化学气相沉积技术
化学气相沉积技术的研究与应用进展

化学气相沉积技术的研究与应用进展化学气相沉积技术(Chemical Vapor Deposition,CVD)是一种重要的化学气相生长技术,广泛应用于薄膜材料合成、表面涂层、纳米材料制备等领域。
随着科学技术的不断进步,CVD技术在功能材料、能源材料、电子材料等领域的应用前景更加广阔。
本文将介绍CVD技术的基本原理、发展历程以及最新研究进展,并探讨其在各领域中的应用前景。
一、CVD技术的基本原理CVD技术是一种通过将气态前驱体转化为固体薄膜的方法。
其基本原理是:气相前驱体在恰当的条件下分解或反应,生成固相产物并沉积在基底表面,形成一层薄膜材料。
CVD技术可分为热CVD、等离子CVD、光CVD 等几种类型,分别适用于不同的材料制备过程。
二、CVD技术的发展历程CVD技术起源于20世纪60年代,最初用于半导体材料的制备。
随着科学技术的不断进步,CVD技术不断完善和拓展,应用领域也从半导体材料扩展到功能材料、生物材料、光学涂层等多个领域。
特别是近年来,随着纳米材料、二维材料等新兴材料的发展,CVD技术的应用越来越广泛。
三、CVD技术的最新研究进展1.碳纳米管的制备:CVD技术在碳纳米管的制备中表现出色,可以实现高质量、大面积的碳纳米管制备。
研究人员通过调控CVD过程中的气相组分和反应条件,可以实现碳纳米管的控制生长和结构调控。
2.二维材料的合成:CVD技术也被广泛应用于二维材料的制备,如石墨烯、硼氮化物等。
研究人员利用CVD技术可以实现大面积、高质量的二维材料生长,为其在电子器件、传感器等领域的应用提供了新的可能性。
3.光催化材料的合成:利用CVD技术可以实现多种光催化材料的合成,如TiO2、ZnO等。
这些光催化材料在环境净化、水处理等领域具有重要应用前景,利用CVD技术可以控制其结构和性能,提高其光催化性能。
四、CVD技术在各领域中的应用前景1.电子器件领域:CVD技术可以实现高质量、大面积的半导体薄膜的制备,为电子器件的制备提供了基础材料。
化学气相沉积法

时间与速率
要点一
总结词
时间和沉积速率在化学气相沉积过程中具有重要影响,它 们决定了薄膜的厚度和均匀性。
要点二
详细描述
时间和沉积速率决定了化学气相沉积过程中气体分子在反 应器中的停留时间和沉积时间。较长的停留时间和较慢的 沉积速率有利于气体分子充分反应和形成高质量的薄膜。 然而,过长的停留时间和过慢的沉积速率可能导致副反应 或降低沉积速率。因此,选择合适的时间和沉积速率是实 现均匀、高质量薄膜的关键。
05
化学气相沉积法优 缺点
优点
适用性广
涂层性能优良
化学气相沉积法适用于各种材料表面改性 和涂层制备,如金属、陶瓷、玻璃等。
通过控制化学气相沉积的条件,可以制备 出具有高硬度、高耐磨性、高抗氧化性的 涂层。
环保
高效
化学气相沉积法使用的原料在高温下分解 ,不会对环境造成污染。
化学气相沉积法具有较高的沉积速率,可 实现快速涂层制备。
应用领域
半导体产业
用于制造集成电路、微 电子器件和光电子器件
等。
陶瓷工业
制备高性能陶瓷材料, 如氧化铝、氮化硅等。
金属表面处理
在金属表面形成耐磨、 防腐、装饰等功能的涂
层。
其他领域
在航空航天、能源、环 保等领域也有广泛应用
。
02
化学气相沉积法分 类
热化学气相沉积法
原理
在较高的温度下,使气态的化 学反应剂与固态表面接触,通 过气相反应生成固态沉积物。
缺点
高温要求
化学气相沉积法需要在高温下进行,这可能会对 基材产生热损伤或变形。
操作难度大
化学气相沉积法需要精确控制反应条件,操作难 度较大。
ABCD
设备成本高
化学气相沉积技术的应用

化学气相沉积技术的应用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition, CVD)是一种在特定条件下,通过气态反应生成固态材料的技术。
