最新物理气相沉淀和化学气相沉积法
气相沉积炉介绍及技术参数
气相沉积炉介绍及技术参数一、原理气相沉积炉是一种利用气体在高温条件下附着在基底表面形成薄膜的热处理设备。
其原理主要分为物理气相沉积（Physical Vapor Deposition，简称PVD）和化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，简称CVD）两种。
1.物理气相沉积（PVD）物理气相沉积是通过在高真空或惰性气体氛围中将源材料加热到高温，使其蒸发并沉积在基底表面形成薄膜。
常用的物理气相沉积方法包括蒸发法（Evaporation）、溅射法（Sputtering）、分子束外延法（Molecular Beam Epitaxy，简称MBE）等。
2.化学气相沉积（CVD）化学气相沉积是通过在高温条件下将气体中的源材料分解并反应在基底表面上形成薄膜。
常用的化学气相沉积方法包括热CVD、低压CVD、微波CVD、等离子体增强CVD等。
二、技术参数1.温度范围2.压力范围3.反应室尺寸反应室尺寸是根据不同的应用需求设计的，可根据沉积矩阵的尺寸和数量进行调整。
大尺寸反应室通常适用于大面积薄膜的制备，小尺寸反应室则适用于微纳米尺寸器件的制备。
4.加热方式5.气氛控制为了保证沉积过程的成功，气相沉积炉需要精确控制反应室中的气氛，通常通过调整流量控制器和泵等设备来实现。
三、应用1.半导体工业2.光电子工业3.光纤通信总结：气相沉积炉是一种重要的材料制备设备，广泛应用于半导体、光电子和光纤通信等领域。
根据不同的工艺需求，可以选择物理气相沉积或化学气相沉积等工艺。
其技术参数包括温度范围、压力范围、反应室尺寸、加热方式和气氛控制等。
气相沉积炉的应用主要涵盖半导体工业、光电子工业和光纤通信等领域，可以制备出具有特定光学、电学和磁学性质的薄膜和器件。
中空微纳米结构制备方法
中空微纳米结构制备方法一、物理气相沉积物理气相沉积（Physical Vapor Deposition,PVD）是一种制备中空微纳米结构的方法。
该方法利用物理过程，如蒸发、溅射或离子束沉积，将材料从源物质转化为气态，然后凝结在基底上形成薄膜。
通过控制沉积条件，可以制备出具有不同形貌和结构的中空微纳米结构。
二、化学气相沉积化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition,CVD）是一种利用化学反应制备中空微纳米结构的方法。
该方法通过将反应气体在基底上加热或通过等离子体激发，促进气体之间的化学反应，形成固态薄膜。
通过控制反应条件，可以制备出具有特定形貌和结构的中空微纳米结构。
三、模板法模板法是一种利用模板制备中空微纳米结构的方法。
该方法将模板材料（如聚合物、金属或氧化物）制成孔洞阵列，然后通过填充其他材料或化学反应形成中空结构。
模板法可以制备出具有复杂形状和尺寸的中空微纳米结构，但其工艺过程较为繁琐。
四、软模板法软模板法是一种利用软模板制备中空微纳米结构的方法。
该方法利用自组装单分子层或高分子凝胶作为模板，通过化学反应或物理填充形成中空结构。
软模板法可以制备出具有较大面积和均匀分布的中空微纳米结构，但其制备过程受限于模板的稳定性。
五、微球组装法微球组装法是一种利用微球颗粒制备中空微纳米结构的方法。
该方法将单分散的微球颗粒作为硬模板，通过吸附或自组装形成有序阵列，再通过去除模板制备出中空微纳米结构。
微球组装法可以制备出具有规整和可调尺寸的中空微纳米结构，但其工艺过程较为繁琐。
六、电化学沉积电化学沉积是一种利用电化学反应制备中空微纳米结构的方法。
该方法通过在电极上施加一定的电位，使溶液中的离子发生还原或氧化反应，形成固态薄膜或中空结构。
电化学沉积可以制备出具有高纯度和高密度的中空微纳米结构，但其对电极材料和溶液的限制较大。
