半导体泵浦激光原理

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半导体激光泵浦源

半导体激光泵浦源

半导体激光泵浦源的原理、优势及应用前景一、引言半导体激光泵浦源是一种利用半导体材料作为增益介质,通过电注入或光激发方式实现粒子数反转并产生激光输出的器件。

它具有体积小、重量轻、效率高、可靠性好等优点,因此在通信、医疗、工业加工等领域得到了广泛应用。

本文将从原理、优势及应用前景等方面对半导体激光泵浦源进行详细介绍。

二、半导体激光泵浦源的原理半导体激光泵浦源的工作原理基于半导体材料的能带结构和粒子数反转机制。

当外界注入电流或光激发时,半导体材料中的电子从价带跃迁至导带,形成粒子数反转分布。

在满足一定条件下,这些反转分布的粒子通过受激辐射过程发射出相干光,即激光。

具体来说,半导体激光泵浦源通常由P型半导体和N型半导体组成的PN结结构构成。

当正向偏置电压施加在PN结上时,空穴和电子分别从P区和N区注入到有源层,并在有源层内复合发光。

通过调整注入电流、有源层厚度和掺杂浓度等参数,可以控制激光的输出功率和波长。

三、半导体激光泵浦源的优势1. 体积小、重量轻:与传统的固体激光器相比,半导体激光泵浦源具有更小的体积和重量,便于集成和携带。

2. 效率高:半导体激光泵浦源的电光转换效率较高,通常在百分之几十到百分之几百之间,远高于传统的灯泵浦固体激光器。

3. 可靠性好:半导体激光泵浦源采用电注入方式实现粒子数反转,无需机械运动部件,因此具有较高的可靠性和稳定性。

4. 调制速度快:半导体激光泵浦源的调制速度较快,可以实现高速光通信和光信号处理。

5. 波长可调谐:通过调整有源层的材料和厚度等参数,可以实现半导体激光泵浦源的波长调谐,满足不同应用需求。

6. 成本低:随着半导体材料制备技术的不断发展和规模化生产的实现,半导体激光泵浦源的成本不断降低,具有较高的性价比。

四、半导体激光泵浦源的应用前景1. 通信领域:半导体激光泵浦源是光通信系统中的关键器件之一,用于实现信息的传输和放大。

随着5G、云计算等技术的快速发展,对高速率、大容量光通信系统的需求不断增长,将进一步推动半导体激光泵浦源的发展和应用。

光泵浦垂直外腔面发射半导体激光技术

光泵浦垂直外腔面发射半导体激光技术

光泵浦垂直外腔面发射半导体激光技术——推动激光行业发展的新引擎当今,激光技术已经渗透到各行各业,成为科技领域的重要支撑。

而在不同的激光技术中,光泵浦垂直外腔面发射半导体激光技术(简称OP-VECSEL)作为一种创新的技术手段,备受关注。

它以其特有的优势,正推动着激光行业的发展,成为新一代的激光技术引擎。

1. OP-VECSEL技术的原理OP-VECSEL技术是一种基于半导体材料的激光技术,其核心原理是通过外部光泵浦的激发,实现半导体材料内部载流子的再组合,从而产生激光辐射。

相较于传统的激光技术,其在结构上更加简单,光路更加清晰,能够实现高效的激光发射。

2. OP-VECSEL技术的优势在实际应用中,OP-VECSEL技术具有明显的优势。

其激光输出功率可实现很高的水平,能够满足多种应用领域的需求;其单色性和光束质量优秀,能够实现高精度的激光加工和光通信传输;其结构简单、制造成本低,有望在产业化应用中取得更广泛的应用。

3. OP-VECSEL技术在激光领域的应用在激光领域,OP-VECSEL技术已经被广泛应用。

在激光医疗设备中,其高功率的激光输出能够实现更为精准的治疗效果;在激光显示领域,其高质量的光束能够实现更加清晰、高对比度的显示效果;在激光雷达和光通信中,其单色性和光束质量则能够实现更加稳定的信号传输。

