第二章作业答案
南通大学操作系统第2章作业参考答案 (1)
13简答题：简述处理机管理的主要功能。
进程控制和管理；⑵进程同步和互斥；⑶进程通信；⑷进程死锁；⑸线程控制和管理；⑹处理器调度。
（每条1分，总分4分）14简答题：简述中断和异常的区别中断是由与现行指令无关的中断信号触发的(异步的)，且中断的发生与CPU处在用户模式或内核模式无关，在两条机器指令之间才可响应中断；异常是由处理器正在执行现行指令而引起的，一条指令执行期间允许响应异常。
（1分）⑵中断处理程序处理过程中是不能阻塞的，异常处理程序处理过程中是可以阻塞的。
（1分）⑶中断允许发生嵌套，但异常大多为一重。
（1分）异常处理过程中可能会产生中断，但中断处理过程中决不会被异常打断。
（1分）15简述进程的主要属性。
（1）动态性：有一定的生命周期⑵共享性：多个进程可执行同一程序，进程可以共享公共资源⑶独立性：是一个独立实体，有自己的虚存空间、程序计数器和内部状态，是资源分配、保护和调度的基本单位⑷制约性：存在制约关系（5）并发性：执行时间上会有所重叠16（每条1分，总分4分）16简答题：简述引起进程状态转换的具体原因。
（1）运行态→等待态：等待使用资源或某事件发生；（1分）⑵等待态→就绪态：资源得到满足或事件发生；（1分）⑶运行态→就绪态：运行时间片到；出现有更高优先权进程；（1分）⑷就绪态→运行态：CPU空闲时选择一个就绪进程。
（1分）17、简答题：进程的基本状态有哪些？请画出进程的状态转换图。
进程的基本状态包括：就绪态、运行态和等待态；（2分）⑵进程的状态转换图如下：（2分）18、简答题：简述进程映象的要素。
（1）进程控制块：标志信息、现场信息、控制信息；（1分）⑵进程核心栈：中断/异常现场、函数调用的参数和返回地址；（1分）⑶进程程序块：进程执行的程序；（1分）⑷进程数据块：私有地址空间，私有数据、用户栈。
（1分）19、简答题：简述引起进程调度的原因。
（1）进程终止⑵进程阻塞⑶进程时间片用完经，⑷进程创建⑸进程请求I/O操作完成⑹进程优先级改变⑺进程运行过程中发生中断或异常⑻进程执行系统调用（每条1分，总分4分）20、下列指令中，哪些是特权指令？⑴关中断；⑵访管指令；⑶设置系统时钟；⑷移位指令；⑸启动I/O；⑹读时钟日期；⑺控制中断屏蔽位（1）、⑶、⑸、⑺（每答对1个得1分，答错1个扣1分）。
第二章作业答案
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第2章作业-2 参考答案
二、综合题
1. 若X＝-0.1110，Y＝-0.1101，采用原码一位乘法运算求 X·Y=? 给出计算过程。
2．若X＝-0.1101,Y＝-0.1011 试利用补码Booth算法（比较 法）求X·Y＝？ 给出计算过程。
3. 将十进制数+76.75存入某微机中，试写出其IEEE754标准规 格化单精度浮点数形式。
第2章作业-2 参考答案
一、单项选择题： 1、两个浮点数相加，一个数的阶码值为7 ，另一个数的阶码值为9 ，则需要将阶码
值较小的浮点数的小数点（ ）。 A ．左移1 位 B ．右移1 位 C ．左移2 位 D ．右移2 位29 ．
答案： C
2、如果某单精度浮点数、某原码、某补码、某移码的32位机器数均为 OxF0000000 。这些数从大到小的顺序是（）。 A ．浮原补移 B ．浮移补原 C ．移原补浮 D . 移补原浮 答案： D
说明
初始值,最后一位补0 Y4Y5=10 +[-X]补
右移一位 Y3Y4=01
+[X]补
右移一位 Y2Y3=10
+[-X]补
右移一位 Y1Y2=01
+[X]补
右移一位 Y0Y1=10 不移位
+[-X]补
3. 解：76.75 = 1001100.11 = 1.00110011 ×26 指数E = 7 + 127 = 133 = 1000 0101B 127是单精度浮点数应加的指数偏移量。
4. 某微机内存有一个单精度规格化浮点数（IEEE754标准）为 C2308000H，试写出其真值。
计算机组成原理
1. 解： X＝-0.1110，Y＝-0.1101 ，X*＝0.1110，Y*＝0.1101。 其中寄存器 B=X* ,计数器Cd=4。计算过程:
高分子课程第二章作业(含答案解释)
高分子化学第二章课后作业（共100分）1、简述逐步聚合的实施方法。
（10分）答案：2、影响线形缩聚物聚合度的因素有哪些？两单体非等化学计量，如何控制聚合度？（10分）备注：影响线形缩聚物聚合度中的第四个因素（反应条件）未回答的也可以给予满分。
