第三章 晶体结构缺陷

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第 三 章 晶 体 缺 陷

第 三 章  晶 体 缺 陷

5 1668年(推测) 列文虎克(Anton van Leeuwenhoek)制做出放大倍数超过200倍的光 学显微镜。使人类能够研究肉眼无法看到的自然 世界及其结构。 6 1755年 斯米顿(John Smeaton)发明了现代 混凝土(水凝水泥)。成为当代的主导建筑材料。 7 公元前300年(推测) 南印度的金属业劳动者 发展了坩埚炼钢。生产出几百年后成为著名的 “大马士革”剑钢的“伍兹钢”,激发了数代工 匠、铁匠和冶金学家。
JOM主办此次活动的目的旨在弘扬材料科学在人 类历史发展进程中的影响力和庆祝TMS成立50周 年。“最伟大的材料事件”被定义为:一项人类 的观测或者介入,导致人类对材料行为的理解产 生标志性进展的关键或决定性事件,它开辟了材 料利用的新纪元,或者产生了由材料引发的社会 经济重大变化。首先,JOM 邀请众多材料领域的 杰出专业人士评述他们关于“最伟大的材料事件” 的观点。基于他们的评述,JOM 整理出一份超过 650个候选者的详细目录,然后进一步遴选出100 个正式的候选名单,并刊登于2006年11月份出版 的JOM上。近千名来自材料晶体的空位形成能ΔEf 金 属 Au 0.15 Ag 0.17 Cu 0.17 Pt 0.24 Al 0.12 W 0.56 Pb 0.08 Mg 0.14 Sn 0.08
形成能 (×10-19J )
空位和间隙原子的平衡浓度随温度的升高而急剧增加,呈指数关系。 例如,铜晶体中空位浓度随温度的变化为: 100 300 10-19 500 10-11 700 10-8.1 900 10-6.3 1000 10-5.7 1273 10-4
称为热缺陷。
热缺陷类型

按照离开平衡位置原子进入晶格内的不同位置,热缺陷以此分为 二类: 1. 弗伦克尔缺陷(Frenkel) 离开平衡位置的原子进入晶格的间隙位置,晶体中形成了弗伦克 尔缺陷。弗伦克尔缺陷的特点是空位和间隙原子同时出现,晶体 体积不发生变化,晶体不会因为出现空位而产生密度变化。 2. 肖特基缺陷(Schottky) 离开平衡位置的原子迁移至晶体表面的正常格点位置,而晶体内 仅留有空位,晶体中形成了肖特基缺陷。晶体表面增加了新的原 子层,晶体内部只有空位缺陷。肖特基缺陷的特点晶体体积膨胀, 密度下降。

固体物理 第三章_ 晶体中的缺陷

固体物理 第三章_ 晶体中的缺陷

4
由以上讨论可知: 刃位错: 外加切应力的方向、原子的滑移方向和位错 线的运动方向是相互平行的。 螺位错: 外加切应力的方向与原子的滑移方向平行, 原子的滑移方向与螺位错的运动方向垂直。 在左右两部分受到向上和向下的切应力的作 用时,位错线向前移动,直到位错线移动到 尽头表面,这时左右两部分整个相对滑移b 的距离,晶体产生形变。
固体物理第三章
1. 热缺陷:由热起伏的原因所产生的空位和填隙原 子,又叫热缺陷,它们的产生与温度直接有关
(a) 肖脱基缺陷
(b)弗伦克耳缺陷
(c) 间隙原子
固体物理第三章
( a )肖特基缺陷 (vacancy) :原子脱离正常格点 移动到晶体表面的正常位置,在原子格点位置 留下空位,称为肖特基缺陷。 (b)弗伦克尔缺陷(Frenkel defect),原子脱离格 点后,形成一个间隙原子和一个空位。称为弗 伦克尔缺陷。 (c)间隙原子(interstitial):如果一个原子从正常 表面位置挤进完整晶格中的间隙位置则称为间 隙原子,由于原子已经排列在各个格点上,为 了容纳间隙原子,其周围的原子必定受到相当 大的挤压。
固体物理第三章 固体物理第三章
产生位错的外力: 机械应力:挤压、拉伸、切割、研磨 热应力:温度梯度、热胀冷缩 晶格失配: 晶体内部已经存在位错,只用较小的外力就 可推动这些位错移动,原来的位错成为了位错 源,位错源引起位错的增殖,有位错源的晶体 屈服强度降低。 晶体的屈服强度强烈地依赖于温度的变化。 T升高,原子热运动加剧,晶体的屈服强度下 降,容易产生范性形变。
固体物理第三章
在实际晶体中,由于存在某种缺陷,所以晶 面的滑移过程,可能是晶面的一部分原子 先发生滑移,然后推动同晶面的另一部分 原子滑移。按照这样的循序渐移,最后使 上方的晶面相对于下方的晶面有了滑移。 1934 年, Taylor( 泰勒 ), orowan( 奥罗万 ) 和 Polanyi( 波拉尼)彼此独立提出滑移是借助 于位错在晶体中运动实现的,成功解释了 理论切应力比实验值低得多的矛盾。

