三极管的发展与应用
ad中三极管的名称
ad中三极管的名称三极管，也被称为晶体管，是一种非常重要的电子元件，广泛应用于各种电子设备中。
它是一种半导体器件，由三个不同类型的半导体材料组成，包括N型半导体、P型半导体和P型半导体。
三极管的结构简单，但它的功能却非常强大，可以用于放大、开关和振荡等多种电路应用。
三极管最早由美国贝尔实验室的沃尔特·布拉顿和约翰·巴丁发明于1947年。
他们基于早期的晶体管技术进行了改进，成功地制造出了第一台实用的三极管。
这项发明对电子行业产生了深远的影响，为后来的电子技术发展奠定了基础。
三极管的名称来源于它的结构，它有三个电极，分别是发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。
发射极和集电极之间通过基极控制电流的流动。
当基极电压为零时，三极管处于截止状态，没有电流流过。
当基极电压为正时，三极管开始导通，电流从发射极流向集电极。
通过控制基极电压的大小，可以精确地控制三极管的工作状态。
根据不同的结构和工作原理，三极管可以分为NPN型和PNP 型两种。
NPN型三极管是由两个P型半导体夹着一个N型半导体构成的，而PNP型三极管则是由两个N型半导体夹着一个P型半导体构成的。
两种类型的三极管在工作原理上有所不同，但它们的基本结构和功能是相似的。
在电子设备中，三极管被广泛应用于放大器和开关电路中。
在放大器中，三极管可以放大微弱的信号，使其达到足够大的幅度。
这种放大效果使得三极管在音频放大器、功率放大器和射频放大器等设备中得到了广泛应用。
在开关电路中，三极管可以控制电流的开关状态，实现开关功能。
这种开关特性使得三极管在计算机、通信设备和家用电器等领域得到了广泛应用。
除了放大和开关功能外，三极管还可以用于振荡电路。
振荡器是一种能够产生稳定的振荡信号的电路，它在无线电、通信和计算机等领域中起着重要作用。
三极管可以作为振荡器中的关键元件，通过合理设计电路参数，实现稳定的振荡信号输出。
8路三极管芯片
8路三极管芯片8路三极管芯片是一种常见的电子元件，被广泛应用于各种电子设备中。
它的主要功能是放大电流和控制电流的流动。
在这篇文章中，我们将深入探讨8路三极管芯片的工作原理、应用领域以及未来的发展趋势。
让我们来了解一下8路三极管芯片的工作原理。
三极管是一种三端口的半导体器件，它由三种不同类型的材料构成：P型半导体、N 型半导体和中间的基底。
其中，P型半导体中的多数载流子是正电荷（空穴），而N型半导体中的多数载流子是负电荷（电子）。
当一个电压施加到三极管的基极时，它会控制电流的流动，从而实现信号的放大。
8路三极管芯片之所以被称为8路，是因为它具有8个输入和8个输出端口。
这意味着它可以同时处理8个电路信号，使得电子设备能够高效地工作。
无论是在通信领域、电子音乐设备还是计算机硬件中，8路三极管芯片都扮演着重要的角色。
在通信领域，8路三极管芯片被广泛应用于无线电和电视信号的接收和放大。
它能够将微弱的信号放大到足够强度，以便顺利传输。
此外，它还可以用于手机、卫星通信和无线网络设备中，提供稳定和高质量的信号传输。
在电子音乐设备方面，8路三极管芯片可以用于声音的放大和处理。
它可以将乐器发出的微弱信号放大到足够的音量，以便观众能够听到。
同时，它还可以通过控制电流的流动来调整音色和音效，使音乐更加丰富多样。
在计算机硬件领域，8路三极管芯片可以用于处理器和内存的控制。
它能够接收和处理来自其他组件的信号，并根据需要将信号放大或减弱。
这样，计算机可以高效地工作，并且能够处理更多的数据和任务。
随着科技的不断发展，8路三极管芯片也在不断进化。
人们正在研究和开发更小、更高性能的芯片，以满足日益增长的需求。
同时，人们还在探索新的应用领域，如人工智能和量子计算等。
这些都将进一步推动8路三极管芯片的发展，使其在未来发挥更大的作用。
8路三极管芯片是一种重要的电子元件，具有放大电流和控制电流流动的功能。
它在通信、音乐设备和计算机硬件等领域发挥着重要作用，并且正在不断发展和创新。
三极管的发展与应用
三极管的发展与应用摘要三极管至从出现以来，以简单的构造，广泛的运用，为集成电路的高速发展做出了卓越的贡献。
并为计算机的诞生铺平了道路。
真空三极管的发明，不仅成为真空电子学的开端，也是电子学历史的开端，推动了人类文明的进程。
关键词:三极管，集成电路，计算机技术。
