电力电子复习(00002)
电力电子复习资料一、简答题1、晶闸管导通和关断的条件是什么？2、有源逆变实现的条件是什么？3、什么是逆变失败，造成逆变失败的原因有哪些？如何防止逆变失败?4、电压型逆变器与电流型逆变器各有什么样的特点？5、换流方式有哪几种？分别用于什么器件？6、画出GTO,GTR ,IGBT,MOSFET四种电力电子器件的符号并标注各引脚名称7、单相全波与单相全控桥从直流输出端或从交流输入端看均是基本一致的，两者的区别？8、桥式全控整流电路、三相桥式全控整流电路中，当负载分别为电阻负载。
9、画出降压斩波电路原理图并简述降压斩波电路工作原理。
10、交流调压电路和交流调功电路有什么区别？二者各运用于什么样的负载？11、单极性和双极性PWM调制有什么区别？三相桥式PWM型逆变电路中，输出相电压（输出端相对于直流电源中点的电压）和线电压SPWM波形各有几种电平？12、三相桥式全控整流电路，其整流输出电压含有哪些谐波？幅值最大的为那一次？13、试分析为何正激电路在开关S关断到下一次开通的一段时间内，必须使励磁电流降回零？14、多相多重斩波电路有何优点？15、交交变频电路的最高输出频率是多少？制约输出频率提高的因素是什么？16、单相桥式全控整流电路、三相桥式全控整流电路中，当负载分别为电阻负载或电感负载时，要求的晶闸管移相范围分别是多少？17、电力电子装置产生的谐波对公用电网会造成危害，主要包括哪些方面？18、试比较双反星形可控整流电路和三相桥式整流可控电路的异同点。
19、逆变电路多重化的目的是什么，串联多重和并联多重各用于什么场合？20、交交变频电路的优缺点是什么？应用在哪些场合？21、绘制sepic斩波电路的原理图，并推导出输入输出关系。
22、绘制zeta斩波电路的原理图，并推导出输入输出关系。
23、试分析正激电路和反激电路的开关和整流二极管工作时承受的最大电压、最大电流和平均电流。
24、变压器漏感对整流电路有哪些影响？25、单相桥式半控整流电路什么情况下会发生失控，如何避免？26、GTO与普通晶闸管的不同之处为？27、电力二极管由零偏置转换为正偏置时，出现过电压的原因是什么？二、选择题1、三相全控桥整流电路的同一相上下两个桥臂晶闸管的触发脉冲依次应相差度。
A、180°B、60°C、360°D、120°2、α为度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。
A、0°B、30°C、60°D、90°3、可实现有源逆变的电路为（）。
A、三相半波可控整流电路，B、三相半控桥整流桥电路，C、单相全控桥接续流二极管电路，D、单相半控桥整流电路。
4、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理（）。
A、30º-35ºB、10º-15ºC、0º-10ºD、0º5、快速熔断器熔体额定电流的选择是电流的（）。
A、平均值B、有效值C、最大值D、瞬时值6、三相桥式半控整流电路，大电感负载时的移相范围为（）。
A、0º～180ºB、0º～150ºC、0º～120ºD、0º～90º7、三相半波整流电路，电阻性负载时的移相范围为（）。
A、0º～180ºB、0º～150ºC、0º～120ºD、0º～90º8、三相桥式全控整流电路，大电感负载时的移相范围为（）。
A、0º～180ºB、0º～150ºC、0º～120D、0º～90º9、单相半控桥电感性负载电路，在负载两端并联一个二极管的作用是（）。
A、增加晶闸管的导电能力B、抑制温漂C、防止失控D、增加电压稳定性10、具有锁定效应的电力电子器件是（）。
A、电力晶体管B、晶闸管C、可关断晶闸管D、绝缘栅双极型晶体管10、三相全控桥整流电路的同一相上下两只晶闸管的触发脉冲依次相差度。
（）A、180°B、60°C、360°D、120°11、α为度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压（）波形，处于连续和断续的临界状态。
