ZnO薄膜的光电性能及应用
ZnO薄膜

喷雾热分解(Spray Pyrolysis)是由制备太阳能透明 电极而发展起来的一种方法。由于用溅射法产生的离子能 量高,在制备大面积电极时容易损伤衬底,所以喷雾热分 解法得以发展。喷雾热分解是利用喷雾热分解装置将醋酸 锌的水溶液或有机溶液喷雾沉积于基片上,并在高温下分 解形成 ZnO 薄膜的工艺。
3,ZnO 薄膜在太阳能电池方面的应用
ZnO 薄膜尤其是 AZO(ZnO:Al)膜,具有优异的 透明导电性能,在可见光波长范围内的透射率可达 90% 以上,可与 ITO(In2O3:SnO2)膜相比。而且,相对于 ITO 膜,AZO 膜具有无毒,无污染,原料丰富,价格便宜, 稳定性高(特别是在氢等离子体中),正逐步成为 ITO 薄 膜的替代材料,在显示器和太阳能等领域得到应用。目前, ZnO 薄膜主要是作为透明电极和窗口材料用于太阳能电池, 而且 ZnO 受到高能粒子辐射损伤较小,因此特别适合于 太空中使用。
ZnO 薄膜具有良好的透明导电性、压电性、光电性、 气敏性、压敏性、且易于与多种半导体材料实现集成化。 由于这些优异的性质,使其具有广泛的用途和许多潜在用 途,如表面声波器件、平面光波导,透明电极,紫外光探 测器、压电器件、压敏器件、紫外发光器件、气敏传感器 等
ZnO 是一种Ⅱ-Ⅵ族氧化物材料,其稳定相的晶体结构为六角纤锌矿(Wurtzite) 结构,具有六方对称性。Zn 原子和 O 原子各自按六方密堆方式排列,每一个 Zn 原子位 于四个相邻的 O 原子所形成的四面体间隙中,但只占据其中半数的 O 四面体间隙,O 原 子的排列情况与 Zn 原子相同。两种六方密堆晶格在空间相互套构形成晶胞,其晶格点阵 示意图如图 1.1(b)所示。ZnO 的分子结构类型介于共价键与离子键之间,c 轴方向具 有很强的极性[7]。Zn 面和 O 面在(0001)方向按…ABABAB…方式密堆积而成,从而 形成两个不同的面(0001)和(0001),分别代表 Zn 极性面和 O 极性面,如图1.1(a) 所示,其物理化学特性差别很大。这种非对称中心结构,使ZnO 具有压电性。在室温下, 当压强达到 9 Gpa 左右,纤锌矿结构的 ZnO 转变为四方岩盐结构,近邻原子数由 4 增 加到 6,体积相应缩小 17%。这种高压相当外加压力消失时会保持在亚稳状态,不会立 即重新转变为六方纤锌矿结构
ZnO-ZnS复合薄膜的制备及光电性能研究

ZnO-ZnS复合薄膜的制备及光电性能研究ZnO/ZnS复合薄膜的制备及光电性能研究引言:随着纳米技术和光电材料的发展,复合薄膜材料在光电器件领域具有广泛的应用前景。
ZnO/ZnS复合薄膜作为一种新型的光电材料,在太阳能电池、光电探测器等领域展现出了良好的光电性能。
本文旨在研究ZnO/ZnS复合薄膜的制备方法以及其光电性能,并探讨其在光电器件中的应用前景。
制备方法:制备ZnO/ZnS复合薄膜的方法有多种,本研究选取了溶液法与刻蚀法相结合的方法进行制备。
首先,采用溶液法制备ZnO薄膜,将锌盐在有机溶剂中溶解并在基底上进行旋涂,形成ZnO 膜,然后将ZnO膜放入含有ZnS溶液的反应器中,在特定的气氛和温度下进行反应,使ZnS溶液在ZnO膜上析出形成ZnO/ZnS复合薄膜。
最后,对复合薄膜进行退火处理,以提高膜的结晶度和光电性能。
实验结果与讨论:通过扫描电子显微镜观察复合薄膜的形貌,发现ZnO/ZnS复合薄膜呈现出均匀致密的结构,表面光滑,并且具有较好的结晶性。
