浙江信息工程学校《电子技术基础》期中试卷
浙江信息工程学校2017-2018第一学期电子电工期中综合试卷(高职153)
浙江信息工程学校 湖州工程技师学院 2017--2018学年第一学期期中考试试卷参考班级 高职预科153 参考科目 电子与电工类专业理论 姓名 学号 得分第一部分 基础理论（必做题，满分90分）一、单项选择题（本大题共10小题，每小题3分，共30分）在每小题列出的四个备选答案中，只有一个是符合题目要求的。
错涂、多涂或未涂均不得分。
1．电路中两点间的电压高，则说明（ ）。
A ．这两点的电位都很高B ．这两点间的电位差大C ．这两点的电位都大于零D ．两点间电压的高低与这两点的电位无关2．如图所示电路中，欲使U 1/U=1/3，则R 1和R 2的关系是（ ）。
A ．121R =R 3B ．121R =R 2C ．12R =2RD ．12R =3R 3．如图所示电路，电阻R 的阻值均为12Ω，则A 、B 间的等效电阻是（ ）。
A ．12ΩB ．8ΩC ．6ΩD ．4Ω4．如图所示的电路为（ ）。
A ．甲类OCL 功率放大电路 B ．乙类OTL 功率放大电路 C ．甲乙类OCL 功率放大电路D ．甲乙类OTL 功率放大电路5．如果“12V”的电压加在标有“24V 、8W”的用电器上，则该用电器的实际功率是（ ）。
A ．1WB ．2WC ．4WD ．8W 6．当100μF 的电容器和47μF 的电容器并联时，总电容量为（ ）。
A ．47μFB ．100μFC ．147μFD ．53μF7．用示波器观察分压式偏置共发射极放大器的输出电压u o 和输入电压u i 的波形，在相位上的关系应是（ ）。
A ．相同B ．相反C ．相差90oD ．相位差小于90o8．在单相桥式整流电路中，如果一只整流二极管开路，则（ ）。
U 1+-第2题图第3题图u icc第4题图LA ．成为半波整流电路B ．引起短路C ．仍为桥式整流电路D ．以上都不对9．下列属于负反馈对放大器性能影响的是（ ）。
A ．稳定静态工作点 B ．减小非线性失真 C ．展宽通频带D ．以上都是10．具有放大环节的串联型稳压电路中，用作比较放大器的集成运算放大器工作在（ ）。
浙江信息工程学校《电工技术基础与应用》期中考试试卷
浙江信息工程学校 湖州工程技师学院 2019--2020学年第一学期期中考试试卷
参考班级 机电191-194 参考科目 《电工技术基础与应用》 班级 姓名 学号 得分 一、项目任务概述（考试时间40分钟）
汽车的大灯包括两个远光灯和两个近光灯，它们有不同的功能，如图1所示。
远光灯发出的光会平行射出，光线较为集中，亮度较大，可以照到很远很高的物体；近光灯发出的光呈现发散状态出来，可以照到近处较大范围内的物体。
本项目的任务在完成面包板上搭接汽车大灯电路，观察实验现象，并测量相关数据填入表格中。
汽车大灯电路的原理图如图2所示。
二、核对元器件清单（20分）
仔细清点下发的元器件，核对名称、规格与数量，与元器件清单进行核对，并对元器件进行质量检测，检查无误后请在相应元器件核对栏打“√”，如有问
图1 汽车大灯
图2 汽车大灯电路原理图
L1L2L3L4
S 1
2
E
远光灯
近光灯
蓄电池
题请将正确名称、规格与数量填在核对栏，如有增加填在表格下方空格里，元器件如有损坏举手示意监考老师更换。
元器件清单
三、电路搭建（20分，A-16-20分，B-8-15分，C-0-7分）
根据汽车大灯电路工作原理图，在所给面包板上正确合理搭建电路。
搭建完成后，举手由监考老师检查并打好工艺成绩后签字确认，只有签字后方可进行通电调试。
无老师签字本环节不得分。
四、电路调试与参数记录（50分）
1.电压测量（10分，每空2分）
2.电流测量（22分，每空2分）
3.小灯珠的阻值与功率（18分）
五、安全与6S（10分，A-10分，B-6分，C-0分）。
中职电子技术基础期中试题
2023年-2024年度第二学期 中等职业技术学校22 级 船舶 专业 电子技术基础 科目期中检测试卷（A 卷） 考试形式：闭卷■、开卷□ 出卷人：康洋 考试时间： 60分钟一、判断题（本大题共10小题，每小题3分，共30分，请将其答案写在答题卡内。