4. 个人观点与展望作为一种新型的激光技术手段,OP-VECSEL技术的发展前景十分广阔。

随着光通信、激光雷达、激光制造等领域的不断拓展,对激光技术提出了更高的要求,而OP-VECSEL技术以其独特的优势,有望在这些领域中得到更加广泛的应用。

光泵浦垂直外腔面发射半导体激光技术作为一种新型的激光技术手段,以其独特的优势,正成为推动激光行业发展的新引擎。

期待在未来的发展中,能够看到更多激光技术带来的创新应用和行业变革。

激光技术是现代科技领域的重要支撑,而光泵浦垂直外腔面发射半导体激光技术(OP-VECSEL)作为一种创新的激光技术手段,正在成为推动激光行业发展的新引擎。

半导体泵浦激光原理实验

半导体泵浦激光原理实验

半导体泵浦激光原理实验理工学院光信息2班贺扬10329064 合作人:余传祥【实验目的】1、了解与掌握半导体泵浦激光原理及调节光路方法。

2、掌握腔内倍频技术,并了解倍频技术的意义。

3、掌握测量阈值、相位匹配等基本参数的方法。

【实验仪器】808nm半导体激光器、半导体激光器可调电源、晶体、KTP倍频晶体、输出镜(前腔片)、光功率指示仪【实验原理】激光的产生主要依赖受激辐射过程。

处于激发态的原子,在外的光子的影响下,从高能态向低能态跃迁,并在两个状态的能量差以辐射光子的形式发出去。

只有外来光子的能量正好为激发态与基态的能级差时,才能引起受激辐射,且受激辐射发出的光子与外来光子的频率、发射方向、偏振态和相位完全相同。

激光器主要有:工作物质、谐振腔、泵浦源组成。

工作物质主要提供粒子数反转。

泵浦过程使粒子从基态抽运到激发态,上的粒子通过无辐射跃迁,迅速转移到亚稳态。

是一个寿命较长的能级,这样处于的粒子不断累积,上的粒子又由于抽运过程而减少,从而实现与能级间的粒子数反转。

激光产生必须有能提供光学正反馈的谐振腔。

处于激发态的粒子由于不稳定性而自发辐射到基态,自发辐射产生的光子各个方向都有,只有沿轴向的光子,部分通过输出镜输出,部分被反射回工作物质,在两个反射镜间往返多次被放大,形成受激辐射的光放大即产生激光。

激光倍频是将频率为的光,通过晶体中的非线性作用,产生频率为的光。

当外界光场的电场强度足够大时(如激光),物质对光场的响应与场强具有非线性关系:式中均为与物质有关的系数,且逐次减小。

当E很大时,电场的平方项不能忽略。

,直流项称为光学整流,当激光以一定角度入射到倍频晶体时,在晶体产生倍频光,产生倍频光的入射角称为匹配角。

倍频光的转换效率为倍频光与基频光的光强比,通过非线性光学理论可以得到:式中L为晶体长度,、分别为入射的基频光、输出的倍频光光强。

在正常色散情况下,倍频光的折射率总是大于基频光的折射率,所以相位失配,双折射晶体中的o光和e光折射率不同,且e光的折射率随着其传播方向与光轴间夹角的变化而改变,可以利用双折射晶体中o光、e光间的折射率差来补偿介质对不同波长光的正常色散,实现相位匹配。