CVD技术是制备各种薄膜、导电膜、复合材料、陶瓷材料、纳米颗粒的重要方法之一。
在半导体、电子、化工、航空航天等领域中,都有广泛的应用。
一、CVD技术的基本原理CVD技术通过化学反应在固体表面沉积出固体薄膜或者微粒。
一般来说,CVD技术需要在两个条件下进行:一个是需要有效的反应气体,另一个则是需要较高的反应温度。
反应温度一般在300-1400℃之间。
CVD技术一般包括一下几个步骤:1. 原料气体通过加热进入反应室。
2. 原料气体在反应室的反应器中与载气混合,在反应室中形成气氛。
3. 原料气体与载气在反应器的表面上发生反应,产生固体薄膜或者微粒。
二、CVD技术的应用1. 半导体领域应用光刻和薄膜沉积是半导体制造的关键步骤。
CVD技术在半导体行业中应用广泛,特别是在薄膜沉积方面。
使用CVD技术可以将各种材料沉积在硅片的表面,例如:SiO2、Si3N4、Ti、TiN、Al、Al2O3等等。
此外,CVD技术还可以沉积纳米颗粒和导电聚合物。
2. 电子领域应用在电子领域,CVD技术可以用来制备触控屏、LED和太阳能电池等。
其中,触控屏的制备通过CVD技术可以实现硬质玻璃表面的涂层,具有优异的硬度和透明性。
而在LED制备过程中,CVD技术可以用于制备氮化铝、氮化硼等化合物材料,以及制备金属有机化合物等掺杂材料。
3. 化工领域应用化学气相沉积技术在化工领域中,尤其是在催化剂和纤维制备上有着广泛的应用。
通过CVD技术制备的“溶胶-凝胶”和“粉末”可以用于催化剂的表面涂层和制备。
同时,CVD技术也可以用于制备陶瓷纤维、碳纤维、复合材料等材料。
4. 航空航天领域应用CVD技术在制备高温耐热材料、复合材料和表面涂层等领域中发挥着巨大作用。
随着航空航天技术的不断提高,对高性能材料和涂层需求也越来越大。
化学气相沉积技术

化学气相沉积技术化学气相沉积技术是一种常用的薄膜制备方法,它在材料科学、纳米技术、能源领域等方面有着广泛的应用。
本文将介绍化学气相沉积技术的基本原理、分类以及在不同领域的应用。
一、基本原理化学气相沉积技术是通过在气相条件下使化学反应发生,从而在基底表面上沉积出所需的薄膜材料。
该技术通常包括两个主要步骤,即前驱体的气相传输和沉积过程。
在前驱体的气相传输阶段,前驱体物质通常是一种挥发性的化合物,如金属有机化合物或无机盐等。
这些前驱体物质被加热到一定温度,使其蒸发或分解为气体。
然后,这些气体将通过传输管道输送到基底表面上。
在沉积过程中,前驱体气体与基底表面上的反应活性位点发生反应,形成固态的薄膜材料。
这些反应通常是表面吸附、解离、扩散和再结合等过程的连续发生。
通过控制前驱体的流量、温度、压力等参数,可以实现对沉积薄膜的厚度、成分和晶体结构的调控。
二、分类根据沉积过程中气体流动的方式和方向,化学气相沉积技术可以分为热辐射、热扩散和热对流三种类型。
1. 热辐射沉积(Thermal Radiation Deposition,TRD):在热辐射沉积中,前驱体物质通过热辐射的方式传输到基底表面。
这种方法适用于高温条件下的沉积过程,可以用于制备高质量的薄膜材料。
2. 热扩散沉积(Thermal Diffusion Deposition,TDD):在热扩散沉积中,前驱体物质通过热扩散的方式传输到基底表面。
这种方法适用于低温条件下的沉积过程,可以用于制备柔性基底上的薄膜材料。
3. 热对流沉积(Thermal Convection Deposition,TCD):在热对流沉积中,前驱体物质通过热对流的方式传输到基底表面。
这种方法适用于较高温度和压力条件下的沉积过程,可以用于制备大面积的薄膜材料。
三、应用领域化学气相沉积技术在材料科学、纳米技术和能源领域有着广泛的应用。
以下是几个具体的应用领域:1. 半导体器件制备:化学气相沉积技术可以用于制备半导体材料的薄膜,如硅、氮化硅、氮化铝等,用于制备晶体管、太阳能电池等器件。
07 化学气相沉积技术

化学反应平衡的计算
如何计算化学反应平衡点?