另外批改时注意两单体非等化学计量的公式（应该有部分写成两单体等化学计量公式）3、己二酸与下列化合物反应，哪些能形成聚合物并说明原因。
（10分）A.乙醇B.乙二醇C.甘油D.苯胺E.己二胺答案：己二酸（f=2）为2官能度单体，因此能与己二酸形成聚合物的化合物有：乙二醇（f=2）、甘油（f=3）、己二胺（f=2）。
其中与乙二醇（f=2）、己二胺（f=2）形成线形缩聚物，与甘油（f=3）形成体形缩聚物。
答案解释：4、聚酯化和聚酰胺化的平衡常数有何差别？对缩聚条件有何影响？（10分）答案：(1)聚酯化反应平衡常数小，K=4，低分子副产物水的存在限制了聚合物分子量的提高，对聚合反应的条件要求较高，反应须在高温和高真空条件下进行，体系中水的残留量应尽量低，这样才能得到高聚合度的聚合物。
（2）聚酰胺化反应平衡常数中等，K=300-400,水对分子量有所影响，对聚合反应的条件要求相对温和。
聚合早期，可在水介质中进行；聚合后期，须在一定的减压条件下脱水，提高反应程度。
5、分别按Carothers法和Flory统计法计算下列混合物的凝胶点：（10分）（1）邻苯二甲酸酐和甘油按照摩尔比为1.5:0.98进行缩聚（2）邻苯二甲酸酐、甘油、乙二醇按照摩尔比为1.5:0.99:0.002进行缩聚答案：（1）Carothers法：邻苯二甲酸酐（f=2）官能度为2，甘油（f=3）官能度为3，邻苯二甲酸酐和甘油按照摩尔比为1.5：0.98进行缩聚的情况下，属于两基团不相等平均官能度=（2*3*0.98）/(1.5+0.98)=2.371，凝胶点=2/2.371=0.844Flory统计法：由题可知甘油（f=3）官能度为3，则支化单元分率ρ=1，基团比r=（0.98*3）/ (1.5*2)=0.98,f=3则凝胶点=1/[0.98+0.98*1*(3-2)]1/2=0.714（2）Carothers法：邻苯二甲酸酐（f=2）官能度为2，甘油（f=3）官能度为3，乙二醇（f=2）官能度为2，邻苯二甲酸酐、甘油、乙二醇按照摩尔比为1.5:0.99:0.002进行缩聚的情况下，属于两基团不相等平均官能度=2*（0.99*3+0.002*2）/(1.5+0.99+0.002)=2.387，凝胶点=2/2.387=0.838Flory统计法：由题可知甘油（f=3）官能度为3，则支化单元分率ρ=0.99*3/(0.99*3+0.002*2) =0.999，基团比r=（0.99*3+0.002*2）/(1.5*2)=0.991,f=3则凝胶点=1/[0.991+0.991*0.999*(3-2)]1/2=0.71解题思路：（1）首先判断该体系是属于两基团数相等还是两基团数不等；（2）Carothers法：根据体系的类型选择合适的公式计算出平均官能度，进而计算出凝胶点；（3）Flory统计法：根据体系的类型，得到官能度f为多少（此处注意与平均官能度不是一个概念，官能度f为多官能度单体的官能度），选择合适的公式计算出支化单元分率、基团比，进而计算出凝胶点。
第二章作业 参考答案
第二章作业2、画前驱图4、程序并发执行时为什么会失去封闭性和可再现性？答：程序在并发执行时，是多个程序共享系统中的各种资源，因而这些资源的状态将由多个程序分别来改变，致使程序的运行换去了封闭性，这样，某程序在执行时，必然会受到其它程序的影响。
程序在并发执行时，由于失去了封闭性，也将导致其再失去可再现性。
8、试说明进程在三个基本状态之间转换的典型原因。
答：16. 进程在运行时存在哪两种形式的制约？试举例说明之。
答：同步：直接的相互制约关系，例如A进程向B进程传递数据，B进程接收数据后继续下面的处理；互斥：间接的相互制约关系，例如进程共享打印机。
22、试写出相应的程序来描述P82图2-17所示的前驱图。