半导体泵浦源

半导体泵浦源

半导体泵浦源半导体泵浦源(Semiconductor Pump Source)是一种广泛应用于激光器领域的关键元件。

本文将介绍半导体泵浦源的原理、特点以及应用领域。

一、原理半导体泵浦源利用半导体材料的特性,通过电流注入使其产生激光,从而实现泵浦作用。

其工作原理主要包括以下几个步骤:1. 电流注入:通过电流注入到半导体材料中,激发电子从低能级跃迁到高能级,形成电子空穴对。

2. 电子空穴对复合:由于电子和空穴的相互作用,电子从高能级跃迁回低能级,并释放出能量。

3. 光子产生:能量释放时,激发的原子或分子会产生光子,形成激光。

二、特点半导体泵浦源相比传统的泵浦源具有以下几个显著特点:1. 小型化:半导体材料具有小尺寸、轻重量的特点,因此半导体泵浦源体积小巧,适合集成到激光器中。

2. 高效率:半导体泵浦源的电光转换效率较高,能够将输入的电能有效转化为激光输出,节约能源。

3. 长寿命:由于半导体泵浦源无需使用活性介质,其寿命相对较长,维护成本低。

4. 可调谐性:通过调节电流的大小,可以实现半导体泵浦源输出激光的波长可调谐。

三、应用领域半导体泵浦源在激光器领域有着广泛的应用,主要包括以下几个方面:1. 医疗美容:半导体泵浦源可用于医疗美容领域,如激光脱毛、激光祛斑等。

其小型化和高效率的特点使得激光器设备更加便携和高效。

2. 通信领域:半导体泵浦源在光通信领域中广泛应用,用于光纤通信、激光雷达等设备。

其可调谐性使得激光器能够适应不同波长的光信号传输需求。

3. 工业加工:半导体泵浦源在激光切割、激光打标等工业加工领域中得到广泛应用。

其高效率和长寿命的特点使得激光器设备更加稳定可靠。

4. 科学研究:半导体泵浦源还广泛应用于科学研究领域,如光谱分析、原子物理实验等。

其小型化和可调谐性使得科研人员能够更方便地开展实验研究。

总结:半导体泵浦源作为激光器的关键元件,具有小型化、高效率、长寿命和可调谐性等特点,广泛应用于医疗美容、通信、工业加工和科学研究等领域。

实验报告_半导体泵浦激光原理

实验报告_半导体泵浦激光原理

半导体泵浦激光原理实验学号:09327085 :武班别:光信二班合作人:程昌、谭宇婷实验日期:3-14 组别:B11【实验目的】1、了解与掌握半导体泵浦激光原理及调节光路方法。

2、掌握腔倍频技术,并了解倍频技术的意义。

3、掌握测量阈值、相位匹配等基本参数的方法。

【实验仪器】808nm半导体激光器、半导体激光器可调电源、Nd:YVO4晶体、KTP倍频晶体、输出镜(前腔片)、光功率指示仪【实验原理】光与物质的相互作用可以归结为光与原子的相互作用,有三种过程:吸收、自发辐射和受激辐射。

如果一个原子,开始处于基态,在没有外来光子,将保持不变,如果有一个能量为hυ21的光子接近,则它吸收这个光子,处于激发态E2.在此过程中不是所有光子都能被原子吸收,只有当光子能量正好等于原子能级间距E1−E2时才能被吸收。

激发态寿命很短,在不受外界影响时,它们会自发地返回基态,并放出光子。

自发辐射过程与外界作用无关,由于各个原子的辐射都是自发、独立进行的,因而不同原子发出来的光子的发射方向和初相位是不同的。

处于激发态的原子,在外的光子的影响下,会从高能态向低能态跃迁,并在两个状态的能量差以辐射光子的形式发出去。

只有外来光子的能量正好为激发态与基态的能级差时,才能引起受激辐射,且受激辐射发出的光子与外来光子的频率、发射方向、偏振态和相位完全相同。

激光的产生主要依赖受激辐射过程。

激光器主要有:工作物质、谐振腔、泵浦源组成。

工作物质主要提供粒子数反转。

泵浦过程使粒子从基态E1抽运到激发态E3,E3上的粒子通过无辐射跃迁(该过程粒子从高能级跃迁到低能级时能量转变为热能或晶格振动能,但不辐射光子),迅速转移到亚稳态E2。

E2是一个寿命较长的能级,这样处于E2的粒子不断累积,E1上的粒子又由于抽运过程而减少,从而实现E2与E1能级间的粒子数反转。

激光产生必须有能提供光学正反馈的谐振腔。

处于激发态的粒子由于不稳定性而自发辐射到基态,自发辐射产生的光子各个方向都有,偏离轴向的光子很快逸出腔外,只有沿轴向的光子,部分通过输出镜输出,部分被反射回工作物质,在两个反射镜间往返多次被放大,形成受激辐射的光放大即产生激光。

实验报告-半导体泵浦激光原理

实验报告-半导体泵浦激光原理

激光器主要有:工作物质、谐振腔、泵浦源组成。

工作物质主要提供粒子数反转。

泵浦过程使粒子从基态E1抽运到激发态E3,E3上的粒子通过无辐射跃迁(该过程粒子从高能级跃迁到低能级时能量转变为热能或晶格振动能,但不辐射光子),迅速转移到亚稳态E2。