X射线衍射分析结果显示,复合薄膜的晶格结构为六方晶系,与ZnO和ZnS的晶格结构相吻合。
紫外-可见光谱表明,ZnO/ZnS复合薄膜在可见光范围内具有较高的透过率,并呈现出明显的吸收峰,显示出良好的光学特性。
此外,通过光电流-电压测试和光电转换效率测试发现,ZnO/ZnS复合薄膜在光电器件中具有较高的光电转换效率和稳定性。
应用前景:基于以上实验结果和分析,ZnO/ZnS复合薄膜具有良好的光电性能,可以广泛应用于太阳能电池、光电探测器等领域。
在太阳能电池中,ZnO/ZnS复合薄膜可用作阳极材料,具有高光电转换效率和较低的电荷复合速率。
在光电探测器中,ZnO/ZnS复合薄膜可用作光吸收层,具有高光吸收能力和较低的暗电流,能够实现高灵敏度的光电检测。
此外,由于制备方法简单、成本较低,ZnO/ZnS复合薄膜具有较高的工艺可行性和商业化前景。
结论:本研究成功制备了ZnO/ZnS复合薄膜,并对其光电性能进行了详细研究。
中国地质大学材料科学与化学工程学院

ZnO薄膜的制备及应用研究进展胡国华,陈建平(中国地质大学(武汉)材料科学与化学工程学院,武汉430074)摘要ZnO作为一种新型的宽禁带半导体材料,具有很好的化学稳定性和热稳定性,抗辐射损伤能力强,在光电器件、压电器件、表面声波器件等诸多领域有着很好的应用潜力。
本文主要介绍制备ZnO薄膜的技术和方法,并简要的介绍了ZnO薄膜的应用进展。
关键词ZnO薄膜;制备;应用0前言ZnO是一种新型的宽禁带化合物半导体材料,与GaN相比具有相近的晶格常数和禁带宽度,原料廉价易得,而且具有很高的熔点和激子束缚能,以及良好的机电耦合性和较低的电子诱生缺陷。
此外,ZnO薄膜的外延生长温度较低,有利于降低设备成本,抑制固相外扩散,提高薄膜质量,也易于实现掺杂。
ZnO薄膜所具有的这些优异特性,使其在表面声波器件、太阳能电池等诸多领域得到了广泛应用。
随着ZnO光泵浦紫外受激辐射的获得和n型掺杂的实现,ZnO薄膜作为一种新型的光电材料,在紫外探测器、发光二极管、激光二极管、紫外本发明公开了一种制备高质量氧化锌单晶薄膜的方法,其步骤为:对蓝宝石衬底表面进行预处理,修正和控制蓝宝石衬底的原子结构,以实现ZnO薄膜的单极性、单畴生长;然后采用三缓冲层法制备高质量ZnO薄膜,即首先利用蓝宝石氮化法在表面形成单极性AlN超薄层,然后依次沉积3~6nm的MgO岛状层及10~20nm左右的ZnO低温层,最后高温沉积ZnO外延层,实现失配应变的充分释放,得到原子级光滑的高质量ZnO薄膜。
我们提出的制备ZnO薄膜的三缓冲层法,是在公知的两步生长法上引入中间氮化层以及MgO三维岛状层,让由晶格大失配而引起的应变充分释放,从而克服了两步生长法制备ZnO薄膜时,薄膜应变无法完全消除的缺陷。
上述薄膜的RMS粗糙度都在1nm以下,完全满足制作高性能光电子器件的要求。
光探测器、透明电极气敏传感器以及光波导等有着广泛的应用前景[1]。
ZnO晶体为六方纤锌矿结构,六方晶系,空间群为P63m,晶格常数a=0.3246nm、c=0.5203nm[2],图1和图2是根据文献[2]用Atoms61程序画的结构图。
溶胶—凝胶法制备ZnO薄膜

溶胶—凝胶法制备ZnO薄膜一、本文概述本文旨在探讨溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜的工艺及其相关特性。
ZnO薄膜作为一种重要的半导体材料,在光电子器件、太阳能电池、气体传感器等领域具有广泛的应用前景。
