高迁移率半导体材料及器件
新型半导体材料及其在微电子中的应用
新型半导体材料及其在微电子中的应用随着科技的不断进步和人们对高速、高性能电子设备的需求不断增长，传统的半导体材料已经无法满足人们的要求。
因此，新型半导体材料应运而生。
新型半导体材料不仅具有较高的电子迁移率和较低的能带隙，还具有更好的热稳定性和机械性能，拥有广泛的应用前景。
本文将介绍几种新型半导体材料并讨论它们在微电子中的应用。
1. 石墨烯（Graphene）：石墨烯是一种由碳原子组成的单原子层二维结构材料。
它具有极高的载流子迁移率、优异的热导率和机械强度。
石墨烯被广泛用于微电子器件中，如智能手机、平板电脑、传感器等。
通过控制石墨烯的形状和结构，可以设计和制造出各种新型微电子器件，如超高速晶体管和柔性电子设备。
2. 二维过渡金属二硫化物（Transition Metal Dichalcogenides, TMDs）：TMDs是一类由过渡金属和硫、硒等卤素组成的二维材料。
TMDs具有良好的光学、电学和磁学特性，以及调控能带结构的能力。
TMDs可用于制造光电器件、逻辑电路和存储器件等微电子元件。
此外，TMDs还可用于制备能量存储和转换装置，如电池和太阳能电池。
3. 有机半导体材料（Organic Semiconductor Materials）：有机半导体材料是一类由有机化合物制成的半导体材料。
它们具有低成本、可溶性和可加工性的优点。
有机半导体材料被广泛应用于有机场效应晶体管（OFETs）、有机发光二极管（OLEDs）和有机薄膜太阳能电池等微电子器件中。
此外，由于其柔性和可拉伸性，有机半导体材料还可以制造成柔性电子设备。
总的来说，新型半导体材料在微电子中有着极大的潜力和应用前景。
从石墨烯到TMDs、有机半导体材料和多元化合物半导体材料，这些新材料都在不同方面具有独特的性能和特点，并能为微电子设备的性能提供全新的可能性和解决方案。
随着科学技术的发展，相信新型半导体材料将会在未来得到更广泛的应用。
半导体材料举例
半导体材料举例半导体材料是一种特殊的材料，具有介于导体和绝缘体之间的电导率。
它们在现代电子学中扮演着重要的角色，被广泛应用于电子器件、光电器件、太阳能电池等领域。
下面列举了一些常见的半导体材料。
1. 硅（Si）：硅是最常见的半导体材料之一，具有良好的电学性能和化学稳定性。
它被广泛应用于集成电路、太阳能电池等领域。
2. 碳化硅（SiC）：碳化硅是一种新型的半导体材料，具有高温、高压、高频等特殊性能。
它被广泛应用于电力电子、汽车电子等领域。
3. 氮化镓（GaN）：氮化镓是一种宽禁带半导体材料，具有高电子迁移率和高饱和漂移速度。
它被广泛应用于LED、激光器等领域。
4. 磷化镓（GaP）：磷化镓是一种窄禁带半导体材料，具有良好的光电性能。
它被广泛应用于光电器件、太阳能电池等领域。
5. 砷化镓（GaAs）：砷化镓是一种高速、高频半导体材料，具有良好的电学性能和光电性能。
它被广泛应用于微波器件、光电器件等领域。
6. 氮化铝（AlN）：氮化铝是一种宽禁带半导体材料，具有良好的热导率和机械性能。
它被广泛应用于高功率电子器件、LED等领域。
7. 氮化硼（BN）：氮化硼是一种高温、高硬度半导体材料，具有良好的热导率和化学稳定性。
它被广泛应用于高温电子器件、陶瓷材料等领域。
8. 氧化锌（ZnO）：氧化锌是一种宽禁带半导体材料，具有良好的光电性能和化学稳定性。
它被广泛应用于光电器件、传感器等领域。
9. 硒化铟（In2Se3）：硒化铟是一种新型的半导体材料，具有良好的光电性能和化学稳定性。
它被广泛应用于太阳能电池、光电器件等领域。
10. 硫化镉（CdS）：硫化镉是一种窄禁带半导体材料，具有良好的光电性能和化学稳定性。
它被广泛应用于太阳能电池、光电器件等领域。