七、激光诱导液态薄膜相变激光诱导液态薄膜相变是一种利用激光诱导液态薄膜相变制备中空微纳米结构的方法。
涂层制备方法范文
涂层制备方法范文涂层是一种将新材料覆盖在基底表面以形成一层具有特定性质、用途和结构的薄片材料。
涂层制备方法广泛应用于工业领域，包括汽车制造、航空航天、电子器件等。
下面将介绍几种常见的涂层制备方法。
一、物理气相沉积法物理气相沉积法是在真空环境下通过高能离子束、电子束等在材料表面形成薄膜的方法。
该方法主要包括物理气相沉积（Physical Vapor Deposition，PVD）和离子束增强化学气相沉积（Ion Beam Enhanced Chemical Vapor Deposition, IBAD）两种。
物理气相沉积法的优点是制备的涂层致密度高、结合力强，并且能够对多种材料进行沉积。
但是该方法成本较高，设备复杂，且只适用于小面积的涂层制备。
二、化学气相沉积法化学气相沉积法是通过将气态前体在基材表面化学反应形成薄膜的方法。
根据反应条件的不同，化学气相沉积法可以分为化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition, CVD）和低压化学气相沉积（Low Pressure Chemical Vapor Deposition, LPCVD）两种。
化学气相沉积法的优点是制备的涂层纯度高、组织致密，并且可以制备大面积的涂层。
但是该方法需要高温条件，制备过程中易产生有害气体，且对基材材料要求较高。
三、溶液法溶液法是将所需材料溶解于溶剂中，再通过浸涂、喷涂、旋涂等方法将溶液涂覆在基材表面，通过蒸发、固化等过程形成薄膜的方法。
溶液法的优点是制备简单、成本低，并且可以对大面积基材进行涂覆。
但是该方法制备的涂层常存在组织疏松、致密性差等问题。
四、电沉积法电沉积法是通过直流或交流电的作用，将金属离子从电解液中还原并在基材表面形成金属薄膜的方法。
电沉积法也可以用于制备合金、复合材料等涂层。
电沉积法的优点是制备过程简单、成本低，并且可以制备大面积、厚度均匀的涂层。
但是该方法只适用于金属涂层的制备，且对基材表面的处理要求较高。
化学气相沉积与物理气相沉积的差异
化学气相沉积与物理气相沉积的差异一、化学气相沉积用化学方法使气体在基体材料表面发生化学反应并形成覆盖层的方法。
化学气相沉积是反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在加热的固态基体表面，进而制得固体材料的工艺技术。
它本质上属于原子范畴的气态传质过程。
采用等离子和激光辅助技术可以显著地促进化学反应，使沉积可在较低的温度下进行；涂层的化学成分可以随气相组成的改变而变化，从而获得梯度沉积物或者得到混合镀层；可以控制涂层的密度和涂层纯度；绕镀件好。
可在复杂形状的基体上以及颗粒材料上镀膜；可以通过各种反应形成多种金属、合金、陶瓷和化合物涂层。
平均自由程在一定的条件下，一个气体分子在连续两次碰撞之间可能通过的各段自由程的平均值。
用符号l表示，单位为米。
在气体分子的碰撞理论的刚球模型中，认为分子只在碰撞的一刹那发生相互作用，而在其他时间内，分子作直线运动。
相继两次碰撞间所走的路程叫分子的自由程。
由于气体分子的数目很大，碰撞频繁，运动的变化剧烈，故其自由程只有统计意义。
这个概念对研究气体的特性（如扩散）和电子或中子之类的粒子穿过固体的运动很重要。
真空在指定空间内，低于一个大气压力的气体状态。
在真空技术里，真空系针对大气而言，一特定空间内部之部份物质被排出，使其压力小于一个标准大气压，则我们通称此空间为真空或真空状态。
1真空常用帕斯卡（Pascal）或托尔（Torr）做为压力的单位思考： PbI2做成膜用什么方法最合适?PbI2多晶膜并用于室温核辐射探测器和X射线成像器件。
研究表明，PbI2膜的结晶质量、致密度及厚度是影响器件性能的关键因素。