E2是一个寿命较长的能级,这样处于E2的粒子不断累积,E1上的粒子又由于抽运过程而减少,从而实现E2与E1能级间的粒子数反转。

激光产生必须有能提供光学正反馈的谐振腔。

处于激发态的粒子由于不稳定性而自发辐射到基态,自发辐射产生的光子各个方向都有,偏离轴向的光子很快逸出腔外,只有沿轴向的光子,部分通过输出镜输出,部分被反射回工作物质,在两个反射镜间往返多次被放大,形成受激辐射的光放大即产生激光。

光的倍频是一种最常用的扩展波段的非线性光学方法。

激光倍频是将频率为ω的光,通过晶体中的非线性作用,产生频率为2ω的光。

当光与物质相互作用时,物质中的原子会因感应而产生电偶极矩。

单位体积内的感应电偶极矩叠加起来,形成电极化强度矢量。

电极化强度产生的极化场发射出次级电磁辐射。

当外加光场的电场强度比物质原子的内场强小得多时,物质感生的电极化强度与外界电场强度成正比。

P=ε0χE在激光没有出现前,当有几种不同频率的光波同时与该物质作用时,各种频率的光都线性独立地反射、折射和散射,满足波的叠加原理,不会产生新的频率。

当外界光场的电场强度足够大时(如激光),物质对光场的响应与场强具有非线性关系:P=αE+βE2+γE3+⋯式中α,β,γ,…均为与物质有关的系数,且逐次减小。

考虑电场的平方项E=E0cosωtP(2)=βE2=βE02cos2ωt=βE02(1+cos2ωt)出现直流项和二倍频项cos2ωt,直流项称为光学整流,当激光以一定角度入射到倍频晶体时,在晶体产生倍频光,产生倍频光的入射角称为匹配角。

倍频光的转换效率为倍频光与基频光的光强比,通过非线性光学理论可以得到:η=I2ωω∝βL2Iωsin2(Δkl/2)式中L为晶体长度,Iω、I2ω分别为入射的基频光、输出的倍频光光强。

半导体泵浦激光器原理

半导体泵浦激光器原理

半导体泵浦激光器原理
半导体泵浦激光器是一种特殊的半导体激光器。

相对于其他激光器,
它的优势在于尺寸小、功率高和效率高,因此被广泛应用于光通信、
医疗、生物科技和材料加工等领域。

半导体泵浦激光器的工作原理是通过电流注入半导体材料(通常是双
异质结或量子阱结构),使得电子和空穴在材料中复合并释放出光子。

这些光子被镜子反射,反复在腔体中反射,从而产生聚集和增强的光。

相比于其他激光器,半导体泵浦激光器的优势在于其工作时不需要高
能输入激光器,因此可以实现高效率转化电能为光能。

此外,由于其
结构较小,积累的热量比其他激光器少,因此可以实现更小的散热系
统和更高的功率密度。

然而,半导体泵浦激光器也存在一些问题,其中最主要是光子漫反射
导致的散射损耗和上行波的影响。

为了解决这些问题,研究人员正在
努力改进半导体材料和腔体结构,以增加激光的强度和时间,从而实
现更高效的反射和收集。

将来,随着我们对半导体泵浦激光器的理解和知识的深入,其应用领
域可能会得到更广泛的扩展。

我们期望,随着时间的推移,人们可以
创造出更高性能、更稳定的半导体泵浦激光器,从而推动发展更广泛的应用场景。

808nm光纤耦合半导体激光泵浦源

808nm光纤耦合半导体激光泵浦源

808nm光纤耦合半导体激光泵浦源808nm光纤耦合半导体激光泵浦源是一种利用光纤耦合技术,将激光器的输出光束耦合到光纤中进行激光泵浦的一种光纤耦合激光器源。

它具有方便性、高效性和稳定性等特点,在现代光通信和光电器件领域有着广泛的应用。

本文将从原理、结构和应用领域等方面介绍808nm 光纤耦合半导体激光泵浦源。

808nm光纤耦合半导体激光泵浦源的原理是利用半导体激光器产生808nm波长的光束,通过透镜将光束聚焦到光纤的输入端,然后通过光纤传输到输出端,从而实现对目标物质的泵浦。

