Array工艺过程
Array工艺设备介绍
Photo Resist
Thin Film
Glass
PR coating
Photo Resist Thin Film Glass
Exposure
Develop
涂覆前基板表面处理：清洗等
感光树脂涂覆、干燥
Clean
DB
COATER VCD
SB
TCU
Indexer
AOI
HB
感光性树酯涂覆： 1）感光树酯涂布
2） 减压干燥
Photo Resist
Coating Nozzle Glass
3）加热干燥
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Hot Plate Hot Plate
Exposure
曝光：利用紫外光经过Mask照射到Plate上，使PR胶感光，形成特定的图案。
Canon：Mirror Scan
凹面镜 凸面镜
Exposure
利用紫外光，按照Mask图案对PR进行曝光， 以便后续显影成像
Etch 刻蚀
Dry Etch Wet Etch
利用反应气体干法刻蚀非 金属或金属
Wet Etch
Strip
Initial Clean
利用化学药液如酸湿 法刻蚀金属
利用化学药液将残留 PR胶剥离
投玻璃处对Glass进行 清洗
Al/Cu
Sputtering Chamber (SP5) Sputtering Chamber (SP4) Sputtering Chamber (SP3) Heater Chamber L/UL Chamber L/UL Position
Mo/Cu
Metal Sputter：4 Sputtering Chamber 对应大尺寸 TV产品Gate & SD膜厚增加
Array工艺设备介绍
14
GPCS (General Process Control System)
PECVD
PECVD：Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
PECVD采用13.56MHZ射频电源使含有薄膜组成原子的气体电离，形成等离子体，在基板上反应，沉积薄膜。在TFT工 艺中，PECVD主要进行FGI、MULTI及PVX Film沉积。
Process Chamber
Transfer Module
P/C-2
P/C-1
T/M
高真空 P/C-3
Load Lock ATM Arm Indexer
L/L
真空大气 之间转化
大气机械手
USC
Port 1 Port 2 Port3
L/L: 连接真空和大气压的一 个Chamber。Glass进入此 Chamber以后，Valve关闭， 开始抽真空。
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Sputter
Sputter的作用： Sputter在Array工艺中负责进行Gate, S/D 以及ITO Layer的溅射镀膜。
a-Si
SD(Source)
SD(Drain)
PVX(Passivation SiNx )
VIA Hole
ITO
GI(Gate Insulator)
n+ a-Si
Gate
Exposure
利用紫外光，按照Mask图案对PR进行曝光， 以便后续显影成像
Etch 刻蚀
Dry Etch Wet Etch
利用反应气体干法刻蚀非 金属或金属
Wet Etch
Strip
array工艺技术
array工艺技术Array技术是一种将小尺寸的芯片排列在芯片表面的工艺技术。
这种技术的出现极大地提高了芯片制造过程的效率和可靠性。
本文将介绍Array工艺技术的原理、特点以及在电子领域的应用。
Array工艺技术的原理是将多个芯片按照一定的规则排列在芯片表面，从而形成一个整体系统。
这种排列方式可以是二维的，也可以是三维的。
在二维的排列方式中，芯片被平铺在一个平面上，而在三维的排列方式中，芯片被垂直堆叠。
无论是二维还是三维，Array技术都能够大大提高芯片的集成度。
Array工艺技术的特点之一是高密度。
由于采用了多芯片排列的方式，Array工艺技术能够在有限的空间内容纳大量的芯片。
这样一来，就能够大大提高芯片的集成度，使得整个系统更为紧凑和高效。
其次，Array工艺技术具有高可靠性。
由于多个芯片被整合在一个整体系统中，即使出现了部分芯片出现问题的情况，整个系统依然能够正常运行。
这是因为Array技术通过冗余设计来解决芯片故障的问题。
当一个芯片发生故障时，系统可以自动切换到其他正常工作的芯片上，从而保证整个系统的正常运行。
Array工艺技术在电子领域有着广泛的应用。
首先是在集成电路领域的应用。
通过Array技术，可以将多个相同或不同的芯片整合在一个系统中，从而形成功能更为复杂的集成电路。
这种方式不仅提高了系统的性能，同时也节省了空间和成本。
其次是在半导体领域的应用。
由于Array技术能够将多个芯片垂直堆叠在一起，从而得到更高的存储容量和速度。
这种方式在存储器领域得到了广泛应用，成为提高存储器性能的重要手段。
此外，Array工艺技术还在传感器领域有着重要的应用。
