中国科学院微电子研究所

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国内院校微电子专业简介

国内院校微电子专业简介

国内院校微电子专业简介中国科学院微电子所中国科学院微电子所成立于1986年,由原中国科学院109集成电路制造厂和半导体所微电子学部合并而成,2003年9月正式更名为中国科学院微电子研究所,是一所专业从事微电子领域研究与开发的国立研究机构,是中国科学院微电子技术总体和中国科学院EDA中心的依托单位。

下设4个研究室和两个制造部。

设有博士和硕士学位授予点和博士后流动站.主要研究方向:1. 硅器件及集成技术;⒉微细加工与新型纳米器件集成;3. 微波电路与化合物半导体器件;4.集成电路设计与系统应用(包括专用集成电路与系统、通讯与多媒体系统芯片、集成电路设计与应用开发)。

本专业一级学科为电子科学与技术。

作为一门交叉与综合性学科,跨专业学习具有极大的发展前景与潜力,因此微电子所欢迎并鼓励通讯与通信工程类、计算机类、自动化类、软件类、光电技术、物理与应用物理学、材料学等相关专业的同学报考。

博士学位授予权的专业微电子学与固体电子学(080903)□硅器件及集成技术①英语②半导体物理③半导体器件□微细加工与新型纳米器件集成①英语②半导体物理或固体物理③半导体器件或电子线路□微波电路与化合物半导体器件①英语②半导体物理③半导体器件或电子线路□集成电路设计与系统应用(专用集成电路与系统、通讯与多媒体系统芯片、集成电路设计与应用开发)①英语②模拟集成电路③数字集成电路或信号与系统或通信原理或电子线路中国科学院半导体研究所中国科学院半导体研究所成立于1960年,建有材料和器件大楼、基础理论和理化楼、电子楼、超净楼、离子楼及专业图书馆等。

本所现有研究员69人,包括9位中国科学院院士和中国工程院院士。

本所是国务院首批批准的博士和硕士学位授予权的单位和博士后流动站建站单位,现有4个博士学位授权点,5个硕士学位授权点,3个博士后流动站,博士生导师55名,硕士生导师53名。

本所是从事半导体物理、材料、器件、电路及其应用研究的综合性研究所。

中国科学院微电子研究所

中国科学院微电子研究所
该研究室综合利用本所微电子工艺优势和多年的设备研制经验进行微电子成套设备技术研究,以实现微电子设备国产化。主要的科研方向为:适用于32-22纳米技术代新原理装备研究、极大规模集成电路装备及工艺研究、利用微细加工和集成技术研究创新型原理装备、常压等离子体技术、微纳加工技术标准化研究。
微电子设备技术研究室招聘信息
/zkyzpzq/news.asp?id=1093
有意应聘者请填写《中国科学院微电子研究所岗位申请表》,或直接发送邮箱Email:hr@务必注明应聘的部门及岗位名称。
(四)、微波器件与集成电路研究室
该研究室是国内最早开展化合物半导体器件和电路研究的单位之一,目前的主要研究方向包括:GaAs基和InP基微波毫米波半导体器件和电路研制、微波大功率GaN基器件和电路研究、微波单片集成电路设计和测试技术、超高频数模混合电路研究、微波混合电路和模块、光电器件与高密度集成技术。研究室下设"4英寸化合物半导体工艺线"、"微波单片集成电路(MMIC)设计和测试"、"微波模块研究"、"光电模块研究"四个科研平台。
射频集成电路研究室招聘信息
/zkyzpzq/news.asp?id=1093
有意应聘者请填写《中国科学院微电子研究所岗位申请表》,或直接发送邮箱Email:hr@务必注明应聘的部zq/news.asp?id=1093
有意应聘者请填写《中国科学院微电子研究所岗位申请表》,或直接发送邮箱Email:hr@务必注明应聘的部门及岗位名称。
(十一)、射频集成电路研究室
(一)、硅器件与集成技术研究室
该研究室面向半导体硅基器件及集成电路研究,以超大规模集成电路设计技术和产品研制为主。目前致力于SOI集成电路、功率器件的设计、产品研制、测试及可靠性等技术研究。