在光纤耦合激光器源中,光纤起到了光束传输的作用,避免了传统激光器泵浦源中存在的激光束扩散、气动光损耗等问题,提高了光能利用率和泵浦效率。

808nm光纤耦合半导体激光泵浦源的结构主要包括激光器、透镜、光纤和输出端。

激光器是光源,产生波长为808nm的激光光束。

透镜起到聚焦和耦合的作用,通过调整透镜的位置和焦距,实现光束的聚焦和耦合效果。

光纤作为传输媒介,将激光光束从输入端传输到输出端。

输出端通常配备有滤光片和准直透镜,用于过滤杂散光和调整激光的准直性。

808nm光纤耦合半导体激光泵浦源的应用非常广泛,主要包括以下几个方面:首先,光通信领域。

808nm光纤耦合半导体激光泵浦源可以作为光纤放大器的泵浦源,用于放大光信号,提高光通信系统的传输距离和信号质量。

另外,它还可以用于光纤激光器的泵浦源,产生窄线宽、高功率的激光光束,用于光纤光通信系统中的光谱分析、光纤传感器等应用。

其次,光电子器件领域。

808nm光纤耦合半导体激光泵浦源可以用于激发固体或半导体材料中的光电子材料,产生特定波长的光激发物质的电子跃迁过程,实现电子的能级转移和激发态的产生,从而实现激光器、光电二极管、光电晶体管等光电子器件的制备。

