单相桥式全控整流电路的设计
单相全控桥式晶闸管整流电路的设计(纯电阻负载)解读
1 单相桥式全控整流电路的功能要求及设计方案介绍1.1 单相桥式全控整流电路设计方案1.1.1 设计方案图1设计方案1.1.2 整流电路的设计主电路原理图及其工作波形图2 主电路原理图及工作波形主电路原理说明：（1）在u2正半波的（０～α）区间，晶闸管VT1、VT4承受正向电压，但无触发脉冲，晶闸管VT2、VT3承受反向电压。
因此在0～α区间，4个晶闸管都不导通。
（2）在u2正半波的（α～π）区间，在ωｔ＝α时刻，触发晶闸管VT1、VT4使其导通。
（3）在u2负半波的（π～π＋α）区间，在π～π＋α间，晶闸管VT2、VT3承受正向电压，因无触发脉冲而处于关断状态，晶闸管VT1、VT4承受反向电压也不导通。
（4）在u2负半波的（π＋α～２π）区间，在ωｔ＝π＋α时刻，触发晶闸管VT2、VT3使其元件导通，负载电流沿b→VT3→R→VT2→α→T的二次绕组→b流通，电源电压沿正半周期的方向施加到负载电阻上，负载上有输出电压（ud=-u2）和电流，且波形相位相同。
2 触发电路的设计2.1 晶闸管触发电路触发电路在变流装置中所起的基本作用是向晶闸管提供门极电压和门极电流，使晶闸管在需要导通的时刻可靠导通。
根据控制要求决定晶闸管的导通时刻，对变流装置的输出功率进行控制。
触发电路是变流装置中的一个重要组成部分，变流装置是否能正常工作，与触发电路有直接关系，因此，正确合理地选择设计触发电路及其各项技术指标是保证晶闸管变流装置安全，可靠，经济运行的前提。
，开始启动A/D转换；在A/D转换期间，START应保持低电平。
2.1.1 晶闸管触发电路的要求晶闸管触发主要有移相触发、过零触发和脉冲列调制触发等。
触发电路对其产生的触发脉冲要求:(１)触发信号可为直流、交流或脉冲电压。
(２)触发信号应有足够的功率（触发电压和触发电流）。
(３)触发脉冲应有一定的宽度，脉冲的前沿尽可能陡，以使元件在触发导通后，阳极电流能迅速上升超过掣住电流而维持导通。
单相桥式全控整流电路设计
单相桥式全控整流电路设计单相桥式全控整流电路是一种常用的电路，其具有可靠性高、效率高以及适用范围广等特点。
本文将对单相桥式全控整流电路进行详细的介绍和设计。
一、单相桥式全控整流电路的介绍单相桥式全控整流电路是一种采用可控硅器件实现直流电源的电路，常用于电子装置、自动控制和功率器件中。
其主要由四个可控硅管组成，将交流电源整流为直流电源。
在单相桥式全控整流电路中，可控硅管会根据触发脉冲的信号来控制其导通和截止，从而控制输出电压和电流的大小。
需要注意的是，触发脉冲的相位、脉宽和大小都会影响输出的电压和电流，因此需要根据具体应用场合来进行合理的设计。
二、单相桥式全控整流电路的设计1. 电源选型单相桥式全控整流电路需要有一个稳定的电源来提供交流电源，因此需要选择合适的电源。
一般来说，选择稳压电源、变压器、整流电路和滤波电路等电子元件构成的电源比较合适。
2. 器件选型在单相桥式全控整流电路中，需要选择适用的器件，如可控硅管、反向恢复二极管。
可以根据具体的应用场合来选择合适的器件。
3. 负载匹配在单相桥式全控整流电路中，需要考虑电路与负载的匹配问题，以确保输出电压和电流的稳定性。
通常可以采用变压器或电容等元件进行匹配。
4. 触发电路设计单相桥式全控整流电路中的可控硅管需要通过触发电路来控制其导通和截止，因此需要设计合适的触发电路。
触发电路的设计需要考虑触发脉冲的相位、脉宽和大小等因素，以确保输出电压和电流的精度和稳定性。
5. 整流电路设计在单相桥式全控整流电路中，需要设计合适的整流电路来将交流电源整流为直流电源。