A、0°B、30°C、60°D、90°12、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理（）A、30º-35ºB、10º-15ºC、0º-10ºD、0º13、快速熔断器熔体额定电流的选择是电流的（）A、平均值B、有效值C、最大值D、瞬时值14、三相桥式半控整流电路，大电感负载时的移相范围为（）A、0º～180ºB、0º～150ºC、0º～120ºD、0º～90º15、三相半波整流电路，电阻性负载时的移相范围为（）A 、0º～180ºB 、0º～150ºC 、0º～120ºD 、0º～90º16、 三相桥式全控整流电路，大电感负载时的移相范围为（ ）A 、0º～180ºB 、0º～150ºC 、0º～120D 、0º～90º17、 单相半控桥电感性负载电路，在负载两端并联一个二极管的作用是（ ）A 、 增加晶闸管的导电能力B 、 抑制温漂C 、 防止失控D 、 增加电压稳定性19、具有锁定效应的电力电子器件是 （ ）A 、电力晶体管B 、晶闸管C 、可关断晶闸管D 、绝缘栅双极型晶体管20、某型号为KP100-10的普通晶闸管工作在单相半波可控整流电路中，晶闸管能通 过的电流有效值为（ ）。
A 、100AB 、10AC 、157AD 、15.7A21、图中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，两个波形的电流最大值均相同，则波形的电流有效值I 1、I 2的关系为：（ ）。
02π2ππππ4π45π4a)b)0A 、 I 2 = 2 I 1B 、I 2 = 2I 1C 、I 1 = 2I 2D 、I 1 = 2 I 222、下列关于Power MOSFET 的描述，哪一项是错误的？（ ）A 、是电压驱动型器件B 、也称为绝缘栅极双极型晶体管C 、属于全控型器件D 、三个极为漏极、栅极和源极23、三相半波整流电路输出波形如图所示，则以下判断正确的是（ ）。
u d u a u b u cO ωtαA 、控制角为30°，电阻性负载，a 相触发信号丢失B 、控制角为30°，电感性负载，b 相触发信号丢失C 、控制角为0°，电阻性负载，a 相触发信号丢失D 、控制角为0°，电感性负载，a 相触发信号丢失24、 下面哪种功能不属于变流的功能（ ）A 、有源逆变B 、交流调压C 、变压器降压D 、直流斩波25、 三相半波可控整流电路的自然换相点是（ ）。
A 、 交流相电压的过零点 .B 、 本相相电压与邻相电压正半周的交点处。
C 、 比三相不可控整流电路的换相点超前30ºD 、比三相不可控整流电路的换相点超前60º26、三相电压型逆变器采用的导电方式为度导电方式。
A 、60ºB 、120ºC 、150ºD 、180º27、三相电流型逆变器采用的导电方式为度导电方式。
A 、60ºB 、120ºC 、150ºD 、180º28、可实现有源逆变的电路为 （ ）A 、三相半波可控整流电路，B 、三相半控桥整流桥电路，C 、单相全控桥接续流二极管电路，D 、单相半控桥整流电路。
29、三相半波可控整流电路在换相时，换相重叠角γ的大小与哪几个参数有关 。
A 、α、I d 、 X L 、U 2φ；B 、α、I d ；C 、α、U 2；D 、α、U 2、 X L ；30、α= 度时，三相全控桥式整流电路带电阻负载电路，输出负载电压波形处于连续和断续的临界状态。
A 、0度；B 、60度；C 、30度；D 、120度；31、某电流分解为)5sin 513sin 31(sin 42 +++=ωωωπt t I i d ，其中基波的有效值为（ ） A d I π22 B d I π2 C d I π4D d I 232、逆变角的大小等于（ ）A απ+B απ-C απ-2D απ+233、升压斩波电路的电压输入输出关系是（ ）A E TT U on o = B E T T U off o = C E T T T U offon o +=D E T T U off o = 34、下图中阴影部分为晶闸管处于一个周期内的电流波形，此晶闸管的平均电流是（ A ）。
A M I )4221(1+πB M I )221(1+πC M I π22D M I π2三、填空题1、电力电子器件按照器件内部电子与空穴两种载流子参与导电的情况分为： 、和三种。
2、电力电子器件按照被控制电路控制的情况分为、、三类。
3、电力电子技术的四种基本功能是、 、、 。
4、晶闸管常见的派生器件有、等。
5、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管；可关断晶闸管；功率场效应晶体管；绝缘栅双极型晶体管；IGBT 是和的复合管。
6、 多个晶闸管相并联时必须考虑的问题，解决的方法是。
多个晶闸管相串联需考虑的问题。
7、在电流型逆变器中，输出电压波形为波，输出电流波形为波。
8、同一晶闸管，维持电流I L 与擎住电流I H 的数值大小上有I L I H 。
9、 电力MOSFET 和IGBT 属于（电压，电流）驱动型器件。
属于电流型驱动的器件有、、等。