提高PbI2膜对X光子或γ光子的光谱响应是提高器件探测性能的重要前提，而光谱响应性能受到材料微结构的影响。
我觉得PbI2做成膜用真空蒸发镀膜最合适，用真空蒸发镀膜做成的薄膜的纯度很高，易于在线检测和控制薄膜的厚度与成分，厚度控制精度最高可达单分子层量级。
也可得到不同显微结构和结晶形态（单晶、多晶或非晶等）的薄膜而且PbI2 的熔沸点也不高。
半导体二氧化钛的制备工艺
半导体二氧化钛的制备工艺半导体二氧化钛的制备工艺主要包括物理气相沉积法和化学气相沉积法。
物理气相沉积法是通过在真空环境中，将二氧化钛的原料蒸发或溅射，并使其沉积在衬底表面上，形成薄膜。
这种方法通常需要高真空设备和高温的条件，可以获得高质量的薄膜。
物理气相沉积法可以使用电子束蒸发、磁控溅射、分子束外延等方法来实现二氧化钛的沉积。
化学气相沉积法是通过在气相中将二氧化钛的原料化学反应生成，并使其沉积在衬底表面上。
常用的化学气相沉积方法包括化学气相沉积(CVD)和气相法沉积(CSD)。
化学气相沉积法可以在相对较低的温度下进行沉积，具有较高的沉积速率和较好的薄膜均匀性。
化学气相沉积法可以使用气体前驱体和气相前驱体来制备二氧化钛薄膜。
在物理气相沉积法中，电子束蒸发是常用的方法之一。
首先，将二氧化钛的粉末或块体材料放置在高温的坩埚中，通过加热使其蒸发。
然后，借助电子束炉的束流，使得二氧化钛蒸发物向衬底表面沉积。
最后，控制沉积过程的条件，如温度、时间等，以获得所需的薄膜厚度和质量。
化学气相沉积法中的化学气相沉积方法可分为低压化学气相沉积和大气压化学气相沉积。
低压化学气相沉积一般在真空条件下进行，通过在反应室中引入二氧化氮、二氧化钛前驱体等气体，并施加热源使其发生化学反应，沉积在衬底表面上。
大气压化学气相沉积一般在大气条件下进行，通过静电喷涂、喷雾、旋涂等方式将二氧化钛前驱体溶液喷涂到衬底上，然后通过烧结或烘干使其转变为二氧化钛薄膜。
化学气相沉积法中的气相法沉积是一种常用的制备二氧化钛薄膜的方法，也被称为湿式化学法。
该方法通过在溶液中加入适量的二氧化钛前驱体，并进行搅拌和掺杂处理，使得前驱体发生水解、缩合、热解等反应，最终形成二氧化钛固相。
然后，将该固相采用悬浮液的形式涂布到衬底上，通过烘干和烧结过程，使其形成稳定的二氧化钛薄膜。
总结起来，半导体二氧化钛的制备工艺主要包括物理气相沉积法和化学气相沉积法，其中物理气相沉积法主要是通过蒸发或溅射的方式将二氧化钛沉积在衬底上，化学气相沉积法主要是通过化学反应将二氧化钛沉积在衬底上。
sic单晶生长方法
sic单晶生长方法一、引言SiC（碳化硅）是一种重要的半导体材料，具有广泛的应用前景。
为了满足对高质量SiC单晶的需求，研究人员开发了多种SiC单晶生长方法。
本文将介绍几种常用的SiC单晶生长方法，并对其原理和特点进行详细阐述。
二、物理气相沉积法物理气相沉积法（Physical Vapor Deposition，PVD）是一种常用的SiC单晶生长方法。
该方法利用高温条件下的化学反应，通过传输SiC蒸汽到衬底上进行沉积。
PVD法具有生长速度快、单晶质量高、控制能力强等优点，被广泛应用于SiC单晶的生长。
三、化学气相沉积法化学气相沉积法（Chemical Vapor Deposition，CVD）是另一种常用的SiC单晶生长方法。
CVD法利用气相反应在衬底表面上生长SiC 单晶。
该方法的优点是可以生长大面积、高质量的SiC单晶，同时还能实现多孔结构的控制。
CVD法在SiC单晶生长领域中具有重要的应用价值。
四、低温液相脱溶法低温液相脱溶法（Low Temperature Solution Growth，LTSG）是一种相对较新的SiC单晶生长方法。
该方法利用溶剂中的溶质，通过降温脱溶来生长SiC单晶。
LTSG法具有生长温度低、晶体质量高等优点，适用于生长高质量的SiC单晶。