）1.制造半导体器件用得最多的是硅和碳两种材料。
2.纯净的半导体称为本征半导体，它的导电能力是很弱的 。
3. PN 结加正向电压导通，加反向电压截止，这是 PN 结的重要特性——“单向导电性”。
4. 正向特性是指给二极管加正向电压（二极管正极接高电位，负极接低电位）时的特性。
5. 二极管导通后，二极管两端的电压会一直增加。
6. 三极管里面有PN 结结构，因此三极管具有单向导电性。
7.三极管可以用两个二极管拼接而成。
8.发射极电流的方向，箭头朝外的是 NPN 型三极管，箭头朝内的是 PNP 型三极管。
9.三极管的发射极和集电极可以互换。
10.三极管电流放大的实质是：用较小的基极电流控制较大的集电极电流。
二、单项选择题（本大题共10小题，每小题4分，共40分，请将其答案写在答题卡内。
）1. 从 PN 结的 P 区引出的电极为二极管的正极，又称（ ）。
A.阳极 B.阴极 C.负极 D.亮极2.硅管的“死区电压”为（ ）。
A.0.1VB.0.3VC.0.5VD.0.7V 3.硅材料二极管两端的电压降为（ ）。
A.0.1VB.0.3VC.0.5VD.0.7V 4.三极管的发射极用符号（ ）可以表示。
A.cB.eC.bD.a 5. 三极管实现电流放大作用的条件是（ ）。
A. 发射结正偏，集电结反偏B. 发射结正偏，集电结正偏C. 发射结反偏，集电结正偏D. 发射结反偏，集电结反偏 6. NPN 型三极管中，当V C >V B >V E ，三极管处于（ ）A.共射极放大电路B. 共集电极放大电路C.共基极放大电路D.共阳极放大电路 7.以下哪项属于直流电的表示符号（ ）A.I BB. i bC. i BD. I b8.在某放大电路中， 测的三极管三个电极的静态电位分别为 0 V ， -10 V ， -9.3 V ， 则这只三极管是（ ）。
《电子技术基础》期中考试试卷及参考答案整理版
2017-2018学年第一学期《电子技术基础》期中考试卷班级：姓名：学号：得分：一、填空题（每空格1分，共30 分）1、半导体材料通常有、锗和砷等。
2、P型半导体中多数载流子是，少数载流子是。
3、PN结加正向电压时________，加反向电压时________，这种特性称为PN结的单向导电性。
4、硅二极管的死区电压约为左右，锗二极管的死区电压约为0.1V-0.2V。
5、已知三极管的发射极电流IE＝3000uA ，基极电流IB＝50uA，则集电极电流IC＝。
6、三极管有三个管脚，分别称为、、。
7、整流是指将变换为的过程，常见的整流电路有整流电路、整流电路和单相全波整流电路三种。
8、稳压管二极管正常工作时须工作在状态。
9、三极管工作时通常有、、三种工作状态。
10、半导体三极管又称双极型三极管，它是利用输入电流控制输出电流的半导体器件，称为器件；场效应管是利用输入电压产生的电场效应控制输出电流的半导体器件，称为器件。
11、放大器无信号输入时的直流工作状态称为________，给放大器设置合适的静态工作点是为了__ ______。
12、已知某三极管的IB1=10uA时，IC1=0.8mA，当IB2=30uA时，IC2=2.4mA，求该三极管的β值为，若IB3=60uA，那么IC3= 。
13、画交流通路时，是把较大的和视为短路，画直流通路时是把视为开路。
14、半波整流电路中，若变压器次级电压为V2=10V，那么负载两端电压V0= 。
15、在单向半波整流电路负载两端并接滤波电容时，输出电压平均值=oV________2V；在桥式整流电路负载两端并接滤波滤波电容时，输出电压平均值=oV________2V。
二、判断题（每题2分，共10分）（）1、二极管是非线性器件。
（）2、将脉动直流电变换为平滑直流电的过程称为滤波。
（）3、PNP型三极管一定是硅管，NPN型三极管是锗管。
（）4、分压式偏置放大电路的静态工作点会随温度的变化而发生很大的变化。
《电子技术基础二》期终考试试卷(A)及答案
8、当触发器Q=0，1=Q 时称触发器处于“0”状态。
（ ） 9、施密特触发器工作时具有两个稳定状态，但只有一个触发电平。
（ ） 10、边沿触发器是指触发器的状态在CP 脉冲的边沿处发生触发翻转。