图(a)int a1=0，a2=0，a3=0，a4=0，a5=0，a6=0；a7=0；a8=0；parbeginbegin S1；V(a1)；V(a2)；end；begin P(a1)；S2；V(a3)；V(a4)；end；begin P(a2)；S3；V(a5)；end；begin P(a3)；S4；V(a6)；end；begin P(a4)；S5；V(a7)；end；begin P(a5)；S6；V(a8)；end；begin P(a6)；P(a7)；P(a8)；S7；end；parend图(b)int a1=0，a2=0，a3=0，a4=0，a5=0，a6=0；a7=0；a8=0；a9=0；a10=0；parbeginbegin S1；V(a1)；V(a2)；end；begin P(a1)；S2；V(a3)；V(a4)；end；begin P(a2)；S3；V(a5)；V(a6)；end；begin P(a3)；S4；V(a7)；end；begin P(a4)；S5；V(a8)；end；begin P(a5)；S6；V(a9)；end；begin P(a6)；S7；V(a10)；end；begin P(a7)；P(a8)；P(a9)；P(a10)；S8；end；parend28、在测量控制系统中的数据采集任务，把所采集的数据送一单缓冲区；计算任务从该单缓冲中取出数据进行计算。
第2章作业参考答案
2. 一批晶体管中有个 9 个合格品和 3 个不合格品，从中任取一个安装在电子设备上。若取 出不合格品不再放回，求取得合格品前已取出的不合格品个数的分布律和分布函数。 解：
X0 1 2
3
p 3/4 9/44 9/220 1/220
⎧ 0,
x<0
F (x) = ⎪⎪⎪⎨321/ 4/ ,22,
0≤ x <1 1≤ x < 2
求： （1） 系数 A，B； （2） X 落在区间（－1，1）的概率； （3） X 的概率密度。 解：
x∈R
7. 从一批子弹中任意抽出 5 发试射，若没有一发子弹落在靶心 2 厘米以外，则接受该批子 弹。设弹着点与靶心的距离 X（厘米）的概率密度为
f
(
x)
=
⎪⎧ ⎨
Axe−
x2
,
⎪⎩ 0,
0< x<3 其他
X
~
B
⎛ ⎜⎝
4,
1 5
⎞ ⎟⎠
, 故分布律为
P( X = k) = C4k (0.2)k (0.8)4−k , k = 0,1, 2, 3, 4
( ) (2)P X = k
=
C5k
*
C 4− 20
k
C245
k = 0,1,2,3,4
5. 临床观察表明，某药物产生副作用的概率为 0.002。现在 900 个患者服用该药物，求至 少有３例患者出现副作用的概率．
试求：(1)系数 批子弹被接受的概率。 解：
⎧ 0,
x<0
∫ ∫ （2） F(x) =
x −∞
f
(t)dt
=
⎪⎪ ⎨ ⎪
x2 0 1 − e−9
第二章 力学作业答案
第二章 力学一．选择题1【基础训练4】、如图2-14，物体A 、B 质量相同，B 在光滑水平桌面上．滑轮与绳的质量以及空气阻力均不计，滑轮与其轴之间的摩擦也不计．系统无初速地释放，则物体A 下落的加速度是 (A) g. (B) 4g /5 . (C) g /2 . (D) g /3 .,,42,/2,.5b b b a a a b a b a a T m a m g T ma g T T a a a =-==== 2【自测1】、在升降机天花板上拴有轻绳，其下端系一重物，当升降机以加速度a 1上升时，绳中的张力正好等于绳子所能承受的最大张力的一半，问升降机以多大加速度上升时，绳子刚好被拉断(A) 2a 1． (B) 2(a 1+g )．(C) 2a 1＋g ． (D) a 1＋g ．［C ］1max max 122T mg ma m a a ma T T T mg maa a g -==+==-==+物对地物对机机对地（）3【自测2】、质量为m 的小球，放在光滑的木板和光滑的墙壁之间，并保持平衡，如图2-22所示．设木板和墙壁之间的夹角为，当逐渐增大时，小球对木板的压力将 (A) 增加． (B) 减少． (C) 不变．(D) 先是增加，后又减小．压力增减的分界角为＝45°．αm图2-22BA【解答】受力分析如图右所示：垂直于板面的压力sin /sin N mg N mg αα=→=4【自测3】、两个质量相等的小球由一轻弹簧相连接，再用一细绳悬挂于天花板上，处于静止状态，如图2-23所示．将绳子剪断的瞬间，球1和球2的加速度分别为(A) a 1＝ｇ，a 2＝ｇ． (B) a 1＝0，a 2＝ｇ． (C) a 1＝ｇ，a 2＝0． (D) a 1＝2ｇ，a 2＝0［D ］121211200020T m g F F m g m m F mgT mg F ma a g a --=-====→--==-=弹弹弹弹，（负号表示向下）5【附录A3】．一根细绳跨过一光滑的定滑轮，一端挂一质量为M 的物体，另一端被人用双手拉着，人的质量M m 21=．若人相对于绳以加速度a 0向上爬，则人相对于地面的加速度（以竖直向上为正）是(A) 3/)2(0g a +． (B ) )3(0a g --．