再次,生物医学领域。

808nm光纤耦合半导体激光泵浦源可以用于激发生物标记物(如荧光染料)的荧光发射过程,实现生物体内的光学成像、光热治疗、光动力疗法等应用。

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c、导数法:在 — 曲线中,将输出功率对泵浦功率求二阶导数,求导数波峰所对应的功率值为 。
③、 — 曲线的斜率
该斜率为 以上的 — 曲线的斜率,表示波长为808nm的泵浦功率有多少转换成1064nm固体激光器的输出功率。
二、LD泵浦Nd:YVO4固体激光器光斑尺寸的测量
在各种不同光强分布形式中,基横模的光强分布不均匀性最小,因此需要激光器工作在基横模状态。激光基横模的光强分布是高斯分布,能够方便地测量光斑的大小。
用刀口法可以测定光斑的大小和验证光斑的光强分布是高斯分布。实验中使刀口平行于y轴,沿垂直于x轴方向移动。当刀口缓慢推入光束时,设刀口挡住了x≤a的所有点。最后,归一化的高斯分布和相对功率与刀口位置关系曲线如下图所示:
相对功率为0.25和0.75的点分别位于高斯分布曲线极大值两侧,其距离为ep=0.6745σ。由实验得到的相对功率与刀口位置的关系曲线可确定ep的值。用ep的值可计算出光斑大小:
自发辐射:在没有外界作用下,原子中的电子自发的由高能级向低能级跃迁,跃迁时将产生光辐射,此即为自发辐射。辐射光子能量为:
原子的自发辐射过程完全是一个随机过程,所辐射的光之间完全没有联系。
波尔兹曼分布规律:在通常的热平衡条件下,处于高能级 上的原子数密度 ,远比处于低能级的原子数密度低。处于能级E的原子数密度N的大小随能级E的增加而指数减小,即N∝ 。于是,在上、下两个能级上的原子数密度比为
4、缓慢旋转螺旋测微器,推进刀口,每0.04mm测一对应的激光功率P,记录下来;
5、重复4,直到光斑全部被刀片挡住,即功率计显示为零,由此建立P—x曲线;
6再将刀口拉回,重新测量一组P—x数据;
7、数据拟合及处理得出光斑尺寸及基横模的判断结果。
三、LD泵浦Nd:YVO4固体激光器远场发散角的测量
1、调好光路,使得532nm的激光稳定输出;
3、粒子数反转
为使光源发射激光,关键是发光原子处在高能级的数目比低能级上的多,此即为粒子数反转。
【实
LD泵浦Nd:YVO4固体激光器具有以下特点:
2、光谱匹配性好;
②、体积小,结构简单,装调方便,使用寿命长;
3、具有倍频特性。
LD泵浦Nd:YVO4固体激光器的相关参数和曲线:
W = 1.4826(2ep)
=1.7456(2ep)
三、LD泵浦Nd:YVO4固体激光器远场发散角的测量
激光光能量在空间的分布高度集中在光的传播方向上,但它仍有一定的发散度。总的来说,光斑尺寸w(z)是随z的增加而增加的,成为两条对称曲线,在z=0处最细。
由上述可知,本实验用刀口法测量激光光斑尺寸。当利用一刀口垂直于光束传播方向,将遮盖部分光束,这将导致通过的激光功率下降。测出激光透过功率为94%和6%二值所对应的刀口相对位置,即可测得光束腰斑直径2ω值。
∝exp[-( )/kT]
式中,k为波尔兹曼常量,T为绝对温度。因为 > ,所以 《 。
普通广义的发光是包含了受激吸收和自发辐射两个过程。一般来说,这种光源所辐射光的能量是不强的,能量分散。
2、受激辐射和光的放大
亚稳态能级:在原子中可能存在这样一些能级,一旦电子从高能态向低能态跃迁时只能发生在l(角动量量子数)量子数相差±1的两个状态之间,这就是一种选择规则,被激发到这种能级上时,由于不满足跃迁的选择规则,可使它在这种能级上的寿命很长,不易发生自发跃迁到低能级上。
受激辐射:处在亚稳态能级上电子,在外加光的诱发和刺激下可以使其迅速跃迁到低能级上,并放出光子。受激辐射理论是激光的基础。
受激辐射过程大致如下:原子开始处在高能级 ,当一个外来光子所带的能量hv正好为某一对能级之差 - ,则这原子可以在此外来光子的诱发下从高能级 向低能级 跃迁。原子所发出的光子与诱发光子全同,不仅频率(能量)相同,而且发射方向、偏振方向以及光波的相位都完全一样。于是,入射一个光子,就会出射两个完全相同的光子。这意味着原来光信号被放大,这种在受激过程中产生并被放大的光,就是激光。
实验10半导体泵浦激光原理
【实验目的】:
1、掌握LD泵浦Nd:YV 固体激光器的基本概念;
2、掌握连续激光器阈值概念及测量方法;
3、掌握连续激光器斜率效率及测量方法。
【实验原理】:
1、普通光源的发光——受激吸收和自发辐射
普通常见光源的发光是由于物质在受到外来能量作用时,原子中的电子就会吸收外来能量而从低能级跃迁到高能级,即原子被激发。激发过程是“受激吸收”过程。
略去某些误差较大的点,我们所得到的图形与理论图形相近。
以下的直线方程我们求得为:y=0.173x-0.0137
以上的直线方程我们求得为:y=0.664x-0.167
求阈值功率 :
双斜法:0.173x-0.0137=0.664x-0.167,解得x=0.312,即 所对应的阈值电流为0.312,因LD的电流正比于其功率,所以我们可以认为阈值功率 =0.312mw。