整流电路的设计需要考虑输出电压和电流的大小和稳定性。
三、总结单相桥式全控整流电路是一种常用的电路，其利用可控硅管来实现直流电源的输出。
需要注意的是，设计单相桥式全控整流电路需要考虑多个因素，如电源选型、器件选型、负载匹配、触发电路设计和整流电路设计等。
只有在考虑全面的情况下，才能保证单相桥式全控整流电路的稳定性和精度。
单相桥式全控整流电路改进设计
单相桥式全控整流电路改进设计介绍单相桥式全控整流电路是一种常用的电力转换装置，可将交流电转换为直流电。
然而，现有的单相桥式全控整流电路存在一些问题，需要进行改进设计。
改进目标本文档的目标是设计一种改进型的单相桥式全控整流电路，以解决以下问题：1. 减小电路的谐波失真。
2. 提高电路的功率因数。
3. 降低电路的成本和复杂度。
设计方案为了实现上述改进目标，并在不引入法律纠纷的情况下，本文档推荐以下设计方案：1. 使用谐波滤波器：在电路输出端添加合适的谐波滤波器，可以有效减小电路的谐波失真。
2. 采用功率因数校正电路：通过引入功率因数校正电路，可以提高电路的功率因数，减少电网对电路的负荷。
3. 优化元器件选择：选择合适的元器件，以优化电路的性能，并降低成本和复杂度。
实施计划以下是本文档的实施计划：1. 分析现有电路的问题和瓶颈。
2. 确定改进目标和设计要求。
3. 进行电路改进设计，包括添加谐波滤波器和功率因数校正电路。
4. 优化元器件选择，并进行性能评估和成本估算。
5. 实施改进设计，制作原型电路并进行测试。
6. 根据测试结果进行必要的修改和调整。
7. 撰写改进设计报告，总结设计过程和结果。
预期效果通过本文档的改进设计，预计可以实现以下效果：1. 降低电路的谐波失真，使电路输出更加稳定和纯净。
2. 提高电路的功率因数，减少电网对电路的压力，提高电网的负载能力。
3. 降低电路的成本和复杂度，提高整体设计的可行性和实用性。
结论本文档提出了一种改进型的单相桥式全控整流电路设计方案，并给出了相应的实施计划和预期效果。
该设计方案通过引入谐波滤波器和功率因数校正电路，旨在降低谐波失真、提高功率因数，并降低成本和复杂度。
通过实施该设计方案，预计可以实现电路性能的明显提升和整体效益的增加。
单相桥式全控整流电路的设计..
1设计课题任务及总体方案介绍1.1设计课题任务课题：单相桥式全控整流电路设计（阻感性负载）任务：单相桥式全控整流电路的设计要求为：1 电网供电电压为单相交流 220V/50HZ ；2 变压器二次侧电压为100V;3 输出电压连续可调，为0〜100V;4 移相范围：0o-90c；5 输出功率：500W1.2设计课题总体方案介绍1.2.1方案的选择我们知道，单相整流器的电路形式是各种各样的，整流的结构也是比较多的因此在做设计之前我们主要考虑了以下二种方案：方案一：单相桥式全控整流电路电路简图如下：图1.1单相桥式全控整流电路对每个导电回路进行控制，相对于全控桥而言少了一个控制器件，用二极管代替，有利于降低损耗！如果不加续流二极管，当a突然增大至180°或出发脉冲丢失时，由于电感储能不经变压器二次绕组释放，只是消耗在负载电阻上，会发生一个晶闸管导通而两个二极管轮流导通的情况，这使U d成为正弦半波，即半周期为正弦，另外半周期为零，其平均值保持稳定，相当于单相半波不可控整流电路时的波形，即为失控。
所以必须加续流二极管，以免发生失控现象。
方案：单相全波可控整流电路：电路简图如下：图1.2单相桥式全控整流电路此电路变压器是带中心抽头的，结构比较复杂，只要用2个可控器件，单相全波只用2个晶闸管，比单相全控桥少2个，因此少了一个管压降，相应地，门极驱动电路也少2个，但是晶闸管承受的最大电压是单相全控桥的 2倍。