通过将多个传感器整合在一起，可以提高传感器的灵敏度和准确性。
这种方式在人脸识别、指纹识别和生物医学领域等都得到了广泛应用。
总之，Array工艺技术是一种具有高密度和高可靠性的芯片排列方式。
通过将多个芯片整合在一起，Array技术能够提高芯片的集成度和性能，从而广泛应用于集成电路、半导体和传感器等领域。
amoled array工艺流程
AMOLED Array工艺流程
AMOLED Array工艺流程主要包括以下几个步骤：
1.清洗：在开始制作AMOLED显示屏之前，需要对硅片进行清洗，以去除
表面的污垢和杂质。
2.涂覆光刻胶：在硅片表面涂覆一层光刻胶，作为掩膜，用于保护不需要进
行刻蚀的区域。
3.曝光：通过紫外线曝光的方式，将光刻胶上的图案转移到硅片上。
4.显影：使用化学试剂将曝光后的光刻胶去除，留下所需的图案。
5.刻蚀：使用化学或物理方法将硅片表面的材料去除，形成电路结构。
6.去胶：在完成刻蚀后，去除涂覆在硅片表面的光刻胶。
7.清洗和烘干：最后进行清洗和烘干，去除残留的化学物质和杂质，为后续
的工艺步骤做准备。
8.封装测试：最后，对制成的AMOLED显示屏进行封装和测试，确保其正
常工作。
以上是AMOLED Array工艺流程的基本步骤，具体工艺参数和细节可能会根据不同的制造厂商和生产工艺有所不同。
TFT-LCDARRAY,CELL,MODULE工艺技术介绍
时间/min
1000 800 600 400 200 0
1.节省时间：1462-1398=64min
2.节省设备：1套 InlinePR+曝光机
6
二、4Mask与5Mask工艺对比
5 Mask – D工程和I 工程
曝光
4 Mask – D/I 工程
曝光 DI-工艺
I-工艺
D1-WE
I-DE 曝光 D-工艺
SOURCE
电路部件 偏光板
P-SiNx
DRAIN
n+ a-Si
GLASS a-Si GATE
G-SiNx
3
一、 TFT的基本构造
接触孔 ITO像素电极 PI工程
C工程
SOURCE DRAIN D工程 P-SiNx
n+ a-Si a-Si I 工程 GATE
GLASS
G-SiNx
G工程
4
二、4Mask与5Mask工艺对比
干刻（DE)
刻蚀掉未被光刻胶掩蔽的金属膜
刻蚀掉未被光刻胶掩蔽的非金属膜
剥离
去掉残余的光刻胶8 Nhomakorabea洗净
卸料
周转盒
MS
传送装置 机械手 气刀
高压喷射
刷洗 药液喷淋 UV 传送装置
机械手
装料 9
洗净
ＵＶ 药液 刷子 高圧 ＭＳ Ａ／Ｋ
Ｐ Ｕ Ｖ
Ｄ Ａ
排 水
Ｐ 刷洗
Ｐ 高 压 喷射
纯 水
排 水 Ｍ Ｓ
Ｄ Ａ
药 液
洗净 功能
洗净对象 作 用
氧化分解 有机物 (浸润性改善) ＵＶ/Ｏ３
溶 解 有机物 溶 解
机械剥离 微粒子 (大径)
array工艺流程
array工艺流程
《array工艺流程》
array是一种常用于集成电路制造中的工艺流程，它通过在硅片上建立一系列完整的电子元件来实现功能。
array工艺流程经历了多个步骤，如光刻、薄膜沉积、化学腐蚀、离子注入和金属化等。
首先，array工艺流程的第一步是光刻。
在这一步骤中，光刻胶被涂覆在硅片表面，然后使用掩模和紫外线将图案转移到光刻胶上。
接着，将光刻胶进行烘烤，以确定图案的形状。
这一步骤是制造电子元件的重要基础，因为它决定了元件的尺寸和排列。
接下来是薄膜沉积。
在这一步骤中，薄膜材料如氧化物或氮化物被沉积在硅片表面。
这一步骤可以改变硅片的特性，使其具有导电、绝缘或半导体特性。
然后是化学腐蚀。
这一步骤利用化学液体来去除光刻胶之外的材料，从而形成所需的结构。
化学腐蚀可以精确地去除材料，因此在array工艺流程中扮演着非常重要的角色。
离子注入是下一个步骤，它用于改变硅片的导电性能。
在这一步骤中，离子被注入硅片中，从而改变其导电性能。
这一步骤可以使得硅片在特定区域具有不同的导电性能，从而实现电子元件的功能。
最后是金属化。
在这一步骤中，金属被沉积在硅片表面，以形成电子元件之间的连接。
金属化是array工艺流程中的最后一步，它使得电子元件能够进行电子信号的传输。
综合来看，array工艺流程是集成电路制造中非常重要的一环。
通过不同步骤的精确控制，可以实现各种电子元件的高度集成和功能实现。
因此，array工艺流程的技术和工艺水平直接影
响着集成电路产品的性能和品质。
Array工艺流程讲解-
SD 工艺
⇒ 1SD Wet Etch ⇒ 1SD Dry Etch ⇒ 2SD Wet Etch ⇒ 2SD Dry Etch ⇒ 剥离
工艺评价方式：CD、 Taper、 CD Loss、PI、MM
2W2D 工艺， B4 工艺特点
2.3 Process flow – SD Layer
SD 工艺
Array工艺SD&Active层 Etch工艺步骤
2W2D 模式 1W1D 模式
1st Wet Etch • Wet Etch设备
1st Wet Etch • Wet Etch设备
Ashing&Active Etch
• Dry Etch设备
Ashing&Active Etch