远场发散角:以光斑尺寸为轨迹的两条双曲线的渐近线间的夹角。如图所示:
测量远场发散角的方法有两种:
a、选取z > 的两个不同值 、 ,根据光斑尺寸定义,从I—ρ曲线中分别求出w( )、w( ),利用公式:
2θ=2
b、用一个z值(z>7 )及与其对应的w(z),通过公式:
2θ=2w(z)/z
来计算。
【实验装置】:
①、泵浦功率( )-—输出功率( )特性曲线
如下图:
随泵浦功率增加,激光器首先渐渐增加自发辐射,直至超过阈值,发生受激辐射。开始发生受激辐射时的泵浦功率值,为阈值功率,用 表示。
②、利用 — 曲线找到 的方法有三种:
a、双斜法:将 — 曲线中两条直线延长线交点所对应的功率作为阈值功率;
b、常规法:输出光功率延长线与功率轴的交点作为激光器的阈值功率;
三、LD泵浦Nd:YVO4固体激光器远场发散角的测量
实验装置同二。
【实验步骤】:
一、LD泵浦Nd:YVO4固体激光器的基本概念与主要参数测量
1、连上电线,保证旋钮位置对应的电流为最小;
2、打开激光光源;
3、调节电流旋钮,逐步增大电流,同时检测激光功率计的读数;
4、记录不同电流下的功率;
5、绘制激光器的 — 特性曲线;
取激光器的轴向为直角坐标系的z轴,以谐振腔的中心为原点,并在与主轴z垂直的平面上取x轴和y轴。
衡量光斑大小可以用光斑半径,它定义为光强衰减到中央最大光强的1/ 的位置与z轴之间的距离,称为半宽度,记为W;也可用半极大全宽度,它定义为光强衰减到中央最大光强的一半的位置与z轴之间距离的2倍,称为半功率直径,记为 。可得, = W=1.1774W。
距离原点为0.8m时,有ep=0.58mm,W=1.4826(2ep)=1.7198mm;
距离原点为1.0m时,有ep=1.08mm,W=1.4826(2ep)=3.2024mm。
其中,距离原点为1.0m处的数据可能有误。
由于我们没有记录下z=0点时的光斑尺寸(它是高斯光束的特征参量),无法确定 ,所以无法求出准直距离 ,从而无法求出远场发射角。
刀口推入时,得到的图像如下:
刀口拉出时,得到的图像如下:
对两图像进行适当组合,数据拟合,可得,ep=0.29mm。所以,光斑大小为:
W=1.4826(2ep)=0.8599mm;
=1.7456(2ep)=1.0124mm。
由所得出的图像可知,激光基横模的光强分布是高斯分布。
三、LD泵浦Nd:YVO4固体激光器远场发散角的测量
2、以输出镜为原点,在光路方向上利用刀口法分别测量距离原点为0.2m,0.4m,0.6m,0.8m,1.0m处的光斑尺寸;
3、计算每一处的光斑尺寸,利用两种方法处理数据求出远场发散角。
【实验数据及处理】:
一、LD泵浦Nd:YVO4固体激光器的基本概念与主要参数测量
(实验数据见Excel上。)
由Excel作出的激光器的 — 特性曲线如下:
3、在实验中由于存在外来光干扰(实验室灯光),所以功率计读数无法降至0,第三个实验中,距离原点为1.0m处的数据可能有误,原因有可能是外来光干扰太过强烈。
【问题思考】:
1、、LD泵浦Nd:YVO4固体激光器受激发射的条件是什么?
答:受激发射是指处在亚稳态能级上电子,在外加光的诱发和刺激下可以使其迅速跃迁到低能级上,并放出光子。对于LD泵浦Nd:YVO4固体激光器,同时还要求粒子数反转,而且,泵浦功率要超过阈值功率。
2、如何提高测量光斑尺寸的精度?
答:减少外来光干扰,保证刀口与激光束垂直,选用更加精确的仪器,每0.02mm推进一下刀口等等,都可以提高测量光斑尺寸的精度。
(实验数据见Excel上。)
计算光斑尺寸:
距离原点为0.2m时,有ep=0.29mm,W=1.4826(2ep)=0.8599mm;
距离原点为0.4m时,有ep=0.42mm,W=1.4826(2ep)=1.2454mm;
距离原点为0.6m时,有ep=0.57mm,W=1.4826(2ep)=1.6902mm;
一、LD泵浦Nd:YVO4固体激光器的基本概念与主要参数测量
功率可调808nm激光二极管、Nd:YVO4固体激光器一套、光功率指示仪(功率计)
二、LD泵浦Nd:YVO4固体激光器光斑尺寸的测量
激光器(工作波长为532nm的基横模固体激光器)、装有移动精度0.02mm的螺旋测微器的刀口、光电探测器、功率计
6、用两种以上方法确定激光器的阈值功率;
7、计算室温时激光器的 — 曲线的斜率。
二、LD泵浦Nd:YVO4固体激光器光斑尺寸的测量
1、调好光路,使激光器稳定输出532nm的绿光;
2、将刀口位于激光光斑边缘位置,并将功率计置于刀口后面来测量未被刀口挡住的激光光功率;
3、测量此时的激光的输出功率(此时激光全部打入功率计) ;
常规法:0.664x-0.167=0,解得x=0.252,所以阈值功率 =0.252mw。
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