（ ）三、选择题（每题2分，共20分）1、下列结果错误的是（ ）A. B A AB +=B. B B B =+C. 1+A=12、下列状态方程中（ ）是T / 触发器。
A. Q n+1＝T ⊕Q n B. Q n+1＝Q n C. Q n+1＝D3、下列结论是正确的是（ ）A.（5C ）16 =（95）10B. （10101）2 ＝（20）10C.（25）8 =（10101）24、下列逻辑图中表示 Y ＝A ⊕B 的是 （ ）（A ） （B ） （C ）5、在相同的时钟脉冲作用下，同步和异步计数器比较其工作速度。
（ ）A. 较快B.较慢C.不确定6分，共24分）1、用代数法化简 C B A C B A Y +=2、试将J-K触发器转换成T触发器画出逻辑图。
3、用卡诺图法将Y(A、B、C、D)=Σm（1、3、5、7、9、11、13）化简。
4、根据逻辑图写出Y的逻辑表达式。
五、分析思考题（每题8分，共16分） 1、下图是用555定时器构成的多谐振荡器，其中R 1=10K ，R 2=1K ，C=0.1uF ，试计算输出频率f 和周期T 。
2、用反馈置数法将同步二进制计数器74LS163转为10进制计数器，如图a 所示。
μFO O OQ0Q1Q2Q3D0D1D2D3CT T CT P CP C0CR LD 74LS163电子技术基础(二)期终考试试卷（A ）参考答案一、填空（每空2分，共30分）1、组合电路、存储电路2、n Q K Q J Q n1n +=+3、单稳电路、多谐振荡器、4、“1”、“0”5、100100、00110110、6、59、1110117、模拟、数字8、异步计数器9、跃变 10、输人输出数据 二、判断题（每题2 分 共20分）1、√2、×3、×4、√5、×6、×7、√8、√9、×10、√三、选择题（每题2分，共10分）1、B2、B3、C4、C5、A四、化简、画图（每题7分，共28分）1、()C B A B A C C B A C B A Y =+=+= 24、B A AB Y +=00 01 11 10五、分析思考题 1、()()KHZT f SCR R T 02.1 1098.0111098.0 101.01022107.0 27.0336321=⨯==⨯=⨯⨯⨯⨯+=+=---2、。
2020—2021学年第一学期信息工程专业《电子技术基础》期末考试题试卷(试卷B)
2020—2021学年第一学期信息工程专业《电子技术基础》期末考试题试卷 （试卷B ）一、单项选择题。
1．根据逻辑代数基本定律可知：A ＋BC ＝（ ）； A ．A ； B ．A ·B ＋ A ·C ； C ．A ·（B ＋ C ）； D ．（A ＋B ）·（A ＋C ）； 2．下列哪种逻辑表达式化简结果错误：（ ）； A ．A+1=A ； B ．A ＋AB ＝ A ； C ．A ·1＝A ； D ．A · A ＝ A ； 3．十进制数 14用 8421 BCD 码表示为：（ ）； A ．100001； B ．1110；C ．00010100；院（系） 班级姓名学号……………………………………………装…………………………订………………………D．E；4.二进制的减法运算法则是( )；A. 逢二进一；B. 逢十进一；C. 借一作十；D. 借一作二；5.下列编码方法中,属于无权码的有 ( )；A. 8421BCD；B. 2421BCD；C. 格雷码；D. BCD码；6.下列不可以作为无触点开关的是：（）；A. 二极管；B. 三极管；C. 电阻；D. 可控硅；7. 要产生周期性脉冲信号，可选用：（）；A. 单稳态触发器；B．施密特触发器；C．多谐振荡器；D．正弦波振荡器；8.晶体三极管作开关使用时，它的工作状态是（）；A. 放大与饱和；B. 饱和与截止；C. 截止与放大；D. 放大、截止及饱和；9.提高晶体三极管的开关速度的方法有（）；A. 提高三极管的静态工作点；B. 选用开关时间小的三极管；C. 基极回路引入加速电容；D. 提高三极管的工作电压；10．选择一组不正确的公式：（）；A． A+B =B+A；B． 0·A=0；C. A+AB=A+B；D. A+AB=A；11．能将串行输入数据变为并行输出的电路为：（）；A. 编码器；B. 译码器；C. 