五、分子束外延法分子束外延法（Molecular Beam Epitaxy，MBE）是一种高真空条件下生长材料的方法，也可用于SiC单晶生长。
该方法通过控制分子束的束流，使其在衬底上形成单晶生长。
MBE法具有生长速度快、控制能力强等优点，被广泛用于SiC单晶的生长。
六、熔体法熔体法是一种传统的SiC单晶生长方法。
该方法通过将SiC原料加热至熔点，在适当的条件下生长SiC单晶。
熔体法具有操作简单、生长速度快等优点，但由于生长过程中易受杂质污染，导致晶体质量较低。
因此，熔体法在SiC单晶生长领域中的应用相对较少。
七、总结通过对几种常用的SiC单晶生长方法的介绍，我们可以看到每种方法都有其独特的优点和适用范围。
半导体单晶薄膜的制备方法
半导体单晶薄膜的制备方法随着半导体技术的不断发展，半导体单晶薄膜作为一种重要的材料，在光电子、新能源、信息通信等领域有着广泛的应用前景。
半导体单晶薄膜的制备方法直接影响着其性能和应用效果，因此研究和掌握其制备方法对于提高材料性能和开发新型应用具有重要意义。
本文将综述半导体单晶薄膜的制备方法，并重点介绍其常见的制备技术。
一、物理气相沉积法物理气相沉积法是一种常见的半导体单晶薄膜制备方法，其主要流程是通过蒸发或者溅射等方式将源材料转化为气态，在衬底表面进行沉积形成薄膜。
有机金属化合物气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）等技术是常用的物理气相沉积技术。
这些方法具有制备温度低、成膜速度快、薄膜质量高等优点，在微电子器件和光电器件制备中有着广泛的应用。
二、化学气相沉积法化学气相沉积法是利用气相反应使源材料分解产生薄膜成核和生长的一种方法。
低压化学气相沉积（LPCVD）和液相外延（LPE）是常见的化学气相沉积技术，它们具有操作简单、生长速度快、成膜均匀等特点，适用于大面积薄膜的制备，广泛应用于半导体器件、光伏电池、平板显示等领域。
三、溶液法溶液法是将半导体材料的前驱体以溶液的形式沉积到衬底上，再通过热处理或者光照等方法将其转化为单晶薄膜的制备方法。
这种方法具有成本低、可制备大面积薄膜、适用于柔性衬底等特点，尤其适合低温、大面积、柔性电子器件的制备。
四、激光多晶硅薄膜法激光多晶硅薄膜法是利用激光对多晶硅薄膜进行局部熔化再结晶形成单晶薄膜的制备技术。
这种方法具有成本低、制备速度快、能够制备大尺寸单晶硅薄膜等优点，适用于平板显示器件、光伏电池等领域。
半导体单晶薄膜的制备方法多种多样，每种方法都有其特点和适用范围。
在实际应用中，需要根据具体的情况选择合适的制备方法，并不断优化和改进，以满足不断发展的应用需求。
随着材料科学和制备技术的不断进步，半导体单晶薄膜的制备方法相信会迎来更多的创新和突破，为其在光电子、新能源等领域的应用提供更加可靠和高效的材料支撑。
论述物理气相沉积和化学气相沉积的优缺点
论述物理气相沉积和化学气相沉积的优缺点物理气相沉积技术表示在真空条件下，采用物理方法，将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。
物理气相沉积的主要方法有，真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜，及分子束外延等。
发展到目前，物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。
真空蒸镀基本原理是在真空条件下，使金属、金属合金或化合物蒸发，然后沉积在基体表面上，蒸发的方法常用电阻加热，高频感应加热，电子柬、激光束、离子束高能轰击镀料，使蒸发成气相，然后沉积在基体表面，历史上，真空蒸镀是P V D法中使用最早的技术。
溅射镀膜基本原理是充氩(Ar)气的真空条件下，使氩气进行辉光放电，这时氩(Ar)原子电离成氩离子(Ar+)，氩离子在电场力的作用下，加速轰击以镀料制作的阴极靶材，靶材会被溅射出来而沉积到工件表面。
