(集成电路原理)作业习题与答案
2023年继续教育集成电路作业(八)
2023年继续教育作业(八)集成电路一、单选题（共3题，每题20分）1、按（）来份，集成电路分为双极型和单极型。
答案： D、导电类型2、光生伏特效应是由（）发现的。
答案： D、法国科学家贝克雷尔3、EMIB理念跟基于硅中介层的2.5D封装类似，是通过（）进行局部高密度互连。
答案： C、硅片4、（）是指的在材料结构、工艺品质和精度、可靠性以及稳定性等性能方面，达到了半导体设备及技术要求的零部件。
答案： B、半导体零部件5、从区域分布情况来看，我国集成电路企业（）密度最高。
答案： C、长三角二、多选题（共5题，每题8分）1、芯片核心设备主要有（）。
答案： D、芯片封测设备 E、晶圆制造设备2、韩国三星属于集成电路垂直整合制造厂，具备（）全流程能力。
答案： A、设计 B、制造 C、封装测试3、2020年国务院出台的《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》中明确提出，进一步优化集成电路产业和软件产业发展环境，深化产业国际合作，提升产业（）。
答案： A、创新能力 C、发展质量4、在加工芯片的过程中，光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的（），经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例（）后映射到硅片上，然后使用（）方法显影，得到刻在硅片上的电路图。
答案： A、掩模 B、缩小 C、化学5、就半导体工艺整体而言，（）和（）两个环节的技术壁垒极高。
答案： A、硅片制造 B、芯片制造三、判断题（共5题，每题6分）1、硬核是用硬件描述语言或软件编程语言描述的功能块。
答案：错误2、据掺杂杂质不同，我们把半导体可以分为N型半导体与P型半导体，P型半导体主要掺杂的是五价元素，如磷、砷等。
答案：错误3、集成电路产业在国民经济中的关键性和战略性作用日益凸显。
答案：正确4、整体来看，汽车芯片产业链的重点企业基本为国内企业，国外的领先企业数量不多。
答案：错误5、社会各界对维权援助机构的了解度较高。
1+X集成电路理论习题库(附参考答案)
1+X集成电路理论习题库（附参考答案）一、单选题（共39题，每题1分，共39分）1.如果焊接面上有（），不能生成两种金属材料的合金层。
A、阻隔浸润的污垢B、氧化层C、没有充分融化的焊料D、以上都是正确答案：D2.激光打字在打标前需要调整（）的位置。
A、场镜和收料架B、场镜和光具座C、显示器和收料架D、光具座和显示器正确答案：B3.进行芯片检测工艺中的编带外观检查时，其步骤正确的是（）。
A、编带固定→固定卷盘→归纳放置→检查外观→编带回料B、归纳放置→固定卷盘→检查外观→编带回料→编带固定C、固定卷盘→归纳放置→检查外观→编带回料→编带固定D、检查外观→归纳放置→固定卷盘→编带回料→编带固定正确答案：B4.引线键合前一道工序是（）。
A、第二道光检B、晶圆切割C、芯片粘接D、晶圆清洗正确答案：C答案解析：晶圆贴膜→晶圆切割→晶圆清洗→第二道光检→芯片粘接→引线键合5.下列关于平移式分选机描述错误的是（）。
A、传送带将料架上层的料盘输送至待测区料盘放置的指定区域B、料盘输送到待测区的指定位置后，吸嘴从料盘上真空吸取芯片，然后转移至“中转站”C、等待芯片传输装置移动到“中转站”接收芯片并将芯片转移至测试区D、当待测区料盘上的芯片全部转移后，需要更换料盘，继续进行上料正确答案：A6.单晶硅生长完成后，需要进行质量检验，其中四探针法可以测量单晶硅的（）参数。
A、少数载流子寿命B、电阻率C、导电类型D、直径正确答案：B7.利用全自动探针台进行扎针测试时，关于上片的步骤，下列所述正确的是（）。
A、打开盖子→花篮放置→花篮下降→花篮到位→花篮固定→合上盖子B、打开盖子→花篮放置→花篮固定→花篮下降→花篮到位→合上盖子C、打开盖子→花篮放置→花篮下降→花篮固定→花篮到位→合上盖子D、打开盖子→花篮放置→花篮到位→花篮下降→花篮固定→合上盖子正确答案：B8.晶圆检测工艺中，在进行上片之前需要进行( )操作。