半导体材料在现代电子学中扮演着重要的角色，不同的半导体材料具有不同的特殊性能，可以满足不同领域的需求。
随着科技的不断发展，相信半导体材料的应用领域会越来越广泛。
砷化镓研究报告(一)
砷化镓研究报告(一)砷化镓研究报告1. 简介在本篇研究报告中，我们将重点关注砷化镓的相关研究，探讨其特性、应用以及未来的发展方向。
2. 特性•高电子迁移率：砷化镓是一种具有高电子迁移率的半导体材料，具备优异的导电性能。
•宽带隙：砷化镓具有较大的能隙，使其在高频器件和光电子器件中具有独特的优势。
•高效率：利用砷化镓制造的器件，如太阳能电池和激光器，能够实现高效能的能量转换。
•热稳定性：相比其他材料，砷化镓在高温环境下表现出更好的稳定性和可靠性。
3. 应用领域砷化镓材料在许多领域都有广泛的应用，包括但不限于以下几个方面：3.1 光电子器件•高性能激光器•高亮度LED•高速光通信器件3.2 太阳能电池•高效率多接触太阳能电池•高效率多结太阳能电池3.3 射频器件•高频功率放大器•高速开关4. 未来发展方向砷化镓作为一种重要的半导体材料，在未来的发展中有着巨大的潜力。
以下是我们对砷化镓发展方向的一些建议：4.1 器件性能提升不断提高砷化镓器件的性能，如电子迁移率、发光效率等，以满足不断变化的市场需求。
4.2 新应用的探索探索砷化镓在新兴领域的应用潜力，如量子计算、人工智能等，以拓展砷化镓的市场份额。
4.3 减少成本通过技术创新和工艺改进，降低砷化镓材料的生产成本，以提高其市场竞争力。
结论砷化镓作为一种具有优异特性的半导体材料，在光电子器件、太阳能电池、射频器件等领域都有广泛的应用。
未来，我们应不断提高砷化镓器件的性能、探索新应用，并减少其生产成本，以进一步促进其发展。
5. 参考文献•Smith, J., & Johnson, R. (2010). Advances in Gallium Arsenide Research. Journal of Advanced Materials,22(4), .•Brown, A., & Lee, C. (2015). Gallium Arsenide in Optoelectronics: Overview and Recent Advances. OpticsExpress, 23(11), .•Zhang, Y., & Xu, B. (2018). GaAs-Based Solar Cells: Characteristics, Performance, and Prospects. Renewable Energy, 127, .•Di Carlo, A., & Forni, G. (2019). Gallium Arsenide Devices for High-Frequency Applications: Challenges and Opportunities. IEEE Journal of Solid-State Circuits,54(3), .以上是一些关于砷化镓研究的主要参考文献，供读者深入了解该材料的特性、应用和未来发展方向。
《2024年高迁移率半导体材料的自旋注入》范文
《高迁移率半导体材料的自旋注入》篇一一、引言随着信息技术的飞速发展，半导体材料在电子器件中的应用越来越广泛。
其中，高迁移率半导体材料因其优异的电学性能，在微电子领域具有重要地位。
近年来，自旋电子学作为一门新兴的交叉学科，将自旋注入半导体材料中，为半导体器件的研发提供了新的思路。
本文将重点探讨高迁移率半导体材料的自旋注入研究。
二、高迁移率半导体材料概述高迁移率半导体材料具有优异的电导性能和良好的稳定性，是微电子器件的重要基础。
常见的高迁移率半导体材料包括硅基、碳基等。
这些材料在晶体管、太阳能电池、传感器等领域有着广泛的应用。
