在50℃测温高精度NTC温度传感器R50=2K-1%精度
无机化学练习(上)
无机化学练习(上) work Information Technology Company.2020YEAR无机化学（上）练习一一、判断对错(本大题分26小题,每小题1分,共26分)× 1、反应的热效应就是该反应的焓变。
× 2、在恒温恒压下，某化学反应的热效应Q=△H＝H－H，因为H是状态函数，故Q也是状态函数。
√ 3、已知反应2A(g)+B(g)C(g)的△H>0，达到平衡后升高温度，则正反应速率的增加大于逆反应速率的增加，所以上述平衡向右移动。
√ 4、在缓冲溶液中加入少量强酸或强碱时，其pH值基本不变。
× 5、根据酸碱电子理论，提供电子对的分子或离子是酸，接受电子对的是碱。
× 6、饱和HS溶液中，c(H)=2c(S)。
D7、在有AgCl固体存在的溶液中，当加入等体积的下列溶液，会使AgCl溶解度增大的是（）。
(A)AgCl饱和溶液； (B)1mol·LNaCl；(C)1mol·LAgNO；(D)4mol·LNaNO。
√ 8、利用沉淀转化可使某些既难溶于水又不溶于酸的物质转化为可溶于酸的物质。
× 9、把AgNO溶液滴入NaCl溶液中，只有当c(Ag)=c(Cl)时，才能产生AgCl沉淀。
× 10、MnO+HO+OH MnO+HO+H，此方程式配平正确。
× 11、2HO→2HO+O是分解反应，也是氧化还原反应，因此所有的分解反应都是氧化还原反应。
√ 12、原子的s轨道角度分布图是球形对称的。
√ 13、冰在室温下自发地融化成水，是熵增起了主要作用。
× 14、由CaCO和CaO构成的封闭系统，在任何条件下都不能使反应CaCO(s)CaO(s)+CO(g)达到平衡。
√ 15、催化剂只能改变反应的活化能，不能改变反应的热效应。
√ 16、已知K(ZnCO)=1.410，K(Zn(OH))=1.210，则在Zn(OH)饱和溶液中的c(Zn)小于ZnCO饱和溶液中的c(Zn)。
自动检测技术题库
第一章检测技术的基础知识一、填空题1．检测技术是一门以研究自动检测系统中的信息提取、信息转换以及信息处理的理论和技术为主要内容的应用技术学科。
2．一个完整的检测系统或检测装置通常由传感器、测量电路和输出单元及显示装置等部分组成。
3．传感器一般由敏感元件、转换元件和转换电路三部分组成，其中敏感元件是必不可少的。
4．在选用仪表时，最好能使其工作在不小于满刻度值2/3 的区域。
5．准确度表征系统误差的大小程度，精密度表征随机误差的大小程度，而精确度则指准确度和精密度的综合结果。
6．仪表准确度等级是由系统误差中的基本误差决定的，而精密度是由随机误差和系统误差中的附加误差决定的。
7、若已知某直流电压的大致范围，选择测量仪表时，应尽可能选用那些其量程大于被测电压而又小于被测电压1.5倍的电压表。
（因为U≥2/3Umax）二、选择题1．在一个完整的检测系统中，完成信息采集和信息转换主要依靠 A 。
A．传感器 B. 测量电路 C. 输出单元2．构成一个传感受器必不可少的部分是 B 。
A．转换元件B．敏感元件C．转换电路D．嵌入式微处理器3．有四台量程均为0-600℃的测量仪表。
今要测一约为500℃的温度，要求相对误差≤2.5%，选用精度为 D 的最为合理。
A．5.0级B．2.5级C．2.0级D．1.5级4．有四台量程不同，但精度等级均为1.0级的测温仪表。
今欲测250℃的温度，选用量程为 C 的最为合理。