The triode to since has appeared, take the simple structure, the widespread utilization, makes as integrated circuit's high speed development the remarkable contribution，and paved the way for computer's birth.Vacuum triode's invention, not only becomes the vacuum electronics the beginning, but also electronics history beginning, promoted the human culture advancement.Key word: triode, integrated circuit, computer technology目录：诸论第一章，三极管的历史第二章，三极管的概念及主要分类第三章，三极管的工作原理1．工作原理：2．三极管的特性曲线：a．输入特性 b、输出特性3.工作特性及参数：4. 判断基极和三极管的类型第四章，三极管的应用及发展1，三极管的应用2，三极管的发展趋势结论正文诸论：三极管发明于20世纪初期，它的出现产生了第三次工业革命的契机，至从它广泛运用于社会生活以来，在计算机发明问世以来，短短半个世纪，人类文明迅速又电气时代走向自动化时代，三极管在计算机技术力的广泛运用，才又了集成技术的空前发展，计算机迅速走向社会大众，为人民的生活飞速发展产生了不可磨灭的贡献，而三极管的特性使其仍然具有广泛的发展前景，因此研究三极管的发展与应用不仅有极为重要的学术意义还有广泛的社会意义，本文将从三极管的历史以及其工作原理及应用上详细系统的论证其广阔的前景以及重要的发展意义。
三极管诞生的故事
三极管诞生的故事
三极管是现代电子技术中不可或缺的元件，而它的诞生又是一个令人感到惊奇的故事。
20世纪初期，无线电通信正处于蓬勃发展的时期。
当时，广播电台使用的是放大管，但它的体积很大，功耗高，而且寿命较短，需要经常更换。
于是，科学家们开始寻找一种更为先进的元件。
1925年，美国贝尔实验室的威廉·布拉迪和沃尔特·布鲁汉发明了三极管。
三极管由三个电极组成，可以控制电流的流动，实现信号的放大。
与放大管相比，三极管具有体积小、功率低，寿命长等优点，很快就被广泛应用于无线电通信、电视、计算机等领域。
在三极管的基础上，又诞生了场效应管、晶体管等新型元件，为现代电子技术的发展打下了坚实的基础。
而威廉·布拉迪和沃尔特·布鲁汉也因此获得了诺贝尔物理学奖，成为电子工业的创始人之一。
三极管的诞生，不仅改变了无线电通信的历史，也为人类的科技进步做出了巨大的贡献。
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光敏三极管发展历史
光敏三极管发展历史
光敏三极管，也称为光敏三极管，是种光电晶体管，其工作原理与普通晶体管类似，只是集电极采用光敏结构。
光敏三极管的发展历史可以追溯到20世纪50年代，当时它被发明并开始应用于光电检测和光通信领域。
随着科技的不断发展和进步，光敏三极管的应用范围越来越广泛。
在20世纪60年代，随着光纤技术的出现，光敏三极管在光纤通信领域得到了广泛应用。
在20世纪70年代，随着集成电路技术的发展，光敏三极管开始被集成到各种电路中，成为光电转换的重要器件之一。
进入21世纪以来，随著物联网、智能家居等领域的快速发展，光敏三极管的应用前景更加广阔。
目前，光敏三极管已经广泛应用于光电检测、光电控制、光通信、医疗仪器等领域，成为现代光电技术中的重要组成部分。
总的来说，光敏三极管的发展历史经历了从最初的简单应用到现在的高度集成化和多样化应用的过程。
未来，随若技术的不断进步和应用需求的不断增长。
光敏三极管将会在更多领域得到应用和推广。
3极管和mos管
3极管和mos管3极管和MOS管是电子行业里使用最普遍的器件类别，它们都是表示晶体管的一种类型，广泛应用于电子设备及元器件的数字和模拟电路中。
本文将重点介绍3极管和MOS管的概念、功能特性、应用领域以及发展状况。
首先，3极管是一种特殊的晶体管类型，是由三个接口（基、集、放）组成的半导体器件。
三极管可以分为NPN和PNP两种类型，区别在于放电极（放电口）的极性是不一样的。
三极管具有较高的电阻上升、放大和抑制电子信号的作用，可以用于电子电路中的放大、模拟和数字电路中。
MOS管也叫做场效应管，是一种特殊的晶体管，以及其相关的场效应及其器件。
MOS管主要由基极、集极、源极和控制极组成。
它可以更便捷地控制半导体内部的流体，可以有效地控制信号和电流，从而在电路中实现高速放大和控制。
MOS管最常见的应用有电路保护、开关和放大电路等。
三极管和MOS管都有其独特的功能特性和优势，它们的应用领域也不同。
三极管主要用于功率电路，如控制大功率设备的接口和实现电路的放大作用；MOS管主要用于控制小功率的设备，如电子驱动器、通信芯片、显示器等。
随着电子产品的创新和发展，3极管和MOS管在电子行业中的广泛应用也受到了一定程度的改进和发展。
在三极管方面，经过不断改良，它的稳定性、对电压的反应灵敏度、电路控制和抗冲击等性能都得到不断提高；而在MOS管方面，受到半导体发展的推动，它的发展从普通的MOS管向MOSFET、CMOS等方向发展，可以更有效地控制电路，提高放大性能。