三、自旋注入技术自旋注入是将自旋极化的电子从一种材料注入到另一种材料中的过程。
自旋注入技术为半导体器件提供了新的工作原理和性能提升途径。
在自旋电子学中，自旋注入是实现自旋电子器件的关键技术之一。
四、高迁移率半导体材料的自旋注入研究高迁移率半导体材料的自旋注入研究是当前研究的热点。
通过将自旋极化的电子注入到高迁移率半导体材料中，可以实现更高效的电子传输和更低的能耗。
同时，自旋注入还可以实现信息存储、传输和处理的新机制，为半导体器件的研发提供了新的思路。
在高迁移率半导体材料的自旋注入研究中，关键问题包括自旋极化源的选择、自旋注入效率的提高以及自旋在材料中的传输等。
针对这些问题，研究者们采用不同的方法和技术手段进行研究和探索。
五、研究方法与技术手段目前，常用的自旋极化源包括铁磁金属、半导体量子点等。
针对不同的自旋极化源，研究者们采用不同的注入技术和方法，如磁性隧道结、非磁性隧道结等。
此外，为了研究自旋在材料中的传输过程，研究者们还采用了光发射光谱、电子顺磁共振等实验手段。
六、研究进展与展望随着研究的深入，高迁移率半导体材料的自旋注入研究取得了重要的进展。
一方面，研究者们成功地将自旋极化的电子注入到了高迁移率半导体材料中，并实现了高效的电子传输和低的能耗。
另一方面，通过研究自旋在材料中的传输过程，发现了许多新的物理现象和机制，为半导体器件的研发提供了新的思路和方向。
HMOS工艺技术
HMOS工艺技术HMOS（High-Mobility Organic Semiconductor）即高迁移率有机半导体材料，是一种新型的半导体材料，具有高效的电荷载流子迁移性能，可应用于有机场效应晶体管（OFETs）、有机太阳能电池（OSCs）和有机光电器件等领域。
HMOS工艺技术是指制备HMOS材料的工艺过程和技术方法。
HMOS工艺技术的关键步骤包括材料选择、溶液制备、薄膜形成和器件制备等。
首先，材料的选择是非常重要的，需要选择具有高电荷迁移率的有机分子作为基础材料。
目前，常用的有机分子材料包括聚合物、小分子和共轭聚合物等。
其中，共轭聚合物具有良好的载流子迁移性能，被广泛应用于HMOS 材料的制备。
其次，制备溶液是HMOS工艺技术的关键步骤之一。
通常，选择适当的溶剂和添加剂可以提高溶液的稳定性和纯度，有利于薄膜的形成。
在制备溶液的过程中，还需要考虑溶剂的挥发性和对溶质溶解性的影响。
通过合理选择和控制溶剂体系，可以得到高质量的溶液用于薄膜的制备。
薄膜的形成是HMOS工艺技术中的关键环节。
常用的薄膜形成方法包括溶液旋涂法、真空蒸发法和喷墨印刷法等。
其中，溶液旋涂法是最常用的方法之一。
该方法通过旋涂溶液在基底上形成均匀的薄膜，然后通过退火和其他后处理步骤来提高薄膜的结晶度和电荷迁移率。
薄膜的形成过程需要精确控制溶液的浓度、旋涂速度和退火温度等参数，以获得高质量的HMOS薄膜。
最后，HMOS工艺技术还包括器件的制备步骤。
常见的HMOS器件包括OFETs和OSCs等。
对于OFETs，需要在薄膜上制备金属电极，并通过沉积金属或其他方法形成源极和漏极。
对于OSCs，需要在HMOS薄膜上制备电极，并将有机半导体材料与电荷传输材料层叠组装成器件。
器件的制备过程需要精确控制温度、湿度和光照等参数，以获得高性能的HMOS器件。
总之，HMOS工艺技术是制备高迁移率有机半导体材料的关键技术。
通过选择合适的材料、制备高质量的溶液和优化薄膜形成和器件制备过程，可以实现高质量的HMOS材料和器件。
碳化硅上生长的超高迁移率半导体外延石墨烯
一、概述碳化硅（SiC）是一种具有优异物理性能的广泛应用于半导体领域的材料，而在碳化硅上生长的外延石墨烯因其超高迁移率而备受瞩目。
随着半导体材料的研究与应用领域的不断拓展，碳化硅外延石墨烯的研究逐渐受到了学术界和产业界的关注。
