电力半导体模块及其工艺技术
bcdlite工艺技术
bcdlite工艺技术BCD Lite工艺技术是一种先进的半导体制造工艺，BCD代表了Bipolar、CMOS和DMOS的结合。
这种工艺技术的发展，为电力设备、汽车电子和消费电子等领域的产品提供了更高效、更可靠的解决方案。
BCD Lite工艺技术具有许多独特的优势。
首先，它结合了不同类型的晶体管技术，可以在同一芯片上集成更多的功能模块，从而实现占用更少的芯片面积，提高集成度。
其次，BCD Lite 工艺技术在传统的CMOS工艺上加入了Bipolar和DMOS的元件结构，使得芯片的功率密度得到了显著提高，从而可以在较小尺寸的芯片上实现更高的功率输出。
此外，BCD Lite工艺技术还具有较低的导通电阻和较好的抗电磁干扰性能，可以在高电压和高电流环境下稳定工作。
BCD Lite工艺技术在电力设备领域应用广泛。
传统的功率放大器往往需要占用大量的空间，且功率效率不高。
而采用BCD Lite工艺技术制造的功率放大器可以在较小的芯片面积上实现高功率输出，满足电力设备对高功率和小尺寸的要求。
同时，BCD Lite工艺技术还可以实现电流传感器、电压调节器等功能模块的集成，进一步简化了电力设备的设计和制造流程。
BCD Lite工艺技术在汽车电子领域的应用也很广泛。
汽车电子产品对功率密度、可靠性和抗干扰性有着严格的要求。
传统的汽车电子产品往往需要较大的散热器和空间，同时还需要复杂的电磁屏蔽措施。
而BCD Lite工艺技术制造的芯片可以在小尺寸芯片上实现更高功率输出，同时具有较低的导通电阻和良好的抗电磁干扰性能，可以满足汽车电子产品对功率密度和可靠性的要求，减少了产品的体积和设计复杂度。
除了电力设备和汽车电子，BCD Lite工艺技术还可以应用在消费电子领域。
如智能手机、平板电脑等产品对功耗、性能和体积等方面有着较高的要求。
BCD Lite工艺技术可以在微小的芯片空间上集成更多的功能模块，实现更高的功率输出和电路性能。
半导体热电模块
半导体热电模块什么是半导体热电模块？半导体热电模块（Thermoelectric Module，TE Module），也称为Peltier模块或热电堆，是一种能够将电能和热能相互转换的装置。
它基于热电效应，利用半导体材料的特性，在两个不同温度之间产生电压差，从而实现将热量从一个地方转移到另一个地方的目的。
半导体热电模块的结构和工作原理半导体热电模块通常由多个不同类型的半导体材料组成，这些材料被交错连接在一起形成了一个“n-p-n”或“p-n-p”型的结构。
当一个TE Module被加热时，其中一个端口变得更加热，而另一个端口则变得更加冷。
这是因为当两个不同温度之间存在时，TE Module中的半导体材料会产生电子流动，并在两个端口之间产生电压差。
当TE Module被加上正向偏置时，它会从高温端吸收热量并将其传递到低温端。
反之，在反向偏置下，它会从低温端吸收热量并将其传递到高温端。
这种效应被称为Peltier效应。
另外，当TE Module处于电压偏置状态时，它会产生热量和冷量。
这是因为在电流通过半导体材料时，会有一些能量被转化为热能并释放到环境中。
这种效应被称为焦耳效应。
半导体热电模块的应用由于其独特的结构和工作原理，半导体热电模块已经广泛应用于许多领域。
以下是一些常见的应用场景：1. 温度控制：半导体热电模块可以用来控制温度，例如，在冰箱、空调、汽车座椅等设备中使用。
2. 热能回收：在一些工业过程中，大量的热能被浪费掉了。
半导体热电模块可以用来回收这些浪费的热能，并将其转化为电力。
3. 光学设备：在一些光学设备中，需要对光学元件进行温度控制以保证精度和稳定性。
半导体热电模块可以提供精确的温度控制，并且不会产生震动或噪音。
4. 生命科学：在生命科学领域中，半导体热电模块可以用来控制细胞培养、PCR反应等过程中的温度。
5. 电力供应：半导体热电模块可以用来产生电力，例如，在太空探索任务中，它们被用来为宇航员提供电力。
igbt 工艺技术