材料科学基础第三章晶体缺陷

材料科学基础第三章晶体缺陷

够的能量而跳入空位,并占据这个平衡位置,这时在这个原 子的原来位置上,就形成一个空位。这一过程可以看作是空 位向邻近结点的迁移。
在运动过程中,当间隙原子与一个空位相遇时,它将落入
这个空位,而使两者都消失,这一过程称为复合,或湮没。
(a)原来位置;
(b)中间位置;
(c)迁移后位置
图 空位从位置A迁移到B
2 Ar a 3 N A 8.57 (3.294108 )3 6.0231023 x 1 2 Ar 2 92.91 7.1766103 106 7.1766103 7176 .6(个) 所以, 106 个Nb中有7176 .6个空位。
a NA
作业:
二.本章重点及难点 1、点缺陷的形成与平衡浓度 2、位错类型的判断及其特征、伯氏矢量的特征和物理意义 3、位错源、位错的增殖(F-R源、双交滑移机制等)和运动、 交割
4、关于位错的应力场可作为一般了解
5、晶界的特性(大、小角度晶界)、孪晶界、相界的类型
维纳斯“无臂” 之美更深入人心
处处留心皆学问
2.点缺陷的形成(本征缺陷的形成)
点缺陷形成最重要的环节是原子的振动 原子的热振动
(以一定的频率和振幅作振动)
原子被束缚在它的平衡位置上,但原子却在做着挣脱
束缚的努力
点缺陷形成的驱动力:温度、离子轰击、冷加工
在外界驱动力作用下,哪个原子能够挣脱束缚,脱离
平衡位置是不确定的,宏观上说这是一种几率分布
刃型位错的特点:
1).刃型位错有一个额外的半原子面。其实正、负之分只具 相对意义而无本质的区别。 2).刃型位错线可理解为晶体中已滑移区与未滑移区的边界 线。它不一定是直线,也可以是折线或曲线,但它必与滑移 方向相垂直,也垂直于滑移矢量。