10、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_二个元件之间进行；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_上的元件之间进行的。
11、常用的过电流保护措施有、、。
（写出三种即可）12、 当温度降低时，晶闸管的触发电流会 、正反向漏电流会；当温度升高时，晶闸管的触发电流会、正反向漏电流会。
13、常用的过电流保护措施有、等。
14、逆变电路常用的换流方式有、、 、四种，其中由晶闸管构成的 逆变器换流方式有换流和换流。
15、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为逆变器与逆变器两大类。
电力电子复习整理
第一章电力电子技术的概念根据电力电子器件的特性、采用一种有效的静态变换和控制方法，将一种电能形式转换为另一种电能形式的技术。
电力电子功率变换的分类 AC/DC 变换 整流器 DC/AC 变换 逆变有源逆变 DC/AC 变换时，交流输出与电网相连。
无源逆变 DC/AC 变换时，交流输出直接与负载相连 。
AC/AC 变换 变频器 DC/DC 变换 直流斩波 第二章功率半导体器件分类不可控型: 功率二极管:导通和关断均由电路潮流决定。
半可控型: 晶闸管:在器件在承受正向电压时，由控制信号控制器件的导通，而关断状态由电路潮流决定。
全控型: 可控开关 :由控制信号控制器件的导通和关断。
绝缘栅双极晶体管（IGBT ） 门极可关断晶闸管（GTO ） 电力场效应晶体管（MOSFET ） 双极结型晶体管（BJT ）绝缘栅门极换流晶闸管（IGCT ）二极管的工作原理、特性和分类当功率二极管承受正向电压时，它的正向导通压降很小，大约在1V 左右。
当功率二极管承受反向电压时，只有极小的漏电流可通过该器件。
正向平均电流IF （AV ）设正弦半波电流的峰值为Im ，则额定电流为:()I 1I sin ()2mF AV m I td t πωωππ==⎰额定电流有效值为：I 2m F I ==某电流波形的有效值与平均值之比为这个电流的波形系数:f K =电流有效值电流平均值()F F AV I 1.57I 2f K π==≈额定电流IF(AV)=100A 的电流功率二极管，其额定电流有效值IF =Kf IF(AV)=157A 。
正向压降UF几种常用的功率二极管 肖特基二极管快恢复二极管工频二极管晶闸管的工作原理、特性、分类和选型（电流有效值、波形系数、额定电压和额定电流）晶闸管承受正向电压时，在门极注入正向脉冲电流可将它触发导通。
晶闸管一旦开始导通，门极就失去控制作用。
不论门极触发电流是否存在，晶闸管都保持导通。
通过外电路使阳极电流反向，并且降到接近于零的某一数值，可使已导通的晶闸管关断。
电力电子备考期末考试知识点
电子技术损耗电力电子技术复习课本内容第一章模拟电子技术信息电子技术 数字电子技术 电力电子技术：应用于电力领域的电子技术，具体的说就是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术电力变换的种类1. 交流变直流称为整流2. 直流变交流称为逆变3. 直流变直流是指一种电压（或电流）的直流变为另一种电压（或电流）的直流，可用直流斩波电路实现4. 交流变交流可以是电压或电力的变换，称做交流电力控制第二章 电力电子器件由于电力电子器件直接用于处理电能的主电路，因而，同处理信息的电子器件相比，她一般具有如下特征1. 电力电子器件所能处理的功率的大小，也就是其承受电压和电流的能力，是其最重要的参数。
其处理点功率的能力小至毫瓦级，大至兆瓦级，一般都远大于处理信息的电子器件。
2. 因为处理的功率较大，为了减少本身的损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作于开关状态 3. 在实际应用当中，电力电子器件往往需要有信息电子电路来控制 4. 尽管工作在开关状态，但电力电子器件自身的功率损耗通常仍远大于信息电子器件，因而为了保证不至于因损耗散发的热量导致器件温度过高而损坏，不仅在器件封装上比较讲究散热设计，而且在其工作时一般都还需要安装散热器。
低频：通态损耗和断态损耗，因为断态电流极其微小，因而通态损耗是电力电子器件功率损耗的主要成因 高频：开关损耗：开通损耗和关断损耗，当开关频率较高时，开关损耗会随之增大而可能成为器件功率损耗的主要因素电力电子器件在实际应用中，一般是由控制电路、驱动电路、保护电路和以电力电子器件为核心的主电路组成GTR 的二次击穿现象与安全工作区一次击穿：当GTR 的集电极电压升高至击穿电压时，集电极电流Ic 迅速增大，这种首先出现的击穿是雪崩击穿被称为一次击穿，只要I c 不超过与最大允许耗散功率相对应的限度，GTR 一般不会损坏，工作特性也不变。