中科院微电子所介绍

中科院微电子所介绍

招生简介中国科学院微电子研究所是一所专业从事微电子领域研究与开发的国立研究机构,是中国科学院微电子技术总体和中国科学院EDA中心的依托单位。

微电子所本着“惟精惟一、求是求新”的办所精神,面向国家战略需求,积极承担重点科技攻关与产品开发任务,一方面拓展前沿技术与基础研究领域,发展交叉学科方向;同时通过全方位合作积极推进成果的应用开发和产业化,推动产业发展。

微电子所致力于打造现代化的高技术研究机构,成为我国IC技术和产业领域一个技术创新基地和高素质高层次人才培养基地,为促进国家微电子技术进步和自主创新,实现产业的可持续发展做出贡献。

微电子研究所是国务院学位委员会批准的博士、硕士学位授予单位,2004年批准建立博士后流动站。

现有职工622人,其中中国科学院院士2人,高级研究人员91人,上岗研究生导师74名(其中博士生导师34名),在读研究生近300多人。

主要研究方向:1.硅器件及集成技术;⒉微细加工与新型纳米器件集成;3.微波电路与化合物半导体器件;4.集成电路设计与系统应用(包括专用集成电路与系统、通信与多媒体片上系统芯片、集成电路设计与应用开发、电子封装)。

本专业一级学科为电子科学与技术。

作为一门交叉与综合性学科,跨专业学习具有极大的发展前景与潜力,因此微电子所欢迎并鼓励微电子专业及通讯与通信工程类、计算机类、自动化类、软件类、光电技术、物理与应用物理学、材料学等相关专业的同学报考。

除招收普研(学术型)外,我所还计划在电子与通信工程(代码:430109)和集成电路工程(代码:430110)两个领域招收全日制专业学位研究生。

我所2011年度研究生招生仍为国家计划内公费。

专业代码: 080903专业名称:微电子学与固体电子学学科专业研究方向与导师w 硅器件及集成技术该方向为一室、九室、十室研究方向,主要从事CMOS及SOI CMOS器件与集成电路、功率器件与集成电路、高可靠性器件与集成电路、微系统及集成技术研究等的研究、设计、制造及测试。

中科院微电子所硕博连读培养方式

中科院微电子所硕博连读培养方式

中国科学院微电子研究所硕-博连读研究生培养方案2009-10-12 | 编辑: | 【大中小】【打印】【关闭】为加强我所攻读硕士学位研究生的培养工作,进一步提高硕士生的培养质量,根据国家和中国科学院的相关文件的精神,并根据我所的具体情况,特制定攻读硕士学位研究生的培养方案如下:培养目标我所攻读硕士学位研究生的培养目标是:进一步学习、掌握马克思主义的基本原理,树立为社会主义现代化建设事业服务的理想。

在攻读学科上掌握坚实的基础理论和系统的专门知识;掌握一门外国语(英语);具有从事科学研究工作或独立担负专门技术工作的能力。

具有健康的体格。

学习年限硕士学位研究生的学习年限一般为三年,学位课程学习时间为一年,从事学位论文相关的科学研究和撰写论文为二年至三年。

正常情况下,如不能按时毕业者,若完成学习任务,论文答辩未通过,作结业处理。

确实由客观因素未能按时完成学习任务,必须由导师提出申请,经研究生部核准,可延长半年至一年,延长学习的时间不计算学制。

在职硕士学位研究生的学习年限3年半,论文工作必须结合本职工作。

硕士学位研究生一般不得提前毕业。

培养方式政治理论学习与经常性政治、思想、纪律和理想教育相结合。

对硕士生除开设必修的政治理论课外,还应加强形势、政策、理想、法纪、道德品质和爱国主义教育。

同时,在完成学习任务的前提下,积极开展社会主义公益和社会实践活动。

贯彻学位课程和论文工作并重的原则。

硕士生既要系统地学习理论,也要接受独立从事科学研究的实践锻炼。

贯彻指导教师负责带教和指导教师小组集体培养相结合的原则。

导师应该从政治思想和业务学习两方面关心和教育硕士生。

指导教师根据本专业培养方案规定的原则和要求,结合研究方向,制定硕士生的培养计划,对学位课程和论文作出具体安排。

硕士生应在导师指导下制定本人学习计划,选修课程必须征得导师或学科点学术秘书的同意;完成学位课程学习计划后,必须在一学期内完成调研工作并转入论文正式工作。

黄令仪个人事迹简介和感人故事

黄令仪个人事迹简介和感人故事

黄令仪个人事迹简介和感人故事黄令仪个人事迹简介和感人故事篇1中国科学院微电子研究所4月20日发布讣告,中国科学院微电子研究所退休干部黄令仪同志因病抢救无效,于2023年4月20日5时在北京大学第三医院去世,享年86岁。