比较器；D. 数据分配器；12.下列器件不属于组合逻辑电路的是( )；A. 编码器；B. 译码器；C. 触发器；D. 加法器；13.八位二进制数能表示10进制数的最大值为( )；A. 255；B. 199；C. 248；D. 192；14.下列逻辑函数中，属于最小项表达式形式的是 ( )；A．L=ABC+BCD；B．C B⋅=；L+BACAC．L=AC+ABCD；D．BC⋅=；L+BACA15.已知逻辑函数Y=AB+BC，若要Y=1,则ABC的取值可能是( )；A．010；B．110；C．101；D．100；16.三位二进制编码器输出与输入端的数量分别为( )；A. 3个和2个；B. 3个和8个；C. 8个和3个；D. 2个和3个；17.七段显示译码器,当译码器七个输出端状态为abcdefg=0110011时,高电平有效,输入一定为( )；A. 0011；B. 0110；C. 0100；D. 0101；18.对于8421BCD码来说,属于伪码的有( )；A. 1010；B. 1000；C. 0000；D. 0100；19.译码器输的是( )；A. 纯数字；B. 纯字母；C. 信号；D. 不能确定；20.计算机系统中进行的基本运算是( )；A. 加法；B. 减法；C. 乘法；D. 除法；21.欲使一路数据分配到多路装置中应选用( )；A. 编码器；B. 数据选择器；C. 数据分配器；D. 译码器；22.若译码驱动输出为低电平,则显示器应选用( )；A. 共阴极显示器；B. 共阳极显示器；C. 两者均可；D. 不能确定；23.微分电路可以将方波转换成；( )；A．尖波脉冲；B．三角波；C．阶梯波；D．正弦波；24．构成计数器的基本电路是：（）；A．与门；B．555；C．非门；D．触发器；25．某个寄存器中有8个触发器，它可存放（）位二进制数。
2020—2021学年春季学期信息与计算科学专业《电子技术基础》期中考试题试卷(卷二)
2020—2021学年春季学期信息与计算科学专业《电子技术基础》期中考试题试卷 （卷二）一、单项选择题。
1．三类负荷对供电可靠性的要求是（ ）。
A. 任何时候都不能突然停电； B. 一般情况下不能突然停电； C. 可以随时突然停电； 2．磁电式电工仪表一般用来测量（ ）电流、电压。
A ．交流； B ．直流； 3．感应式电工仪表一般用来测量（ A ）。
A ．电能量； B ．电功率； 4．电磁式仪表的优点是（ ）测量直流，（ ）测量交流。
A ．能； B ．不能； 5．二进制数01111转换为十进制数为( A )。
A ．15；院（系） 班级姓名学号……………………………………………装…………………………订………………………线……………………………………………B．21；C．18；6．8421BCD码0111表示十进制数为( B )。
A．8；B．7；C．42；7．欲表示十进制数的8个数码,需要二进制数码的位数是( B )。
A．2位；B．3位；C．4位；8．逻辑函数式A+AC,化简后结果是( )。
A．C；B．A；C．AC；9．逻辑函数式F=ABC+ABC的逻辑值为( )。
A．0 ；B．1；C．ABC；10．基本RS触发器电路中，触发脉冲消失后，其输出状态( B )。
A．恢复原状态；B．保持原状态；C．出现新状态；11．三输入D 、E 、F 或门的逻辑表达式为( A )。
A ．D+E+F ；B ． D+E ；C ．F ED ++；12．触发器的状态是Q=1,Q =0,称为（ A ）。
A ．”1”态；B ．”0”态；C ．两个都不是；13．JK 触发器,当J=0,K=1时,其输出状态是( A )。
A ．Q=0；B ．Q=1；C ．不确定；14.功率晶体管GTR 从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为( )。
