三极管的型号命名及简易测试
三极管的命名、参数及测试
(2)交流参数
1. 电流放大系数 ， 当晶体管接成共发射极电路时，在静态(无输入信号)时集 电极电流与基极电流的比值称为静态电流(直流)放大系数 IC IB 当晶体管工作在动态(有输入信号)时，基极电流的变化 量为 IB ，它引起集电极电流的变化量为 IC 。 IC 与 IB 的比值称为动态电流(交流)放大系数 I C I B 在输出特性曲线近于平行等距并且 ICEO 较小的情况下, 可近似认为 ，但二者含义不同。
特征频率 fT
β 下降到 1 时所对应的频率 fT 与结电容 CD、CT 有关
1 fT f β
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(3)极限参数
1. 集电极最大允许电流ICM 当 值下降到正常数值的三分之二时的集电极电流，称为 集电极最大允许电流 ICM 。
2. 集电极— —发射极间反向击穿电压V(BR)CEO
2.V(BR)CEO——发射极开路时的集电结击穿电压。 下标BR代表击穿之意，是Breakdown的字头，CB 代表集电极和基极，O代表第三个电极B开路。
三极管的命名和参数
半导体器件的命名方式
第一部分
数字 电极数 3— 三极管
第二部分
字母 材料和极性
第三部分
字母(汉拼) 器件类型
第四部分 第五部分
数字
序号 字母(汉拼) 规格号
A — 锗材料 PNP B — 锗材料 NPN C — 硅材料 PNP D — 硅材料 NPN
X — 低频小功率管 G — 高频小功率管 D — 低频大功率管 A — 高频大功率管
基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压， 称为集—射反相击穿电压 U(BR)CEO 。 管子基极开路时，集电极和发射极之间的最大允许电 压。当电压越过此值时，管子将发生电压击穿，若电击穿 导致热击穿会损坏管子。
三极管型号判断
一、晶体三极管的命名方法及型号字母意义晶体三极管的命名方法见图5-18，型号字母意义见表5-6二、晶体三极管的种类晶体三极管主要有NPN 型和PNP型两大类,一般我们可以从晶体管上标出的型号来识别。
详见表5－6。
晶体三极管的种类划分如下。
①按设计结构分为 : 点接触型、面接触型。
②按工作频率分为 : 高频管、低频管、开关管。
③按功率大小分为 : 大功率、中功率、小功率。
④从封装形式分为 : 金属封装、塑料封装。
三、三极管的主要参数一般情况晶体管的参数可分为直流参数、交流参数、极限参数三大类。
①直流参数 : 集电极 -基极反向电流 I CBO。
此值越小说明晶体管温度稳定性越好。
一般小功率管约10μA左右,硅晶体管更小。
集电极－发射极反向电流I CEO, 也称穿透电流。
此值越小说明晶体管稳定性越好。
过大说明这个晶体管不宜使用。
②极限参数:晶体管的极限参数有: 集电极最大允许电流I CM；集电极最大允许耗散功率I CM；集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO。
③晶体管的电流放大系数:晶体管的直流放大系数和交流放大系数近似相等,在实际使用时一般不再区分,都用β表示,也可用h FE表示。
为了能直观地表明三极管的放大倍数 , 常在三极管的外壳上标注不同的色标。
锗、硅开关管 , 高、低频小功率管 , 硅低频大功率管所用的色标标志如表 2-9-6 所示。
表5-7 部分三极管β值色标表示④特性频率f T：晶体三极管的β值随工作频率的升高而下降,三极管的特性频率f是当β下降到 1 时的频率值。
也就是说 , 在这个频率下的三极管,己失去放大能力,因为晶体管的工作频率必须小于晶体管特性频率的一半以下。
四、常用晶体三极管的外形识别①小功率晶体三极管外形电极识别:对于小功率晶体三极管来说,有金属外壳和塑料外壳封装两种,如图5-25 所示。
图5-25小功率晶体三极管电极识别②大功率晶体三极管外形电极识别:对于大功率晶体三极管,外形一般分为F型，G型两种,如图5-26(a) 所示。
晶体三极管型号命名方法
各国晶体三极管型号命名方法1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管2、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA 注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
常用三极管型号参数大全
常用三极管型号参数大全三极管是一种常用的电子器件，广泛应用于电子设备中，如放大器、开关等。
在实际应用中，我们常用到的三极管型号有很多，每个型号的参数也不尽相同。