黄令仪生平如下:1936年,黄令仪出生在广西南宁,祖籍广西桂林全州县两河镇鲁水村,毕业于华中工学院(今华中科技大学),并被推荐到了清华大学半导体专业学习。

1960年,黄令仪学成返校,在母校创办半导体专业和实验室。

1962年10月,黄令仪按应届毕业生分配到了中科院计算所二室101组(固体电路组)工作。

1989年,黄令仪被公派至美国一家公司进行合作。

1990年,黄令仪回国后潜心钻研各种集成电路的设计方法,从建立版图库、时序库开始,到寄生参数对性能的影响,时钟树的生成、全局规划,时序驱动布线等等,全定制、标准单元、宏单元的设计方法都研究过,用户包括华为的程序控制芯片,计算所的模糊控制芯片等。

2002年,66岁的黄令仪加入龙芯,一晃十五载,从1B、1C到3A、3B,再到GS464E。

在黄令仪和同行的芯片人的不懈努力下,“龙芯3号”等一大批国产高性能芯片应运而生,复兴号高铁实现了百分之百的国产化,歼20等先进军事装备配套了相控阵雷达。

黄令仪曾荣获2023年CCF夏培肃奖。

(IT之家注:本奖项旨在促进女性计算机工作者在学术、工程、教育及产业领域的成长)获奖理由是:“黄令仪研究员在长达半个多世纪的时间里,一直在研发一线,参与了从分立器件、大规模集成电路,到通用龙芯CPU芯片的研发过程,为我国计算机核心器件的发展做出了突出贡献”。

黄令仪个人事迹简介和感人故事篇2为打破美国芯片垄断,86岁的她仍奋战一线。

而现在,她终于可以好好休息了,她就是我们中国“芯片之母”黄令仪。

4月20日,中国科学院微电子研究所发布了一则讣告。

中国科学院微电子研究所退休干部中共党员黄令仪同志因病抢救无效,于2023年4月20日5:00在北京大学第三医院去世,享年86岁。

加强协作,促进创新快出成果——北京自动测试技术研究所与中国科学院微电子研究所共同成立的“北京集成

加强协作,促进创新快出成果——北京自动测试技术研究所与中国科学院微电子研究所共同成立的“北京集成

开发商的增长 ,应该把他们看作我们产业联盟的重
要 成员 , 只有 芯 片开 发 商 、 值开 发 商 、 用 开发 商 增 应
都得 到 发展 和壮 大 ,才 可 能带来 市场 的繁 荣和应 用 的繁荣 。
为了实现 我 同经济 的持续 健康 发展 ,需 要加 快 产业 结构 调整 , 变 经 济发 展 方式 。 当前集 成 电路 转
北 京 市 科 学 技 术 研 究 院 院 长 丁 辉 和 中 国科 学 院 北 京 分 院 党 组 副 书 记 杨 建 国 为 北 京 集 成 电路 测 试 技 术 联 合 实 验 室 揭 牌
和 中 国科 学 院微 电子 研究 所 微 电
子设 备 技术 研究 室 主任 夏洋 研究 员共 同担任 。北 京 集 成 电路联 合实 验 室 的启 动 ,将 为我 国集成 电路 测
试 技术 研 发进一 步 增加 助推 力 。
护并 发展 自主知识 产 权 ,建 立高 效 的研
务平 台 , 为北 京地 区集成 电路 产 业提 供专
次、 一站 式 的测试 服 务 。
20 初 , 0 9年 北京 自动 测试 技 术 研究 所 与 中国科 学 院微 电子研究 所 签订 了战 略合作 协议 ,双方 决定 共 同组 建 “ 京 集 成 电 路 测 试 服 务 产 业 联 盟 ”和 北 “ 京 集成 电路 测试 技 术联 合实 验 室”, 以此 为依 北 并 托, 整合 北 京 市 、 中科 院系 统 的集 成 电路 测 试 资 源 , 共 同承接 国家 重大 科技 项 目专 项 , 发 功率 器件 、 研 霍 尔 电路和 数模 混合 信 号集 成 电路测 试 系统 ,研 发 汽 车 电子 、 阳能 、 能 功率 器 件 及 模 块 测试 技 术 , 太 风 保