①
化学反应平衡热力学计算必须包括实际化学反 应过程中所涉及的所有化学反应;
②
在给定温度、压力、初始化学组成的前提下求 解反应达到平衡时各组分的分压和浓度。
e.g. Si-Cl-H平衡体系的组分
单晶硅薄膜生长:固态Si活度1
化学反应热力学方程
e.g. Si-Cl-H平衡体系的组分
已知
不同温度下,各组分平衡气压
e.g. Si-Cl-H平衡体系的组分
分压(atm)
高于1300℃ 对Si的快速 沉积有利!
单晶硅薄膜生长:气压为P0, [Cl]/[H]=0.01时, Si-Cl-H系统平衡气相组分
温度(K)
e.g.化学气相沉积金刚石薄膜平衡气相组分
金刚石薄膜生长:气压为P0, [CH4]/ [H2]=0.06系统平衡气相组分
化学反应热力学平衡常数计算Ki
e.g. Si-Cl-H平衡体系的组分
类似可计算出不同
温度下的K1, K2, K3, K4, K5, K6,
各种Si-Cl-H化合物的标准生成自由能随温度变化
e.g. Si-Cl-H平衡体系的组分
化学反应限制条件方程
已知
气体压强条件:
化学成分比例条件(mol比例):
根据ΔG 0可以计算不同温度下的平衡氧气分压;
ΔG 0=-202kcal (1273K);PO2=2×10-30 Pa
当实际的氧气分压大于平衡氧气分压时, 薄膜趋向氧化。
Al薄膜易氧化!
e.g. 纯金属薄膜生长的气氛要求:
Cu膜的氧化:
ΔG 0 ≈-25kcal (1273K); PO2 ≈5×10-5atm≈5Pa
化学气相沉积CVD

3. PECVD装置 普通CVD+高频电源(用于产生等离子体)
图8.3.4 卧式管状PECVD装置
用高频产生辉光放电等离子体的卧式反应 器,用于沉积氮化硅等薄膜。
在 350~400℃的低温下,以50~ 100nm/min的沉积速率进行成膜。
图8.3.5 立式PECVD反应器
SiH4生长Si外延层的立式管状 PECVD反 应器,当T=650℃,P<1.3Pa时,可得 到均匀优质的硅外延层。
(3) PECVD工艺的主要缺点是:由于等离子体轰击,使沉 积膜表面产生缺陷,反应复杂,也会使薄膜的质量有 所下降。
PECVD是20世纪80年代崛起的新沉积制膜
技术,特别适用于金属化后钝化膜和多层布 线介质膜的沉积!
18
三、光CVD(PCVD)
光化反应:用光束来激活反应物,促进生成物形成的化学反 应。
相沉积中的最简单形式,例如:
SiH4 (气) 800℃~1200℃ Si(固)+2H2 ↑
2
Ni(CO)4(气) 190~240℃ Ni(固)+4 CO↑ CH4(气) 900~1200℃ C(固)+2H2 ↑ TiI4(气) 加热 Ti(固)+2I2 ↑
用作热分解反应沉积的气态化合物原料主要有: 硼的氯化物,氢化物; 第IV族大部分元素的氢化物和氯化物; VB、VIB族的氢化物和氯化物; 铁、镍、钴的羰基化合物和羰基氯化物; 以及铁、镍、铬、铜等的金属有机化合物等。
12
2024/10/15
13
5. CVD的优缺点
(1)优点: ① 膜层纯度一般很高,很致密,容易形成结晶定向好的材料;
例如:用蓝宝石作基片,用CVD制备的-Al2O3单晶材料, 其杂质含量为30~34ppm,远小于蓝宝石本身的杂质含量; ② 能在较低温度下制备难熔物质;
化学气相法沉积聚合物

化学气相法沉积聚合物一、化学气相沉积(CVD)原理1. 基本概念- 化学气相沉积是一种通过气态先驱体在高温、等离子体或其他能量源的作用下发生化学反应,在基底表面沉积出固态薄膜的技术。
对于聚合物的化学气相沉积,先驱体通常是含有碳、氢等元素的有机化合物。
- 在CVD过程中,气态先驱体被输送到反应室中,在基底表面或靠近基底的区域发生分解、聚合等反应,从而形成聚合物薄膜。
2. 反应条件- 温度:不同的先驱体和反应体系需要不同的温度条件。
一般来说,较高的温度有助于先驱体的分解和反应的进行,但对于一些对温度敏感的基底或聚合物结构,需要精确控制温度以避免基底的损坏或聚合物的过度分解。
例如,某些有机硅先驱体在300 - 500°C的温度范围内可以有效地沉积硅基聚合物薄膜。
- 压力:反应室中的压力也是一个关键因素。
低压CVD(LPCVD)和常压CVD (APCVD)是常见的两种压力条件。
LPCVD通常在较低的压力(1 - 100 Pa)下进行,能够提供较好的薄膜均匀性和纯度,因为在低压下,气态分子的平均自由程较长,反应产物更容易扩散离开反应区域。