不存在直流磁化的问题，适用于输出低压的场合作用。
但是绕组及铁心对铜、铁等材料的消耗比单相全控桥多，在当今世界上有色金属有限的情况下，这是很不利的，所以我们也放弃了这个方案。
单相半控整流电路的优点是：线路简单、调整方便。
弱点是：输出电压脉冲大，负载电流脉冲大（电阻性负载时），且整流变压器二次绕组中存在直流分量，使铁心磁化，变压器不能充分利用。
而单相全控式整流电路具有输出电流脉动小，功率因数高，变压器二次电流为两个等大反向的半波，没有直流磁化问题，变压器利用率高的优点。
(完整word版)单相桥式全控整流电路的设计
目录1 设计方案及原理 (1)原理方框图 (1)主电路的设计 (1)主电路原理说明 (2)整流电路参数的计算 (2)2 元器件的选择 (3)晶闸管的选用 (3)变压器的选用 (4)3 触发电路的设计 (4)对触发电路的要求 (4)3.2 KJ004 集成触发器 (4)4 保护电路的设计 (5)过电压保护 (6)过电压保护 (6)过电流保护 (7)电流上涨率 di/dt 的克制 (7)4.1.4 电压上涨率 du/dt 的克制 (7)5 仿真剖析与调试 (8)成立仿真模型 (8)仿真结果剖析 (9)心得领会 . (11)参照文件 . (12)附录 . ...................................................... 错误！不决义书签。
单相桥式全控整流电路的设计1设计方案及原理1.1 原理方框图系统原理方框图如1-1 所示：触发电路保护电路驱动电路整流主电路负载图 1-1系统原理方框图1.2 主电路的设计主电路原理图以下列图1-2 所示：图 1-2单相桥式全控整流电路原理图1.3 主电路原理说明在电源电压 u2 正半周时期， VT1、VT4 蒙受正向电压，若在触发角 α 处给 VT1、VT4加触发脉冲， VT1、VT4导通，电流从电源 a 端经 VT1、负载、 VT4流回电源 b 端。
当 u2 过零时，流经晶闸管的电流也降到零， VT1和 VT4关断。
在电源电压 u2 负半周时期，仍在触发延缓角 α 处触发 VT2和 VT3， VT2 和 VT3导通，电流从电源 b 端流出，经过 VT3、 R 、 VT2流回电源 a 端。
到 u2 过零时，电流又降为零， VT2 和 VT3 关断。
今后又是 VT1和 VT4导通，这样循环的工作下去。
该电路的移向范围是0―π。
此外，因为该整流电路带的是反电动势负载，因此不是正半轴的随意时辰都能开通晶闸管的，要开通晶闸管一定在沟通电刹时价大于E 的时候去触发。
单相全控桥式晶闸管整流电路的设计反电势 电阻负载
单相全控桥式晶闸管整流电路的设计反电势电阻负载
单相全控桥式晶闸管整流电路的设计反电势是指通过控制晶闸管的导通角度来控制电路的输出电压。
在整流电路中，当晶闸管导通时，电流从负载流过，形成一定的电压降，反电势即为这个电压降。
对于单相全控桥式整流电路而言，电路中有4个晶闸管，每个晶闸管都控制一个半周期的电流。
在正半周中，1和3晶闸管导通，电流通过负载，形成一定的反电势；在负半周中，2和4晶闸管导通，电流流向负载反方向，同样也会形成反电势。
设计反电势的方法主要是通过控制晶闸管的导通角度来调节电路输出的电压。
一般可以通过控制晶闸管的触发角来实现。
调整晶闸管的导通角度可以改变负载电流的截止角，从而影响负载电压，进而实现控制整流电路的输出电压。
在具体的电路设计中，可以使用适当的电路驱动电路和触发控制电路来实现对晶闸管的控制，从而实现所需的反电势。
至于电阻负载，它是指在整流电路输出端加入一个电阻来承载整流电路输出的电流。
在设计时，需要选择适当的电阻值来满足负载的电流要求。