中国科学院大学保研—中科院微电子研究所保研推荐免试公告

中国科学院大学保研—中科院微电子研究所保研推荐免试公告

中国科学院大学保研—中科院微电子研究所保研推荐免试公告被免试推荐为硕士研究生的优秀应届本科毕业生(以下简称推荐免试生)是我所优秀生源的重要组成部分。

做好接收推荐免试生工作,是有效提高生源质量的重要措施之一,直接影响我所招生质量和招生工作的声誉,也直接关系到广大考生的切身利益,关系到我所研究生招生工作的可持续快速发展。

我所接收高等学校具有推荐免试资格的优秀应届本科毕业生免试攻读硕士学位研究生,包括学术型硕士和全日制专业学位硕士,部分推免生还可申请直接攻读博士学位(直博生)。

为保证我所接收推荐免试生的质量,规范操作程序,根据教育部和中国科学院大学有关文件精神,特发布公告如下:第一部分接收原则和组织领导1.我所招生专业目录中公布的各专业均可接收推荐免试生。

2.接收推荐免试生应遵循公平公正、全面衡量、保证质量、择优录取、宁缺毋滥的原则。

3.我所接收推荐免试生的各专业,均应保留一定的名额用于招收参加统一考试的考生。

4.接收推荐免试生工作由我所招生领导小组负责,研究生部组织实施。

中科院微电子研究所保研第二部分申请条件凡获得推荐免试资格的应届本科毕业生均可申请免试攻读硕士学位。

申请者应具备如下条件:1.有为科学事业献身的精神,有较好的科研潜力,道德品质良好,遵纪守法。

2.学生所在学校必须是教育部规定的具有当年免试生推荐资格的高校。

3.学生应获得其所在高校推荐免试资格,占用母校推荐免试生名额。

4.申请人在大学本科阶段学习成绩优异,在学期间无重修科目或补考记录,在校期间没有受过纪律处分。

5.须通过大学英语四级以上(包括四级)考试,具有较强的外语听、说、读、写应用能力。

6.具有较强的调查研究、综合分析问题、解决问题能力。

7.身体健康状况符合规定的体检标准,心理健康状况良好。

中科院微电子研究所保研第三部分申请材料推荐免试申请者应提交如下材料:(一)必须提供材料1.《中国科学院研究生院申请推荐免试生信息表》〔登陆/上<推免申请>栏,填写完《个人信息填报表》即可打印出《中国科学院研究生院申请推荐免试生信息表》〕;2.省(自治区、直辖市)高等学校招生委员会办公室盖章的《全国推荐免试攻读硕士学位研究生登记表》(录取后向所在学校领取,10月17日前交招生单位)。

中国科学院微电子研究所硕士研究生培养方案(讨论稿)

中国科学院微电子研究所硕士研究生培养方案(讨论稿)

中国科学院微电子研究所硕士研究生培养方案(讨论稿)为适应创新型国家建设和社会发展对高层次人才的新要求,保证研究生培养质量,遵照《中国科学院研究生院关于修订研究生培养方案的指导意见》,结合本所实际制定本方案。

一、培养目标微电子学与固体电子学学科是电子科学与技术一级学科下属的二级学科。

微电子研究所是一所专门从事微电子领域研究与开发的国立研究机构,面向国家在微电子领域的战略需求,加强关键技术创新与集成,承担重点科技攻关与产品开发;面向产业发展需求,建设开放平台,通过全方位合作积极推进成果的应用开发和产业化;拓展前沿技术与基础研究领域,发展交叉学科方向,成为我国IC技术和产业领域一个技术创新基地和高素质高层次人才培养基地,为促进国家微电子技术进步和自主创新,实现产业的可持续发展作出贡献。

具体要求如下:1.掌握马克思主义基本理论、树立科学的世界观,坚持党的基本路线,热爱祖国;遵纪守法,品行端正;诚实守信,学风严谨,团结协作,具有良好的科研道德和敬业精神。

2.掌握坚实的“电子科学与技术”一级学科较宽厚的理论基础, 具有“微电子学与固体电子学”二级学科系统的专业知识, 能熟练运用计算机, 掌握相应的实验技术, 掌握一门外国语,具有从事科学研究工作或独立承担专门技术工作的能力。