溶胶-凝胶法作为一种制备薄膜材料的常用技术,具有工艺简单、成本低廉、易于控制等优点,因此受到广大研究者的关注。
本文将首先介绍溶胶-凝胶法的基本原理和步骤,然后详细阐述制备ZnO薄膜的具体过程,包括前驱体溶液的配制、溶胶的制备、凝胶的形成以及薄膜的成膜过程。
接着,我们将讨论制备过程中可能影响薄膜性能的因素,如溶胶浓度、凝胶温度、退火条件等,并通过实验验证这些因素的影响。
我们将对制备得到的ZnO薄膜进行表征和分析,包括其结构、形貌、光学性能和电学性能等方面。
通过对比不同制备条件下的薄膜性能,优化制备工艺参数,为实际应用提供指导。
本文的研究结果有望为ZnO薄膜的制备和应用提供有益的参考。
二、溶胶—凝胶法原理溶胶-凝胶法(Sol-Gel)是一种湿化学方法,用于制备无机材料,特别是氧化物薄膜。
该方法基于溶液中的化学反应,通过控制溶液中的化学反应条件,使溶液中的物质发生水解和缩聚反应,从而生成稳定的溶胶。
随着反应的进行,溶胶中的颗粒逐渐增大并相互连接,形成三维网络结构,最终转化为凝胶。
在制备ZnO薄膜的溶胶-凝胶法中,通常使用的起始原料是锌的盐类(如硝酸锌、醋酸锌等)和溶剂(如乙醇、水等)。
锌盐在溶剂中溶解形成溶液,然后通过加入水或其他催化剂引发水解反应。
水解产生的锌离子与溶剂中的羟基(OH-)结合,形成氢氧化锌(Zn(OH)2)的胶体颗粒。
这些胶体颗粒在溶液中均匀分散,形成溶胶。
随着反应的进行,溶胶中的氢氧化锌颗粒逐渐长大,并通过缩聚反应相互连接,形成三维的凝胶网络。
凝胶网络中的空隙被溶剂填充,形成湿凝胶。
湿凝胶经过陈化、干燥和热处理等步骤,去除溶剂和有机残留物,同时促进ZnO晶体的生长和结晶,最终得到ZnO薄膜。
ZnO薄膜的制备与性能研究

ZnO薄膜的制备与性能研究ZnO是众所周知的一种半导体材料,近年来,它的应用领域不断扩大,包括光电技术、传感器技术、气敏技术、生物技术等领域。
其具有较高的透明度、电阻率、热稳定性和高电子迁移率等优异特性,使得其在各个领域中拥有巨大市场前景。
在这些应用中,ZnO薄膜则是ZnO材料的重要组件之一。
本文主要探讨ZnO 薄膜的制备及其性能研究。
一、ZnO薄膜制备方法1.溶胶-凝胶法ZnO薄膜制备的一种常见方法为溶胶-凝胶法。
该方法主要涉及将预先制备好的ZnO溶胶放置于合适的基底上,然后通过热退火的方式完成ZnO薄膜的制备。
使用该方法,可以获得良好的薄膜质量和较大的薄膜面积,同时可以随意控制薄膜厚度。
2.物理气相沉积法物理气相沉积法是ZnO薄膜制备中最常用的方法之一。
其主要通过采用物理气相沉积设备将高温气体通入反应室,然后将蒸汽通过传输管道沉积在基底上完成ZnO薄膜的制备。
该方法具有制备ZnO晶体中空气杂质较少、晶粒精细等显著的优点。
3.MBE法MBE法是利用分子束外延设备在超高真空环境下生长晶体的方法。
该方法制备的ZnO薄膜具有非常高的晶体质量。
然而,需要难以实现的极限条件,如超高真空环境和较高的晶体表面温度。
二、ZnO薄膜性能研究1.光电性能ZnO薄膜是光学和电学交叉的半导体薄膜。
关于ZnO薄膜的光学性能,已有许多研究。
例如,有研究人员证实了ZnO条纹薄膜在光学上具有比等宽薄膜更高的透射比,这是由于条纹薄膜的形态依赖性的折射率引起的。
此外,ZnO薄膜具有优越的光电转换性能,可用于太阳能电池、传感器等领域。
2.气敏性能ZnO薄膜的气敏性能是其另一个重要的应用领域,具有广泛的市场前景。