材料化学-晶体结构缺陷

材料化学-晶体结构缺陷
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3. 质量平衡:缺陷方程两边必须保持质量平衡; 4. 电中性:缺陷反应两边必须具有相同数目的总有效电荷,
但不必为零; 5. 表面位置:不用特别表示,当一个M原子从晶体内部迁
移到表面时,M位置数增加。
15
有效电荷:缺陷及其周围的总电荷减去理想晶体中同一区 域的电荷之差。
—— 对于自由电子和空穴:有效电荷等于实际电荷;
平衡常数为:
Ag
Vi
Ag
• i
VAg
K
[ Agi• ][VAg ] [ Ag ][Vi ]
令N为晶体中格位总数,Ni为间隙总数,即:
[VAg
]
[
Ag
• i
]
Ni
[Ag ] N Ni
对于大多数规则晶体结构,有:
[Vi ] N
仅与体系自身结构特性有关
23
因此,
K
N
2 i
N
2 i
(N Ni )(N ) N 2
13
缺陷反应方程式
1. 位置关系:在化合物 MaXb 中,M 位置的数目必须与 X
位置的数目成一个正确的比例;
2. 位置增殖:当缺陷发生变化时,有可能引入或消除空位, 相当于增加或减少点阵位置数,这种变化必须服从位置 关系;
—— 引起位置增殖的缺陷:VM,VX,MM,MX,XM, XX,等等;
—— 不引起位置增殖的缺陷: e’,h˙,Mi,Li,等等;
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俘获空穴中心
通过俘获空穴而形成色心。
卤素蒸气中加热
NaCl
NaCl1+
Vk心:两个相 邻卤素离子俘
获一个空穴
H心:一列卤 素离子中插入 一个卤素原子
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非整比晶体中的空位和填隙子

《材料科学基础》 第03章 晶体缺陷

《材料科学基础》 第03章 晶体缺陷

第三节 位错的基本概念
三、位错的运动
刃位错的攀移运动:刃型位错在垂直于滑移面方向上的运动。 刃位错发生攀移运动时相当于半原子面的伸长或缩短,通常把 半原子面缩短称为正攀移,反之为负攀移。 滑移时不涉及单个原子迁移,即扩散。刃型位错发生正攀 移将有原子多余,大部分是由于晶体中空位运动到位错线上的 结果,从而会造成空位的消失;而负攀移则需要外来原子,无 外来原子将在晶体中产生新的空位。空位的迁移速度随温度的 升高而加快,因此刃型位错的攀移一般发生在温度较高时;另 外,温度的变化将引起晶体的平衡空位浓度的变化,这种空位 的变化往往和刃位错的攀移相关。切应力对刃位错的攀移是无 效的,正应力的存在有助于攀移(压应力有助正攀移,拉应力 有助负攀移),但对攀移的总体作用甚小。
第一节 材料的实际晶体结构
二、晶体中的缺陷概论
晶体缺陷按范围分类:
1. 点缺陷 在三维空间各方向上尺寸都很小,在原 子尺寸大小的晶体缺陷。
2. 线缺陷 在三维空间的一个方向上的尺寸很大(晶 粒数量级),另外两个方向上的尺寸很小(原子尺 寸大小)的晶体缺陷。其具体形式就是晶体中的 位错Dislocation 。
说明:这是一个并不十分准确的定义方法。柏氏矢量的方向与位错线方向的定义有关,应该首 先定义位错线的方向,再依据位错线的方向来定柏氏回路的方向,再确定柏氏矢量的方 向。在专门的位错理论中还会纠正。
第三节 位错的基本概念
二、柏氏矢量
柏氏矢量与位错类型的关系:
刃型位错 柏氏矢量与位错线相互垂直。(依方向关系可 分正刃和负刃型位错) 螺型位错 柏氏矢量与位错线相互平行。(依方向关系可 分左螺和右螺型位错) 混合位错 柏氏矢量与位错线的夹角非0或90度。
过饱和空位 晶体中含点缺陷的数目明显超过平衡 值。如高温下停留平衡时晶体中存在一平衡空位, 快速冷却到一较低的温度,晶体中的空位来不及移 出晶体,就会造成晶体中的空位浓度超过这时的平 衡值。过饱和空位的存在是一非平衡状态,有恢复 到平衡态的热力学趋势,在动力学上要到达平衡态 还要一时间过程。

第三章-晶体结构缺陷

第三章-晶体结构缺陷

第三章晶体结构缺陷【例3-1】写出MgO形成肖特基缺陷的反应方程式。

【解】MgO形成肖特基缺陷时,表面的Mg2+和O2-离子迁到表面新位置上,在晶体内部留下空位,用方程式表示为:该方程式中的表面位置与新表面位置无本质区别,故可以从方程两边消掉,以零O(naught)代表无缺陷状态,则肖特基缺陷方程式可简化为:【例3-2】写出AgBr形成弗伦克尔缺陷的反应方程式。