3.硕士研究生能够熟练运用英语阅读本领域有关文献资料,并能撰写论文摘要,具有良好的英语听说能力。

4.具有健康的体质与良好的心理素质。

二、学科专业及研究方向本所在微电子学与固体电子学学科专业培养硕士研究生,该学科专业及研究方向设置如下:学科专业 研究方向1、硅器件及集成技术2、微细加工与新型纳米器件集成微电子学与固体电子学3、微波电路与化合物半导体器件4、集成电路设计与系统应用三、培养方式及学习年限硕士研究生培养采取“两段式”的培养模式,包括课程学习和科研实践两个阶段;实行导师或导师小组负责制。

导师或导师小组负责指导研究生科研工作,关心研究生政治思想品德,并在严谨治学、科研道德和团结协作等方面对研究生严格要求,配合、协助研究生教育管理部门做好研究生的各项管理工作。

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招生简介中国科学院微电子研究所是一所专业从事微电子领域研究与开发的国立研究机构,是中国科学院微电子技术总体和中国科学院EDA中心的依托单位。

微电子所本着“惟精惟一、求是求新”的办所精神,面向国家战略需求,积极承担重点科技攻关与产品开发任务,一方面拓展前沿技术与基础研究领域,发展交叉学科方向;同时通过全方位合作积极推进成果的应用开发和产业化,推动产业发展。

微电子所致力于打造现代化的高技术研究机构,成为我国IC技术和产业领域一个技术创新基地和高素质高层次人才培养基地,为促进国家微电子技术进步和自主创新,实现产业的可持续发展做出贡献。

微电子研究所是国务院学位委员会批准的博士、硕士学位授予单位,2004年批准建立博士后流动站。

现有职工876人,其中中国科学院院士2人,高级研究人员99人,上岗研究生导师81名(其中博士生导师34名),在读研究生近300多人。

主要研究方向:1.硅器件及集成技术;⒉微细加工与新型纳米器件集成;3.微波电路与化合物半导体器件;4.集成电路设计与系统应用(包括专用集成电路与系统、通信与多媒体片上系统芯片、集成电路设计与应用开发);5.微电子、光电子、微机械及新能源制造工艺及装备;6.先进电子封装。

专业学科名称为微电子学与固体电子学。

本专业一级学科为电子科学与技术,作为一门交叉与综合性学科,跨专业学习具有极大的发展前景与潜力,因此微电子所欢迎并鼓励微电子专业及通讯与通信工程类、计算机类、自动化类、软件类、光电技术、物理与应用物理学、材料学等相关专业的同学报考。

除招收普研(学术型)外,我所还计划在电子与通信工程(代码:085208)和集成电路工程(代码:085209)两个领域招收全日制专业学位研究生。

我所2012年度研究生招生仍为国家计划内公费。

专业代码: 080903专业名称:微电子学与固体电子学学科专业研究方向与导师硅器件及集成技术该方向为一室、十室研究方向,一室主要从事CMOS及SOI CMOS器件与集成电路、功率器件与集成电路、高可靠性器件与集成电路、微系统及集成技术研究等的研究、设计、制造及测试。

十室(集成电路先导工艺研发中心)主要从事先导CMOS工艺技术研究、新型MEMS传感器、CMOS MEMS集成技术研究以及传感器读出电路研究,主要研究方向有CMOS新结构器件与模型、先导CMOS工艺整合与集成技术、高K金属栅技术、超浅结低阻源漏技术、高迁移率沟道工程技术、新型互连技术、TSV 3D集成技术、新型MEMS传感器、CMOS MEMS集成技术、MEMS集成微镜技术、MEMS芯片级真空封装技术、MEMS器件建模、数模混合电路设计技术、微弱信号处理电路设计技术、多传感器数据融合技术的研究等。

这两个研究室一直致力于硅基器件与集成电路主流工艺技术的研究, 曾先后完成“VDMOS功率器件”、“0.8微米CMOS工艺”、“亚微米SOI CMOS 电路的研究”、“0.35微米CMOS集成电路关键技术”、“0.1微米级CMOS FET”等国家重点攻关项目的研究,具有很强的硅器件、电路与工艺技术研发能力,并在诸多技术方面一直保持着国内领先地位。