如果采用直流辉光放电，称直流(Qc)溅射，射频(RF)辉光放电引起的称射频溅射。
磁控(M)辉光放电引起的称磁控溅射。
电弧等离子体镀膜基本原理是在真空条件下，用引弧针引弧，使真空金壁(阳极)和镀材(阴极)之间进行弧光放电，阴极表面快速移动着多个阴极弧斑，不断迅速蒸发甚至“异华”镀料，使之电离成以镀料为主要成分的电弧等离子体，并能迅速将镀料沉积于基体。
因为有多弧斑，所以也称多弧蒸发离化过程。
离子镀基本原理是在真空条件下，采用某种等离子体电离技术，使镀料原子部分电离成离子，同时产生许多高能量的中性原子，在被镀基体上加负偏压。
这样在深度负偏压的作用下，离子沉积于基体表面形成薄膜。
物理气相沉积技术基本原理可分三个工艺步骤：(1)镀料的气化：即使镀料蒸发，异华或被溅射，也就是通过镀料的气化源。
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液相制备纳米材料的原理、方法和形成机理液相法实在液体状态下通过化学反应制取纳米材料方法的总称，又称为湿化学法或溶液法。
现在，有各种各样的制备方法，文献中无公认一致的分类方法，相反还有些凌乱。
为清晰醒目，特点明显，便于理解。
这里将液相材料的纳米制备方法分为：沉淀法、溶胶-凝胶（sol-gel）法、水热法、化学还原法、化学热分解法、微乳胶法、声化学法、电化学法和水中放电法等9中。
本章就沉淀法、溶胶-凝胶（sol-gel）法加以讨论。
沉淀法沉淀法是在金属盐溶液中加入沉淀剂，进行化学反应，生成难容性的反应物，在溶液中沉淀下来，或将沉淀物加热干燥和煅烧，使之分解得到所需要的纳米材料的方法。
沉淀法又主要分为共沉淀（CP），分布沉淀（SP），均匀沉淀（HP）等几种。
下面对这几种沉淀法做一简要分析。
含1种或多种阳离子的溶液中加入沉淀剂后，所有离子完全沉淀的方法称共沉淀法。
（包括:单项共沉淀发和混合共沉淀法）下图给出共沉淀法的典型工艺流程。
沉淀物为单一化合物或单相固溶体时，称为单相共沉淀，亦称化合物沉淀法。
其原理为溶液中的金属离子是以具有与配比组成相等的化学计量化合物形式沉淀的，因而，当沉淀颗粒的金属元素之比就是产物化合物的金属元素之比时，沉淀物具有在原子尺度上的组成均匀性。
但是，对于由二种以上金属元素组成的化合物，当金属元素之比按倍比法则，是简单的整数比时，保证组成均匀性是可以的。
然而当要定量的加入微量成分时，保证组成均匀性常常很困难，靠化合物沉淀法来分散微量成分，达到原子尺度上的均匀性。
如果是形成固溶体的系统是有限的，固溶体沉淀物的组成与配比组成一般是不一样的，则能利用形成固溶体的情况是相当有限的。
要得到产物微粒，还必须注重溶液的组成控制和沉淀组成的管理。
为方便理解其原理以利用草酸盐进行化合物沉淀的合成为例。
反应装置如图：图 利用草酸盐进行化合物沉淀的合成装置实验原理：在Ba 、Ti 的硝酸盐溶液中加入草酸沉淀剂后，形成了单相化合物BaTiO3（C2H4）2•4H2O 沉淀；BaTiO3（C2H4）•4H2O 沉淀由于煅烧，分解形成BaTiO3微粉。
化学方程式如下所示：（1）BaTiO 3（C 2H 4）2•4H 2O BaTiO 3（C 2H 4）2 ＋ 4H 2O（2）BaTiO 3（C 2H 4）2 ＋ ½ O ２ BaCO 3（无定形）＋TiO 2（无定形）＋CO ＋CO ２(3)BaCO 3（无定形）＋TiO 2（无定形） BaCO 3（结晶）＋TiO 2（结晶）如果沉淀产物为混合物时，称为混合物共沉淀。
四方氧化锆或全稳定立方氧化锆的共沉淀制备就是一个很普通的例子。
举例：用ZrOCl 2•８H 2O 和Y 2O 3（化学纯）为原料来制备ZrO 2－ Y 2O 3的纳米粒子。
反应过程：Y2O3用盐酸溶解得到YCl3，然后将ZrOCl ２•８H 2O 和Y 2O 3配置成一定浓度的混合溶液，在其中加NH 4OH 后便有Zr(OH)4和Y(OH)3的沉淀粒子缓慢形成。