研究表明,ZnO薄膜的气敏性能受到薄膜厚度、沉积温度和掺杂类型等多个因素的影响。
例如,掺杂ZnO薄膜的气敏性能不仅可以提高灵敏度,还可以增加电阻率等方面的特性。
3.化学性质关于ZnO薄膜的化学性质,研究人员通常需要从其表面性质、表面反应等多个方面进行分析。
ZnO薄膜的气敏和光电性能的研究进展

一
热 解 法 制 各 了 ZS O 合 氧 化 物 。对 于 H 灵 敏 度 可 达 到 nn 复 S
5. 0 30 ;对 于 乙醇 ,经 70 0  ̄ 烧 的样 品灵敏 度 最 高 为4 .o C煅 70 ,
经 60 0 ℃煅 烧 的样 品 的最 佳 工 作 温 度 都 为 2 5 , 60 0 ,8 0 2℃ 0 ℃ 煅烧 材 料 的灵 敏 度 略 高 于 70C煅烧 的材 料 ,80C煅 烧样 品 0 ̄ 0 ̄ 的灵 敏 度 明显 低 于 60C 70C 烧 的材 料 。 0  ̄及 0  ̄煅 桂 阳海 等 人 选 用 H0 纳 米 z 粉 进 行 两 步 氧 化 ,制 备 ,, 对 n 出 形 貌 不 同 的纳 米 Z O 料 ,对 苯 、 甲苯 、二 甲苯 灵 敏 度 最 n材 高 ,在 30 时 , 其 灵 敏 度 分 别 达 到 9 9 1 . , l 。经 研 2℃ . , 18 3 究 表 明 其 气 敏 机 理 为 : c l O 60+ H0 1 e; + 5 。 C 3 , 5 一 H = +
锌锡 的复合物 Z SO是一种 良好 的气 敏材料 ,可 以用 nn
化 学 或 物 理 的 方 法 来 制 备 , ZS O 敏 性 能 较 纯 ZO S 优 nn 3 气 n、
氧化锌与氧化锡

氧化锌与氧化锡氧化锌(ZnO)薄膜的性能分析(1)来源:兰州物理研究所表面工程技术国家级重点实验室编辑:赵印中ZnO具有熔点高、制备简单、沉积温度低和较低的电子诱生缺陷等优点。
硅基生长的ZnO 薄膜有希望将光电子器件制作与传统的硅平面工艺相兼容。
另外,在透明导电膜的研究方面,掺铝ZnO 膜(ZAO)也有同ITO 膜可比拟的光学电学性质,可在光电显示领域用来作为透明电极。
ZnO薄膜的高电阻率与单一的C 轴结晶择优取向决定了它具有良好的压电常数与机电耦合系数,可用作各种压电、压光、电声与声光器件。
具有中等大小电阻率的ZnO 薄膜是一种n 型半导体,其与一种适宜的p型半导体相结合可以在太阳能光电转换领域中作为一种异质结。
因具有电阻率随表面吸附的气体浓度变化的特点,ZnO 薄膜还可用来制作表面型气敏元件。
通过掺入不同元素,可应用于还原性酸性气体、可燃性气体、CH 族气体探测器、报警器等。
此外,它还在蓝光调制器、低损失率光波导、液晶显示、光催化、电子摄影机、热反射窗等领域具有潜在应用。
1、氧化锌(ZnO)薄膜的光学性能ZnO 薄膜在可见光范围内光透射率高达90%,可以用作优质的太阳电池透明电极,然而它在紫外(UV)和红外(IR)光谱范围内透射率都比较低,这一性质被用作相应光谱区的阻挡层。
图3 是沉积ZnO 薄膜的样品与其基材石英玻璃片透射率的比较,内插图为400-750 nm 的可见光范围的结果比较。
可以看出,在410~750 nm 的区间内,沉积ZnO 薄膜的样品,其透射率均大于石英的透射率,最大可提高2.3%。
由此可知制备出的ZnO 薄膜已经在一定程度上起到了增透膜的效果,这一结果有望在太阳能电池中得到应用。
图4 是Al掺杂ZnO(ZAO)薄膜作为透明导电膜的透射光谱和红外反射谱。