A、导片B、加温、扎针调试C、扎针测试D、打点正确答案：A答案解析：晶圆检测工艺流程：导片→上片→加温、扎针调试→扎针测试→打点→烘烤→外检→真空入库。
1+X集成电路理论习题及答案
1+X集成电路理论习题及答案1、在电子产品测试中需保证测试环境稳定，其中使用环境稳定是指（）。
A、软件的工作参数稳定B、模拟真实用户使用时的场景C、使用人员操作得当D、硬件的工作参数稳定答案：B2、单晶硅锭切片后需要进行倒角，其目的是( )。
A、确定定位面B、产生精确的材料直径C、去除硅锭两端的不符合直径要求的部分D、去除硅片边缘锋利的棱角答案：D定位面研磨时为了确定硅锭的定位面。
径向研磨获得更精确的直径。
切割分段是为了去除硅锭两端的不符合直径要求的部分。
倒角是为了去除硅片边缘锋利的棱角使硅片边缘获得平滑的半径周线。
3、在使用万用表之前先应（）。
A、机械调零B、选择合适的量程C、选择合适的挡位D、表笔短接答案：A4、下列描述正确的是（）。
A、DIP和S0P封装一般为重力式分选B、PLCC和LCCC封装一般为重力式分选C、QFP和SOP封装一般为重力式分选D、BGA封装一般为重力式分选答案：A5、一般情况下，待编至( )颗时，需更换卷盘，并在完成编带的卷盘上贴上小标签，便于后期识别。
A、2000B、4000C、6000D、8000答案：B一般情况下，待编至4000颗左右时，需要更换卷盘，即一盘编带一般装有4000颗的芯片。
6、二氧化硅和碳在( )℃的环境下反应可生成粗硅。
A、100~200B、500~700C、700~900D、1600~1800答案：D因为硅—氧之间的键结很强，所以二氧化硅非常稳定，因此要用碳进行还原反应则需要很高的温度。
一般工业上将二氧化硅和碳在1600~1800℃的温度下反应，破坏硅—氧之间的键结，进而生成粗硅和一氧化碳。
7、重力式分选机进行芯片检测时，测试机对芯片测试完毕后，将检测结果通过（）把结果传回分选机。
A、串口B、GPIBC、数据线D、VGA答案：B8、下面选项中不属于激光打字的优点的是（）。
A、塑封体上易反复进行B、字迹清晰C、精度高D、不易擦除答案：A9、塑封一般采用（）为塑封料。
(整理)集成电路工艺原理作业王蔚1
集成电路制造技术作业热氧化1、解释名词：自掺杂外扩散 SOS技术 SOI技术。
答：自掺杂：是指在高温外延时，高掺杂衬底中的杂质从基片外表面扩散进入气相边界层，又从边界层扩散掺入外延层的现象。
外扩散：又称为互扩散，是指在高温外延时，衬底和外延层中的杂质互相由浓度高的一侧向浓度低的一侧扩散的现象。
SOS技术：是SOI技术的一种，是在蓝宝石或尖晶石衬底上异质外延硅获得外延材料的技术。
SOI技术：是指在绝缘衬底上异质外延硅获得外延材料的技术。
2、详述影响硅外延生长速率的因素。
答：影响外延生长速率的因素主要有外延温度、硅源种类、反应剂浓度、外延反应器结构类型、气体流速、衬底晶向等。
外延温度的影响：外延过程可分为质量传递过程和表面反应过程。
在气相质量传递过程中，随着温度升高气相边界层中的气体分子热运动加剧、气体黏度增加、气体密度降低、气相边界层增厚，综合以上效应，气相质量传递速率随温度缓慢升高有所加快。
在表面反应过程中，外延剂吸附和气态生长物的解吸过程很快，对外延生长速率影响效果不明显；外延剂化学反应和生成硅原子迁移随着温度升高而明显加快，综合几个过程的综合效果，硅表面反应过程随温度升高速率加快非常明显。
因此，外延温度升高，外延生长速率加快。
硅源种类的影响：实际测得采用不同硅源，生长速率不同。
外延生长速率由高到低对应的硅源依次为：Si H4>SiH2Cl2>SiHCl3>SiCl4。
反应剂浓度的影响：一般地，在反应剂浓度较低时，随着反应剂浓度增加，质量传递至衬底表面的外延剂就会增加，外延速度就会加快。
但是，随着浓度进一步升高，到达某一临界浓度时，衬底表面生成硅原子速率大于硅原子在衬底表面生成单晶的速度或者反应剂分解形成硅粒堆积，就会生长出多晶硅，此时外延层的生长速率由硅原子形成单晶的速率控制。
当采用含氯硅源时，如果反应剂浓度继续增加，到达某一浓度时，外延生长速率反而开始减小。
其他影响因素：外延器的结构类型、气体流速的因素对气相质量传递快慢造成影响。
半导体集成电路+习题答案