A．0～1000℃B．300～500℃C．0～300℃D．0～500℃5．某采购员分别在三家商店购买100kg大米、10kg苹果、1kg巧克力，发现缺少约0.5kg，但该采购员对卖巧克力的商店意见最大，在这个例子中，产生此心理作用的主要因素是Ｂ。
A．绝对误差B．示值相对误差C．满度相对误差D．精度等级6．在选购线性仪器时，必须在同一系列的仪表中选择适当的量程。
这时必须考虑到应尽量使选购的仪表量程为欲测量的Ｃ左右为宜。
【市级联考】山东省聊城市2024届高三二模理科综合全真演练物理试题
【市级联考】山东省聊城市2024届高三二模理科综合全真演练物理试题学校：_______ 班级：__________姓名：_______ 考号：__________（满分：100分时间：75分钟）总分栏题号一二三四五六七总分得分评卷人得分一、单项选择题（本题包含8小题，每小题4分，共32分。
在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的）(共8题)第(1)题在考古研究中，通常利用的衰变来测定文物的大致年代。
衰变方程为，的半衰期为5730年.则下列说法中正确的是（ ）A．的比结合能小于的比结合能B．方程中的X是电子，它是碳原子电离时产生的，是原子的组成部分C．衰变是由于原子核逐渐吸收外界能量导致自身不稳定而发生的D．半衰期是一个统计规律，会随原子核所处的环境不同而改变第(2)题如图所示，竖直平面内固定一倾斜的光滑绝缘杆，轻质绝缘弹簧上端固定，下端系带正电的小球A，球A套在杆上，杆下端固定带正电的小球B。
现将球A从弹簧原长位置由静止释放，运动距离x0到达最低点，此时未与球B相碰。
在球A向下运动过程中，关于两球的电势能E p、加速度a、球A和弹簧系统的机械能E、球A的速度v随运动距离x的变化图像，正确的是（ ）A．B．C．D．第(3)题莱顿瓶是一种储存电荷的装置，在玻璃瓶外面贴有一层金属篟，内部装食盐水，从瓶口处插入金属探针，下端浸在食盐水中，盐水和金属箔构成电容器的两极。
现要增大电容器的电容，下列操作中可行的是（ ）A．多加入一些食盐水B．减小食盐水的浓度C．将金属探针上移少许D．减小金属箔的高度第(4)题如图所示，在发射地球同步卫星的过程中，卫星首先进入近地圆轨道1，然后在P点通过改变卫星的速度使卫星从近地圆轨道1进入椭圆轨道2，又在Q点再次改变卫星速度，让卫星进入地球同步轨道3。
设卫星在轨道2经过Q点时的速度和加速度为和，Q点与地球球心的距离为r，且当卫星分别在1、2、3轨道上正常运行时周期分别为、、。
廖承恩《微波技术基础》习题解答(最全的版本)
w.
λ=
2π υ p 1 = = = β f f µε r ε 0
ww
sc oc 2－5 在长度为 d 的无耗线上测得 Z in (d ) 、 Z in (d ) 和接实际负载时的
Z in (d ) ，证明
sc oc 假定 Z in (d ) = j100Ω ， Z in (d ) = − j 25Ω ， Z in (d ) = 75∠30°Ω ,求 Z L 。
解： ΓL =
Z L − Z0 =0.2-0.4j=0.4472exp(-j1.11)=0.4472∠-63.44° ZL + Z0 VSWR = ρ =
1+ | ΓL | = 2.618 1− | ΓL |
幅分布图，并求其最大值和最小值。
解：
ΓL =
ww
w.
V ( d ) = VL+ e jβd (1+ | ΓL | e j ( Φ L − 2 βd ) ) 1 ∴V (3λ / 4) = VL+ e j 3π / 2 (1 + e j (π −3π ) ) = VL+ ( −4 / 3) = 600 3 + VL = −450V
w.