本文将从碳化硅外延石墨烯的生长机理、物理性能以及应用前景等方面进行探讨。
二、碳化硅外延石墨烯的生长机理1. 碳化硅外延石墨烯的生长方法碳化硅外延石墨烯的生长方法主要包括热解法、化学气相沉积法和分子束外延法等。
其中，热解法是将碳源沉积在碳化硅衬底上，通过高温热解的方法使得碳原子在碳化硅表面形成石墨烯；化学气相沉积法是利用化学气相沉积的方法，在碳化硅表面形成石墨烯层；而分子束外延法则是通过束流蒸发碳原子在碳化硅表面沉积形成石墨烯。
2. 生长机理碳化硅外延石墨烯的生长机理与生长方法密切相关。
在热解法中，碳原子在碳化硅表面会形成大面积的石墨烯结构，而在化学气相沉积法和分子束外延法中，碳原子在碳化硅表面逐层扩散形成石墨烯。
生长过程中的温度、压力和碳源浓度等参数都会对碳化硅外延石墨烯的生长起到重要的影响。
三、碳化硅外延石墨烯的物理性能1. 超高迁移率碳化硅外延石墨烯作为一种二维材料，具有优异的电学性能。
其超高迁移率使得碳化硅外延石墨烯在高频器件、光学器件以及微纳电子学领域具有广泛的应用前景。
2. 热稳定性碳化硅外延石墨烯具有优秀的热稳定性，能够在高温、高能量环境下保持其稳定的结构和性能。
这使得碳化硅外延石墨烯在高温器件、航空航天领域具有潜在的应用价值。
3. 光学性能碳化硅外延石墨烯的光学性能优异，其在光电器件、传感器等领域都有着广泛的应用前景。
四、碳化硅外延石墨烯的应用前景1. 微电子学领域碳化硅外延石墨烯在微电子学领域有着广阔的应用前景，可以用于制备高频器件、高速逻辑门等。
2. 光电子学领域由于碳化硅外延石墨烯的优异光学性能，其在光电子器件、光学传感器等领域的应用也备受期待。
3. 能源领域碳化硅外延石墨烯在能源领域的应用也具有潜在的前景，可以用于太阳能电池、储能设备等方面。
氮化镓功率器件参数
氮化镓功率器件参数一、氮化镓功率器件概述氮化镓（GaN）功率器件是一种基于氮化镓材料制成的半导体功率器件，具有高电子迁移率、高热导率、高击穿电压等优点。
在近年来，随着氮化镓材料技术的不断发展和成熟，氮化镓功率器件已在众多领域得到广泛应用。
二、氮化镓功率器件的主要参数1.正向电压：正向电压是指器件在正向电流下所需要的电压。
氮化镓功率器件的正向电压较低，有利于提高整个电路的效率。
2.反向漏电流：反向漏电流是指在反向电压下，通过器件的电流。
氮化镓功率器件的反向漏电流较小，有助于降低功耗。
3.开关速度：开关速度是指器件在开启和关闭过程中的时间。
氮化镓功率器件具有较快的开关速度，可以减小开关损耗，提高电路的工作效率。
4.热阻：热阻是指器件散热能力与温度升高之间的阻力。
氮化镓功率器件具有较低的热阻，有利于提高器件的可靠性和稳定性。
5.负载电流：负载电流是指器件在正常工作状态下所能承受的电流。
氮化镓功率器件具有较高的负载电流能力，可以满足不同应用场景的需求。
三、氮化镓功率器件的应用领域1.高效电源：氮化镓功率器件在高效电源中的应用可以提高转换效率，减小体积和重量，降低系统成本。
2.电动汽车：氮化镓功率器件在电动汽车领域可以提高动力电池管理系统、电机控制器和充电器的性能。
3.无线通信：氮化镓功率器件在无线通信基站、卫星通信和雷达系统中具有广泛应用，可以提高设备的性能和可靠性。
4.新能源：氮化镓功率器件在新能源领域，如太阳能、风能等，可以提高转换效率，降低系统的成本和重量。
四、氮化镓功率器件的优缺点分析优点：1.高电子迁移率，有利于提高器件的开关速度和效率。
2.高热导率，有助于器件的散热和可靠性。
3.高击穿电压，提高器件的耐压性能。
4.较低的正向电压和反向漏电流，降低功耗。
缺点：1.制造成本相对较高。
2.器件的稳定性、可靠性与工艺和封装技术密切相关。
五、我国氮化镓功率器件的发展现状与展望1.发展现状：我国氮化镓功率器件产业已取得显著成果，部分企业具备了国际竞争力。