第1章 集成电路的基本制造工艺1.6 一般TTL 集成电路与集成运算放大器电路在选择外延层电阻率上有何区别?为什么? 答：集成运算放大器电路的外延层电阻率比一般TTL 集成电路的外延层电阻率高。
第2章 集成电路中的晶体管及其寄生效应复 习 思 考 题2.2 利用截锥体电阻公式，计算TTL “与非”门输出管的CS r ，其图形如图题2.2 所示。
提示：先求截锥体的高度up BL epi m c jc epi T x x T T -----=然后利用公式： b a a b WL T r c -∙=/ln 1ρ ， 212∙∙=--BL C E BL S C W L R r ba ab WL Tr c -∙=/ln 3ρ 321C C C CS r r r r ++=注意：在计算W 、L 时, 应考虑横向扩散。
2.3 伴随一个横向PNP 器件产生两个寄生的PNP 晶体管，试问当横向PNP 器件在4种可能的偏置情况下，哪一种偏置会使得寄生晶体管的影响最大?答：当横向PNP 管处于饱和状态时，会使得寄生晶体管的影响最大。
2.8 试设计一个单基极、单发射极和单集电极的输出晶体管，要求其在20mA 的电流负载下 ，OL V ≤0.4V ，请在坐标纸上放大500倍画出其版图。
给出设计条件如下：答： 解题思路⑪由0I 、α求有效发射区周长Eeff L ；⑫由设计条件画图①先画发射区引线孔；②由孔四边各距A D 画出发射区扩散孔；③由A D 先画出基区扩散孔的三边；④由B E D -画出基区引线孔；⑤由A D 画出基区扩散孔的另一边；⑥由A D 先画出外延岛的三边；⑦由C B D -画出集电极接触孔；⑧由A D 画出外延岛的另一边；⑨由I d 画出隔离槽的四周；⑩验证所画晶体管的CS r 是否满足V V O L 4.0≤的条件，若不满足，则要对所作的图进行修正，直至满足V V O L 4.0≤的条件。
（CS C O L r I V V 00ES += 及己知V V C 05.00ES =）第3章 集成电路中的无源元件复 习 思 考 题3.3 设计一个4k Ω的基区扩散电阻及其版图。
1+X集成电路理论复习题与参考答案
1+X集成电路理论复习题与参考答案1、在集成电路中，将掩膜版上的图形位置及几何尺寸转移到光刻胶上的工艺是（）。
A、薄膜制备B、光刻C、刻蚀D、金属化答案：B在集成电路中，将掩膜版上的图形位置及几何尺寸转移到光刻胶上的工艺是光刻。
2、晶圆进行扎针测试时，完成晶圆信息的输入后，需要核对（）上的信息，确保三者的信息一致。
A、MAP图、探针台界面、晶圆测试随件单B、MAP图、测试机操作界面、晶圆测试随件单C、MAP图、软件版本、晶圆测试随件单D、MAP图、软件检测程序、晶圆测试随件单答案：B3、在制备完好的单晶衬底上，沿其原来晶向，生长一层厚度、导电类型、电阻率及晶格结构都符合要求的新单晶层，该薄膜制备方法是（）。
A、外延B、热氧化C、PVDD、CVD答案：A外延是在制备完好的单晶衬底上，沿其原来晶向，生长一层厚度、导电类型、电阻率及晶格结构都符合要求的新单晶层。
4、重力式外观检查是在( )环节之前进行的。
A、编带B、测试C、分选D、真空包装答案：D重力式分选机设备芯片检测工艺流程：上料→测试→分选→编带（SOP）→外观检查→真空包装。
5、使用化学机械抛光进行粗抛时,抛光区域温度- 般控制在()A、38~50°CB、20~50°CC、20~30°CD、20~38°C答案：A一般抛光区的温度控制在38~50°C (粗抛)和20~30°C (精抛)。
6、在版图设计过程中，N-MOS管的源极接（），漏极接（），P-MOS管的源极接（），漏极接（）。
A、地、高电位、电源、低电位B、地、高电位、GND、高电位C、地、高电位、GND、低电位D、电源、高电位、GND、低电位答案：C7、若遇到需要编带的芯片，在测试完成后的操作是( )。
A、测试B、上料C、编带D、外观检查答案：C转塔式分选机的操作步骤一般为：上料→测试→编带→外观检查→真空包装。
8、使用测编一体的转塔式分选设备进行芯片测试时，如果遇到需要编带的芯片，在测试完成后的操作是（）。
1+X集成电路理论试题库(附参考答案)
1+X集成电路理论试题库（附参考答案）一、单选题（共40题，每题1分，共40分）1、若想取下蓝膜上的晶圆或晶粒，需要照射适量（），能降低蓝膜的黏着力。