60 23 ln = 33.3Ω 2.25 10
网
2 × 10 −1 = 552.6Ω 2 × 10 −3
co m
解法二：在空气中υ p 所以 Z 0 =
= 3 ×108
1 1 = = 55.6Ω 8 υ p C1 3 × 10 × 60 × 10 −12
L1 =
Z0 55.6 = = 1.85 × 10 − 7 H 8 υ p 3 × 10
课
Ω；其输入端电压为 600V、试画出沿线电压、电流和阻抗的振
反应热测试50k法则
反应热测试50k法则今天咱们来唠唠反应热测试里的50k法则。
这50k法则呢，可是在反应热相关的测试和研究里相当重要的一个小规则哦。
简单来说，就是在某些反应热的测试过程中，当温度变化达到大约50K（开尔文）的时候，这个反应的一些特性或者相关的数据会呈现出比较有规律的变化呢。
你想啊，就像我们去观察一个小动物的习性，当环境温度变化到某个特定的值的时候，小动物的行为可能就会有很明显的改变。
反应热测试里的这个50k法则也是类似的道理。
比如说在一些化学反应中，反应的速率、平衡常数等这些和反应热密切相关的量，当温度在这个50K左右的变化范围内，就像是被施了魔法一样，开始按照一定的模式来变化啦。
二、50k法则背后的小秘密 。
那为啥是50K呢？这背后可大有文章哦。
咱们都知道，化学反应的本质是原子或者分子之间的重新组合。
而温度对这个过程的影响就像是一个隐藏的指挥家。
当温度升高或者降低的时候，分子的运动速度就会发生变化。
在反应热测试中，50K的温度变化对于很多反应体系来说，刚好能够让分子的能量状态发生比较明显的改变。
比如说，分子获得或者失去足够的能量，使得化学键的断裂和形成变得更容易或者更困难。
这就直接影响到反应的进行程度啦。
就像我们跑步的时候，如果温度合适，我们可能跑得很轻松，但是如果温度太热或者太冷，就会感觉很吃力，反应也是一样的道理呢。
而且哦，这个50K的变化范围还和反应体系里分子的种类、分子之间的相互作用等因素有关。
不同的反应体系可能对这个50K的敏感度会有一点点差别，但是总体上来说，这个范围是经过大量的实验和研究总结出来的一个比较普遍适用的规律。
三、50k法则在实际测试中的应用 。
1. 反应速率的测定。
在实验室里，当我们想要知道一个反应的速率和温度的关系的时候，50k法则就可以派上大用场啦。
我们可以有计划地改变反应的温度，让温度在某个基础值上下变化50K左右。
比如说，我们先在298K（这是一个比较常见的室温对应的开尔文温度哦）下进行反应，然后再在298 + 50 = 348K和298 - 50 = 248K下分别进行同样的反应。
热力学与统计物理第九章答案
热力学与统计物理第九章答案【篇一：热力学统计物理课后答案12】=txt>2.2 设一物质的物态方程具有以下形式：p?f(v)t,试证明其内能与体积无关.解：根据题设，物质的物态方程具有以下形式：故有??p????f(v). （2） ??t?v??u???p??t?????p, （3） ??v?t??t?vp?f(v)t,（1）但根据式（2.2.7），有所以??u????tf(v)?p?0. （4） ?v??t这就是说，如果物质具有形式为（1）的物态方程，则物质的内能与体积无关，只是温度t的函数.2.3 求证： (a)???0; (b??p?h解：焓的全微分为令dh?0，得内能的全微分为令du?0，得p??s???0. （4） ????v?utdu?tds?pdv. （3） ??s?v???0. （2） ???pt??h??s???s?)?????v?u0.dh?tds?vdp. （1）2.6 试证明在相同的压强降落下，气体在准静态绝热膨胀中的温度降落大于在节流过程中的温度降落.解：气体在准静态绝热膨胀过程和节流过程中的温度降落分别由偏导数???t???t?和???描述. 熵函数s(t,p)的全微分为 ?p?p??s??h??s???s?ds??dt???dp. ???t?p??p?t在可逆绝热过程中ds?0，故有??s???v?t???p????t??t?p???t?. （1） ?????s?pc????sp????t?p最后一步用了麦氏关系式（2.2.4）和式（2.2.8）.焓h(t,p)的全微分为??h???h?dh??dt???dp. ???t?p??p?t在节流过程中dh?0，故有??h???v?t???p???v??t??t??t???p. （2） ?????h?pc????hp????t?p最后一步用了式（2.2.10）和式（1.6.6）. 