同时，也要考虑电阻的功率和电流容量，以保证电阻能够正常工作并不发生过载。
单相桥式全控整流电路设计
课程设计说明书学生姓名：学号：学院：专业：自动化题目：单相桥式全控整流电路设计（纯电阻负载、反电势电阻负载）指导教师：职称:2011年 1 月 10 日课程设计任务书10/11 学年第一学期学院：专业：学生姓名：学号课程设计题目：单相桥式全控整流电路设计（纯电阻负载、反电势电阻负载）起迄日期：1月10 日～1月14 日课程设计地点：电气工程系实验中心指导教师：系主任：下达任务书日期: 2011年 1 月 9日单相桥式全控整流电路的设计一、1. 设计方案及原理 1.1 原理方框图1.2 主电路的设计电阻负载主电路主电路原理图如下：Rid反电势负载主电路原理图如下：TidE1.3主电路原理说明1.3.1电阻负载主电路原理（1）在u2正半波的（０～α）区间，晶闸管VT1、VT4承受正向电压，但无触发脉冲，晶闸管VT2、VT3承受反向电压。
因此在0～α区间，4个晶闸管都不导通。
假如4个晶闸管的漏电阻相等，则Ut1.4= Ut2.3=1/2u2。
（2）在u2正半波的（α～π）区间，在ωｔ＝α时刻，触发晶闸管VT1、VT4使其导通。
（3）在u2负半波的（π～π＋α）区间，在π～π＋α区间，晶闸管VT2、VT3承受正向电压，因无触发脉冲而处于关断状态，晶闸管VT1、VT4承受反向电压也不导通。
（4）在u2负半波的（π＋α～２π）区间，在ωｔ＝π＋α时刻，触发晶闸管VT2、VT3使其元件导通，负载电流沿b→VT3→R→VT2→α→T的二次绕组→b流通，电源电压沿正半周期的方向施加到负载电阻上，负载上有输出电压（ud=-u2）和电流，且波形相位相同。
1.3.2反电势负载主电路原理（1）若是感性负载，当u2在正半周时，在ωt＝α处给晶闸管VT1加触发脉冲，VT1导通后，电流从u2正端→VT1→L→R→VD4→u2负端向负载供电。
u2过零变负时，因电感L的作用使电流连续，VT1继续导通。
但a点电位低于b点，使电流从VD4转移至VD2，VD4关断，电流不再流经变压器二次绕组，而是经VT1和VD2续流，则u d=0。
单相全控桥式晶闸管整流电路的设计(纯电阻负载)
1 绪论晶闸管出现前的时期可称为电力电子技术的史前期或黎明时期。
晶闸管由于其优越的电气性能和控制性能，使之很快就取代了水银整流器和旋转变流机组。
并且，其应用范围也迅速扩大。
电力电子技术的概念和基础就是由于晶闸管及晶闸管变流技术的发展而确立的。
晶闸管是通过对门极的控制能够使其导通而不能使其关断的器件，属于半控型器件。
对晶闸管电路的控制方式主要是相位控制式，简称相控方式。
晶闸管的关断通常依靠电网电压等外部条件来实现。
这就使得晶闸管的应用受到了很大的局限。
70年代后期，以门极可关断晶闸管（GTO）、电力双极型晶体管（BJT）和电力场效应晶体管（Power-MOSFET）为代表的全控型器件迅速发展。
全控型器件的特点是，通过对门极（基极、栅极）的控制既可使其开通又可使其关断。
在80年代后期，以绝缘栅极双极型晶体管（IGBT）为表的复合型器件异军突起。
它是MOSFET和BJT的复合，综合了两者的优点。
与此相对，MOS控制晶闸管（MCT）和集成门极换流晶闸管（IGCT）复合了MOSFET和GTO。
电力电子学,又称功率电子学(Power Electronics)。
它主要研究各种电力电子器件，以及由这些电力电子器件所构成的各式各样的电路或装置，以完成对电能的变换和控制。
它既是电子学在强电(高电压、大电流)或电工领域的一个分支，又是电工学在弱电(低电压、小电流)或电子领域的一个分支，或者说是强弱电相结合的新科学。