【解】AgBr中半径小的Ag+离子进入晶格间隙,在其格点上留下空位,方程式为:【提示】一般规律:当晶体中剩余空隙比较小,如NaCl型结构,容易形成肖特基缺陷;当晶体中剩余空隙比较大时,如萤石CaF2型结构等,容易产生弗伦克尔缺陷。

【例3-3】写出NaF加入YF3中的缺陷反应方程式。

【解】首先以正离子为基准,Na+离子占据Y3+位置,该位置带有2个单位负电荷,同时,引入的1个F -离子位于基质晶体中F-离子的位置上。

按照位置关系,基质YF3中正负离子格点数之比为1/3,现在只引入了1个F-离子,所以还有2个F-离子位置空着。

反应方程式为:可以验证该方程式符合上述3个原则。

再以负离子为基准,假设引入3个F-离子位于基质中的F-离子位置上,与此同时,引入了3个Na+离子。

根据基质晶体中的位置关系,只能有1个Na+离子占据Y3+离子位置,其余2个Na+位于晶格间隙,方程式为:此方程亦满足上述3个原则。

当然,也可以写出其他形式的缺陷反应方程式,但上述2个方程所代表的缺陷是最可能出现的。

【例3-4】写出CaCl2加入KCl中的缺陷反应方程式。

【解】以正离子为基准,缺陷反应方程式为:以负离子为基准,则缺陷反应方程式为:这也是2个典型的缺陷反应方程式,与后边将要介绍的固溶体类型相对应。

【提示】通过上述2个实例,可以得出2条基本规律:(1)低价正离子占据高价正离子位置时,该位置带有负电荷。

为了保持电中性,会产生负离子空位或间隙正离子。

(2)高价正离子占据低价正离子位置时,该位置带有正电荷。

晶体结构缺陷

晶体结构缺陷
离子晶体中基本点缺陷类型
4)溶质原子:LM表达L溶质处于M位置,SX表达S溶质处 于X位置。 例:Ca取代了MgO晶格中旳Mg写作CaMg, Ca若填隙在MgO晶格中写作Cai。
5)自由电子及电子空穴:自由电子用符号e′表达。电子空 穴用符号h·表达。它们都不属于某一种特定旳原子全部, 也不固定在某个特定旳原子位置。
VO••
3OO
1 2
O2
例2:CaCl2溶解在KCl中:
产生K空位 ,合 理
CaCl2 KCl CaK• VK' 2ClCl
CaCl2 KCl CaK• Cli' ClCl
Cl-进入填隙位, 不合理
CaCl2 KCl Cai•• 2VK' 2ClCl
Ca进入填 隙位,不合

例3:MgO溶解到Al2O3晶格内形成有限置换型固溶体:
荷。为了保持电中性,会产生阴离子空位或间隙阳离子; 2、高价阳离子占据低价阳离子位置时,该位置带有正电
荷,为了保持电中性,会产生阳离子空位或间隙阴离子。
举例:
例1:TiO2在还原气氛下失去部分氧,生成TiO2-x旳反应能 够写为:
2TiO2
2TiT' i
VO••
3OO
1 2
O2
2Ti
4OO
2TiT' i
克罗格-明克符号系统
1、 缺陷符号旳表达措施 (以MX离子晶体为例) 1)空位:VM和VX分别表达M原子空位和X原子空位,V表达缺陷种类,
下标M、X表达原子空位所在位置。
VM〞=VM +2eˊ VX‥ = VX +2 h·
2)填隙原子:Mi和Xi分别表达M及X原子 处于晶格间隙位置 3)错放位置:MX表达M原子被错放在X位置上, 这种缺陷较少。