A.一次击穿；B.二次击穿；C.临界饱和；D.反向截止；15.逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成( )；A.大功率三极管；B.逆阻型晶闸管；C.双向晶闸管；D.可关断晶闸管；16.在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区的信号是( )；A.干扰信号；B.触发电压信号；C.触发电流信号；D.干扰信号和触发信号；17.当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( )；A.导通状态；B.关断状态；C.饱和状态；D.不定；18.单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( )；A. 90°；B. 120°；C. 150°；D. 180°；19.单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为( )；A. U2；B. U2；C. 2U2；D. U2；20.单相全控桥电阻性负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为( )；A. U2；B. 2U2；C. U2；D. U2；21.单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是( )；A. 0°～90°；B. 0°～180°；C. 90°～180°；D. 180°～360°；22.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ=( )；A.π-α；B.π+α；C.π-δ-α；D.π+δ-α；23.对于三相半波可控整流电路，换相重叠角γ与哪几个参数有关( )；A. α负载电流Id以及变压器漏抗XC；B. α以及负载电流Id；C. α和U2；D. α和U2以及变压器漏抗XC；24.三相半波可控整流电路的自然换相点是( )；A.交流相电压的过零点；B.本相相电压与相邻相电压正半周的交点处；C.比三相不控整流电路的自然换相点超前30°；D.比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°；25.可在第一和第四象限工作的变流电路是( )；A.三相半波可控变电流电路；B.单相半控桥；C.接有续流二极管的三相半控桥；D.接有续流二极管的单相半波可控变流电路；26.快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是( )；A. 功率晶体管；B. IGBT；C. 功率MOSFET；D. 晶闸管；27.若增大SPWM逆变器的输出电压基波频率，可采用的控制方法是( )；A.增大三角波幅度；B.增大三角波频率；C.增大正弦调制波频率；D.增大正弦调制波幅度；28.采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为( )；A.减小输出幅值；B.增大输出幅值；C.减小输出谐波；D.减小输出功率；29.电流型逆变器中间直流环节贮能元件是( )；A.电容；B.电感；C.蓄电池；D.电动机；30．把电力系统中实施电能远距离传输的环节叫做（）。
电子技术基础与技能期中试卷
《电子技术基础与技能》第一学期期中试卷班级___________姓名___________学号______________一、单项选择题（每小题2分，共40分）1、以下特性中，属于半导体材料的性质有（ ）。
A ．掺杂性B ．光敏性C ．热敏性D ． 以上都是2、N 型半导体中，（ ）。
A ．多数载流子是电子B ．电子与空穴相等C ．多数载流子是空穴D ．无电子无空穴3、二极管正向导通时，呈现（ ）。
A ．零电阻B ．较小电阻C ．较大电阻D ．不稳定电阻4、主要用于计算机、脉冲或开关电路中的二极管为（ ）。
A ．整流二极管B ．检波二极管C ．开关二极管D ．发光二极管5、如图所示电路中，理想二极管12,VD VD 的工作状态为（ ）。
A ．12,VD VD 均导通B ．1VD 截止，2VD 导通C ．12,VD VD 均截止D ．1VD 导通，2VD 截止6、右图所示发光二极管，关于其引脚极性的说法，正确的是（ ）。
A ．长引脚为正极，短引脚为负极B ．长引脚为负极，短引脚为正极C ．这种发光二极管没有极性D ．无法判断7、用万用表检测小功率二极管的极性时，量程应选择（ ）。