图2-23(C3/)2(0g a +- (D)0a()()()()3/2,3/,)(00000a g a a a g a ma a m M g m M a a m mg T MaT Mg +=+∴-=++=-+=-=-二、填空题6【基础训练9】、 质量为m 的小球，用轻绳AB 、BC 连接，如图2-18，其中AB 水平．剪断绳AB 前后的瞬间，绳BC 中的张力比 T : T ′＝ ．A7【自测9】质量分别为m 1、m 2、m 3的三个物体A 、B 、C ，用一根细绳和两根轻弹簧连接并悬于固定点O ，如图2-27．取向下为x 轴正向，开始时系统处于平衡状态，后将细绳剪断，则在刚剪断瞬时，物体B 的加速度B a ϖ＝_______；物体A 的加速度A a ϖ＝______．()g m m a a g m f g m a m f mg f f g m m B A ab B a ab ab3232232-.0,--.,=====+=+断后，未断时，8【自测10】、一小珠可以在半径为R 的竖直圆环上作无摩擦滑动，如图2-28．今使圆环以角速度绕圆环竖直直径转动．要使小珠离开环的底部停在环上某一点，则角速度最小应大于_____gR________．22min cos sin sin ,cos N mg N m R g gg R RRθθωθωωθ==∴=>∴>三、计算题9【基础训练12】、水平转台上放置一质量M =2 kg 的小物块，物块与转台间的静摩擦系数μs ＝，一条光滑的绳子一端系在物块上，另一端则由转台中心处的小孔穿下并悬一质量m =0.8 kg 的物块．转台以角速度ω＝4 rad/s 绕竖直中心轴转动，求：转台上面的物块与转台相对静止时，物块转动半径的最大值r max 和最小值r min ．O x A B Cm 1 m 2m 3ORO图2-28AB?10【自测12】、质量为m 的小球，在水中受的浮力为常力F ，当它从静止开始沉降时，受到水的粘滞阻力大小为f ＝kv （k 为常数）．证明小球在水中竖直沉降的速度v 与时间t 的关系为),e 1(/m kt kFmg ---=v 式中t 为从沉降开始计算的时间。
第二章课后作业答案
第二章线性表习题(答案)1.描述以下三个概念的区别：头指针，头结点，首元素结点。
首元结点是指链表中存储线性表中第一个数据元素a1的结点。
为了操作方便，通常在链表的首元结点之前附设一个结点，称为头结点，该结点的数据域中不存储线性表的数据元素，其作用是为了对链表进行操作时，可以对空表、非空表的情况以及对首元结点进行统一处理。
头指针是指向链表中第一个结点（或为头结点或为首元结点）的指针。
若链表中附设头结点，则不管线性表是否为空表，头指针均不为空。
否则表示空表的链表的头指针为空。
2.填空：（1）在顺序表中插入或删除一个元素，需要平均移动一半元素，具体移动的元素个数与插入或删除的位置有关。
（2）在顺序表中，逻辑上相邻的元素，其物理位置也相邻。
在单链表中，逻辑上相邻的元素，其物理位置不一定相邻。
（3）在带头结点的非空单链表中，头结点的存储位置由头指针指示，首元素结点的存储位置由头结点的next域指示，除首元素结点外，其它任一元素结点的存储位置由其直接前趋的next域指示。
3．已知L是无表头结点的单链表，且P结点既不是首元素结点，也不是尾元素结点。
按要求从下列语句中选择合适的语句序列。
a. 在P结点后插入S结点的语句序列是：（4）、（1）。
b. 在P结点前插入S结点的语句序列是：（7）、（11）、（8）、（4）、（1）。
c. 在表首插入S结点的语句序列是：（5）、（12）。
d. 在表尾插入S结点的语句序列是：（11）、（9）、（1）、（6）。
供选择的语句有：（1）P->next=S; （2）P->next= P->next->next; （3）P->next= S->next;（4）S->next= P->next; （5）S->next= L; （6）S->next= NULL;（7）Q= P; （8）while(P->next!=Q) P=P->next;（9）while(P->next!=NULL) P=P->next; （10）P= Q;（11）P= L; （12）L= S; （13）L= P;4.设线性表存于a[n]中且递增有序。
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p 100cm2 / V / s