第 三 章 晶 体 缺 陷

第 三 章  晶 体 缺 陷

3.1.3 点缺陷的运动
点缺陷的运动方式: 点缺陷的运动方式: 空位运动。 (1) 空位运动。 (2) 间隙原子迁移 (3) 空位和间隙原子相遇,两缺陷同时消失。 空位和间隙原子相遇,两缺陷同时消失。 (4) 逸出晶体到表面 , 或移到晶界 , 点缺陷消失 。 逸出晶体到表面, 或移到晶界, 点缺陷消失。
3.2.1 位错的基本类型和特征
位错的类型: 位错的类型: 刃型位错( 1.刃型位错(edge dislocation) 2.螺型位错 螺型位错( 2.螺型位错(screw dislocation) 3.混合位错 混合位错( 3.混合位错(mixed dislocation)
1. 刃型位错
(1)刃型位错(edge dislocation)的产生 刃型位错( 晶体局部滑移造成的刃型位错 刃型位错图示: (2) 刃型位错图示:18 刃型位错线:多余半原子面与滑移面的交线 交线。 刃型位错线:多余半原子面与滑移面的交线。 (3)刃型位错特征: 刃型位错特征: 刃型位错有一个额外的( 多余) 半原子面。 ① 刃型位错有一个额外的 ( 多余 ) 半原子面 。 一般把多 出的半原子面在滑移面的上边的称为正刃型位错 正刃型位错用 出的半原子面在滑移面的上边的称为 正刃型位错 用 “ ⊥ ” 表 把多出在下边的称为负刃型位错 负刃型位错用 表示。 示;而 把多出在下边的称为负刃型位错用“┬”表示。19 刃型位错是直线、 折线或曲线。 它与滑移方向、 ② 刃型位错是直线 、 折线或曲线 。 它与滑移方向 、 伯氏 矢量(b)垂直 垂直。 矢量(b)垂直。20
点缺陷示意图
(a) 肖特基空Biblioteka 晶体中的点缺陷(b) 弗仑克尔缺陷 弗仑克尔缺陷
点缺陷类型1 点缺陷类型1
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第三章晶体结构缺陷【例3-1】写出MgO形成肖特基缺陷的反应方程式。

【解】MgO形成肖特基缺陷时,表面的Mg2+和O2-离子迁到表面新位置上,在晶体内部留下空位,用方程式表示为:该方程式中的表面位置与新表面位置无本质区别,故可以从方程两边消掉,以零O(naught)代表无缺陷状态,则肖特基缺陷方程式可简化为:【例3-2】写出AgBr形成弗伦克尔缺陷的反应方程式。

【解】AgBr中半径小的Ag+离子进入晶格间隙,在其格点上留下空位,方程式为:【提示】一般规律:当晶体中剩余空隙比较小,如NaCl型结构,容易形成肖特基缺陷;当晶体中剩余空隙比较大时,如萤石CaF2型结构等,容易产生弗伦克尔缺陷。