APCVD则在常压(约101.3 kPa)下进行,设备相对简单,但可能会存在薄膜均匀性较差的问题。
- 载气:载气用于将气态先驱体输送到反应室中。
常用的载气有氮气(N₂)、氩气(Ar)等惰性气体。
载气的流速会影响先驱体在反应室中的浓度分布,进而影响聚合物的沉积速率和薄膜质量。
二、聚合物沉积的先驱体1. 有机硅先驱体- 如四甲基硅烷(Si(CH₃)₄)等有机硅化合物是常用的先驱体。
在CVD过程中,四甲基硅烷在高温下会发生分解反应,硅 - 碳键断裂,释放出甲基基团,然后硅原子之间相互连接形成硅基聚合物的骨架结构。
反应式大致为:Si(CH₃)₄→Si + 4CH₃(高温分解),随后硅原子发生聚合反应形成聚合物。
- 有机硅先驱体沉积得到的聚合物具有良好的热稳定性、化学稳定性和电绝缘性等特点,在电子、航空航天等领域有广泛的应用。
气相法沉积

气相法沉积气相法沉积,即化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)是一种以气体化学反应形成固态材料的方法。
它以气体前驱体在高温和低压条件下分解或反应,生成所需的材料,并在基底表面上沉积出薄膜或纳米颗粒。
气相法沉积被广泛应用于各个领域,包括半导体制造、涂层技术、能源存储与转换、纳米材料合成等。
气相法沉积分为热CVD和化学CVD两种主要类型。
热CVD是一种常见的气相法沉积技术。
在热CVD过程中,前驱体气体通入反应室,通过热传导或对流传热的方式使其达到适当的温度,然后在基底表面上发生化学反应形成所需的材料薄膜。
这种沉积方式通常需要高温,可以达到几百到一千摄氏度。
热CVD通常适用于高温稳定的材料,如金属、氧化物、碳化物等。
化学CVD是一种较为复杂的气相沉积技术,它通过在低温热解气体前驱体或在化学反应中引入能量来合成材料。
化学CVD通常需要较低的温度,可以达到几十到几百摄氏度。
这种沉积方式适用于需要较低沉积温度或对材料制备条件较为严格的情况,如硅薄膜、碳纳米管等。
在气相法沉积过程中,前驱体的选择和气氛控制是非常重要的。
前驱体可以是气体、液体或固体,它需要在相应的条件下分解或反应形成所需的材料。
同时,沉积过程中的气氛也会影响沉积物的性质和结构。
常用的气氛包括惰性气体(如氮气、氩气)、还原气氛(如氢气)或氧化气氛(如氧气)。
此外,气相法沉积还需要对反应与扩散的过程进行控制,以获得期望的沉积薄膜。
反应过程包括前驱体分解或反应、生成物的扩散和在基底表面的吸附等。
这些过程的速率和平衡会受到温度、压力和反应气氛的影响。
因此,对沉积条件的精确控制是实现沉积薄膜的均匀性、纯度和结构的关键。
最后,气相法沉积还可以通过调节反应条件和利用辅助技术实现材料薄膜的控制生长。
例如,可以采用过程中的催化剂、助剂或外加电场来调节材料的成分和结构,以获得特定的性能和应用。
总之,气相法沉积是一种重要的材料制备方法,广泛应用于各个领域。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
快速热CVD (Rapid thermal CVD, RTCVD):使用加热灯 或其他方法快速加热晶圆。只对基底加热,而不是气体或 腔壁。可以减少不必要的气相反应,以免产生不必要的粒 子。 气相外延 (Vapor phase epitaxy, VPE) ……
34
化学气相沉积的特点
优点:
1)既可制作金属薄膜,又可制作多组分合金薄膜,且成分 控制准确; 2)可在复杂形状基片上沉积薄膜,绕射性能好; 3)一些反应可在常压或低真空进行,不需要昂贵的真空设 备; 4)薄膜纯度高、致密性好、残余应力小、表面平滑、结晶 良好; 5)成膜速率高于LPE(液相外延)和MBE(分子束外延) ( 几微米至几百微米?) 6)大尺寸或多基片 7)薄膜生长温度低于材料的熔点,辐射损伤小。
7
SiO2薄膜的热氧化法制备
热氧化消耗基片中的Si和环境中的氧。因此,生长时同时 向基片内生长和在基片表面上生长。 对于每消耗单位厚度的Si,将产生 2.27单位厚度的氧化物。 同样,如果纯Si表面氧化,46%的氧化层厚度位于最初基 片表面以下,54%的氧化层位于最初表面以上。
8
SiO2薄膜的热氧化法制备
Oxidation technology