下面是一些常用的三极管型号及其参数介绍：1.2N3904这是一款常用的NPN型三极管，它的最大功率是625mW，最大集电流是200mA，最大集电极电压为40V，最大发射极电流是50mA，最大发射极-基极电压为6V，最大集电极-基极电压为60V。
2.2N3906这是一款常用的PNP型三极管，它的最大功率是625mW，最大集电流是200mA，最大集电极电压为40V，最大发射极电流是50mA，最大发射极-基极电压为5V，最大集电极-基极电压为40V。
3.BC547这是一款NPN型三极管，它的最大功率是500mW，最大集电流是100mA，最大集电极电压为45V，最大发射极电流是5mA，最大发射极-基极电压为6V，最大集电极-基极电压为45V。
4.BC557这是一款PNP型三极管，它的最大功率是500mW，最大集电流是100mA，最大集电极电压为45V，最大发射极电流是5mA，最大发射极-基极电压为6V，最大集电极-基极电压为45V。
5.2N2222这是一款NPN型三极管，它的最大功率是500mW，最大集电流是800mA，最大集电极电压为30V，最大发射极电流是800mA，最大发射极-基极电压为6V，最大集电极-基极电压为60V。
6.2N2907这是一款PNP型三极管，它的最大功率是600mW，最大集电流是600mA，最大集电极电压为40V，最大发射极电流是600mA，最大发射极-基极电压为5V，最大集电极-基极电压为40V。
7.MPSA42这是一款NPN型三极管，它的最大功率是625mW，最大集电流是500mA，最大集电极电压为300V，最大发射极电流是500mA，最大发射极-基极电压为6V，最大集电极-基极电压为300V。
8.MPSA92这是一款PNP型三极管，它的最大功率是625mW，最大集电流是500mA，最大集电极电压为300V，最大发射极电流是500mA，最大发射极-基极电压为5V，最大集电极-基极电压为300V。
三极管型号
三极管型号1. 简介三极管（Transistor）是一种半导体器件，广泛应用于电子电路中进行信号放大、功率放大、开关控制等功能。
随着电子技术的发展，市场上涌现出了各种各样的三极管型号，每个型号都具有不同的特性和用途。
本文将介绍几种常见的三极管型号，包括NPN型和PNP 型三极管，以及它们的特点和应用领域。
2. 型号一：2N22222N2222是一种常用的NPN型三极管，具有以下特点：•最大电流：600mA•最大功率：500mW•最大电压：40V•封装形式：TO-922N2222常用于小功率放大、开关控制等电路中，由于其低成本和可靠性得到了广泛的应用。
3. 型号二：BC547BC547是一种常见的NPN型三极管，具有以下特点：•最大电流：100mA•最大功率：500mW•最大电压：45V•封装形式：TO-92BC547常用于小功率放大、开关控制等电路中，适用于一般的低频应用。
4. 型号三：2N39062N3906是一种常见的PNP型三极管，具有以下特点：•最大电流：200mA•最大功率：625mW•封装形式：TO-922N3906常用于低功率放大、开关控制等电路中，适用于一般的低频应用。
5. 型号四：BD139BD139是一种常用的NPN型功率三极管，具有以下特点：•最大电流：1.5A•最大功率：12.5W•最大电压：80V•封装形式：TO-126BD139常用于中功率放大、开关控制等电路中，适合于较高功率和频率的应用。
6. 型号五：BD140BD140是一种常用的PNP型功率三极管，具有以下特点：•最大功率：12.5W•最大电压：80V•封装形式：TO-126BD140常用于中功率放大、开关控制等电路中，适合于较高功率和频率的应用。
7. 应用领域这些三极管型号在电子电路中起到关键作用，具有广泛的应用领域，例如：•通信系统中的放大器和开关电路•音频放大器和控制电路•可编程序逻辑控制器（PLC）中的开关和放大电路•电源管理电路中的开关和控制电路在这些应用领域中，不同型号的三极管能够满足不同的电流、功率和频率要求，提供灵活而可靠的解决方案。
三极管的主要参数和选用
三极管的主要参数和选用余姚市职成教中心学校陈雅萍在使用三极管前，应从有关器件手册或网上查找到三极管的型号、主要用途、主要参数和器件的外形尺寸与引脚排列等，这些资料是正确使用三极管的重要依据。
“3” 表示三极管PNP 型锗材料NPN 型锗材料PNP 型硅材料NPN 型硅材料X——低频小功率管G——高频小功率管D——低频大功率管A——高频大功率管示例：3AG54A 表示锗材料PNP 型高频小功率管。
——国产三极管三极管的型号美国和日本的常以“2N”或“2S”开头。
如2N1307、2SD880等。