二次击穿：一次击穿发生时如不有效的限制电流，Ic 增大到某个临界点时会突然急剧上升，同时伴随着电压的陡然下降，这种现象称为二次击穿，导致器件永久损坏，或者工作特性明显衰变。
《电力电子技术》课后复习题(附答案)
电力电子技术课后复习题（全面）1、电力电子技术是一种利用电力电子器件对电能进行控制、转换、和传输的技术。
2、电力电子技术包括电力电子器件、电路和控制三大部分。
3、电力电子技术的基本转换形式和功能：整流电路----AC/DC----整流器直流斩波----DC/DC----斩波器逆变电路----DC/AC----逆变器交流电路----AC/AC----变频器4、电力电子器件是指在可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。
5、广义上，电力电子器件也可分为电真空器件和半导体器件。
6、按照器件能够被控制电路信号所控制的程度的程度进行分类：不可控器件---------电力二极管（功率二极管PD）半控型器件---------晶闸管(SCR)全控型器件---------电力晶体管（GTR）7、全控型器件也称自关断器件。
代表元件：门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应晶体管（MOSFET）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）。
8、按照驱动电路加在器件控制端和公共端之间信号的性质进行分类：电流驱动型：晶闸管、门极可关断晶闸管、电力晶体管等。
电压驱动型：电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管等。
9、按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分类：双极型器件:电力二极管、晶闸管、门极可关断晶闸管、电力晶体管单极型器件：电力场效应晶体管。
复合型器件：绝缘栅双极晶体管。
10、功率二极管（PD）又称电力二极管，也称半导体整流器。
其基本结构与普通二极管一样。
有螺栓型和平板型两种封装。
正平均电流I F(A V): 电流最大有效值I 11．功率二极管的测试：用万用表的Rx100或Rx1测量。
【注】严禁用兆欧表测试功率二极管。
选择二极管时要考虑耗散功率。
不可控器件------功率二极管（电力二极管）12、功率二极管的主要类型：普通二极管、快速恢复二极管、肖特基二极管。
13、半控型器件----晶闸管（SCR）是硅晶体闸流管的简称，又称为可控硅整流器。
电力电子技术各章复习
各章复习.晶闸管
Power Electronics Technology Power Electronics Technology
国产晶闸管的型号命名（JB1144-75部颁发标准） 第一部分用字母“K”表示主称为晶闸管。 第二部分用字母表示晶闸管的类别。 P 普通反向阻断型、K 快速反向阻断型、S 双向型 第三部分用数字表示晶闸管的额定通态电流值(1表1A) 第四部分用数字表示重复峰值电压级数(1表100V)。 如KP50-5
电力电子 宋海辉 10
各章复习.单相可控整流
Power Electronics Technology Power Electronics Technology
单相半波可控整流电路 单相桥式全控整流电路(*) 单相桥式半控整流电路(*)
通态平均电流 IT(AV)
1.57IT(AV)=I
—在环境温度为40C和规定的冷却状态下，稳定结温不超过 额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。标 称其额定电流的参数。
—使用时应按有效值(发热损耗）相等的原则来选取晶闸管。
通态（峰值）电压UTM ——晶闸管通以某一规定倍数的额定通态平均电流时的瞬态峰值 电压。
电力电子
宋海辉
9
各章复习.晶闸管
Power Electronics Technology Power Electronics Technology
判断晶闸管的好坏