AlGaN-GaN高电子迁移率晶体管模型、关键工艺及器件制作
AlGaN-GaN高电子迁移率晶体管模型、关键工艺及器件制作AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管模型、关键工艺及器件制作近年来，随着宽禁带半导体材料的发展， AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 在射频功率放大器、微波开关、高频通信等领域中起着重要作用。
本文将重点介绍 AlGaN/GaN HEMT 的模型、关键工艺及器件制作，并探讨其在射频功率放大器中的应用。
AlGaN/GaN HEMT 的模型是研究和设计该器件的基础。
一种常用的 HEMT 模型是 Hockfield 模型，它基于输运理论和二维电子气的特性。
该模型通过考虑电子在AlGaN/GaN异质结构中的构建状态和电缺陷等因素，能够精确描述 HEMT 的输运性能。
关键工艺对 AlGaN/GaN HEMT 的性能和稳定性具有重要影响。
其中最核心的是高电子迁移率材料的外延生长技术。
通常使用金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 方法，通过在晶体表面沉积 GaN 和 AlGaN 薄膜来制备 AlGaN/GaN HEMT 结构。
在外延生长过程中，控制好材料的复合级别、晶格匹配度和材料质量非常关键。
器件制作也是实现高性能 AlGaN/GaN HEMT 的关键步骤。
一般的制作流程包括制备衬底材料、生长材料、光刻、腐蚀、金属化处理等。
在制备过程中，需要严格控制温度、厚度和压力等参数，以确保器件的质量和稳定性。
AlGaN/GaN HEMT 在射频功率放大器领域具有广泛的应用。
射频功率放大器可以将来自信号发生器的低功率信号放大到高功率，用于无线通信系统等。
相比传统的功率放大器，AlGaN/GaN HEMT 具有更高的开关速度和更低的损耗，使得其具备更高的工作频率和更高的效率。
然而， AlGaN/GaN HEMT 在应用过程中也面临一些挑战。
其中之一是高功率密度下的热管理问题。
由于 AlGaN/GaN HEMT 在高功率工作时会产生大量的热量，因此需要采用有效的散热技术，以确保器件的稳定性和可靠性。
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_
其中的半导体还包括：
无机半导体：
如： 纯净的硅或锗（属于单质材料）
单晶硅片（上）和硅锭（下）
又如化合物类半导体： CdSe、CdS、CdTe、 CuInSe2、CuInGaSe等 ZnO、TiO2、GaAs、GaP、 InP、GaN、ZnS等
有机半导体：
特征：主要的基本单元含π-电子，具有共轭性
材料的载流子本征迁移率 Intrinsic mobility
本征迁移率概念的提出是基于一些实验观察。
R.G. Kepler, Phys. Rev. 1960, 119, 1226. Charge carrier production and mobility in anthracene crystals 新意主要包括： 1、脉冲光生载流子 2、变温迁移率测试 左图说明了迁移率可随温度而改变， 低温下表现出更高的迁移率。
S
0.8
Si S C4H9 C4H9
n
0.8
Absorption (au)
Absorption (au)
0.6
0.6
0.4
0.4
紫黑
300 400 500 600 700 800
0.2
红色
400 500 600 700
0.2
0.0
0.0 300
Wavelength (nm)
Wavelength (nm)
其中的导体还包括：