作为透明导电薄膜的一个显著特性是在红外段的高反射率,能反射大部分的热辐射能量。
将其应用于电子器件中,可避免电子器件吸收太多能量而造成升温过快、过高,影响使用效果。
ZnO薄膜的制备及其光学性质的研究

山东建筑大学硕士学位论文
关键词:ZnO薄膜,射频磁控溅射,光波导,X一射线衍射,c轴取向
山东建筑大学硕士学位论文
Preparation and Investigation of Optical Properties of ZnO Films
ABSTRACT
Zinc oxide(ZnO)is an important II-IV compound semiconductor with a wide direct band gap of 3.3eV at room temperature and a large excitation binding enery of 60meV.ZnO films have many realized and potential applications in many fields, such as surface acoustic wave devices,transparent electrodes,ultraviolet photodetectors,light emitting diodes,piezoelectric devices,gas sensors and planar optical waveguides,etc,due to their excellent optical and piezoelectric properties.In recent years,with widespread developing in short wavelength luminescent devices,
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ZnO薄膜的应用
压电传感器
所示ZnO压电薄膜表面 微机械传感器示意图。这种 新结构的器件既充分发挥了 表面微机械加工技术的优点, 又可利用ZnO材料的多功能 特性,与用体微机械技术制 作的集成化ZnO器件相比,可 大大简化其制作工艺和减小 器件尺寸,为研制集成ZnO薄 膜器件提供了一种有效的手 段。
空穴旋转,与氢原子类似。
ZnO的光致发光谱通常有紫外发射带和可见光发射带。紫外发射
带是来自于近带边的发射,是由于激子的复合。可见光发射带通常
与缺陷或杂质有关的深能级有关。
ZnO薄膜简介
ZnO薄膜主要用于太阳能电池,它与之前所 用的氧化铟锡( ITO) 和二氧化锡透明导电薄膜 相比,具有生产成本低,无毒,稳定性高( 特 别是在氢等离子体中) , 对促进廉价太阳电池 的发展具有重要意义 。
ZnO薄膜的应用
湿度传感器
右图为ZnO薄膜湿 度传感器的结构示意 图。它是在陶瓷、玻 璃等绝缘基片上形成 一对叉指的检测电极, 再在叉指电极上部覆 盖用作湿敏元件的 ZnO薄膜。
ZnO薄膜湿度传感器的结构
ZnO薄膜的应用
ZnO镀膜光纤传感器
右图所示为ZnO镀膜 光纤传感器的几何结构, 其中的压电层为氧化锌 镀膜层,当内电极层和 外电极层之间的电压发 生变化时,光纤内产生 振荡声波,使得光纤的 折射率改变,在有光信 号通过时,其相位发生 变化,其本质是一种声 光谐振器。
ZnO薄膜的光电性质