化学反应方程式：(1)ZrOCl２＋２NH4OH Zr(OH)4↓＋２NH4Cl(2)YCl3＋３NH4OH Y(OH)3↓＋３NH4Cl注意事项：得到的氢氧化物共沉淀物经洗涤、脱水、煅烧可得到具有很好烧结活性的ZrO2（Y2O3）微粒。
混合物共沉淀过程是非常复杂的，溶液中不同种类的阳离子不能同时沉淀，各种离子沉淀的先后与溶液的pH密切相关。
为了获得沉淀的均匀性，通常是将含多种阳离子的浓度大大超过沉淀的平均浓度，尽量使各组分按比例同时沉淀出来，从而得到较均匀的沉淀物。
一般的沉淀过程是不平衡的，但如果控制溶液的沉淀剂浓度，使之缓慢地增加，则使溶液中的沉淀处于平衡状态，且沉淀能在整个溶液中均匀的出现，这种方法称为均相沉淀。
通常是通过溶液中的化学反应使沉淀剂缓慢的生成，从而克服了由外部向溶液中加沉淀剂而造成沉淀剂的局部不均匀性，结果沉淀不能在整个溶液中均匀出现的缺点。
举例：随尿素水溶液的温度逐渐升高至７０℃附近，尿素会发生分解，即：（ＮＨ２）ＣＯ＋３Ｈ２Ｏ２ＮＨ４ＯＨ＋ＣＯ２↑由此生成的沉淀剂ＮＨ４ＯＨ在金属盐的溶液中分布均匀，浓度低，使得沉淀物均匀的生成。
由于尿素的分解速度受加热温度和尿素浓度的控制，因此可以使尿素分解速度降的很低。
有人采用低的尿素分解速度来制得单晶微粒，用此种方法可制备多种盐的均匀沉淀，如锆盐颗粒以及球形Al(OH)3粒子。
溶胶凝胶法溶胶-凝胶法是通过加水形成胶状悬浮溶液，缩水转变成湿凝胶，最后干燥变成干凝胶以制取纳米材料的湿化学方法。
这是一个古老的化学工艺方法其典型的工艺流程如图，制备湿凝胶的是金属和非金属化合物，金属醇盐（易与水反应）sol-gel方法多用于制备陶瓷和玻璃纳米材料的制备，且产品多样。
发展简史1846年法国化学家J.J.Ebelmanl用SiCl4与乙醇混合后，发现在湿空气中发生水解并形成了凝胶。
同时，他与Graham和liesegang研究过二氧化硅，他们发现在酸性条件下，有四乙氧基硅烷水解可以得到类似玻璃一样的二氧化硅，他们还发现有这种粘性的凝胶可以拉拔出纤维丝，甚至制成单块光学透镜片。
20世纪30年代W.Geffcken证实用金属醇盐的水解和凝胶化可以制备氧化物薄膜。
1971年德国H.Dislich报道了通过金属醇盐水解制备了SiO2-B2O-Al2O3-Na2O-K2O多组分玻璃。
1975年B.E.Yoldas和M.Yamane制得整块陶瓷材料及多孔透明氧化铝薄膜。
80年代以来，在玻璃、氧化物涂层、功能陶瓷粉料以及传统方法难以制得的复合氧化物材料得到成功应用。
反应原理：根据大量实验研究，对于典型的溶胶凝胶反应，其反应机理已大体上有了一个比较明确的看法。
反应机理包括下述内容：（1）通过水解和聚合反应单体聚合成固体粒子，在这个阶段内，液体中的反应物，比如TMOS、TEOS、丙氧基锆、丁氧基钛等通过水解和凝聚反应，生成纳米粒子，悬浮于液体中形成凝胶状新相。
M-O-R+H2O——M-OH+R-OH(水解) (1)M-OH+OH-M----M-O-M+H2O(水凝胶) (2)M-O-R+HO-M-----M-O-M+R-OH(酒精凝聚)(3)（M=Si,Zr,Ti）(2)粒子长大(3)粒子凝聚成链状，然后在整个溶胶溶液中形成网络，真厚成凝胶(4)通过高温干燥，最后得到粉末成品。
这些反应机理中，通常有许多因素影响凝胶的形成，这些因素包括：反应中PH值、温度和时间。
反应及浓度、催化剂的性质和浓度。
水与金属或非金属离子的物质的量子比等。
相关应用金属化合物经溶液、溶胶、凝胶而固化，再经低温热处理而生成纳米粒子。
其特点反应物种多，产物颗粒均一，过程易控制，适于氧化物和Ⅱ～Ⅵ族化合物的制备。
溶胶一凝胶法作为低温或温和条件下合成无机化合物或无机材料的重要方法，在软化学合成中占有重要地位。
在制备玻璃、陶瓷、薄膜、纤维、复合材料等方面获得重要应用，更广泛用于制备纳米粒子。