igbt 工艺技术IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）即绝缘栅双极型晶体管，是当今领先的功率半导体器件之一，被广泛应用于能源转换系统、电动汽车、电力传输与配电、家电等领域。
IGBT工艺技术是指制造IGBT器件的过程和技术方法，这些技术对于提高IGBT的性能和可靠性至关重要。
首先，IGBT工艺技术中的一项关键技术是晶体管表面栅氧化层的制备。
通过氧化层的形成，可以提高IGBT的绝缘性能，减小栅极与源极之间的漏电流和迁移率的损失。
目前，常用的制备方法有湿法和干法两种。
湿法是在氢氧化钠溶液中加入氢过氧化物，将晶体管表面浸泡，形成氧化层。
而干法是使用氢氧化钠和硝酸钾的混合物，在一定温度和压力下使晶体管表面得到氧化。
这些制备方法可以稳定地形成氧化层，提高晶体管的性能。
其次，IGBT工艺技术中的另一个重要技术是导电路层的制备。
导电路层是指晶体管内部的金属导电层，用于控制当前和电压分布。
常用的导电路层制备方法有光刻法和金属化法。
光刻法是通过在硅片上覆盖敏化胶，并使用掩模板进行曝光，然后通过化学腐蚀和蚀刻的方式形成导电路层的图案。
金属化法是使用蒸镀、电镀或物理气相沉积等方法将金属层沉积在晶体管表面，形成导电路层。
这些制备方法可以实现精确的导电路层制备，提高IGBT的导电性能。
此外，IGBT工艺技术中还包括研磨和抛光技术。
研磨和抛光是为了改善晶体管的平坦度和表面光洁度，以提高晶体管的封装和散热效果。
研磨和抛光方法通常包括机械研磨、化学机械抛光等。
通过调整研磨和抛光参数，可以控制IGBT晶体管的尺寸和表面粗糙度，提高其封装和散热效果。
综上所述，IGBT工艺技术是指制造IGBT器件的过程和技术方法。
通过合理选择和优化工艺技术，可以提高IGBT的性能和可靠性，满足不同领域对功率半导体器件的需求。
未来，随着科学技术的不断进步，IGBT工艺技术将继续发展，为各个领域提供更高效、可靠的能源转换解决方案。
集成电路制造中的半导体器件工艺
集成电路制造中的半导体器件工艺绪论随着信息技术的飞速发展，集成电路制造技术已成为现代电子工业的核心领域。
集成电路是现代电子产品的基础，在计算机、通讯、军事和工业等领域都有着广泛的应用。
而半导体器件工艺是集成电路制造技术的基石，其质量和效率直接决定了集成电路的性能和成本。
本文将从半导体制造的基本流程、光刻工艺、薄膜工艺、化学机械抛光、多晶硅工艺和后台工艺六个方面详细介绍集成电路制造中的半导体器件工艺。
一、半导体制造的基本流程半导体芯片制造的基本流程包括晶圆制备、芯片制造和包装封装。
具体流程如下：晶圆制备：晶圆是半导体器件制造的基础，它是由高纯度单晶硅材料制成的圆片。
晶圆制备的主要过程包括矽晶体生长、切片、抛光和清洗等。
芯片制造：芯片制造主要包括传输电子装置和逻辑控制逻辑电路结构的摆放和电路组成等操作。
包装封装：芯片制造完成后，晶体管芯片需要被封装起来的保护电路，使其不会受到外界环境的影响。
光刻工艺是半导体工艺中的核心部分之一。
光刻工艺的主要作用是将图形预设于硅晶圆表面，并通过光刻胶定位的方式将图形转移到晶圆表面中，从而得到所需的电子器件结构。
光刻工艺的主要流程包括图形生成、光刻胶涂布、曝光、显影和清洗等步骤。
三、薄膜工艺薄膜工艺是半导体制造中的另一个重要工艺。
它主要通过化学气相沉积、物理气相沉积和溅射等方式将不同性质的材料覆盖在晶圆表面，形成多层结构，从而获得所需的电子器件。
四、化学机械抛光化学机械抛光是半导体工艺中的核心工艺之一。
其主要作用是尽可能平坦和光滑化硅晶圆表面，并去除由前工艺所形成的残余物和不均匀的层。
化学机械抛光的基本原理是使用旋转的硅晶圆，在氧化硅或氮化硅磨料的帮助下，进行机械和化学反应，从而达到平坦化的效果。
五、多晶硅工艺多晶硅工艺是半导体工艺中的一个重要工艺，主要是通过化学气相沉积厚度约8至12个纳米的多晶硅层。
该工艺可以用于形成电极、连接线、栅极和像素等不同的应用。
多晶硅工艺的优点是不需要特殊的工艺装备，因此较为简单。
电力半导体模块在光伏逆变器系统中的应用研究