A ．1R ⨯挡B ．10R ⨯挡C ．100R ⨯或1k 挡D ．10R k ⨯挡8、用指针式万用表不同电阻档测量二极管正向电阻时，测得的阻值不相同，其原因是（）。
A ．二极管质量差B ．万用表不同电阻档有不同的内阻C ．二极管有非线性的伏安特性D ．用指针式万用表测量的结果不准确9、用万用表检测发光二极管时，其正、反向电阻都为无穷大，则该发光二极管（ ）。
A ．正常B ．已被击穿C ．内部短路D ．内部开路10、目前市场上常见的型号为14007N 的二极管是（ ）。
A ．整流二极管B ．稳压二极管C ．发光二极管D ．变容二极管11、图所示三极管，其引脚从左到右依次为（ ）。
A ．,,b c eB ． ,,c b eC ． ,,e b cD ． ,,e c b12、测得某电路中几个硅材料三极管的各极电位如图所示，试判断（ ）管处于正常放大状态。
秋季期《电子技术基础》期中考试试卷
秋季期《电子技术基础》期中考试试卷班学号：姓名：1.为了正确选用电阻器，必须了解电阻器的（）A.技术参数B.大小C.颜色D.长短2.电阻的单位（）A.ΩB.FC.HD.V3.电阻器的额定功率是指电阻器在一定气压和温度下长期连续工作所允许承受的（）A.最小功率B.最大功率C.被烧毁功率D.延长寿命功率4.用文字符号表示电阻器的阻值与误差，文字符号有R（Ω）、K、M、G、T，其中R表示（）A.（100）欧姆B.千欧（103）C.吉欧（109）D.兆欧（106）5.电阻器的颜色为棕色，它的倍系数是（）A.101B.102C.103D.1046.电阻色环颜色误差为±1％的是（）A.红B.棕C.金D.银7.测20Ω的电阻器时，应选用（）A. R×1挡B. R×10挡C.R×100挡D. R×10K挡8.电阻器阻值在1KΩ到100KΩ之间，标注单位为（）A. KB. M C . KM D. MΩ9.102表示标称容量为（）A. 102PB. 100PC.1000PD.120P10.6K8表示电阻器的阻值为（）A．6800Ω B. 680Ω C. 68Ω D. 68000Ω11.电路的组成不包括（）A.电源B.负载C.导线D.电动机12.电路中的主要物理量不包括( )A.电流B.电动机C.电位与电压D.电动势二、填空题（每空3分，共30分）1.常用的电工电子测量仪表主要有：、、、兆欧表、钳形电流表、功率表、电度表。
2.导体电阻的阻值不仅与导体自身的材料有关，而且与导体的长度成，与导体的横截面积成。
3.欧姆定律说明，流经负载的电流I与加在电路两端的电压成，与电路的电阻R成，用公式可表示为I= 。
4.电路的工作状态有三种，即开路、和。
三、判断题（把正确答案填在答题卡内.正确的打上√ , 错误的打上×，共15分）1.通路是指电路在正常工作情况下，电能从电源的一端流出，经负载后回到电源的另一端，构成闭合回路的状态。
电子信息基础试题(附答案)
电子信息基础试题（附答案）一、单选题（共106题，每题1分，共106分）1.关于正弦交流电有效值的说法中错误是( )A、电压有效值用U表示B、电流有效值I用表示C、功率有效值Q表示D、电动势有效值E用表示正确答案：C2.关于正弦交流电三角函数表示法的优缺点错误的是( )A、严谨B、方便求瞬时值C、便于进行和差运算D、直观正确答案：D3.关于正弦交流电三角函数表示法的优点错误的是( )A、直观B、严谨C、方便求瞬时值D、便于进行和差运算正确答案：A4.三相负载做星型连接时,关于相电压与线电压的关系正确的是( )A、电源提供的线电压是负载上相电压的3倍B、负载上相电压是电源提供的线电压的根号3倍C、负载上相电压是电源提供的线电压的3倍D、电源提供的线电压是负载上相电压的根号3倍正确答案：D5.以下关于交流电相比于直流电的优点中,错误的是( )A、便于安全B、便于产生C、便于传输D、便于使用正确答案：A6.以下不属于变压器作用的是( )A、功率变换B、阻抗匹配C、电流变换D、电压变换正确答案：A7.关于电压源和电流源,下列说法不正确的是:( )A、电流源输出电流恒定不变B、理想电压源和理想电流源可以等效互换。