总之，三极管和MOS管都是电子行业中非常重要的器件，它们的发展极大地推动了电子设备的创新和发展，也提供给其他行业了更多的应用机会。
未来，3极管和MOS管都将继续受到重视，并有望开发出更先进的产品，为电子行业带来更多的创新技术和发展。
晶体复合三极管
晶体复合三极管晶体复合三极管（Heterojunction Bipolar Transistor，简称HBT）是一种基于半导体异质结的高速、高频、低噪声、低功耗的晶体管。
相比于传统的同质结双极性晶体管（BJT），HBT具有更高的电流增益和更快的开关速度，因此在通信、雷达、微波等领域得到了广泛应用。
1. HBT的结构和工作原理HBT由两个不同材料组成的异质结构成，其中基底层为p型或n型半导体，发射层和集电层分别为n型或p型半导体。
在正常工作状态下，发射区注入大量载流子，形成一个高浓度的电子云，这些电子在异质界面处被反向偏置的集电区吸收，并形成集电电流。
同时，在异质界面处由于能带差异会形成一个势垒，使得载流子难以逆向扩散到发射区，从而实现了较高的开关速度和较低的噪声。
2. HBT与BJT的比较相比于BJT，HBT具有以下优点：（1）更高的最大工作频率：由于异质结的存在，HBT的载流子迁移速度更快，因此能够工作在更高的频率范围内。
（2）更高的电流增益：由于异质结的能带差异，HBT能够在发射区注入更多的载流子，从而实现更高的电流增益。
（3）较低的噪声：由于异质界面处形成了一个势垒，使得载流子难以逆向扩散到发射区，从而减少了噪声干扰。
（4）较低的功耗：由于HBT具有较高的电流增益和较快的开关速度，在同样性能下可以实现较低的功耗。
3. HBT在通信领域中的应用由于HBT具有高速、高频、低噪声等优点，在通信领域中得到了广泛应用。
例如：（1）射频功放：HBT可以实现较高的功率放大和调制，因此被广泛应用于射频功放中。
（2）混频器和检波器：HBT可以实现快速切换和精确控制，因此被广泛应用于混频器和检波器中。
（3）光通信：HBT可以实现高速、低噪声的光电转换，因此被广泛应用于光通信领域中。
4. HBT的未来发展随着通信技术的不断发展，对于高速、高频、低功耗的器件需求越来越大。
因此，HBT作为一种具有广阔应用前景的器件，在未来会继续得到发展和完善。
负温度系数三极管
负温度系数三极管（原创实用版）目录1.负温度系数三极管的概述2.负温度系数三极管的工作原理3.负温度系数三极管的特点与应用4.负温度系数三极管的发展前景正文一、负温度系数三极管的概述负温度系数三极管，简称 NTC（Negative Temperature Coefficient）三极管，是一种具有负温度系数特性的半导体器件。
其主要特点是在温度升高时，其导通电流会减小，而在温度降低时，其导通电流会增加。
这一特性使其在电子电路中具有广泛的应用。
二、负温度系数三极管的工作原理负温度系数三极管的工作原理主要基于半导体材料的载流子浓度与温度的关系。
在绝对零度以上的温度，半导体材料的载流子浓度随着温度的升高而增加，从而导致其导电性能增强。
而在绝对零度以下的温度，半导体材料的载流子浓度随着温度的降低而增加，导致其导电性能减弱。
因此，负温度系数三极管的导电性能随着温度的变化而变化。
三、负温度系数三极管的特点与应用1.特点（1）负温度系数特性：在温度升高时，导通电流减小；在温度降低时，导通电流增加。
（2）具有较大的工作电流范围：可以承受较大的电流。
（3）可靠性高：具有较好的稳定性和可靠性。
2.应用负温度系数三极管广泛应用于自动增益控制、温度补偿、限幅电路等领域。
（1）自动增益控制：在无线通信系统中，负温度系数三极管可用于实现自动增益控制，以适应不同的信号强度。
（2）温度补偿：在模拟电路中，负温度系数三极管可用于对温度变化引起的性能参数变化进行补偿，以保证电路的稳定性。
（3）限幅电路：在信号处理电路中，负温度系数三极管可用于实现限幅功能，以保证信号的幅度在一定范围内。
四、负温度系数三极管的发展前景随着科技的进步和电子技术的发展，负温度系数三极管在通信、计算机、家电等领域的应用将越来越广泛。
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三极管的发展与应用摘要三极管至从出现以来，以简单的构造，广泛的运用，为集成电路的高速发展做出了卓越的贡献。
并为计算机的诞生铺平了道路。
真空三极管的发明，不仅成为真空电子学的开端，也是电子学历史的开端，推动了人类文明的进程。
关键词:三极管，集成电路，计算机技术。