1、晶闸管有三个脚：A阳极、K阴极、G控制极； 2、A阳极与K阴极之间的正、反向电阻都很大，K阴极、G控制极 之间是一个不完全PN结，它的正反向电阻都不大； 3、用万用表（指针式）电阻档R×1或R×10，两表笔测量晶闸管， 找出正反电阻有差别的两极； 4、电阻读数小时的黑表笔接的极就是P即控制极G，红表笔接的 是N即阴极K ，第三个极就使A阳极； 5、如果三个极之间都是导通的，电阻为零，则该晶闸管已击穿损 坏；
电力电子-复习主要内容
5）PWM整流器工作的基本原理，实现功能。
八
1）电力电子器件的驱动要求；
2）器件串并联使用的特点与注意事项；
3）过电压与过电流保护的分类与功能；
4）缓冲电路的工作原理。
九
1）晶闸管直流电动机系统的原理与直流可逆电力拖动系统的稳态计算；
2）开关电源中电压模式与电流模式的差别；
3）单相功率因数校正的基本原理；
2）晶闸管桥式变流器（单相，三相）的电路结构；R,RL负载下的波形，整流输出电压平均值和电流平均值的计算；各器件波形；输入电流谐波的特点、畸变率、功率因数的计算；
3）换相重叠的概念、原因；换相压降概念；
4）不控整流的概念、基本原理；
5）晶闸管变流器的逆变工作状态：逆变的概念，变流器工作于有源逆变模式的必要条件，逆变角的概念。整流与逆变工作模式的区别。最小逆变角的限制条件，逆变失败的原因和后果。
复习主要内容
章节
重点内容
一
电力电子技术定义；电力（电能）变换的目的和作用；电能变换的种类；电力电子器件的种类；半导体开关的特点。
二
电力电子器件的分类方法；6种主要电力电子器件的基本结构、工作原理、主要特性。
三
1)晶闸管变流器的相位控制原理：自然换流点的定义，触发延迟角的定义（触发脉冲的特殊要求），导通角的定义，移相控制范围的概念；
2）单相交流调压电路的电路构成，在电阻负载和阻感负载时的工作原理和电路特性；
3）交流调功电路和流电力电子开关的基本概念；
4）单相交流斩控原理；
5）单相交交变频的电路构成和实现原理。
七
1）计算法和调制法实现SPWM，包括特定谐波消去法；
2）异步调制和同步调制的概念与区别；
电力电子技术复习资料
电力电子技术复习资料第一章 电力电子器件及驱动、保护电路1、电力电子技术是一种利用电力电子器件对电能进行控制、转换和传输的技术。
P12、电力电子技术包括电力电子器件、电路和控制三大部分。
P13、电力电子技术的主要功能：1）、整流与可控整流电路也称为交流/直流（AC/DC ）变换电路；2）、直流斩波电路亦称为直流/直流(DC/DC)转换电路；3）、逆变电路亦称为直流/交流(DC/AC)变换电路；4）、交流变换电路（AC/AC 变换）。
P14、电力电子器件的发展方向主要体现在：1）、大容量化；2）、高频化；3）、易驱动；4）、降低导通压降；5)、模块化；6）、功率集成化。
P25、电力电子器件特征：1）、能承受高压；2）、能过大电流；3）、工作在开关状态。
P46、电力电子器件分类：1)、不可控器件，代表：电力二极管；2）、半控型器件，代表：晶闸管；3）、全控型器件，代表：电力晶体管（GTR ）。
P57、按照加在电力电子器件控制端和公共端之间的驱动电路信号的性质又可以将电力电子器件分为电流驱动和电压驱动两类。
P68、晶闸管电气符号。
P19、晶闸管关断条件：阴极电流小于维持电流；晶闸管导通条件：阳极加正压，门极加正压。
导通之后门极就失去控制。
P1110、晶闸管的主要参数（选管用）重复峰值电压——额定电压U Te ；晶闸管的通态平均电流I T(A V)——额定电流。
P1311、K f =电流平均值电流有效值===2)(πAV T T I I 1.57。
P14 12、根据器件内部载流载流子参与导电的种类不同，全控型器件又分为单极型、双极性和复合型三类。
P1713、门极可关断晶闸管（GTO ）具有耐压高、电流大等优点，同时又是全控型器件。
P1814、电力晶体管(GTR)具有自关断能力、控制方便、开关时间短、高频特性好、价格低廉等优点。
P1915、GTR 发生二次击穿损坏，必须具备三个条件：高电压、大电流和持续时间。
电力电子技术总复习
a) 转移特性 b) 输出特性
1-20
MOSFET的开关速度 可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度。
开关时间在10~100ns之间，工作频率可达100kHz以上， 是主要电力电子器件中最高的。 场控器件，静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中 需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。 开关频率越高，所需要的驱动功率越大。
电流检测
过电流 继电器
短路器
动作电流 整定值
开关电路
触发电路