A、红外线B、太阳光C、蓝色光源D、紫外线正确答案：D答案解析：对需要重新贴膜或加工结束后的晶圆，需要从蓝膜上取下，此时只需照射适量紫外线，就能瞬间降低蓝膜黏着力，轻松取下晶圆或晶粒。
2、一般情况下，待编至( )颗时，需更换卷盘，并在完成编带的卷盘上贴上小标签，便于后期识别。
A、2000B、4000C、6000D、8000正确答案：B答案解析：一般情况下，待编至4000颗左右时，需要更换卷盘，即一盘编带一般装有4000颗的芯片。
3、晶圆检测工艺中，6英寸的晶圆进行晶圆墨点烘烤时，烘烤时长一般为（）分钟。
A、20B、1C、10D、5正确答案：D4、用编带机进行编带前预留空载带的原因是( )。
A、比较美观B、防止芯片散落C、确认编带机正常运行D、节省人工检查时间正确答案：B答案解析：空余载带预留设置是为了防止卷盘上编带的两端在操作过程中可能会出现封口分离的情况，导致端口的芯片散落。
5、使用化学机械抛光进行粗抛时,抛光区域温度- 般控制在()A、38~50°CB、20~50°CC、20~30°CD、20~38°C正确答案：A答案解析：一般抛光区的温度控制在38~50°C (粗抛)和20~30°C (精抛)。
6、用比色法进行氧化层厚度的检测时，看到的色彩是（）色彩。
A、反射B、干涉C、衍射D、二氧化硅膜本身的正确答案：B答案解析：硅片表面生成的二氧化硅本身是无色透明的膜，当有白光照射时，二氧化硅表面与硅-二氧化硅界面的反射光相干涉生成干涉色彩。
不同的氧化层厚度的干涉色彩不同，因此可以利用干涉色彩来估计氧化层的厚度。
7、芯片检测工艺中，进行管装包装时，将真空包装的编带盘放入内盒、合上盖子后，需要在内盒的封口边（）处贴上“合格”标签。
集成电路工艺原理（考试题目与答案_广工版）
集成电路工艺原理（考试题目与答案_广工版）1、将硅单晶棒制成硅片的过程包括哪些工艺？答：包括：切断、滚磨、定晶向、切片、倒角、研磨、腐蚀、抛光、清洗、检验。
2、切片可决定晶片的哪四个参数/答：切片决定了硅片的四个重要参数：晶向、厚度、斜度、翘度和平行度。
3、硅单晶研磨清洗的重要性。
答：硅片清洗的重要性：硅片表面层原子因垂直切片方向的化学键被破坏成为悬挂键，形成表面附近的自由力场，极易吸附各种杂质，如颗粒、有机杂质、无机杂质、金属离子等，造成磨片后的硅片易发生变花发蓝发黑等现象，导致低击穿、管道击穿、光刻产生针孔，金属离子和原子易造成pn结软击穿，漏电流增加，严重影响器件性能与成品率45、什么是低K材料？答：低K材料：介电常数比SiO2低的介质材料46、与Al 布线相比，Cu 布线有何优点？答：铜作为互连材料，其抗电迁移性能比铝好，电阻率低，可以减小引线的宽度和厚度，从而减小分布电容。
4、硅片表面吸附杂质的存在状态有哪些？清洗顺序？答：被吸附杂质的存在状态：分子型、离子型、原子型清洗顺序：去分子－去离子－去原子－去离子水冲洗－烘干、甩干5、硅片研磨及清洗后为什么要进行化学腐蚀，腐蚀的方法有哪些？答：工序目的：去除表面因加工应力而形成的损伤层及污染腐蚀方式：喷淋及浸泡6、CMP（CMP-chemical mechanical polishing）包括哪些过程？答：包括：边缘抛光：分散应力，减少微裂纹，降低位错排与滑移线，降低因碰撞而产生碎片的机会。
表面抛光：粗抛光，细抛光，精抛光7、SiO2按结构特点分为哪些类型？热氧化生长的SiO2属于哪一类？答：二氧化硅按结构特点可将其分为结晶形跟非结晶形，热氧化生长的SiO2为非结晶态。
8、何谓掺杂？答：在一种材料(基质)中，掺入少量其他元素或化合物，以使材料(基质)产生特定的电学、磁学和光学性能，从而具有实际应用价值或特定用途的过程称为掺杂。
9、何谓桥键氧，非桥键氧？它们对SiO2密度有何影响？答：连接两个Si—O四面体的氧原子称桥联氧原子，只与一个四面体连接的氧原子称非桥联氧原子。
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P-well
♣ 淀积氮化硅 光刻有源区 场区氧化 去除有源区氮化硅及二氧化硅
27
deposited nitride layer
2020/11/9
有源区