电力电子学是横跨“电子”、“电力”和“控制”三个领域的一个新兴工程技术学科。
在电气自动化专业中已成为一门专业基础性强且与生产紧密联系的不可缺少的专业基础课。
本课程体现了弱电对强电的控制，又具有很强的实践性。
能够理论联系实际，在培养自动化专业人才中占有重要地位。
它包括了晶闸管的结构和分类、晶闸管的过电压和过电流保护方法、可控整流电路、晶闸管有源逆变电路、晶闸管无源逆变电路、PWM控制技术、交流调压、直流斩波以及变频电路的工作原理。
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目录1设计方案及原理 (1)1.1原理方框图 (1)1.2主电路的设计 (1)1.3主电路原理说明 (2)1.4整流电路参数的计算 (2)2元器件的选择 (3)2.1晶闸管的选取 (3)2.2变压器的选取 (4)3触发电路的设计 (4)3.1对触发电路的要求 (4)3.2 KJ004集成触发器 (4)4保护电路的设计 (5)4.1 过电压保护 (6)4.1.1过电压保护 (6)4.1.2过电流保护 (7)4.1.3电流上升率di/dt的抑制 (7)4.1.4电压上升率du/dt的抑制 (7)5仿真分析与调试 (8)5.1建立仿真模型 (8)5.2仿真结果分析 (9)心得体会 (11)参考文献 (12)附录........................................................ 错误!未定义书签。
单相桥式全控整流电路的设计1设计方案及原理1.1原理方框图系统原理方框图如1-1所示：图1-1 系统原理方框图1.2主电路的设计主电路原理图如下图1-2所示：触发电路驱动电路 整流主电路 负载保护电路图1-2 单相桥式全控整流电路原理图1.3主电路原理说明在电源电压u2正半周期间，VT1、VT4承受正向电压，若在触发角α处给VT1、VT4加触发脉冲，VT1、VT4导通，电流从电源a 端经VT1、负载、VT4流回电源b 端。
当u2过零时，流经晶闸管的电流也降到零，VT1和VT4关断。
在电源电压u2负半周期间，仍在触发延迟角α处触发VT2和VT3， VT2和VT3导通，电流从电源b 端流出，经过VT3、R 、VT2流回电源a 端。
到u2过零时，电流又降为零，VT2和VT3关断。
此后又是VT1和VT4导通，如此循环的工作下去。
该电路的移向范围是0―π。
另外，由于该整流电路带的是反电动势负载，因而不是正半轴的任意时刻都能开通晶闸管的，要开通晶闸管必须在交流电瞬时值大于E 的时候去触发。
提前触发的话，晶闸管会在E 的作用下承受反向电压，无法导通。
1.4整流电路参数的计算当| 2u |>E 时，晶闸管可以开通。
1）整流输出电压的平均值可按下式计算2d 2U cos 0.9U cos ααπ== （1-1）当α=0时，d U 取得最大值90V 即d U = 0.9 2U =90V 从而得出2U =100V ，α=180o 时，d U =0。
α角的移相范围为90o 。
2）整流输出电压的有效值为（2-2）3）整流电流的平均值和有效值分别为（2-3）d 2d U U I =0.9R Rcos E α-=UI R=（2-4）4)在一个周期内晶闸管VT1、VT4和VT2、VT3轮流导通，流过晶闸管的电流平均值只有输出直流电流平均值的一半，即：210.45cos 2dvT d U E I I Rα-== （2-5）2元器件的选择2.1晶闸管的选取晶闸管的主要参数如下：①额定电压U Tn 通常取DRM U 和RRM U中较小的，再取靠近标准的电压等级作为晶闸管型的额定电压。
在选用管子时，额定电压应为正常工作峰值电压的2～3倍，以保证电路的工作安全。