导师简介叶甜春男1965年出生研究员博士生导师所长韩郑生男1962年出生研究员博士生导师杜寰男1963年出生研究员硕士生导师欧毅男1975年出生副研究员硕士生导师罗家俊男1973年出生研究员硕士生导师孙宝刚男1969年出生副研究员硕士生导师李多力男1977年出生副研究员硕士生导师朱阳军男1980年出生副研究员硕士生导师陈大鹏男1968年出生研究员博士生导师王文武男1973年出生研究员博士生导师朱慧珑男1958年出生研究员博士生导师骆志炯男1972年出生研究员博士生导师尹海洲男1974年出生研究员博士生导师钟汇才男1973年出生研究员博士生导师梁擎擎男1977年出生研究员博士生导师闫江男1960年出生研究员博士生导师欧文男1969年出生研究员硕士生导师王玮冰男1977年出生副研究员硕士生导师杨清华男1976年出生副研究员硕士生导师殷华湘男1974年出生研究员硕士生导师♦微细加工与新型纳米器件集成该研究方向为三室的研究方向,主要从事纳米微细加工技术(包括光学光刻掩模及分辨率增强、电子束光刻、下一代光刻及掩模、亚90nm加工工艺等)、纳米器件及集成(包括纳米电子器件模型、硅基和化合物基半导体纳米器件、基于量子效应的纳米器件及其集成、基于新材料新原理的纳米器件如分子电子器件及其集成等)、新型MEMS器件及集成(包括新型传感器及集成、新结构MEMS加工与集成技术等)三个方向的研究。

三室是国内最早开展亚微米微细加工技术的研究室,在纳米微细加工技术方面一直保持着国内领先的地位和自主创新的特色。

导师简介马俊如男研究员博士生导师研究所顾问叶甜春男1965年出生研究员博士生导师所长刘明女1964年出生研究员博士生导师谢常青男1971年出生研究员博士生导师李冬梅女1965年出生研究员硕士生导师龙世兵男1977年出生副研究员硕士生导师张满红男1969年出生研究员硕士生导师霍宗亮男1975年出生研究员硕士生导师张岩男1972年出生教授博士生导师(外聘)♦微波电路与化合物半导体器件该方向为四室和六室、十一室的研究方向。

主要从事化合物半导体(GaN、GaAs、InP 等)新型器件研究与开发、微波单片集成电路(MMIC)设计与开发、小型微波电路模块与系统设计开发。

拥有一条配套的4英寸化合物半导体器件研发线、微波设计软件和测试系统以及先进的模块平台。

其研究领域覆盖射频、微波和毫米波器件、电路、模块及系统的设计和制造,先进封装技术。

小型、高频和大功率是其研究的主攻方向。

无线通信、卫星导航定位、无线传感器、光互连技术等系统是其主要应用领域。

导师简介吴德馨女1936年出生科学院院士博士生导师刘新宇男1973年出生研究员博士生导师金智男1970年出生研究员博士生导师贾锐男1974年出生研究员博士生导师刘洪刚男1974年出生研究员博士生导师张轩雄男1963年出生研究员硕士生导师申华军男1977年出生副研究员硕士生导师郑英奎男1973年出生高级工程师硕士生导师魏珂男1971年出生高级工程师硕士生导师阎跃鹏男1963年出生研究员博士生导师张立军男1963年出生研究员博士生导师张海英女1964年出生研究员博士生导师集成电路设计与系统应用该方向包括专用集成电路与系统(二室)、通信与多媒体片上系统芯片(五室)、射频集成电路(十一室)、集成电路设计与应用开发(杭州分部)等4个研究室的主要研究领域。

依托中国第一个电子设计网络化公共平台~中国科学院EDA中心,拥有世界一流的电子系统与集成电路设计软件环境支持,可从事0.13um以下超大规模集成电路设计。

“专用集成电路与系统研究室”主要从事数字大规模、数模混合、电源芯片等深亚微米集成电路设计实现及单片系统集成的研究和开发。

主要的研究方向包括,实时信号处理器及系统、高速/低功耗数字传输基带芯片与系统、极低功耗处理器及单芯片系统、嵌入式多核DSP与系统、高性能低功耗模数转换器、数字家庭关键芯片与系统等。

通信与多媒体片上系统芯片研究室(五室)主要从事宽带无线通信和多媒体等方面的高端芯片研究和开发工作。

包括卫星导航定位SOC、Wimax/LTE 基带SOC、多媒体与多核处理器、CMOS图像传感器、嵌入式软件与应用等方面的研究与开发。

射频集成电路研究室(十一室)专门从事RFIC 和MMIC设计及相关模块开发。

研究室根据我国移动通信、短距离无线通信、卫星通信及物联网等多方面技术需求,从事RFIC和MMIC设计及模块技术研究,开发出多款具有自主知识产权的射频集成电路和模块,部分成果已经在国家工程中获得应用。