有源区光刻板 N型P型MOS制作区域
(漏-栅-源)
28
1） 淀积氮化硅：
P-well
氧化膜生长（湿法氧化）
2） 光刻有源区：
P-well
npn C(n)
n+-BL
P-Si
S(p)
衬底接最低电位
隐埋层作用：1. 减小寄生pnp管的影响 2. 减小集电极串联电阻
2020/11/9
10
2. 在制作晶体管的时候，衬底材料电阻率的选取对器件
有何影响？
E
B
C
S
电阻率过大将增大集电极串联电阻，扩大饱和压降，
若过小耐压低，结电容增大，且外延时下推大。
N+
As掺杂（离子注入）
2020/11/9
去胶
N+
去除氧化膜
15
外延层
2020/11/9
E
B
C
S
P+
n+
p
n-epi
n+-BL
n+
P+
Tepi
P-Si P-Si
16
II. 第二次光刻----P隔离扩散孔光刻
EB
C
S
P+
n+
p
n+
P+
n-epi
n+-BL
Tepi
P-Si P-Si
2020/11/9
5
4. 按电路功能或信号类型分，半导体集成电路分为哪几类？
1
0
输入与输出量均为二 进制的数字，不是高 电平，既是低电平， 在数字电路中表现为
“0”，“1”。
数模混合 集成电路
输入与输出量为连续变 化的模拟量
数字集成电路
模拟集成电路
2020/11/9
6
5. 什么是特征尺寸？它对集成电路工艺有何影响？ 集成电路中半导体器件的最小尺寸如MOSFET的最小
P+
n+
n+
P+
p
n-epi
n+-BL
TTL电路：0.2Ω.cm；模拟电路：0.5～5Ω.cm
P-Si
为了减小结电容，击穿电压高，外延层下推小，电阻率应取大； 为了减小集电极串联电阻，饱和压降小，电阻率应取小。
2020/11/9
11
3. 简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤？ I. 第一次光刻----N+隐埋层扩散孔光刻
2020/11/9
涂胶
P-well
氮化膜生长
有源区光刻板
P-well
对版曝光
29
P-well
显影
3） 场区氧化：
P-well
场区氧化（湿法氧化）
2020/11/9
P-well 氮化硅刻蚀去胶
P-well 去除氮化硅薄膜及有源区SiO2
30
掩膜3： 光刻多晶硅
P-well
P+
P+
N-Si
2020/11/9
成电路的正常工作产生什么影响？如何防止MOS集成 电路产生寄生沟道？ 11.为什么说Latch-Up(锁定/闩锁)效应是CMOS IC存在的 一种特殊的寄生效应？画出其等效电路图，说明消除 “Latch-up”效应的方法？ 12.如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应？
2020/11/9
种？
2020/11/9
47
7. SBD（Schottky-Barrier-Diode) 与pn结二极管相比较， 有何特点？SBD在TTL电路中有何作用？
8. 教材p.43， 图2.25示出肖特基箝位晶体管（SCT Schottky clamp transistor），说明其工作原理。
9. MOS集成电路中有哪些有源寄生效应？ 10.画图说明MOS IC寄生沟道的形成原因。它对MOS集
2020/11/9
7
第1章 集成电路的基本制造工艺
1. 四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用？ 2. 在制作晶体管的时候，衬底材料电阻率的选取对器件
有何影响？ 3. 简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤？ 4. 简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤？ 5. 以P阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足？ 6. 以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点？
P-well
P+
P+
N-Si
N+
N+
P-well
2020/11/9
1、P+区光刻 2、离子注入B+，栅区有多晶硅做