C、电压源输出电压恒定不变D、理想电压源输出电压恒定不变正确答案：B8.以下不属于半导体材料导电性的是( )A、光敏性B、热敏性C、掺杂特性D、声敏性正确答案：D9.在单一元件的纯电感电路中,对瞬时功率描述错误的是( )A、瞬时功率也随时间按正弦函数规律变化B、瞬时功率在2、4周期小于0,还能于电源C、频率是电流、电压的4倍D、瞬时功率在1、3周期大于0,从电源吸能正确答案：C10.关于磁感应强度的说法中,错误的是( )A、磁感应强度是标量B、磁感应强度是描述磁场强弱的物理量C、磁感应强度的单位是特斯拉D、磁感应强度是描述磁场方向的物理量正确答案：A11.以下关于串联电容器特点的说法中错误的是( )A、等效总电容的倒数等于各个分电容的倒数之和B、总电压等于各个电容器上的分电压之和C、等效电容等于各个电容之和D、各电容器上的带电量相等正确答案：C12.当电路处于断路状态下以下说法正确的是( )A、外电阻R趋于0,I趋于0B、外电阻R无穷大,I趋于0C、外电阻R无穷大,I趋于无穷大D、外电阻R趋于0,I趋于无穷大正确答案：B13.关于电容器的说法正确的是( )A、电容器的电容随着两极板上存储的电量增加而增大B、电容器两极板间用绝缘材料填充C、电容器是存储电荷的元件D、电容器的电容随着两端电压是升高而增大正确答案：B14.以下关于并联电容器特点的说法中错误的是( )A、总电容的倒数等于各个分电容的倒数之和B、总电容量等于各个分电容量之和C、各电容器上的电压相等D、电容器的总带电量等于各个分电容器上带电量之和正确答案：A15.正弦交流电的三角函数表示法中错误的是( )A、u=UmSin(ωt+φu)B、e=EmSin(ωt+φe)C、p=D、i=ImSin(ωt+φi)正确答案：C16.关于RLC串联谐振的说法错误的是( )A、RLC串联电路中,如满足XL=XC,则电路呈电阻性B、RLC串联电路中,如满足XL=XC,C、RLC串联电路中,如满足XL=XC,D、RLC串联电路中,如满足XL=XC,正确答案：D17.三相负载不对称时,以下说法不正确的是( )A、中线绝对不能取消B、中线绝对不能断开C、不能采用三相四线制D、必须采用三相四线制正确答案：C18.以下关于电路基本概念中错误的是( )A、不含分支的一段电路称为支路B、三条或三条以上支路的连接点叫节点C、电路中任意一个闭合路径称为网孔D、内部不含支路的回路叫网孔正确答案：C19.三相负载做星型连接时,关于中性线的说法错误的是( )A、中线上的电流虽然是三个相电流的“和”,但不一定大B、当三相负载对称时,不可以采用三相三线制C、当三相负载对称时,中性线上电流为零D、当三相负载对称时,正确答案：D20.线性电阻元件的特点是:( )A、电阻值R是一个常数B、电阻值R随两端电压的改变而改变C、电阻值R随电路中电流的改变而改变D、以上说法都不对正确答案：A21.以下不属于电路作用的是( )A、电能的转换B、电能传输C、发电D、信号的传递和处理正确答案：C22.在纯电阻元件的交流电路中,对电流与电压的关系,描述错误的是( )A、电流与电压总是同频率、不同相位的B、电流与电压最大值之间满足欧姆定律C、电流与电压有效值之间满足欧姆定律D、电流与电压瞬时值之间满足欧姆定律正确答案：A23.关于基尔霍夫电压定律描述错误是是( )A、从回路中任一点出发,沿回路绕行一周,回路中所有元件上使电位升高的电压总和恒等于使电位降低的电压总和。
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浙江信息工程学校湖州工程技师学院
2019--2020学年第一学期期中考试试卷
参考班级物联网18 参考科目电工电子技术
班级姓名学号得分
一、填空题（每空1分，共24分）
（1）晶体二极管加一定的电压时导通，加电压时，这一导电特性称为二极管的特性。
（2）二极管导通后，正向电流和正向电压呈关系，正向电流变化较大时，二极管两端正向压降近于，硅管的正向压降为V，锗管约
为V。
（3）三极管的放大作用的实质是电流对电流的控制作用。
（4）把交流电转换为直流电的过程为。
（5）二极管整流电路输出的是的直流电压，其极性方向，它的大小是，为了获得平滑的直流电压，可在和之间接入电路。
（6）在滤波电路中，电容器的接法是，电感线圈的接法是。
