键词：负阻介质振荡器ＡＤＳ
１．负阻振荡器理论基础
图１
在负阻振荡器设计中，负电阻可以通过使用带有适当反馈的三端口器件来方便地得
到。
图１示出了一个典型的负阻振荡器的框图，使之能够成为振荡器的首要条件是要保证该电路处于不稳定的状态：
Ｒ肼＋ＲＬ＜０（１）
其次，要保证该电路是一个能够稳定振荡的电路，继而必须满足以下条件：
ＲⅣ＋ＲＬ＝０（２）
Ｘｍ＋ｘＬ＝０（３）
基于以上理论，我们使用ＡＤＳ设计和仿真负阻器件，以满足起振条件，即方程（１）；设。
卅旨振器电路以满足稳定振荡条件，即方程（２）和方程（３）。
最后再将两部分电路合并，用谐波平衡法对整个电路的性能在ＡＤＳ中进行仿真。
２．仿真器介绍
ＡＤＳ提供了多种仿真器。
在振荡器的设计中，只用到了部分仿真器，我们在下面将给予逐一的简单介绍。
ａ．ＤＣ仿真器
ＤＣ仿真器用于仿真电路的直流性能，在本方案中用于设计负阻器件的直流偏置电路。
ｂ．Ｓ＿Ｐａｒａｍｅｔｅｒ仿真器
Ｓ参数仿真器用于计算电路的Ｓ参数、Ｙ参数和Ｚ参数。
在使用Ｓ参数仿真器时需要定义起、止频率。
此外，需要在所需测量的电路端口上添加电路端接电阻。
本文中Ｓ参数仿真器用于在设计负阻器件的过程中计算有源器件的输入阻抗，以及在谐振器设计的过程中检验三个振荡条件方程。
ｃ．谐波平衡仿真器
谐波平衡仿真器用于仿真振荡器电路的性能，需要设置相应的参数来定义所期望得到
的基频。
在本方案中还要用到ＯＳＣＰＯＲＴ。
ＯＳＣ＿ＰＯＲＴ的作用是将负阻器件与谐振器电路分离开来，其箭头必须指向负阻器件电路。
该仿真器将用于对振荡器的最终性能评估。
３．ＤＲＯ设计方法概述
介质振荡器使用介质谐振器（通常为圆柱形介质块）确定振荡频率。
介质谐振器是一
种具有高电容率、低损耗材料的小的圆形介质块，它的基本谐振频率由其自身的相对介电常数和物理尺寸所决定。
与金属腔谐振器类似，其谐振的产生是电磁波在介质边缘与空气之间连续反射的结果。
其谐振频率也受接地金属墙放置的位置与介质块之间的紧密程度的影响。
要想使用一个介质谐振器来确定微波振荡器的振荡频率，通常将其置于微带传输线旁，使传输线与介质块耦合。
这部分耦合电路在ＡＤＳ中可以用一个并联ＲＬＣ谐振器来确定其电路模型。
介质块与微带传输线耦合的典型配置以及其等效电路在图２中示出。
用变压器模拟介质谐振器与微带线之间的耦合。
介质谐振器与微带线耦合得越紧，变压器的匝数比就越大。
—］．：：：．厂一
罔
等效电路
图２
由于圆柱形介质块是一种高Ｑ（低损耗）的谐振器，其‰值很高（通常为几十Ｋｏｈｍ）而构成的振荡器的相位噪声很低。
在谐振的情况下，Ｌ和Ｃ的电抗值大小相等、符号相反。
此时，介质谐振器的等效电路可以简化为一个具有比较高电阻值的电阻Ｋ。
谐振器的频率
由以下方程（４）确定：
Ｒ：———丢（４）
”２－万・√厶。
ｃｏ
４．设计过程
４．１偏置电路
在进行设计之前，必须选择合适的场效应管并给其提供合适的直流偏置。
在本设计中，我们选择了ＮＥＣ公司的高性能的场效应管ＮＥ７１０８４。
通过偏置使其工作在Ｖ。
Ｅ－３Ｖ、王ｃ＝３０ｍＡ的工作点上。
所使用场效应管的模型在ＡＤＳ元件库中可以找到。
ＡＤＳ中的直流仿真器用以确保满足场效应管的直流偏置条件。
４．２负阻电路
在设计了合适的偏置电路之后，将场效应管构建为一个源极容性反馈电路。
该电路能够产生负阻，以补充谐振器中的能量损耗。
负阻部件是通过对低噪声Ｇ。
ＡｌＦＥＴ进行源极电容性反馈实现的。
ＦＥＴ电路的不稳定性以及经过放大的热噪声，使振荡器能够从自然噪声中建立振荡，继而最终达到稳态的振荡。
负阻部件的简化等效电路如图３所示，本仿真电路使用了双电源设置ＦＥＴ的Ｖ。
和Ｉｄ。
擎～由
图３
为了确定使ＦＥＴ产生负阻所需要的容性源极反馈的优化值，要进行初始化仿真。