Thetriodetosincehasappeared,takethesimplestructure,thewidespreadutiliza tion,makesasintegratedcircuit'shighspeeddevelopmenttheremarkablecontrib ution，andpavedthewayforcomputer'sbirth.Vacuumtriode'sinvention,notonlybecomes thevacuumelectronicsthebeginning,butalsoelectronicshistorybeginning,pro motedthehumancultureadvancement.Keyword:triode,integratedcircuit,computertechnology目录：诸论第一章，三极管的历史第二章，三极管的概念及主要分类第三章，三极管的工作原理1．工作原理：2．三极管的特性曲线：a．输入特性b、输出特性3.工作特性及参数：4.判断基极和三极管的类型第四章，三极管的应用及发展1，三极管的应用2，三极管的发展趋势结论正文诸论：三极管发明于20世纪初期，它的出现产生了第三次工业革命的契机，至从它广泛运用于社会生活以来，在计算机发明问世以来，短短半个世纪，人类文明迅速又电气时代走向自动化时代，三极管在计算机技术力的广泛运用，才又了集成技术的空前发展，计算机迅速走向社会大众，为人民的生活飞速发展产生了不可磨灭的贡献，而三极管的特性使其仍然具有广泛的发展前景，因此研究三极管的发展与应用不仅有极为重要的学术意义还有广泛的社会意义，本文将从三极管的历史以及其工作原理及应用上详细系统的论证其广阔的前景以及重要的发展意义。
第一页第一章：三极管的发明历史1906年10月25日，美国科学家德·福雷斯特申请了真空三极管放大器的专利，第二天又向美国电气工程师协会提交了关于三级管放大器的论文。
他的专利于1907年1月15日被批准。
福雷斯特的真空三级管建立在前人发明的真空二极管的技术基础之上。
1904年，英国伦敦大学的弗莱明发明了真空二极管（VacuumDiodeTube）。
真空二极管只能单向导电，可以对交流电流进行整流，或者对信号进行检波，但是它不能对信号进行放大。
没有能够放大信号的器件，电子技术就无法继续发展。
为了提高真空二极管检波灵敏度，福雷斯特在玻璃管内添加了一种栅栏式的金属网，形成电子管的第三个极。
他惊讶地看到，这个“栅极”仿佛就像百叶窗，能控制阴极与屏极之间的电子流；只要栅极有微弱电流通过，就可在屏极上获得较大的电流，而且波形与栅极电流完全一致。
也就是说，在弗莱明的真空二极管中增加了一个电极，就成了能够起放大作用的新器件，他把这个新器件命名为三极管（Triode）。
图1-1真空三极管除了可以处于“放大”状态外，还可分别处于“饱和”与“截止”状态。
“饱和”即从阴极（或者叫发射极，emitter）到屏极（evelope）的电流完全导通，相当于开关开启；“截止”即从阴极到屏极没有电流流过，相当于开关关闭。
两种状态可以通过调整栅极上的电压进行控制。
因此真空三极管可以充当开关器件，其速度要比继电器快成千上万倍。
第二章：三极管概念及主要分类。
概念：半导体三极管也称双极型晶体管,晶体三极管,简称三极管,是一种电流控制电流的半导体器件.作用:把微弱信号放大成辐值较大的电信号,也用作无触点开关.第二页分类：a.按材质分:硅管、锗管b.按结构分:NPN、PNPc.按功能分:开关管、功率管、达林顿管、光敏管等.第三章：三极管的工作原理及主要参数1.工作原理：晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。
而每一种又有NPN和PNP 两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极。
当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。
在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正确，发射区的多数载流子（电子）极基区的多数载流子（控穴）很容易地截越过发射结构互相向反方各扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ie。
由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补纪念给，从而形成了基极电流Ibo根据电流连续性原理得：Ie=Ib+Ic第三页这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即：β1=Ic/Ib式中：β--称为直流放大倍数，集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为：β=△Ic/△Ib式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。
三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。
图一是NPN管的结构图，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，从图可见发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极。