（7）NPN型三极管处于放大状态时，V C V B V E（填”>”或”<”）(8) I CEO称为三极管的电流，它反映三极管的，I CEO
越越好。
（9）三极管处于饱和时，发射结与集结均处于状态。
（10）桥式整流电路中，输出电压V L=9V，负载电流I L为1A，则变压器二次电压
为V。
二、判断题（每题2分，共20分）
（1）工作在放大状态下的NPN型三极管V BE>0，V BE>V CE( )
(2)三极管的输出特性曲线是V CE与I C之间的关系曲线 ( )
(3)只要三极管的发射结处于反偏,通常认为它处于截止状态 ( )
(4)三极管的输入特性曲线与二极管的伏安特性曲线相似 ( )
(5)三极管具有恒流特性,场效应管具有恒压特性 ( )
(6)二极管在反向电压小于反向击穿电压时,反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压
后,反向电流迅速增大。
（ ） （7）单相桥式整流电路在输入交流电压的每半周内都有两只二极管导通 （ ） （8）滤波是利用电容器两端电压不能突变或电感中电流不能突变的特性来实现的。
（ ）
（9）硅稳压二极管是利用其陡峭的反向击穿特性实现稳压的。
同样，利用硅二极管较陡峭的正向特性也可实现稳压，不过此时二极管应正偏。
（ ） （10）全波整流电路中，二极管与负载串联，流过二极管的电流和负载电流相等。
（ ） 三、单选题（每题2分，共16分）
1、三极管输出特性曲线常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的（ ） A 、vCE B 、iC C 、 iE D 、iB
2、下图中，二极管为硅管，工作于正常导通状态的是（ ）A A 、 -100V -50V B 、5V 4V C 、 10V 7 D 、-12V -11.7V
3、晶体二极管的正极电位是-10V ，负极电位是
-5V ，则该晶体二极管处于（ ） A 、零偏
B 、正偏
C 、反偏
4、测得工作于放大状态的三极管各电极电位如下图所示，其中是硅材料
NPN 管是（ ） A B C D
5、单相半波整流电路中，二极管承受的反向电压的最大值出现在二极管（ ） A 、截止时 B 、由截止转导通时 C 、 导通时 D 、由导通转截止
6、在∏型RC 滤波电路中，R 的作用不正确的是（ ）
A 、与C2起进一步平滑作用
B 、起隔离作用
C 、 降压作用
D 、决定输出电压的大小 7、下图所示电路中，a 、b 之间输入一正弦波交流电压，则下述正确的是（ ） A 、通过R2的为直流电 B 、通过R1的为直流电 C 、 VD1管始终处于截止状态 D 、R1中无电流通过
3.5V 2.8V 12V
3V 2.7V 12V
6V 11.3V 12V
6V 11.7V 12V
R1
R2
VD1
VD2
a b
vi
8、下图电路所示，三个二极管的正向压降均可忽略不计，三个白炽灯规格也一样，则最亮
的白炽灯是（ ）
A 、A
B 、
C C 、 B
D 、一样亮
四、分析题（第1小题6分，第2小题8分，第3小题6分，共20
分）
1．分析下图所示电路中，二极管是导通还是截止？并求AO 两点间的电压V AO （设二极管正偏时的工作压降为0.7V ）
2．某人在检修电子设备时，在无图纸又无管子型号标志的情况下，他利用测电位的办法测得三极管的三个电极对地电位分别为-2v 、-6v
、-1.3v ，如下图所示。
试判断该三极管的管型是NPN 还是PNP ，以及①、②、③脚对应的电极。
~
VD1 VD2 VD3
A B C
① -6v
3、如下图所示，若输入电压vi 为正弦波，其幅值大于V ，试画出输出电压vo 的波形（略去二极管正向压降和反向电流）。
五、计算题（第1小题8分，第2小题12分，共20分） 1、根据以下实验数据，计算出三极管的电流放大系数β。
2、在桥式整流电路中，负载电阻为20Ω，要求获得60V 直流电压输出。
要求：（1）画出单相桥式整流电路； （2）变压器二次电压；
（3）流过每个二极管的平均电流； （4）每个二极管所承受的反向电压。
VD1
VD2
V
vi vo + +
- -
t
t。