电子保护电路
图1-37 过电流保护措施及配置位置
同时采用几种过电流保护措施，提高可靠性和合理性。 电子电路作为第一保护措施，快熔仅作为短路时的部分 区段的保护，直流快速断路器整定在电子电路动作之后 实现保护，过电流继电器整定在过载时动作。
1-34
断态电压临界上升率du/dt
——电压上升率过大，使结电容充电电流足够大，造成晶闸管误导通 。
通态电流临界上升率di/dt
——电流上升太快，可能造成局部过热而使晶闸管损坏。
4)、晶闸管的型号
Ｐ—普通, Ｋ—快速型，Ｓ—双向型，Ｎ—逆导型，Ｇ—可
KP[电流]─[电压/100][通]态平均电压组别
正反向重复峰值电压 通态平均电流
缓冲电路(Snubber Circuit) ： 又称吸收电路，
抑制器件的内因过电压、du/dt、过电流和di/dt，
减小器件的开关损耗。
关断缓冲电路（du/dt抑制电路）——吸收器件的关断过 电压和换相过电压，抑制du/dt，减小关断损耗。
开通缓冲电路（di/dt抑制电路）——抑制器件开通时的 电流过冲和di/dt，减小器件的开通损耗。
双列直插式集成电路及将光耦隔离电路也集成 在内的混合集成电路。 为达到参数最佳配合，首选所用器件生产厂家 专门开发的集成驱动电路。
电力电子技术复习(根据考纲原创)
电力电子技术复习第一章绪论1.电力转换的种类: (1)交流转直流:整流(2)直流转直流:直流斩波(3)交流转交流:交流电力控制,变频,变相(4)直流转交流:逆变2.电力电子与信息电子的区别:前者是用于电力变换和控制,后者用于信息处理;信息电子中,半导体器件既可以处于放大状态,也可以处于开关状态;而在电力电子里,为避免功率损耗过大,电力电子器件总是处于开关状态,这是区别的一个重要特征.第二章电力电子器件3.电力电子器件所能处理电功率的大小,既承受电压电流的能力,是其最重要的参数.4.除一些特殊器件外,电力电子器件的断态漏电流都极其微小,因而通态损耗是电力电子器件功率损耗的主要成因.当器件的开关频率较高时,开关损耗会随之增大而可能成为器件功率损耗的主要因素.5.电力电子器件一般有控制电路、驱动电路和以电力电子器件为核心的主电路组成一个系统。
6.电力电子器件的分类：（1）根据被控制电路信号所控制的强度分为：半控型器件（晶闸管极其派生器件）；全控型器件（绝缘栅双击晶极管，电力场效应管）；不可控器件（电力二极管）（2）按驱动电路加载电力电子器件控制端与公共端之间信号的性质分为电流驱动型和电压驱动型。
（3）按波形可以分为脉冲触发型和电平控制型。
（4）按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为单级型器件、双极型器件和复合型器件。
7.电力二极管：（1）普通二极管：反向恢复时间较长，正向电流定额和反向电压定额很高，数千。
（2）快恢复二极管：恢复过程很短。
（3）肖特基二极管：p198.晶闸管：导通条件：1、阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应。
2、阳极电压上升率过高。
3、结温较高。
4、光直接照射硅片9.GTO（门极可关断晶闸管）：电气符号：p267.在门极施加负的脉冲电流使其关断；10.G TR:巨型晶体管,电气符号p28；最主要的特性是耐压高、电流大、开关特性好，不太注重放大系数，线性度，频率响应及噪声和温漂等性能参数11.IGBT（绝缘栅双极晶体管）综合GTR和MOSFET的优点，电气符号p34，擎住特性是限制IGBT电流容量进一步提高的主要因素。
月自考真题电力电子变流技术(0000)(00002)
全国2011年4月高等教育自学考试电力电子变流技术试卷课程代码：02308一、单项选择题(本大题共26小题，每小题1分，共26分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。
错选、多选或未选均无分。