纯净的理想化学配比的ZnO由于带隙较宽,是绝缘体,而不是 半导体,但是由于本身的缺陷,如氧空位、锌填隙等施主缺陷,使 其常常表现出N型导电。 在ZnO晶体的空位形成过程中,由于形成氧空位所需的能量比形 成锌空位所需的能量小,因此,在室温下ZnO材料通常是氧空位, 而不是锌空位。而氧空位产生了2价施主,使其表现出N型导电。同 时根据自补偿原理,氧空位的浓度和氧填隙的浓度之积是常数,当 氧空位的浓度很大时,氧填隙的浓度很小。锌空位的浓度较小,而 锌填隙的浓度则较大,因此,当在ZnO的晶体中氧空位占主导时, 表现出N型导电。
压电薄膜传感器示意图
ZnO薄膜的应用
近年来,短波长激光器成为半导体 激光器研究的一个热点。如ZnSe基量 子阱激光器。但是寿命较短,要进一 步提高,难度很大。主要是在于ZnSe 是一种离子性很强的晶体,容易产生 损伤,在受激发射运行时,容易因温 度的升高而造成缺陷的大量增加。ZnO 是短波长发光器件材料,可以制作ZnO 基发光二极管,并实现了同质结构 P.I.N结的室温紫外电致发光,在室 温下观察到从紫光到绿光的电致发光。
量子效应
电致发光 光致发光
透明导电膜
电极
电极修饰
增透膜 保护膜
薄膜太阳能电池
增加光吸收 增加光出射
ZnO薄膜简介
极性较强的半导体材料,由于导带自由电子和价带自由
空穴之间的库仑作用,使它们束缚在一起构成激子,在半
导体材料可以自由移动的叫做自由激子。由于电子的有效 质量小于空穴的有效质量,自由激子的结构中,电子围绕
ZnO薄膜简介 薄膜的光电性质
ZnO高熔点的物理特性,具 有很好的热化学稳定(1975℃)。 ZnO薄膜可在低于600℃下获得, 有利于降低设备成本,可O是至今为止Ⅱ-Ⅵ族半导体 材料中最硬的一种,机械性能优 良。
ZnO薄膜简介 薄膜的光电性质
Worldwide consumption of zinc oxide
ZnO薄膜的应用
ZnO晶体结构和光电特性,在光显示、光照明、光存储以及光探 测等领域具有诱人的应用前景:
ZnO薄膜的应用
ZnO由于它的直接带宽禁带3.37ev, 紫外强烈吸收,可见光范围可以透 过,因此,在可见光区具有很高的透 过率,可以制备透明导电薄膜。Al 掺杂ZnO薄膜的电阻率较低10.4Qcm, 可见光透过率高大于80%,有的甚 至大于90%。因为它的原料丰富, 成本低廉,Al掺杂的ZnO薄膜将会成 为ITO薄膜的替代品。 ZnO薄膜是透明导带薄膜,在可 见光波长范围内的透过率达90%。 是太阳能电池的透明电极和窗口材 料。
因此在可见光波段( 400nm-800nm) ZnO的透
射率很高。
此外, ZnO的一个突出特点是具有高60meV
的激子束缚能,使激子在室温稳定存在,能够
实现高效的室温激子复合发光。
ZnO薄膜简介
ZnO的可见紫外吸收光谱
ZnO薄膜简介 ZnO在我们可能涉及领域的应用
发光材料
宽禁带 蓝绿、蓝紫、紫外LED 白光LED、OLED 柔性OLED等发光器件 OPB,复合OPB TFT LED、OLED等 阳极 阴极
ZnO薄膜在各种温度下的沉积和退火样品的光透射光谱
光电性质的影响因素
结论:
1.退火处理可以改善ZnO膜的形貌,从AFM和SEM图像显而易 见。氧化锌薄膜在可见波长范围内有高达85%的光透射。 2. XRD结果表明该膜是(002),(101)和(102)方向的优先 取向的多晶,但是退火温度增加到400℃以上,(002)方向更显 着。因为退火处理的ZnO薄膜显示出良好的结构和光学性能 是因为其具有更光滑的表面。 3.基于结果,可以得出结论ZnO薄膜适用于太阳能电池应用,在 退火时应该将带隙调节到合适的值。 4 .除180℃沉积温度下制备的样品以外,其他温度下制备的ZnO 薄膜在可见光区域的透过率均接近甚至高于80% 。