【例3-3】写出NaF加入YF3中的缺陷反应方程式。

【解】首先以正离子为基准,Na+离子占据Y3+位置,该位置带有2个单位负电荷,同时,引入的1个F -离子位于基质晶体中F-离子的位置上。

按照位置关系,基质YF3中正负离子格点数之比为1/3,现在只引入了1个F-离子,所以还有2个F-离子位置空着。

反应方程式为:可以验证该方程式符合上述3个原则。

再以负离子为基准,假设引入3个F-离子位于基质中的F-离子位置上,与此同时,引入了3个Na+离子。

根据基质晶体中的位置关系,只能有1个Na+离子占据Y3+离子位置,其余2个Na+位于晶格间隙,方程式为:此方程亦满足上述3个原则。

当然,也可以写出其他形式的缺陷反应方程式,但上述2个方程所代表的缺陷是最可能出现的。

【例3-4】写出CaCl2加入KCl中的缺陷反应方程式。

【解】以正离子为基准,缺陷反应方程式为:以负离子为基准,则缺陷反应方程式为:这也是2个典型的缺陷反应方程式,与后边将要介绍的固溶体类型相对应。

【提示】通过上述2个实例,可以得出2条基本规律:(1)低价正离子占据高价正离子位置时,该位置带有负电荷。

为了保持电中性,会产生负离子空位或间隙正离子。

(2)高价正离子占据低价正离子位置时,该位置带有正电荷。

为了保持电中性,会产生正离子空位或间隙负离子。

【例3-5】TiO2在还原气氛下失去部分氧,生成非化学计量化合物TiO2-x,写出缺陷反应方程式。

【解】非化学计量缺陷的形成与浓度取决于气氛性质及其分压大小,即在一定气氛性质和压力下到达平衡。

该过程的缺陷反应可用或方程式表示,晶体中的氧以电中性的氧分子的形式从TiO2中逸出,同时在晶体中产生带正电荷的氧空位和与其符号相反的带负电荷的来保持电中性,方程两边总有效电荷都等于零。

可以看成是Ti4+被还原为Ti3+,三价Ti占据了四价Ti的位置,因而带一个单位有效负电荷。

而二个Ti3+替代了二个Ti4+,Ti∶O由原来2∶4变为2∶3,因而晶体中出现一个氧空位,带二个单位有效正电荷。

【例3-6】假定把一个Na原子从钠的晶体内部移到边界上所需的能量是1ev,计算定温时(300K)的肖特基空位浓度。

【解】∵=1ev=1×1.6×10-19J∴=exp(-)=1.643×10-15%【例3-7】在MgO晶体中,肖特基缺陷的生成能为6ev,计算在25℃和1600℃时热缺陷的浓度;如果MgO晶体中,含有百万分之一的Al2O3杂质,则在1600℃时,MgO晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势?请说明原因。

【解】(1)根据MX型晶体中肖特基缺陷浓度公式:已知:当T=25℃=298K及T=1600℃=1873K时,(2)在MgO中加入Al2O3的杂质缺陷反应为:此时产生的缺陷为[]杂质,而[Al2O3]=[]杂质当加入10-6 Al2O3时,杂质缺陷的浓度为[]杂质=[Al2O3]=10-6由(1)计算在1873K时,[]热=8×10-9所以:[]杂质>[]热,即1873K时杂质缺陷占优势。

【例3-8】许多晶体在高能射线照射下产生不同的颜色,经退火后晶体的颜色又消失,试解释原因。

【解】可通过“色心”的概念来解释。

“色心”是由于电子补偿而引起的一种缺陷。

一些晶体受到X射线、γ射线、中子或电子辐照,往往会产生颜色。

例如,金刚石用电子轰击,产生蓝色;石英在反应堆中用中子辐照以后,产生棕色。

这些颜色的产生是由于辐照破坏晶格,并产生各种类型的点缺陷的缘故。

为在缺陷区域保持电中性,过剩的电子或过剩正电荷(电子空穴)就处在缺陷的位置上,与原子周围的电子具有一系列分离的允许能级一样,束缚在点缺陷上的电荷,也具有这样的一组能极。

这些允许能极相当于在可见光谱区域的光子能级。

因而,在缺陷位置上也就能吸收一定波长的光,这样材料就出现某种颜色。

把这种经过辐照而变色的晶体加热,能使缺陷扩散而消失或产生复合,使辐照破坏得到修复,晶体失去颜色。

【提示】研究最详细的色心是F-色心(F-centre)(由德语Farbe-Colout而得),当碱金属卤化物晶体在碱金属蒸汽中加热,然后快速淬火时,就产生F-色心。

例如,NaCl在Na蒸汽中加热得到黄棕色。

当NaCl晶体被加热时,Na扩散到晶体的内部,以过剩的Na+离子存在。

由于缺乏C1-离子,过剩的Na+离子将伴随相当数目的氯离子空位。

为了保持电中性,从Na来的一个价电子被吸引到负离子空位上,并在那里被捕获(正象在理想晶体中,一个价电子将被一个C1原子所吸引,生成一个C1-离子一样)。

因此,F-色心是由一个负离子空位和一个在此位置上的电子组成的。

它是一个陷落电子中心(captured traopped-electron centre),F-色心如教材图3-11所示,F-色心也就是捕获了电子的负离子空位。

前面曾提到负离子空位带正电荷,对于氯离子空位是带一个正电荷,现在它又捕获了一个电子,因此,F-色心的构造很象一个氯原子。

【例3-9】在MgO-Al2O3和PbTiO3-PbZrO3,哪一对形成有限固溶体,哪一对形成无限固溶体?为什么?【解】(1)MgO-Al2O3只能形成有限固溶体。