金属：电导率很高，三维导体
①最外层电子轨道中存在自 由电子（价电子） ② 三维对称晶体结构
石墨：二维导体
+
半导体掺杂：也能良好导电
p-型掺杂：多数载流子为空穴 或 n-型掺杂：多数载流子为电子 重要实例即为半导体硅或锗的掺杂 (如: heavily doped n- or p-wafer)
3.6. Sonogashira Coupling 炔氢与芳卤化合物之间的偶联
+
Si H H
Pd(PPh3)2Cl2 I I CuI, Et3N Si n
4、有机半导体材料的吸收光谱与颜色
1.0 1.0
0.8
C8H17
C8H17
n
0.8
Si
Absorption (au)
Absorption (au)
Br
Br n
2010年诺贝尔化学奖: “钯催化的交叉偶联方法”使碳原子联结 3.2 Heck Coupling Richard F. Heck Born: 1931, USA Affiliation: University of Delaware, USA 芳卤与烯氢间脱卤化氢偶联
O O
Br
Br n
注意： 1、半导体掺杂不适合用作光电器件中的活性层。 2、通常无法对半导体掺杂来提高迁移率。
重要的英文单词
Mobility 迁移率 （ high carrier (hole or electron) mobility） Carrier (hole or electron) transport 载流子迁移 Charge transport 电荷迁移 Electron transfer 电子转移 Electron delocalization 电子离域 Electron localization 电子定域
Polydithienosilole
喹啉
O N
Al
N O N
O N
N
Ga
O N
O N
N
In
O N
O
O
O
Alq3
有机半导体材料的分子构筑实例（5）
芴
H3C
CH3
H3C
CH3
H3C
CH3
C8H17 聚芴
C8H17
n S H13C6 C6H13 S Si S C6H13 C6H13 S n
芴－silole共聚物
碳60，C60，fullerene， buckminsterfullerene
3、反应性中间体及其人名反应
3.1. Yamamoto Coupling 芳卤化合物脱卤偶联
1. Ni(COD)2, biPy, COD N N toluene-DMF, 80o, 24h 2. PhBr, 80o, 24h 97% N N
0.0 300
Wavelength (nm)
Wavelength (nm)
发光的重要类型
1) 激发发光的方式： • • 光致发光 (photoluminescence)：光诱导激发态 电致发光 (electroluminescence)：电诱导激发态
2) 发光寿命长短： • • 荧光 (fluorescence)：寿命短，纳秒级 磷光 (phosphorescence)：寿命长，微秒、毫秒级 荧光材料与磷光材料
二、认识有机半导体
石墨烯：单层石墨
1. 有机半导体材料的分类
简单分类法 1) 按分子量大小： • • 小分子类有机半导体（分子量几百到几千） 聚合物类有机半导体 （分子量变化大，可由几千 到几百万）
2) 按化学结构 比较复杂和难准确分类，常用的结构描述包括： 含(?)的化合物、含(?)的配合物、含(?)的聚合物 等
本征迁移率可以看作材料的极限迁移率。 目前已知的一些影响材料迁移率的因素： 1、结构因素 化学结构、分子的平面性、分子的聚集有序度 2、其它因素 温度、缺陷或陷阱（如杂质、氧气等） 因此，应十分慎重宣称得出了材料的本征迁移率，某些情况 下称“更趋于本征迁移率为好”。 获得“更趋于本征迁移率”的方法： ①低温、 ② 没有陷阱（traps，如杂质、氧），通常为单晶 ③ 特殊的纳米器件