这是通过观察晶体管的栅极的反射系数的幅度来确定的，场效应管的漏极输出端接５００ｈｍ的负载阻抗。
如果Ｓ，。
的幅度大于单位１，表明在该频率点有负阻产生。
在通常的小信号振荡器设计中，Ｓ。
的经验值最小应为１．２，并且其曲线应以振荡频率为中心左右对称。
图６示出了仿真结果，清晰地表明在所感兴趣的９ＧＨｚ频率上的Ｓ１Ｉ为２．３２３，存在适当的负阻。
０２４５８１０１２１４侣
ｆｒｅｑ．ＧＨｚ
图４
４．３介质谐振器的仿真模型
介质谐振器所选择的材料具有的相对介电常数（８，）为３０，在９ＧＨｚ频率上的Ｑ值大于１０００（３。
通过选择介质块的物理尺寸和腔体的金属盖与介质块的距离，可以将振荡器调整到所需要的频率。
金属盖到介质块的距离越近，可以得到的谐振频率就越高。
但是当金属盖距离介质块越近的时候，频率变化的速率会随之增加，相位噪声性能随之降低。
模拟介质谐振器与微带线耦合的变压器的匝数比依赖于谐振器与微带线的耦合距离。
谐振器与微带线越接近，耦合度越高，因而变压器的匝数比也越高。
在本设计中我们可以直接使用ＡＤＳ中自带的并联ＲＬＣ谐振器模型ｃＲｅｓＰ。
为了简化仿真过程，假定匝数比ｎ为１。
４．４完整电路
将谐振器与负阻部件通过ＯＳＣ＿ＰＯＲＴ相连接便构成了振荡器的完整电路，如图５所示。
振荡器的仿真是基于所使用的场效应管的小信号Ｓ参数模型的。
振荡器的小信号仿真要以确保在所期望的振荡频率上以下两个条件同时得到满足的基础上进行：
・存在剩余负阻
●总电抗为零
剩余负阻是振荡器建立振荡的需要。
在仿真过程中，使用ＡＤＳ中的Ｓ参数仿真器得到电路的输入阻抗。
从仿真结果来看，在９ＧＨｚ的频率点上电路的ｒｅａｌ（Ｚ（２，２））＋ｒｅａｌ（Ｚ（１，１））为一０．６６６，接近于零，即当振荡达到稳态时剩余负阻将为零。
满足振荡条件方程（２）的要求。
在该频率点上，ｉｍａｇ（Ｚ（２，２））＋ｉｍａｇ（Ｚ（１，１））为一０．１６２，满足振荡条件方程（３）。
在实际电路的
设计过程中，使电抗为零的简单方法是保证介质块置于靠近振荡场效应管的正确位置上。
图５给部件建立模型的时候必须注意他们的寄生参数会使得最终的振荡器特性的寄生响应增加。
然而，只要精细设计这些网络及部件的参数，最终振荡电路的性能不会受到很大影响。
５．仿真结果仿真得到的整个ＤＲＯ的谐波平衡仿真结果及瞬态仿真结果如图６、图７所示。
从该图中可以清楚地看出，ＤＲＯ从起振到稳定振荡的全过程。
在９ＧＨｚ的频率上，其输出功率超过＋８ｄＢｍ。
由于时间关系，振荡器的相位噪声性能还未进行仿真。
ｍ１ｍａｌｒｍｉｎｄｅｘ＝－１｝ｄＢｍ（ＨＢ
Ｖｏｕｇ＝８。
』８５日图６
ｔｉＩ”ｅｎｓｅｃ
图７
参考文献
１．王蕴仪等微波器件与电路１９８１
２．Ｊ．Ｍ．Ｆｌｏｅｈ，‘＂ＦｅｅｈｎｉｑｕｅａｌｌｏｗｓｓｉｍｐｌｅｄｅｓｉｇｎｏｆｍｉｃｒｏｗａｖｅＤＲＯｓ，”Ｍｉｃｒｏｗａｖｅｓａｎｄ肥ｐｐ．１０７－１１１．Ｍａｒｃｈ１９９５．
３．ＤｅｓｉｇｎＣｏｎｓｉｄｅｒａｔｉｏｎｆｏｒａＫｕ－ＢａｎｄＤＲＯｉｎＤｉｇｉｔａｌＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎＳｙｓｔｅｍ，ＡＰＰＬＩＣＡＴＩＯＮＮＯＴＥ，ＡＮｌ０３５，ＣａｌｉｆｏｒｎｉａＥａｓｔｅｒｎＬａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓ，９９，５
３５３
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用ADS设计介质振荡器
作者：杨霖， 顾忠诚
作者单位：总参第63研究所(南京)本文链接：/Conference_5901818.aspx。