掩蔽，称为硅栅自对准工艺。 3、去胶
33
P+
P-well
硼离子注入
P+
P+
P-well
去胶
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34
掩膜5 ：N+区光刻
P-well
P+ P+
N+ N+
P-well
P+
P+
N-Si
N+
N+
P-well
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1、N+区光刻 2、离子注入P+，栅区有多晶硅做掩
蔽，称为硅栅自对准工艺。 3、去胶
35
N+
P+
P+
P-well
磷离子注入
P+
P+
N+
N+
P-well
去胶
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36
掩膜6 ：光刻接触孔
P-well
P+
P+
N-Si
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N+
N+
2020/11/9
4
3. 按照器件类型分，半导体集成电路分为哪几类？
电流I
参与导电的载流子 既有空穴又有电子，
称为双级型
Bipolar Junction Transistor
BJT型
Bi-CMOS
电流I
参与导电的载流 子只有空穴或电 子，称为单级型
MOS Transistor
MOS型
2020/11/9
5. 什么是特征尺寸？它对集成电路工艺有何影响？ 6. 名词解释：集成度、wafer size、die size、摩尔定律？
2020/11/9
2
1. 什么叫半导体集成电路？
通过一系列的加工工艺，将晶体管，二极管等有源器件 和电阻，电容等无源元件，按一定电路互连。集成在一块 半导体基片上。封装在一个外壳内，执行特定的电路或系 统功能。
2020/11/9
44
A
A’
P+
2020/11/9
E
B
E
B
n+
p
n+-BL
C
S
C
S
n+
P+
n-epi
P-Si
P+隔离扩散 P基区扩散
N+扩散 接触孔
铝线 隐埋层
45
8. 请画出CMOS反相器的 版图，并标注各层掺杂类 型和输入输出端子。
2020/11/9
46
第2章 集成电路中的晶体管及其寄生效应
40
5. 以P阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足？
NPN晶体管电流增益小；
集电极的串联电阻很大;
NPN管C极只能接固定电位，从而限制了NPN管的使用。
2020/11/9
41
6. 以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点？
并请提出改进方法。
PMOS
P+ P+ N阱
NMOS N+ N+ P- SUB
22
4. 简述硅栅P阱CMOS的光刻步骤？ 掩膜1： P阱光刻
P-well
P-wபைடு நூலகம்ll
P-well
N-Si-衬底
N+ P+
P+
N+
N+ P+
P
N-Si
2020/11/9
23
具体步骤如下： 1）生长二氧化硅（湿法氧化）：
SiO2
Si-衬底
Si(固体)+ 2H2O SiO2（固体）+2H2
2020/11/9
P-well
磷硅玻璃（PSG)
P+ P+
N+ N+
P-well
1、淀积PSG. 2、光刻接触孔 3、刻蚀接触孔
37
P+ P+
N+ N+
P-well
淀积PSG
P+ P+
N+ N+
P-well
刻蚀接触孔
2020/11/9
P+ P+
N+ N+
P-well
光刻接触孔
P+ P+
N+ N+
P-well
去胶
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1. 为什么集成双极型晶体管会存在寄生效应？画出截面 图并说明何谓有源寄生效应。
2. 画出集成双极型晶体管截面图说明何谓无源寄生效应。 3. 如何抑制集成双极型晶体管的有源寄生效应和无源寄
生效应？ 4. 如图所示横向pnp管、纵向pnp管的剖面图。试说明它
们的结构与特点。 5. 说明提高衬底pnp管电流增益的主要措施。 6. 双极IC中的集成二极管有几种形式？最常用的是哪几