将式（1）和式（2）相减，得??t???t?v???0.（3） ??????p?s??p?hcp所以在相同的压强降落下，气体在绝热膨胀中的温度降落大于节流过程中的温度降落. 这两个过程都被用来冷却和液化气体.由于绝热膨胀过程中使用的膨胀机有移动的部分，低温下移动部分的润滑技术是十分困难的问题，实际上节流过程更为常用. 但是用节流过程降温，气体的初温必须低于反转温度. 卡皮查（1934年）将绝热膨胀和节流过程结合起来，先用绝热膨胀过程使氦降温到反转温度以下，再用节流过程将氦液化.2.9 证明范氏气体的定容热容量只是温度t的函数，与比体积无关.解：根据习题2.8式（2）??2p???cv????t?2?, （1） ?v??t??t?v范氏方程（式（1.3.12））可以表为nrtn2ap??. （2） v?nbv2由于在v不变时范氏方程的p是t的线性函数，所以范氏气体的定容热容量只是t的函数，与比体积无关.不仅如此，根据2.8题式（3）??2p?cv(t,v)?cv(t,v0)?t??2?dv, （3） v0?t??vv我们知道，v??时范氏气体趋于理想气体. 令上式的v0??，式中的cv(t,v0)就是理想气体的热容量. 由此可知，范氏气体和理想气体的定容热容量是相同的.顺便提及，在压强不变时范氏方程的体积v与温度t不呈线性关系. 根据2.8题式（5）2??cv???p?????2?, （2） ??v?t??t?v这意味着范氏气体的定压热容量是t,p的函数.2.16 试讨论以平衡辐射为工作物质的卡诺循环，计算其效率. 解：根据式（2.6.1）和（2.6.3），平衡辐射的压强可表为1p?at4, （1） 3因此对于平衡辐射等温过程也是等压过程. 式（2.6.5）给出了平衡辐射在可逆绝热过程（等熵过程）中温度t与体积v的关系t3v?c(常量).（2）将式（1）与式（2）联立，消去温度t，可得平衡辐射在可逆绝热过程中压强p与体积v的关系pv?c?（常量）.（3）43下图是平衡辐射可逆卡诺循环的p?v图，其中等温线和绝热线的方程分别为式（1）和式（3）.下图是相应的t?s图. 计算效率时应用t?s图更为方便.在由状态a等温（温度为t1）膨胀至状态b的过程中，平衡辐射吸收的热量为出的热量为循环过程的效率为q2?t2?s2?s1?.（5） q1?t1?s2?s1?. （4）在由状态c等温（温度为t2）压缩为状态d的过程中，平衡辐射放t2?s2?s1?q2t??1??1??1?2. （6）q1t1s2?s1t12.19 已知顺磁物质遵从居里定律：m?ch(居里定律). t若维物质的温度不变，使磁场由0增至h，求磁化热.解：式（1.14.3）给出，系统在可逆等温过程中吸收的热量q与其在过程中的熵增加值?s满足q?t?s. （1）在可逆等温过程中磁介质的熵随磁场的变化率为（式（2.7.7）） ??s???m???0????.（2） ?h?t??t??hcvh?c是常量?, （3） t如果磁介质遵从居里定律易知所以cv?0h??s???.（5） ??2?ht??thm?cv??m???h, （4） ??2t??t?h在可逆等温过程中磁场由0增至h时，磁介质的熵变为吸收的热量为补充题1 温度维持为25?c，压强在0至1000pn之间，测得水的实验数据如下：??v??3?63?1?1????4.5?10?1.4?10p?cm?mol?k. ??t?p?s??cv?0h2??s?（6） ??dh??2?h2t??tcv?0h2q?t?s??. （7）2t【篇二：热力学统计物理课后习题答案】t>8.4求弱简并理想费米(玻色)气体的压强公式．解：理想费米(玻色)气体的巨配分函数满足ln?????lln1?e?????ll??在弱简并情况下：2?v2?v3/23/22ln???g3?2m???1/2ln1?e?????ld???g3?2m???d?3/2ln1?e??? ??l30hh0????????2?v3/22?3/2??g3?2m????ln1?e?????l3?h?????0?3/2dln1?e???????l???? ?2?vd?3/22 ??g3?2m????3/2????l30he?1与（8.2.4）式比较，可知ln??再由（8.2.8）式，得3/23/2??1n?h2??1?h2?????????nkt?1??ln???nkt?1?????v2?mkt??2?mkt?????42???42???2?u 3?e??n?h2?????v?2?mkt??3/2?3/2h2???n????? ????e?????v?t?2?mkt??n?n v3/23/2??1?n?h2????n?n?h2?????????p?ln??kt?1???nkt?1???????v2?mkt?t2?mkt?t???? ???42????42??8.10试根据热力学公式 s?熵。