研究室是中国科学院微电子研究所沈阳分部的技术依托部门,为公司提供射频IP技术支持。

“集成电路设计与应用开发”是杭州分部的主要研究方向。

杭州分部是微电子所集中力量建设的产业技术研发机构,是研究所科研成果应用与产品开发的平台。

主要从事卫星导航定位芯片与系统、无线接入芯片与系统、射频与模拟集成电路、系列MCU芯片等芯片产品与系统产品的设计开发与应用开发。

导师简介★专用集成电路与系统(二室、六室、EDA中心、十一室等)周玉梅女1962年出生研究员博士生导师副所长黑勇男1974年出生研究员博士生导师梁利平男1969年出生研究员博士生导师胡国荣男1966年出生研究员博士生导师于芳女1960 年出生研究员博士生导师蒋见花女1976年出生副研究员硕士生导师徐欣锋男1977年出生副研究员硕士生导师程亚奇男1958年出生副研究员硕士生导师赵野男1977年出生副研究员硕士生导师姜东男1976年出生副研究员硕士生导师张锋男1977年出生副研究员硕士生导师郝学飞男1973年出生副研究员硕士生导师阎跃鹏男1963年出生研究员博士生导师张浩男1975年出生副研究员硕士生导师杜占坤男1975年出生副研究员硕士生导师陈岚女1968年出生研究员博士生导师吴玉平男1968年出生研究员硕士生导师杨达男1974年出生研究员硕士生导师吕志强男1974年出生副研究员硕士生导师张海英女1964年出生研究员博士生导师卢小冬男1973年出生副研究员硕士生导师杨浩男1978年出生副研究员硕士生导师尹军舰男1974年出生副研究员硕士生导师罗家俊男1973年出生副研究员硕士生导师王文武男1973年出生研究员博士生导师万里兮男1955年出生研究员博士生导师曹立强男1974年出生研究员博士生导师★集成电路设计与应用开发(中科微/杭州分部)叶甜春男1965年出生研究员博士生导师所长袁国顺男1966年出生研究员博士生导师陈杰男1964年出生研究员博士生导师阎跃鹏男1963年出生研究员博士生导师马成炎男1963年出生研究员博士生导师徐建华男1963年出生高级工程师硕士生导师周长胜男1964年出生高级工程师硕士生导师李晓江男1972年出生高级工程师硕士生导师莫太山男1979年出生副研究员硕士生导师博士学位授予权的专业微电子学与固体电子学(080903)□硅器件及集成技术□微细加工与新型纳米器件集成□微波电路与化合物半导体器件□集成电路设计与系统应用(专用集成电路与系统、通信与多媒体片上系统芯片、集成电路设计与应用开发)学科、专业名称及研究方向指导教师招生人数考试科目备注01.硅器件及集成技术叶甜春韩郑生陈大鹏拟招收人①英语②半导体物理③半导体器件及集成电路专业课考试科目请与导师直接联系。

另:招生人数中包括为深圳先进技术研究院代招名额。

朱慧珑骆志炯闫江尹海洲钟汇才梁擎擎王文武万里兮曹立强02.微细加工与新型纳米器件集成叶甜春刘明谢常青①英语②半导体物理或固体物理③半导体器件及集成电路或电子线路夏洋王守国李国光03.微波电路与化合物半导体器件吴德馨刘新宇金智①英语②半导体物理③半导体器件及集成电路或电子线路贾锐刘洪刚阎跃鹏张立军张海英万里兮曹立强04.集成电路设计与系统应用叶甜春周玉梅黑勇①英语②模拟集成电路或电路与信号系统或通信原理③电子线路或数字集成电路梁利平胡国荣于芳陈杰阎跃鹏陈岚张海英袁国顺王文武马成炎万里兮曹立强招生:每年一次(春季考试秋季入学)报名时间:每年12月份至1月份录中国科学院研究生院网站/index.asp报名报名地点:中国科学院微电子研究所人教处研究生部博士生培养方式1.修完公共课(马克思主义理论及博士学位英语)和专业课(二至三门课)。

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