大多数热氧化在加热炉中进 行,温度800到1200℃。将 基片放在石英支架(石英舟) 里,一个加热炉同时可以处 理一批基片。 水平炉和垂直炉
Furnaces used for diffusion and thermal oxidation at LAAS technological facility in Toulouse, France
32
化学气相沉积的种类
热线CVD (Hot wire CVD, HWCVD):也称做触媒化学气 相沉积 或热灯丝化学气相沉积,使用热丝化学分解来源 气体。
有机金属CVD (Metalorganic chemical vapor deposition, MOCVD):前驱物使用有机金属的CVD技术。
混合物理化学气相沉积 (Hybrid Physical-Chemical Vapor Deposition, HPCVD):包含化学分解前驱气体及蒸发固体 源两种技术。 原子层CVD (Atomic layer CVD, ALCVD):连续沉积不同 材料的晶体薄膜层。
33
化学气相沉积的种类
使用液体 (液体或固体溶解在合适的溶液中) 形式的前 驱物。液相溶液被注入到蒸发腔里变成注入物。接着 前驱物经由传统的CVD技术沉积在基底上。此技术适 合使用液体或固体的前驱物。此技术可达到很高的成 长速率。
31
化学气相沉积的种类
等离子技术 微波等离子辅助CVD (Microwave plasma-assisted CVD, MPCVD) 等离子增强CVD (Plasma-Enhanced CVD, PECVD): 利用等离子增加前驱物的反应速率。PECVD技术允许 在低温的环境下成长,这是半导体制造中广泛使用 PECVD的最重要原因。 远距等离子辅助CVD (Remote plasma-enhanced CVD, RPECVD):和PECVD技术很相近的技术。但晶圆不直 接放在等离子放电的区域,反而放在距离等离子远一点 的地方。晶圆远离等离子区域可以让制程温度降到室温。
9
第一节 热氧化生长
Bi2O3薄膜的制备 4Bi+3O2=2Bi2O3
空气+水蒸气环境 T=367 C 获得单相-Bi2O3; Bi2O3和- Bi2O3
10
热氧化Zn3N2 films制备 N和(Al,N)掺杂 的p型 ZnO薄膜
substrate Sputtered with N2-Ar
18
CVD的典型应用
CVD法实际上很早就有应用,用于材料精制、 装饰涂层、耐氧化涂层、耐腐蚀涂层等。 在电子学方面PVD法用于制作半导体电极等。 CVD法一开始用于硅、锗精制上,随后用于适 合外延生长法制作的材料上。 表面保护膜一开始只限于氧化膜、氮化膜等, 之后添加了由Ⅲ、Ⅴ族元素构成的新的氧化膜,最 近还开发了金属膜、硅化物膜等。 以上这些薄膜的CVD制备法为人们所注意。 CVD法制备的多晶硅膜在器件上得到广泛应用,这 是CVD法最有效的应用场所。
13
热氧化法制备单晶CuO纳米线
nanowires
Ag electrode
Cu wire
Schematic diagram of a sensor fabricated from CuO nanowires and a layer of CuO
14
热氧化法特点
设备简单; 成本较低; 结晶性好; 但薄膜厚度受到限制
gas decomposition
gas reaction substrate adsorption gas exhaust
23
化学气相沉积基本过程
化学气相沉积基本过程: 在真空室内,气体发生化学反应,将反应物沉积在基片表 面,形成固态膜。 可控变量: 气体流量、气体组分、沉积温度、气压、真空室形状、沉 积时间、基片材料和位置
30
化学气相沉积的种类
以气相的特性分类:
气溶胶辅助CVD (Aerosol assisted CVD, AACVD): 使用液体/气体的气溶胶的前驱物成长在基底上,成长 速非常快。此种技术适合使用非挥发的前驱物。
直接液体注入CVD (Direct liquid injection CVD, DLICVD):
氧化物可以钝化表面。
钝化:使金属表面转化为不易被氧化的状态,而延缓金属 的腐蚀速度的方法,如Al2O3 。
氧化物可以起到绝缘作用。
主要用于金属和半导体氧化物的制备、电子器件制备。
5
第一节 热氧化生长