晶闸管的额定电压 {}RRM DRM Tn U U U ,m in =U Tn =（2～3）U TM （2-7） U TM :工作电路中加在管子上的最大瞬时电压 ②额定电流I T(A V)I T(A V) 又称为额定通态平均电流。
其定义是在室温40°和规定的冷却条件下，元件在电阻性负载流过正弦半波、导通角不小于170°的电路中，结温不超过额定结温时，所允许的最大通态平均电流值。
将此电流按晶闸管标准电流取相近的电流等级即为晶闸管的额定电流。
在实际使用时不论流过管子的电流波形如何、导通角多大，只要其最大电流有效值不大于额定电流的有效值,散热冷却符合规定，则晶闸管的发热、温升就能限制在允许的范围。
在实际使用时不论流过管子的电流波形如何、导通角多大，只要其最大电流有效值不大于额定电流的有效值,散热冷却符合规定，则晶闸管的发热、温升就能限制在允许的范围。
将变压器副边电压有效值U2定为200V ，则停止导电角δ=8.15° 此时可达到的最大输出电压为0.9U2*cos8.15°= 178V >90V ，满足要求。
2282.8V ==考虑到安全裕量，故晶闸管额定电压为：()2~3282.8565.6~848.4V Tn U V =⨯= 由式2-6知，流过晶闸管电流有效值最大为：晶闸管额定电流为：通过以上计算得知，可以取晶闸管额定电压为800V ，额定电流为30A 。
2.2变压器的选取变压器是一种静止的装置，它是依靠磁耦合的作用，将一种等级的电压与电流转换为另一种等级的电压与电流，起着传递电能的作用。
单相桥式全控整流电路带反电动势负载，变压器二次电流有效值I2与输出电流有效值I 相等。
由式2-4可知，二次侧电流最大为50A ，故变压器容量至少为10000 V ·A 。
3触发电路的设计3.1对触发电路的要求晶闸管触发主要有移相触发、过零触发和脉冲列调制触发等。
触发电路对其产生的触发脉冲要求:1）、触发信号可为直流、交流或脉冲电压。
2）、触发信号应有足够的功率（触发电压和触发电流）。
3）、触发脉冲应有一定的宽度，脉冲的前沿尽可能陡，以使元件在触发导通后，阳极电流能迅速上升超过掣住电流而维持导通。
4）、触发脉冲必须与晶闸管的阳极电压同步，脉冲移相范围必须满足电路要求。
3.2 KJ004集成触发器KJ004 可控硅移相触发电路适用于单相、三相全控桥式供电装置中,作可控硅的双路脉冲移相触发。
KJ004 器件输出两路相差180度的移相脉冲,可以方便地构成全控桥式触发器线路。
KJ004 电路具有输出负载能力大、移相性能好、正负半周脉冲相位均衡性好、max VT I 28.28A===()()maxT AV I 1.5~227~36A1.57VT I ==移相范围宽、对同步电压要求低,有脉冲列调制输出端等功能与特点。
其管脚图如下图3-1所示：图3-1 KJ004管脚图各引脚说明如下表3-1所示：表3-1 KJ004引脚说明功能输出空锯齿波形成-Vee(1kΩ)地同步输入综合比较微分阻容封锁调制+Vcc引脚号1、15 2、6、10 3、4 5 7 8 9 11、12 13、14 16 该触发电路设计中，通过KJ004集成触发器控制晶闸管VT1 、VT2、VT3和VT4的导通与截止，使VT1和VT4同时导通，VT2和VT3同时导通，同时两路导通相差180度。
KJ004 器件恰好输出两路相差180度的移相脉冲,可以方便地构成全控桥式触发器线路。
触发电路原理图参见附录。
4保护电路的设计相对于电机和继电器，接触器等控制器而言，电力电子器件承受过电流和过电压的能力较差，短时间的过电流和过电压就会把器件损坏。