当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。
在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正确，发射区的多数载流子（电子）极基区的多数载流子（控穴）很容易地截越过发射结构互相向反方各扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ie。
由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补纪念给，从而形成了基极电流Ibo根据电流连续性原理得：Ie=Ib+Ic这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即：β1=Ic/Ib式中：β--称为直流放大倍数，集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为：β=△Ic/△Ib式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。
三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。
第四页3，三极管的特性曲线a、输入特性图2（b)是三极管的输入特性曲线，它表示Ib随Ube的变化关系，其特点是：1）当Uce在0-2伏范围内，曲线位置和形状与Uce有关，但当Uce高于2伏后，曲线Uce基本无关通常输入特性由两条曲线（Ⅰ和Ⅱ）表示即可。
2）当Ube＜UbeR时，Ib≈O称（0～UbeR)的区段为“死区”当Ube＞UbeR时，Ib 随Ube增加而增加，放大时，三极管工作在较直线的区段。
3）三极管输入电阻，定义为:rbe=(△Ube/△Ib)Q点，其估算公式为：rbe=rb+(β+1)(26毫伏/Ie毫伏）rb为三极管的基区电阻，对低频小功率管，rb约为300欧。
第四页b、输出特性输出特性表示Ic随Uce的变化关系（以Ib为参数）从图2（C）所示的输出特性，可见，它分为三个区域：截止区、放大区和饱和区。
截止区当Ube＜0时，则Ib≈0，发射区没有电子注入基区，但由于分子的热运动，集电集仍有小量电流通过，即Ic=Iceo称为穿透电流，常温时Iceo约为几微安，锗管约为几十微安至几百微安，它与集电极反向电流Icbo的关系是：Iceo=(1+β)Icbo常温时硅管的Icbo小于1微安，锗管的Icbo约为10微安，对于锗管，温度每升高12℃，Icbo数值增加一倍，而对于硅管温度每升高8℃，Icbo数值增大一倍，虽然硅管的Icbo 随温度变化更剧烈，但由于锗管的Icbo值本身比硅管大，所以锗管仍然受温度影响较严重的管，放大区，当晶体三极管发射结处于正偏而集电结于反偏工作时，Ic随Ib近似作线性变化，放大区是三极管工作在放大状态的区域。
饱和区当发射结和集电结均处于正偏状态时，Ic基本上不随Ib而变化，失去了放大功能。
根据三极管发射结和集电结偏置情况，可能判别其工作状态。
综上所述，三极管的基本特点为发射区很厚，掺杂浓度最高；基区很薄，掺杂浓度最小；集电区很厚，掺杂浓度比较高。
当b极电位总是高于e极电位,c极电位总是高于b极电位时,该三极管一定处于放大状态。
3,工作特性及参数：a.特征频率fT:当f=fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作.b.工作电压/电流:用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围.c.hFE:电流放大倍数.d.VCEO:集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压.e.PCM:最大允许耗散功率.f.封装形式：指定该管的外观形状,如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在正确范围内使用。
4,判断基极和三极管的类型先假设三极管的某极为“基极”,将黑表笔接在假设基极上,再将红表笔依次接到其余两个电极上,若两次测得的电阻都大(约几K到几十K),或者都小(几百至几K),对换表笔重复上述测量,若测得两个阻值相反(都很小或都很大),则可确定假设的基极是正确的,否则另假设一极为“基极”,重复上述测试,以确定基极.当基极确定后,将黑表笔接基极,红表笔笔接基它两极若测得电阻值都很少,则该三极管为PNP,反之为NPN.判断集电极C和发射极E,以NPN为例:第五页把黑表笔接至假充的集电极C,红表笔接到假设的发射极E,并用手捏住B和C极,读出表头所示C,E电阻值,然后将红,黑表笔反接重测.若第一次电阻比第二次小,说明原假设成立.晶体体三极管的结构和类型晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。