N ——表示是美国电子工业协会注册产品S ——表示是日本电子工业协会注册产品示例：2SD880表示硅材料NPN 型低频中功率管。
查阅手册韩国生产的通常是90系列的。
如9013、9011等。
——国外型号三极管三极管的型号三极管的主要参数h FE ：直流电流放大系数。
I CM ：集电极最大允许电流。
P CM ：集电极最大允许耗散功率。
也称β。
是三极管的电流放大倍数。
三极管的集电极工作电流不能超过此值。
是三极管的最大允许平均功率。
超过此值，三极管会过热而损坏三极管的选用1.三极管的使用频率明确高频还是低频。
一般要求三极管的频率>3倍电路工作频率2.三极管工作的安全性三极管的主要参数和选用1.三极管的型号如3AG54A、2SD880、9013等2.三极管的主要参数I CM、P CM、h FE使用频率、工作的安全性。
概述三极管的分类、符号、识别和检测方法等内容
概述三极管的分类、符号、识别和检测方法
等内容
三极管，又称为晶体三极管（Transistor），是一种基础的半导体器件。
根据结构和作用方式的不同，三极管可以分为NPN型和PNP 型两种类型。
1. NPN型三极管：由两个N型半导体材料夹着一个P型半导体材料构成。
其中，N型半导体材料分别连接外接的阴极（接收或控制信号的输入端）、基极（控制信号的输入端）和漏极（输出端）。
2. PNP型三极管：由两个P型半导体材料夹着一个N型半导体材料构成。
其中，P型半导体材料分别连接外接的阴极（接收或控制信号的输入端）、基极（控制信号的输入端）和漏极（输出端）。
符号上，NPN型三极管用一个三箭头箭头指向P型区，PNP型三极管则相反，用一个三箭头箭头指向N型区。
识别和检测方法如下：
1. 观察外观：三极管通常有三个引脚，其中两个引脚距离较近，另一个引脚与之间距离较远。
根据引脚的排列和标记，可以判断三极管的类型（NPN型还是PNP型）。
2. 测试引脚：用测试仪或多用表测量三极管的引脚之间的电阻。
根据测量结果，可判断出三极管的类型和状态（工作正常或故障）。
3. 使用替代器件：如果无法识别三极管的类型或状态，可以使用替代器件进行测试。
安装同类型的三极管来替代原本的三极管，并观察电路的工作情况来判断三极管的类型和状态。
三极管的识别分类及测量
三极管的识别分类及测量 一、 符号： “Q、VT”三极管有三个电极，即 b、c、e，其中 c 为集电极（输入极）、b 为基极（控制极）、e 为发射极（输 出极） 三极管实物图：贴片三极管功率三极管普通三极管金属壳三极管二、三级管的分类：按极性划分为两种：一种是 NPN 型三极管，是目前最常用的一种，另一种是 PNP 型三极管。
按材 料分为两种：一种是硅三极管，目前是最常用的一种，另一种是锗三极管，以前这种三极管用的多。
三极 按工作频率划分为两种：一种是低频三极管，主要用于工作频率比较低的地方；另一种是高频三极管，主 要用于工作频率比较高的地方。
按功率分为三种：一种是小功率三极管，它的输出功率小些；一种是中功 率三极管，它的输出功率大些；另一种是大功率三极管，它的输出功率可以很大，主要用于大功率输出场 合。
按用途分为：放大管和开关管。
三、 三极管的组成： 三极管由三块半导体构成，对于ＮＰＮ型三极管由两块Ｎ型和一块Ｐ型半导体构成，如图Ａ所示， Ｐ型半导体在中间，两块Ｎ型半导体在两侧，各半导体所引出的电极见图中所示。
在Ｐ型和Ｎ型半导体的 交界面形成两个ＰＮ结，在基极与集电极之间的ＰＮ结称为集电结，在基极与发射极之间的ＰＮ结称为发 射结。
图Ｂ是ＰＮＰ型三极管结构示意图，它用两块Ｐ型半导体和一块Ｎ型半导体构成。
ＡＢ四、 三极管在电路中的工作状态：三极管有三种工作状态：截止状态、放大状态、饱和状态。
当三极管用于不同目的时，它的工作 状态是不同的。
1、截止状态：当三极管的工作电流为零或很小时，即 IB=0 时，IC 和 IE 也为零或很小，三极管处 于截止状态。
2、放大状态：在放大状态下，IC=βIB，其中 β(放大倍数)的大小是基本不变的（放大区的特征）。
有一个基极电流就有一个与之相对应的集电极电流。
3、饮和状态：在饮和状态下，当基极电流增大时，集电极电流不再增大许多，当基极电流进一步 增大时，集电极电流几乎不再增大。
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三极管的型号命名及简易测试
2011-04-29 19:28:18| 分类：电子器件类| 标签：三极管基极集电极管子|字号大中小订阅
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晶体三极管是无线电爱好者使用频率最高的器件之一，每个爱好者都应十分熟悉晶体管的符号、型号、命名方法，并且能十分熟练地掌握测试方法。