• Dry Etch设备
Channel SD层 • Wet Etch设备
Channel SD 层 • Dry Etch设备
Sputter：Mo/Al/Mo 工艺评价方法：RS
工艺评价方法：CD（W目e标t Etch 值± 1μm）、重合精度工艺评价方式：CD，Taper （Spec： ± 1μm）
光
光
2.3 Process flow – SD Layer
SD 工艺
FGI成膜 ⇒ Multi 成膜 ⇒
SD 成膜 ⇒ 涂光刻胶 ⇒ 曝光 ⇒ 显影
SDT Mask
Pre Clean FGI Dep Multi Dep Pre Clean SD Dep SDT Mask 1st Wet Etch ACT/Ashing 2nd Wet Etch N+ Etch SDT Strip
PVX Mask
PVX Dep PVX Mask PVX Etch PVX Strip
array工艺简介
第13页1/3共64页
B2 Project Team
Deposition --- PECVD
ACLS
Automatic Cassette Load Station
Transfer Chamber (X-Fer) Process Chamber
Load lock Chamber
第14页1/4共64页
Glass SUBSTRATE
CD BIAS ＝ | DICD – FICD | 说明：1、CD： Critical Dimension
DICD： Development Inspection CD，PR间距离（有PR） FICD： Final Inspection CD，刻蚀完后，无PR。 OL: 各mask之间对位的偏差。 2、干法刻蚀主要以垂直方式刻蚀，CD BIAS较小； 湿法刻蚀水平方向的刻蚀多于干法刻蚀，CD BIAS较大
第8页/8共64页
B2 Project Team
Thin-Film --- Sputter
1，Ar作为产生入射粒子的粒子源的理由：
---使用Ar，溅射率大； ---Ar是惰性气体，不活跃，稳定； ---Ar价格便宜； ---Ar容易得到高纯度的气体； ---安全性能好。
2，磁控溅射具有以下的特点： ---低压强；
移动精度由激光控制，曝光区 域由Masking Blade控制，Pattern 清晰度由UM，ARC，X-Mag控制
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B2 Project Team
曝光机的功能以及硬件实现
PS 搭载 glass 进行曝光 曝光光带
动画演示
第22页2/2共64页
B2 Project Team
Etch
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Six sigma for working smarter
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三、 Sputter工艺简介
品质、速度、团队
Glass Backing
TargetPlate
Magnet Bar
共同板
Six sigma for working smarter
TM 值 ： Target-Magnet 间 距 离
Thickness是采用机械的方法测量薄膜厚度，测量仪器为a-step设备。它是检测 非透明薄膜厚度的常用手段。Sputter所dep的三层薄膜均可以用a-step设备来测试。 另外，由于ITO为透明膜，它也可以用光学方法来测试。
Stress测量的是薄膜应力，薄膜应力太大，容易引起玻璃基板弯曲乃至broken。
无机污染膜
气体，排管中的金属不纯物的 贴附
纯水，药液中的不纯物离子的 吸附
自然氧化膜的形成
品质、速度、团队
清洗方法 BRUSH US, CJ
MS
洗剂 UV MS
超纯水 化学清洗剂
Six sigma for working smarter
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二、 Clean工艺简介
品质、速度、团队
•Initial cleaner
ITO
GATE
GLASS
GATE
GLASS
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三、 Sputter工艺简介
品质、速度、团队
Sputter是通过DC Power形成Plasma,具有高能量的Gas Ion 撞击Target表面,粒子从Target表面射出并贴附到基板表面的工 程。
Six sigma for working smarter
溅射时间：一定功率时，若溅射时间越长，成膜厚度越厚。但是考虑到金属膜 溅射后的应力都比较大，因此溅射时间不宜太长。
品质、速度、团队
Dry Cleaning Excimer UV O3(ozone) Asher
Plasma
Six sigma for working smarter
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二、 Clean工艺简介