原因:MgO与Al2O3的结构类型不同,虽然可以通过不等价离子代换并且形成空位来平衡电荷以形成置换型固溶体,但是置换量总是有限的。

固溶方程:Al2O3 2 Al+3O+V固溶体分子式为:Mg1-3x Al2x O(2)PbTiO3-PbZrO3能形成完全互溶的置换型固溶体。

原因:1)结构类型相同2)=0.068nm,,=0.079 nm=×100%=13.9%<15%【例3-10】将CaO外加到ZrO2中去生成固溶体,具有立方萤石结构,试验测定:当溶入量为0.15molCaO 时,晶胞常数a=0.5131nm,密度D=5.477g/cm3。

试通过计算判断生成哪种类型固溶体(置换性型或间隙型)。

已知:原子量Ca 40.08,Zr 91.22 ,O 16.00【解】(1)设形成置换型固溶体则:CaO++固溶体分子式为:Zr1-x Ca x O2-x,x=0.15即:Zr0.85Ca0.15O1.85置换型固溶体的密度为:D1===5.568g/cm3其中M——置换型固溶体的分子量——阿佛加德罗常数(2)又设形成间隙型固溶体则CaO++固溶体分子式为:x=0.15即:形成间隙型固溶体的密度为:D2===6.017g/cm3将计算结果与实验测定结果比较D1更接近于实测值,所以生成置换型固溶体。

【例3-11】非化学计量化合物Fe x O中,Fe3+/Fe2+=0.1,求Fe x O中空位浓度及x值。

【解】非化学计量化合物Fe x O,可认为是a(mol)的Fe2O3溶入FeO中,缺陷反应式为:a2a a此固溶体(非化学计量化合物)的组成为:已知:Fe3+/Fe2+=0.1则:a=0.044x=2a+(1-3a)=1-a=0.956又正常格点数N=1+x=1+0.956=1.956空位浓度为(热缺陷浓度可忽略不计)【例3-12】非化学计量缺陷的浓度与周围气氛的性质、压力大小相关,如果增大周围氧气的压,非化学计量化合物及的密度将发生怎样的变化?增大?减小?为什么?【解】化学计量化合物Fe1-x O,是由于正离子空位,引起负离子过剩按质量作用定律,平衡常数得:即:铁空位浓度和氧分压的次方成正比,故当周围氧分压增大时,铁空位浓度增加,晶体质量减小,则Fe1-x O的密度也将减小。

化学计量化合物Zn1+x O,由于正离子填隙,使金属离子过剩:按质量作用定律:得:即:间隙离子的浓度与氧分压的次方成反比,故增大周围氧分压,间隙离子浓度减小,晶体质量减小,则Zn1+x O的密度也减小。

【例3-13】试确定面心立方晶体在()[110]滑移系统滑移时的伯氏矢量。

【解】晶体在()[110]滑移系统滑移时,其滑移矢量在[110]晶向上。

从任一原子位置向前方另一原子位置引出的矢量,也就是从晶胞坐标原点[0,0,0]向(001)晶面的晶胞面心[1/2, 1/2,0]所引出的矢量。

该矢量在晶胞坐标轴X、Y、Z三轴上的分量依次为a/2、a/2、0,因此,用它表示的伯氏矢量的符号为:b,此即位错的单位滑移矢量。

【提示】对于面心立方晶体而言,其密排面的密排方向在面对角线方向,因此,晶体滑移时,每次滑移的距离即为面对角线的一半,即。

这与滑移矢量b的模的大小是一致的。

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