LD 0.09 106 m
p 0.2V 1
tox 9 109 m
1 W I D pCox (VGS VTH )2 (1 p 3) 2 Leff
0 8.854 1012 F / m
LD 0.08 106 m
n 350cm2 / V / s
n 0.1V 1
tox 9 109 m
1 W I D nCox (VGS VTH )2 (1 n 3) 2 Leff
0 8.854 1012 F / m
sio 3.9
2
I D 12.8 10 (VGS 0.7)
③ 当VX≥1.2V时,MOS管工作在饱和区
1 W 1 W I X nCOX (VGS VTH ) 2 nCOX (0.2) 2 2 L 2 L g m n COX W W (VGS VTH ) 0.2 n COX L L
1.9V + 1V -
4 分别画出MOS晶体管的ID~VGS曲线。a) 以VDS作为参 数；b)以VBS为参数，并在特性曲线中标出夹断点 + 解：以NMOS为例
当VGS<VTH时，MOS截止，则ID=0
ID
+
VGS
+
VBS
VDS
-
-
-
当VTH<VGS<VDS+VTH时， 斜率正比于V MOS工作在饱和区
DS
ID
1 W 2 I D nCox VV VTH GS V =0 >0 2 L
0.2 0.45( 1.9 VX 0.9 0.5 VX 1.82 V ????
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当VX>1.82V时，MOS管工作在线性区 ？？？？
1.9V
M1
IX
+1.5V
ID
+ 1V -
+ VX -
1 W nCOX {2 0.5 [0.2 0.45( 1.9 VX 0.9)] 0.52 } 2 L W g m n COX (0.5) 2 L
当VX=0时,VTH=0.893V，此时MOS工作在饱和区
1 W I D nCOX [0.2 0.45( 1.9 VX 0.9)]2 2 L W g m nCOX [0.2 0.45( 1.9 VX 0.9)] L 随着VX增加，VSB降低，VTH降低，此时MOS管的过驱动电压增 加，MOS管工作在饱和区；直到过驱动VDSAT上升到等于 0.5V时，MOS管将进入线性区，则有
0 sio2 ox 3 2 ox
1）NMOS
W gm 2nCox I D 3.66 mA / V L
3 3
nCox 1.34225 104 F / V / s
ro
1 1 20k 3 n I D 0.1 0.5 10
gmro 3.66 10 20 10 73.2
SB SB
当VGS>VDS+VTH时，MOS工作在三极管区（线性区）
W 1 2 I D nCox VGS VTH VDS VDS L 2
VTH VGS
VTH0 VTH1 VGS
VDS+VTH0
VDS+VTH1
VDS2+VTH
VDS3+VTH
VDS1+VTH
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• 当Vin≥1.3V时，M1工作在饱和区，则
M1 2V R1
+ Vin Vout
ID
Vout
1 W nCOX (2 Vout 0.7) 2 R1 2 L
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2.7 (c) λ=γ=0 , VTH=0.7V
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2.7 对于图2.44的每个电路，画出Vout关于Vin 的函数曲线草图。Vin从0变化到VDD=3V。 解：
M1 Vin + 1V -
Vout R1
(a) λ=γ=0 , VTH=0.7V
右图中，MOS管源-漏极交换
• •
M1
in
+ 1V Vout R1
当Vin<0.7V时，M1工作在截止区， V Vout=0 当0.7<Vin≤1.7V时，M1工作在饱和区，则
2.5 对于图2.42的每个电路，画出IX和晶体管跨导关于VX 的函数曲线草图，VX从0变化到VDD。在(a)中，假设Vx 从0变化到1.5V。 （VDD=3V） VDD 1/ 2 1 2 F 0.9V 0.45V (a) n 0.1V
VTH 0 0.7V VGS VDD VX 3 VX VSB VX
1.9V + 1V -