具体领域体现在：①材料学：高性能粒子探测器，隔热材料，声阻抗耦合材料，电介质材料，有机-无机杂化材料，金属陶瓷涂层耐蚀材料，纳米级氧化物薄膜材料，橡胶工业。
②催化剂方面：金属氧化物催化剂，包容均相催化剂。
③色谱分析：制备色谱填料，制备开管柱和电色谱固定相，电分析，光分析。
溶胶－凝胶法与其它方法相比具有许多独特的优点：（1）由于溶胶－凝胶法中所用的原料首先被分散到溶剂中而形成低粘度的溶液，因此，就可以在很短的时间内获得分子水平的均匀性，在形成凝胶时，反应物之间很可能是在分子水平上被均匀地混合。
（2）由于经过溶液反应步骤，那么就很容易均匀定量地掺入一些微量元素，实现分子水平上的均匀掺杂。
（3）与固相反应相比，化学反应将容易进行，而且仅需要较低的合成温度，一般认为溶胶一凝胶体系中组分的扩散在纳米范围内，而固相反应时组分扩散是在微米范围内，因此反应容易进行，温度较低。
（4）选择合适的条件可以制备各种新型材料。
溶胶一凝胶法也存在某些问题：通常整个溶胶－凝胶过程所需时间较长（主要指陈化时间），常需要几天或者几周；还有就是凝胶中存在大量微孔，在干燥过程中又将会逸出许多气体及有机物，并产生收缩。
物理气相沉淀法和化学气相沉淀法物理气相沉淀法物理气相沉积技术早在20世纪初已有些应用，但在最近30年迅速发展，成为一门极具广阔应用前景的新技术。
，并向着环保型、清洁型趋势发展。
20世纪90年代初至今，在钟表行业，尤其是高档手表金属外观件的表面处理方面达到越来越为广泛的应用。
发展到目前，物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。
物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)技术表示在真空条件下，采用物理方法，将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。
物理气相沉积技术基本原理可分三个工艺步骤：(1)镀料的气化：即使镀料蒸发，异华或被溅射，也就是通过镀料的气化源。
(2)镀料原子、分子或离子的迁移：由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞后，产生多种反应。
(3)镀料原子、分子或离子在基体上沉积。
物理气相沉积的主要方法有：真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜，及分子束外延等。
一、真空蒸镀(一)真空蒸镀原理(1) 真空蒸镀是在真空条件下，将镀料加热并蒸发，使大量的原子、分子气化并离开液体镀料或离开固体镀料表面(升华)。
(2)气态的原子、分子在真空中经过很少的碰撞迁移到基体。
(3)镀料原子、分子沉积在基体表面形成薄膜。
(二)蒸发源将镀料加热到蒸发温度并使之气化，这种加热装置称为蒸发源。
最常用的蒸发源是电阻蒸发源和电子束蒸发源，特殊用途的蒸发源有高频感应加热、电弧加热、辐射加热、激光加热蒸发源等。
(三)真空蒸镀工艺实例以塑料金属化为例,真空蒸镀工艺包括：镀前处理、镀膜及后处理。
真空蒸镀的基本工艺过程如下：(1)镀前处理，包括清洗镀件和预处理。
具体清洗方法有清洗剂清洗、化学溶剂清洗、超声波清洗和离子轰击清洗等。
具体预处理有除静电，涂底漆等。
(2)装炉，包括真空室清理及镀件挂具的清洗，蒸发源安装、调试、镀件褂卡。
(3)抽真空，一般先粗抽至6．6Pa以上，更早打开扩散泵的前级维持真空泵，加热扩散泵，待预热足够后，打开高阀，用扩散泵抽至6×10-3Pa半底真空度。
(4)烘烤，将镀件烘烤加热到所需温度。
(5)离子轰击，真空度一般在10Pa～10-1Pa，离子轰击电压200V～1kV负高压，离击时间为5min～30min,(6)预熔，调整电流使镀料预熔，调整电流使镀料预熔，除气1min～2min。