适用性广,所有金属都能与氧反应形成氧化物。 控制工艺条件来控制薄膜生长形貌、缺陷、界面特征,因 而控制半导体和电性能。 例:快速热氧化法制备SiO2薄膜 1000~1200 º C, ~30 nm/min, 精确控制膜厚
Zinc nitride film with or without Al doping Oxidizing Sample N- or (Al,N)-doped ZnO films ZnO:N ZnO:AlN Resistivity cm 5-600 1-30000 Mobility cm2/vs 0.8-2000 0.1-10 Carrier Concentration 1015-1016 /cm3 1017-1018 /cm3
26
CVD主要沉积参数
基体与腔室的温度 生长速度
气压
These parameters affect on surface speed of the involved atoms.
27
化学气相沉积基本原理
ε
能 量 (活化能)
CVD方法 热CVD
等离子CVD
ε
Gas Solid 反应前 A 反应 A+ ε 反应后 B
6
SiO2薄膜的热氧化法制备
温度:800~1200 ºC,形成所谓高温氧化层(High Temperature Oxide layer,HTO)。 可用水蒸气或氧气作为氧化剂,称为湿氧化或干氧化(wet or dry oxidation)。
氧化环境中通常含有百分之几的盐酸(HCl),用于去离子 光
光CVD
28
CVD气体分解方式
热分解(thermal deposition) 等离子分解(plasma deposition) 光子分解(photon (laser, UV) deposition)
29
化学气相沉积的种类
以反应时的压力分类:
常压CVD (Atmospheric Pressure CVD, APCVD): 在常压环境下的CVD。
20
化学气相沉积基本过程
(1)反应气体向基片表面扩散; (2)反应气体吸附于基片表面; (3)在基片表面发生化学反应; (4)在基片表面产生的气相副产物脱离表面, 向空间扩散或被抽气系统抽走; (5)基片表面留下不挥发的固相反应产物— —薄膜。
21
化学气相沉积示意图
22
化学气相沉积流程图
gas inlet
三个基本过程: 反应物的输运过程; 化学反应过程; 去除反应副产品过程
24
化学气相沉积基本过程
25
CVD反应体系必须具备的三个条件
在沉积温度下,反应物具有足够的蒸气压,并能 以适当的速度被引入反应室; 反应产物除了形成固态薄膜物质外,都必须是挥 发性的; 沉积薄膜和基体材料必须具有足够低的蒸气压。
化学气相沉积的定义
化学气相沉积是利用气态物质通过化学反应在 基片表面形成固态薄膜的一种成膜技术。 化学气相沉积(CVD) ——Chemical Vapor Deposition
CVD反应是指反应物为气体而生成物之一为固 体的化学反应。 CVD完全不同于物理气相沉积(PVD)
17
CVD与PVD的比较
19
化学气相沉积基本过程
Chemical vapor deposition (CVD) is a chemical process used to produce high-purity, high-performance solid materials. The process is often used in the semiconductor industry to produce thin films. In a typical CVD process, the wafer (substrate) is exposed to one or more volatile precursors, which react and/or decompose on the substrate surface to produce the desired deposit. Frequently, volatile by-products are also produced, which are removed by gas flow through the reaction chamber. 化学气相沉积典型的制备过程是将晶圆(衬底)暴露在一 种或多种易挥发的前驱体中,在衬底表面发生化学反应或/ 及化学分解来产生欲沉积的薄膜。随后,也将产生一些气 态的副产物,这些副产物可以被反应腔室的气流带走。