种类 贴附粒子
例子
铝、不锈钢、玻璃 塑料
头屑、毛发、线
有机污染膜
油、指纹、残余物 空气、气体中有机物蒸汽 洗剂（界面活性剂）残余物等
Six sigma for working smarter
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品质、速度、团队
一. Array工艺流程简介
品质、速度、团队
沉积
清洗
PR涂附
曝光
显影
刻蚀 Wet Etch
PR剥离
检查
Dry Etch
成膜 / Pattern工程详细图 (Deposition & Patterning Process in Detail)
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三、 Sputter工艺简介
品质、速度、团队
Sputter和PECVD在Array的5Mask工艺中，共同承担 了各个 Mask的第一步主要工序---成膜。
Sputter用于做金属膜和ITO膜：
➢Gate
➢S/D ➢ITO
Six sigma for working smarter
Mo)
在所有的玻璃基板拆包装后进入生产线之前所必须进 行的清洗； •Pre dep cleaner
在成膜之前经常要进行的清洗； 主要清洗strip之后残留的particle； •Docking cleaner 在PECVD成膜之间进行的一步清洗； 去除PECVD高速沉积所留下的particle；
Six sigma for working smarter
TM 值 对 溅 射 的 影 响 非 常 大 ， 而 随 着 Target的使用，Target会变薄，从而使TM 值变小，这时往往表现为Rs均匀性变差。 这就要求Magnet Bar随着Target的使用量 而进行相应的调整。刚换完靶材后，TM值 比较小，当靶材消耗到一定程度后，需要适 当调整TM值，从而改善Rs均匀性。
质量控制中的Rs和PI为经常测试项目，Thickness和Stress为非经常测试项目。
Six sigma for working smarter
Page 12
三、 Sputter工艺简介
品质、速度、团队
溅射功率： 溅射功率主要由直流电源提供。针对不同的工艺可以设定不同的溅射功率。 镀膜的时候，采用恒功率溅射。一定时间内，如果溅射功率越大，沉膜效率 就越高。
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三、 Sputter工艺简介
Sputter关键控制要素
工艺参数： 本底真空和压力上升，气体压力和气体流量， 溅射功率和溅射时间，加热温度，TM值
质量控制（方法）： Rs(方块电阻)， PI(测量particle数量)， Thickness(薄膜厚度)，Stress(薄膜应力)
品质、速度、团队
Six sigma for working smarter
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二、 Clean工艺简介
Wet Cleaning Spray Shower Aqua-knife Shower Brush Cleaning
Ultra Sonic Mega Sonic bubble Jet Cleaning Detergent cleaning
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三、 Sputter工艺简介
品质、速度、团队
质量控制： Rs测量的是薄膜的电学性能，测量仪器为4探针设备（4-probe）。控制值为
Rs平均值（单位为方块电阻），均匀性。
PI是采用光学的方法测量薄膜上的defect，主要为Dep中产生的particle数量， Gate要求小于50ea,SD要求小于100ea，ITO要求小于150ea.
Six sigma for working smarter
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二、Clean工艺简介
品质、速度、团队
目的： 除去基板表面影响成膜的具有物理特性、化学特性、电学特性 的异物及基板表面附着的灰尘、油份、自然氧化物等等，露出干 净的膜层及洁净的质地，此外还可以除去成膜后的表面灰尘、异 物等。
的:Glass输入时,去除残留的Particle和Metal/有机物等
for working Smarter
Array工艺技术
品质/客户服务部
BOEOT QA/OQA 2009 . 05 . 06.
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目录
一、Array工艺流程简介 二、Clean工艺简介 三、Sputter工艺简介 四、PECVD工艺简介 五、 Photo工艺简介 六、 Etch工艺简介 七、 Strip工艺简介 八、4 Mask和5 Mask比较 九、4Mask工艺流程