1.功率晶体管的安全工作区由( )A.2条曲线限定B.3条曲线限定C.4条曲线限定D.5条曲线限定2.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为( )A.一次击穿B.二次击穿C.临界饱和D.反向截止3.晶闸管的正向不重复峰值电压U Dsm与转折电压U80的关系是( )A.U Dsm=U B0B.U Dsm>U B0C.U Dsm<U B0D.U Dsm=1.2U B04.晶闸管在正常工作中，触发控制信号应加在( )A.阳极B.阴极C.门极D.漏极5.晶闸管的伏安特性是指( )A.阳极电压与门极电流的关系B.门极电压与门极电流的关系C.阳极电压与阳极电流的关系D.门极电压与阳极电流的关系6.晶闸管是( )A.2端器件B.3端器件C.4端器件D.5端器件7.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位互差( )A.60°B.90°C.120°D.150°8.在电感性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大正向电压为( )A. B.2C. D.29.在电感负载三相全控桥中，当α>60°时，在下一自然换相点之前整流输出u d为正值，交流电源提供能量，电感( )A.释放能量B.既不释放能量也不储能C.储能D.以储能为主10.已知三相桥式不控整流电路的相电压u A的表达式为u A=sinωt，请写出u c的表达式。
( )A. B.C. D.11.三相全控桥式变流电路工作在有源逆变状态的条件是( )A.α<B.α<C.α<D.α>12.斩波电路是( )A.AC／DC变换器B.DC／AC变换器C.AC／AC变换器D.DC／DC变换器13.可在第一和第二象限工作的变流电路是( )A.单相全控桥B.单相半控桥C.接有续流二极管的三相半控桥D.接有续流二极管单相半波可控变流电路14.在三相全控桥式变流电路直流电动机拖动系统中，当变流器工作于有源逆变状态时，网侧有功功率为( )A.P d=0B.P d正负不定C.P d>0D.P d<015.在三相全控桥式有源逆变电路中，电路工作于晶闸管V15、V16导通状态，现触发V11导通，则V15承受的线电压为( )A.u bcB.u abC.u cbD.u ca16.可用作晶闸管过电压保护的元器件是( )A.快速熔断器B.RC电路C.快速开关D.电抗器17.在三相全控桥式有源逆变电路中，晶闸管可能承受最大正向电压为( )。
(完整版)电力电子复习(有答案)
第一章填空题：1.电力电子器件一般工作在_开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为_通态损耗_，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为_开关损耗。
3.电力电子器件组成的系统，一般由_主电路_、_驱动电路_、_控制电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路_。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为单极型器件、双极型器件、复合型器件三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为单向导通。
6.电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。
7.肖特基二极管的开关损耗__小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为正向有触发则导通、反向截止。
（SCR晶闸管）9.对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L_大于I H。
（I L=2~4I H）10.晶闸管断态不重复电压U DRM与转折电压U bo数值大小上应为，U DRM_小于_Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__阴极和门极在器件内并联_结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
（GTO门极可关断晶闸管）13.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为_二次击穿_ 。
14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的_放大区_、前者的非饱和区对应后者的_饱和区_。
15.电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数。
（MOSFET场效应晶体管、GTR电力晶体管、IGBT绝缘栅双极型16.IGBT 的开启电压U GE（th）随温度升高而_略有下降_，开关速度_低于_电力MOSFET 。
晶体管）17.功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是智能功率集成电路。