IX M1
+ VX -
工作在线性区，则
I X nCOX W 1 W 2 [(1.2 VX )(1 VX ) 0.5(1 VX ) ] nCOX (1.4 VX )(1 VX ) L 2 L W W VDS nCOX (1 Vx ) L L
2
L
1 3 VX
上式有效的条件为 即
3 VX 0.7 0.45
0.9 VX 0.9 0
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VX 1.97 V
(a)综合以上分析
VX>1.97V时，M1工作在截止区，则IX=0, gm=0
VX<1.97V时，M1工作饱和区，则
IX 1V + 1.9V M1
+ VX -
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(e) λ=0,
0.45V 1/ 2
VTH 0 0.7V VGS 0.9V
2 F 0.9V VDS 0.5 VSB 1 VX
1.9V
M1
IX
+1.5V
+ 1V -
+ VX -
VTH VTH 0 ( 2 F VSB 2 F ) 0.7 0.45( 0.9 VSB 0.9)
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③ 当VX>1.9V时，MOS管S与D交换
MOS管工作线性区
VDS 1.9 VX VGS 1 VX 1 W I X P Cox [2 (1 VX ) (1.9 VX ) (1.9 VX ) 2 ] 2 L W g m P Cox (VX 1.9) L
② 当VX≥0.3V时，MOS管工作截止区
IX 0 gm 0
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(d) λ=γ=0, VTH=-0.8V
① 当0<VX≤1.8V时，MOS管上端为漏极，下端为源极， MOS管工作在饱和区
VGS 0.9V VDS VX 1.9 VDSAT Von 0.1V
W g m P Cox (0.1) L
IX 1V + 1.9V M1 + VX -
1 W I X P Cox (0.1) 2 2 L
② 当1.8V<VX≤1.9V时，MOS管工作在线性区
1 W I X P Cox [2 (0.1) (VX 1.9) (VX 1.9) 2 ] 2 L W g m P Cox (VX 1.9) L
2）PMOS
p 100cm2 / V / s
pCox 3.835105 F / V / s
ro 1 1 10k 3 P I D 0.2 0.5 10
W gm 2PCox I D 1.96 mA / V L
gmro 1.96 103 10 103 19.6
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(C) λ=γ=0, VTH=0.7V
① 当VX<0.3V时，MOS管的源-漏交换，工作在饱和 区
VGS 1 VX VDS 1.9 VX VDSAT Von 0.3 VX
1V + 1.9V IX + VX -
M1
1 W 1 W I X nCOX (VGS VTH ) 2 n COX (1 VX ) 2 2 L 2 L W W g m nCOX (VGS VTH ) nCOX (1 VX ) L L
I D nCOX
2.7 (b) λ=γ=0 , VTH=0.7V
• 当0<Vin<1.3V时，M1工作在线性区，则 V I D out R1
M1 2V
Vout R1
+ Vin -
1 W nCOX [2 (2 Vout 0.7)(Vin Vout ) (Vin Vout ) 2 ] 2 L
2.1、W/L=50/0.5，假设|VDS|=3V，当|VGS|从0上升到 3V时，画出NFET和PFET的漏电流VGS变化曲线 解：
a) NMOS管： 假设阈值电压VTH=0.7V,不考虑亚 阈值导电
① ② 当VGS<0.7V时，NMOS管工作在截止区，则ID=0 当VGS>0.7V时， NMOS管工作在饱和区，NMOS管 的有效沟道长度Leff=0.5-2LD，则
1 W V I D nCOX (Vin Vout 0.7)2 out R1 2 L
•
当1.7V<Vin<3V时，M1工作在线性区，则
W V [2(Vin Vout VTH )(1 Vout ) (1 Vout ) 2 ] out R1 L