三报管按内部特性可分为PNP型和NPN 型两种，按材料不同可分为硅管和锗管，按封装材料不同可分为金属管、塑封管等。
在电路图中有两种符号分别表示，PNP管(不论锗管还是硅管)均用图一符号表示，NPN型管(不论锗管还是硅管)均用图二符号表示。
注意图中箭头所指的方向。
在电路图中三极管符号旁边一般都会标出管子的型号，如3AX38，3AG12等。
通过这些型号可查阅到三极管的具体参数。
晶体管按最大集电极允许耗散功率(Pcm)的大小，可分为小功率晶体管(Pcm在300毫瓦下)；中功率晶体管(Pcm大干300毫瓦但小于1瓦)及丈功率晶体管(大于1瓦) 小功率晶体管外形目前常见的如图三所示，其金属壳封装的管脚排列位置如图四所示，硅酮塑封小功率三报管的管脚排列位置，以标记面(平面或倒有平面)对着自已看，如图五所示，其中按(a)所示位置排列有3DG6、3DG201、202、204、205，3CG35，3DX203、202，3CX201、202等，进口管子2SC1473NC、2SC1573A、2SA683NC、2SC536NP、2SA6359等按(b)所示排列，2SA628A等按(c)所示排列。
按国家标准，国产普通晶体三极管型号由五个部分组成，如表一所示。
如3AG1C为PNP型高频小功率三报管，3DG6为NPN型硅高频小功率三板管。
而日本生产的普通晶体管的命名方法与我国不同，它也有五个
部分组成，如表二所示。
如，2SA561为PNP高频管，可用国产3CG23C代用，2SC383为NPN高频管，可用国产3DG4C代用。
目前，市场上进有日电公司产JE9000系列中、小功率三极管，其中9011、9013、9014、9016、9018为硅NPN 三极管，9012、8015为硅PNP三极管，而9012与9013(Icm0.5A、BVceo20V、Pcm0.6W)及9014与9015(Icm0.1A、BVceo46V、Pcm≥O.45W)可配对组成互
补放大管。
小功率晶体管的简易测试方法：
先找一个已知管脚排列的三极管，用万用表的电阻档(R×1k档或R×100档)，红笔(电池负极)接基极、用黑笔(电池正极)接发射极或集电极时(如图六所示)，由于发射结或集电结均为正向导通状态，因此表针摆动较大，指示电阻值均较小；反之，若对调表笔，用黑笔接基极，用红笔接发射极或集电极时，由于发射结或集电结均为反向截止状态，因此表针不摆动或摆动很小，指示电阻值均很大。
这就揭示了找出PNP型三极管基极的方法，先假定三只管脚中的任意一只管脚为PNP型三极管的基极，用以上的方法进行测试，如果完全相符，则假定的那只管脚就是基极，此管为PNP 型管子如果两次结果只有一次相同．则说明假定的那只管脚不是基极，另行选一只管脚再测，只要是PNP 型管子，最多假定到第三次必然找到基极。
同理，对于NPN型三极管，当黑笔接基极而红笔接发射极或集电极时均为正向导通状态；当红笔接基极而黑笔接发
射极或集电极时均为反向截止状态，测试结果刚好和PNP型管相反，从而区别了两种不同极性的管子。
估测β值，找出发射极和集电极的简单方法：用上述方法已找出基极和判断了极性，如果是PNP管，即可任意假定一个电极为发射极，另一极为集电极，经图七(b)、七(c)两次测试对比，表针摆动较大(电阻小)的一次假定为正确的。
此时可得知与红笔相连的为集电极，另一极为发射极。
图七(b)电路中的50—100kΩ电阻也可以用潮湿的手指代替，即以潮湿的姆指和食指捏住基极和集电极，同样可以看到表针摆动。
对NPN型三极管，测试方法是相同的，只是表笔的接法和测PNP管相反，即红笔接发射极，黑笔接集电极，这时放大系数较大。
万用表大多有测试小功率三极管β值的档位，使用时先将管子的基极测出，并测出是PNP型还是NPN型管子，然后在规定的电阻档调好0Ω，再转到hFE档，将管子的基极插入基极孔，其余两极分别插入发射极孔及集电极孔，此时直接由hFE读出放大系数，对调
假定的发射极与集电极，再测一次hFE值，数值较大的一次为正确，从而测出e、c极。
区分硅管与锗管的简单方法：由于锗管穿透电流Iceo比硅管大很多，可作为一种区分标准，此外在测试基极时，也可以根据两种管子的PN结正、反向电阻不同加以区别。
当用万用表R×1k挡测试时，硅管PN 结的正向电阻约3—10千欧，反向电阻大于5(10千欧；锗管PN结的正向电阻约500—2000欧，反向电阻大于100千欧。
由于使用不同的万用表测试结果不同，不妨用自己的万用表测试几只已知的锗管及硅管的正、反向电阻值，作为以后判断未知管子时的依据。
倘若测试结果偏离甚远，可认定管子是坏的，如极间击穿则正反向电阻均为零，若烧断则均为无穷
大。
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