聚四氟乙烯性能参数
1．聚四氟乙烯聚四氟乙烯是用于密封的氟塑料之一。
聚四氟乙烯以碳原子为骨架，氟原子对称而均匀地分布在它的周围，构成严密的屏障，使它具有非常宝贵的综合物理机械性能(表14—9)。
聚四氟乙烯对强酸、强碱、强氧化剂有很高的抗蚀性，即使温度较高，也不会发生作用，其耐腐蚀性能甚至超过玻璃、陶瓷、不锈钢以至金、铂，所以，素有“塑料王”之称。
除某些芳烃化合物能使聚四氟乙烯有轻微的溶胀外，对酮类、醇类等有机溶剂均有耐蚀性。
只有熔融态的碱金属及元素氟等在高温下才能对它起作用。
聚四氟乙烯的介电性能优异，绝缘强度及抗电弧性能也很突出，介质损耗角正切值很低，但抗电晕性能不好。
聚四氟乙烯不吸水、不受氧气、紫外线作用、耐候性好，在户外暴露3年，抗拉强度几乎保持不变，仅伸长率有所下降。
聚四氟乙烯薄膜与涂层由于有细孔，故能透过水和气体。
聚四氟乙烯在200℃以上，开始极微量的裂解，即使升温到结晶体熔点327℃，仍裂解很少，每小时失重为万分之二。
但加热至400℃以上热裂解速度逐渐加快，产生有毒气体，因此，聚四氟乙烯烧结温度一般控制在375～380℃。
聚四氟乙烯分子间的范德华引力小，容易产生键间滑动，故聚四氟乙烯具有很低的摩擦系数及不粘性，摩擦系数在已知固体材料中是最低的。
聚四氟乙烯的导热系数小，该性能对其成型工艺及应用影响较大。
其不但导热性差，且线膨胀系数较大，加入填充剂可适当降低线膨胀系数。
在负荷下会发生蠕变现象，亦称作“冷流”，加入填充剂可减轻蠕变程度。
聚四氟乙烯可以添加不同的填充剂，选择的填充剂应基本满足下述要求：能耐380℃高温即四氟制品的烧结温度；与接触的介质不发生反应；与四氟树脂有良好的混入性；能改善四氟制品的耐磨性、冷流性、导热性及线膨胀系数等。
常用的填充剂有无碱无蜡玻璃纤维、石墨、碳纤维、MoS2、A123、CaF2、焦炭粉及各种金属粉。
如填充玻璃纤维或石墨，可提高四氟制品的耐磨、耐冷流性，填充MoS2可提高其润滑性，填充青铜、钼、镍、铝、银、钨、铁等，可改善导热性，填充聚酰亚胺或聚苯酯，可提高耐磨性，填充聚苯硫醚后能提高抗蠕变能力，保证尺寸稳定等。
华克仕 K-FT2K-Core 核心板说明书
使用产品之前请仔细阅读产品说明书K-FT2K-Core核心板说明书版本：v1.1版本更新表目录1注意事项 (1)2产品概述 (2)3产品规格 (3)4实物接口介绍 (4)4.1主板正反面图 (4)4.2主板加散热器图 (5)4.3主板尺寸图 (6)5接口功能定义 (7)5.1功能分布图 (7)5.2丝印描述 (8)5.3接口定义 (9)1注意事项商标本手册所提及的商标与名称都归其所属公司所有。
注意1. 使用前，请先详细阅读说明书，避免误操作导致产品损坏；2. 请将此产品放置在-20℃<=工作环境<=+60℃、90%RH的环境下，以免因过冷、热或受潮导致产品损坏；3 请勿将此产品做强烈的机械运动，以及在没有作好静电防护之前对此产品操作；4. 在安装任何外接卡或模组之前，請先关闭电源；5. 禁止对主板产品进行私自更改、拆焊，对此所导致的任何后果我司不承担任何责任；K-FT2K-Core是一款基于飞腾FT-2000/4处理器，采用采用COM Express Basic板型的核心板，尺寸为125*95mm。
K-FT2K-Core采用飞腾FT-2000/4四核芯处理器。
板载2条DDR4 SO-DIMM内存插槽。
K-FT2k-Core的COMe插槽，集成2路MAC，可外加PHY芯片扩展出2路千兆网口；集成1*PCIe-X16、2*PCIe-X8、2*PCIe-X1扩展资源，集成4*UART接口，可扩展RS232串口；集成I2C、LPC、HDA等总线资源。
主板特点：★飞腾FT-2000/4四核芯处理器；★COM Express Basic核心板小尺寸；★板载DDR4笔记本内存插槽；★丰富的PCIe扩展资源；4实物接口介绍4.1主板正反面图4.2主板加散热器图4.3主板尺寸图注意：上图单位统为毫米（mm）5接口功能定义5.1功能分布图5.2丝印描述5.3接口定义主板插针、跳线定义续1。