但又不能完全根据装置运行时可能出现的暂时过电流和过电压的数值来确定器件参数，必须充分发挥器件应有的过载能力。
因此，保护就成为提高电力电子装置运行可靠性必不可少的重要环节。
4.1 过电压保护4.1.1过电压保护电源侧过电压电力电子设备一般都经变压器与交流电网连接，电源变压器的绕组与绕组、绕组与地中间都存在着分布电容，如图4-1所示：图4-1 分布电容该电路中变压器为降压型，即电源电压u高于变压器次级电压。
电源开关断开时，初、次级绕组均无电压，绕组间分布电容电压也为0，当电源合闸时，由于电容两端电压不能突变，电源电压通过电容加在变压器次级，使得变压器次级电压超出正常值，它所连接的电力电子设备将受到过电压的冲击。
在进行电源拉闸断电是也会造成过电压，在通电的状态将电源开关断开使激磁电流从一定得数值迅速下降到0，由于激磁电感的作用电流的剧烈变化将产生较大的感应电压，因为电压为Ldi/dt，在电感一定得情况下，电流的变换越大，产生的过电压也越大。
这个电压的大小与拉闸瞬间电流的参数值有关，在正弦电流的最大值时断开电源，产生的di/dt 最大，过电压也就越大。
可见，合闸时出现的过电压和拉闸时出现的过电压其产生的机理是完全不同的。
对于以上过电压，我们可以采用阻容保护，保护电路如下图4-2所示：图4-2 过电压保护同理晶闸管过电压保护，也可采用阻容式保护方法，给每个晶闸管并联一个RC串联回路。
4.1.2过电流保护电力电子电路中的电流瞬时值超过设计的最大允许值，即为过电流。
过电流有过载和短路两种情况。
在该电路的过电流保护中均采用熔断器，给每个晶闸管串连一个熔断器。
虽然这样所用熔断器较多，但由于流过晶闸管的电流有效值相对于负载电流有效值和电源二次侧电流有效值来说较小，等价条件下产生热量最少，同时熔断器价格很便宜，故这样设计过电流保护电路比较经济。
电路原理图如下图4-3所示：图4-3 过电流保护4.1.3电流上升率di/dt的抑制晶闸管初开通时电流集中在靠近门极的阴极表面较小的区域，局部电流密很大，然后以0.1mm/μs的扩展速度将电流扩展到整个阴极面，若晶闸管开通时电流上升率di/dt过大，会导致PN结击穿，必须限制晶闸管的电流上升率使其在合适的范围内。
其有效办法是在晶闸管的阳极回路串联入电感。
4.1.4电压上升率du/dt的抑制加在晶闸管上的正向电压上升率du/dt也应有所限制,如果du/dt过大。
由于晶闸管结电容的存在而产生较大的位移电流，该电流可以实际上起到触发电流的作用，使晶闸管正向阻断能力下降，严重时引起晶闸管误导通。
该电路中采用进线电抗器，在输入交流侧串联电感来抑制电压变化率。
5仿真分析与调试5.1建立仿真模型在电力电子设计过程中利用MATLAB来进行仿真建模分析有很大的好处，它不但非常方便而且能够在很大程度范围内减少因设计问题而造成的浪费。
这里的仿真主要是运用MATLAB软件中的simulink工具。
先从simulink的元件库中找到需要用的元件，然后搭建相应的主电路，设置好参数后即可进行仿真。
仿真电路图如下图所示.图5-1 单相桥式全控整流电路系统模型仿真电路中，用虚拟的示波器监控整流电路输出电压与输出电流的波形，触发信号波形。
由于是要触发晶闸管，故把触发面冲宽度设置为3%。
这里是首先指定电源为200V的工频交流电。
根据题目要求反电动势负载为40V，负载电阻1欧，负载电感20mH。
设定好元器件的参数之后,还需要设置仿真算法和仿真时间。
我设定了0.5S的仿真时间。
设置的仿真算法是ode45。
5.2仿真结果分析触发角为0时的波形：图5-2 触发角为0时的波形触发角为60时的波形如下图所示：图5-3 触发角为60时的波形如图所示，当触发角为0时，进闸管始终处于断开状态，同时ＶＤ也是阻断的。