噻唑
有机半导体材料的分子构筑实例（1）
氮原子 N
N H3C
N
N
N
CH3
N N N N N
N N N N
硅原子
Si
Si Si
有机半导体材料的分子构筑实例（2）
双键（烯）
O
O 聚对苯撑乙烯撑
n 聚乙炔
n
三键（炔）
n
聚对苯撑乙炔撑
有机半导体材料的分子构筑实例（3）
并四苯（tetracene）
CH芳环：
+
Br 87-97% R
Si R
3.4 Suzuki-Miyaura Coupling
Akira Suzuki Born: 1930, Japan Affiliation: Hokkaido University, Japan
芳卤与硼酸（酯）化合物之间的偶联
(HO)2B R
Si R
B(OH)2
+
Br
-HCl -HBr
O
O
3.3. Negishi Coupling
Ei-ichi Negishi Born: 1935, Changchun, China Affiliation: Purdue University, USA
锌试剂与芳卤化合物之间的偶联
PdCl2(PPh3)2 THF ClZn R Si R ZnCl
“更趋于本征迁移率”的结果举例
1、R.G. Kepler, Phys. Rev. 1960, 119, 1226. Charge carrier production and mobility in anthracene crystals
垂直于蒽的ab轴平面的方向： μh = 0.4 cm2/V s, μe = 0.3 cm2/V s 在蒽的ab轴平面上： μe (a or b axis) = 2.0 or 1.3 cm2/V s
本课程是光电材料与器件的交叉科学，半导体材料的迁移率对光电器件的性能 具有决定作用，有机半导体材料的结构对载流子迁移率具有决定性的影响。 本课程的目的：对影响材料性能和器件性能的载流子迁移过程有深入的认识。
第一章 有机半导体材料的载流子 迁移特性、机制
一、材料的导电能力
1、材料的导电能力 导电性能：材料按电导率的大小可分为： 1）导 体： 2）半导体：电导率10−9(Ω−1cm−1) 3）绝缘体：电导率更低，如普通的塑料、陶瓷等
三、半导体材料的载流子迁移能力
1、半导体材料：本身应十分缺乏自由存在的载流子， 否则不能作为半导体材料来使用。 2、半导体材料中载流子的形成包括： 电极注入载流子和光诱导的载流子。 3、不同材料的载流子迁移能力有很大的差异。 按迁移性能的不同可分为：高迁移率半导体和低迁 移率半导体。 无机半导体材料代表： GaAs单晶：104 cm2/V s 单晶硅：102~103 cm2/V s 多晶硅：101~102 cm2/V s 无定型硅：100~101 cm2/V s 无机半导体纳米材料 有机半导体材料代表： 纯净的单壁碳纳米管~105 cm2/V s 小分子：Pentacene、α-6T、C60、 众多平面型共轭分子。 聚合物：P3HT等
聚芴
0.6
H13C6
C6H13
H3C
CH3
n
0.6
共聚物1
0.4
白色
400 500 600 700
0.4
0.2
0.2
黄绿
400 500 600 700
0.0 300
0.0 300
Wavelength (nm)
Wavelength (nm)
1.0
H13C6 C6H13
1.0
S H3C 共聚物2 Si CH3 S n
咔唑
CH2 CH N n N C6H13 聚(2,7-咔唑) PVK n N C6H13 聚(3,6-咔唑)17C8
C8H17
N S
N
n
Si H17C8 C8H17
S N S N
S n
苯并噻 二唑
F8BT
PSiF-DBT
H3C N N H17C8 C8H17 S N S