ZnO薄膜简介
ZnO薄膜简介
ZnO薄膜简介
优点:设备简单,操作简单,容易掺杂, 可以制备大面积的薄膜,成本低。 缺点:燃烧不完全会残留炭,以及化学原 料中引入的。
硝酸锌、乙酸锌等为锌源,异丙醇、甲醇、乙 二醇等作为溶剂,单乙醇胺等作为稳定剂。
ZnO薄膜简介
ZnO薄膜简介 薄膜的光电性质
宽带隙使ZnO在可见光波段 (400~800nm)有高达80%的光学透过 率,ZnO材料高激子结合能使其在 室温下的受激辐射能在较低阈值出 现,是一种理想的紫外光发射材料。
ZnO薄膜的光电性质
蒸发铝膜、导电漆膜、印制电路板铜箔膜等薄膜状 导电材料,衡量它们厚度的最好方法就是测试它们的方 阻。什么是方阻呢?方阻就是方块电阻,指一个正方形 的薄膜导电材料边到边之间的电阻,如图所示,即B边 到C边的电阻值。方块电阻有一个特性,即任意大小的 正方形边到边的电阻都是一样的,不管边长是1米还是 0.1米,它们的方阻都是一样,这样方阻仅与导电膜的厚 度等因素有关。
ZnO镀膜光纤传感器的几何结构
THANK YOU
2017.2.25
姜鹏峰 16722159
2017.2.24
目录
ZnO薄膜简介
ZnO薄膜的光电性质 光电性质的影响因素
ZnO薄膜的应用
ZnO薄膜简介
Z n O晶体结构
其晶体的空间结构中,每个Zn ZnO薄膜的截面FE—SEM图, 原子和四个O原子按四面体排布。
ZnO薄膜简介
氧化锌是宽禁带半导体材料,室温下的禁
带宽度约3.3eV ,大于可见光的光子能3.10eV ,
光电性质的影响因素
退火温度
沉积温度
温度能对反应分子起到活化作用,对形成良好的晶体有 很大的影响。用改进的CVD法制备ZnO薄膜, 要SiO2表面从 390℃到550℃不同条件下沉积ZnO薄膜, 均能得到C轴取向
一致的ZnO薄膜,但温度不同, 其取向度不同,衬底温度为
550℃时, 结晶状况最好。
极性较强的半导体材料,由于导带自由电子和价带自由 空穴之间的库仑作用,使它们束缚在一起构成激子,在半
导体材料可以自由移动的叫做自由激子。由于电子的有效
质量小于空穴的有效质量,自由激子的结构中,电子围绕 空穴旋转,与氢原子类似。
ZnO的光致发光谱通常有紫外发射带和可见光发射带。紫外发射 带是来自于近带边的发射,是由于激子的复合。可见光发射带通常
与缺陷或杂质有关的深能级有关。
ZnO薄膜的光电性质
为分析ZnO薄膜的综合光电特性,引入品质因 子作为量化ZnO薄膜综合光电特性的指标:
式中FTC ,RS,T 分别为样品的品质因子,方块电 阻,透光率。其中T的取值为样品在360 ~ 960 nm波长范围内的平均透光率。FTC的值越大,样 品的综合性能越好 .
ZnO薄膜的应用
Because of its diverse properties, both chemical and physical, zinc oxide is widely used in many areas. It plays an important role in a very wide range of applications, ranging from tyres to ceramics,from pharmaceuticals to agriculture, and from paints to chemicals.