电力半导体模块在光伏逆变器系统中的应用研究随着清洁能源的发展和应用，光伏逆变器在太阳能发电系统中起到了至关重要的作用。
而电力半导体模块作为光伏逆变器系统中的关键组件，其在能量转换和电力调节方面的作用不可替代。
本文将探讨电力半导体模块在光伏逆变器系统中的应用及其相关研究进展。
一、电力半导体模块及其在光伏逆变器中的作用电力半导体模块是指由集成电路、功率晶体管和其他相关器件组成的电子设备，其具备调节电流、电压和功率的能力。
在光伏逆变器系统中，电力半导体模块主要用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电，以供给电力系统。
其作用主要包括：检测和采集光伏系统输出电压和电流的信号、进行电力调节、实现电能的高效转换以及对光伏逆变器系统进行保护。
二、电力半导体模块的技术特点1. 高效能耗：电力半导体模块具有高能效转换能力，能够最大限度地转换光伏发电系统的直流电为交流电，提高能源利用效率。
2. 快速响应：电力半导体模块能够快速响应于光伏系统的输入变化，调节电流和电压以适应不同光照条件下的电能需求变化。
3. 可靠性和稳定性：电力半导体模块采用可靠的硅基材料和先进封装技术，具备高温、高电压等环境条件下的稳定工作能力，延长光伏逆变器系统的使用寿命。
4. 保护功能：电力半导体模块配备多种保护机制，如过温保护、过电流保护、过压保护等，以确保系统安全可靠运行。
三、电力半导体模块在光伏逆变器系统中的现状及研究进展目前，电力半导体模块在光伏逆变器系统中得到了广泛的应用和研究。
随着光伏技术的发展和市场需求的增加，对于电力半导体模块的性能和可靠性提出了更高的要求，并有一系列研究进展。
1. 功率密度提升：为了满足太阳能发电系统对功率密度的需求，研究人员致力于提高电力半导体模块的功率密度。
通过采用新型材料和结构设计，如碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体材料，以及多级拓扑结构等，提高电力半导体模块的效能并减小体积，实现功率密度的提升。
2. 高效能耗改进：为了提高光伏逆变器系统的能量转换效率，研究人员致力于改进电力半导体模块的效果。
半导体工艺技术优质课件
7 ➢第六次光刻：接触孔刻蚀；
8
➢金属Al淀积； ➢第七次光刻：生成金属化图形；
课程设计作业一
课程设计作业一
形成N阱
初始氧化 淀积氮化硅层 光刻1版，定义出N阱 反应离子刻蚀氮化硅层 N阱离子注入，注磷
形成P阱
去掉光刻胶
在N阱区生长厚氧化层，其他区域被氮化硅层保护 而不会被氧化
优点是选择性好、反复性好、生产效率高、 设备简朴、成本低
缺陷是钻蚀严重、对图形旳控制性较差
干法刻蚀
溅射与离子束铣蚀：经过高能惰性气体离子旳物理轰
击作用刻蚀，各向异性性好，但选择性较差
等离子刻蚀(Plasma Etching)：利用放电产生旳游
离基与材料发生化学反应，形成挥发物，实现刻蚀。选 择性好、对衬底损伤较小，但各向异性较差
➢热氧化生成场氧； ➢氮化硅刻蚀； ➢缓冲层刻蚀； ➢清洗表面； ➢阈值电压调整旳离子注入； ➢栅氧生长；
4
➢CVD淀积N+多晶硅栅； ➢第三次光刻：形成多晶硅图形，定义栅极；
5
➢第四次光刻：打开N+区旳离子注入窗口； ➢磷注入；
5
➢光刻胶掩蔽条； ➢第五次光刻：P+区离子注入；
6
➢光刻胶掩蔽条； ➢CVD淀积SiO2； ➢离子注入退火；
掺杂旳均匀性好 温度低：不大于600℃ 能够精确控制杂质分布 能够注入多种各样旳元素 横向扩展比扩散要小得多。 能够对化合物半导体进行掺杂
离子注入系统旳原理示意图
离子注入到无定形靶中旳高斯分布情况
退火
退火：也叫热处理，集成电路工艺中全部旳 在氮气等不活泼气氛中进行旳热处理过程都 能够称为退火
形成N管源漏区
光刻，利用光刻胶将PMOS区保护起来 离子注入磷或砷，形成N管源漏区
智能功率模块工艺流程
智能功率模块工艺流程
智能功率模块是一种集成了功率半导体器件、封装和驱动芯片的集成电路模块，广泛应用于电力电子领域。
下面是智能功率模块的工艺流程：
1. 制备基板：选用高纯度陶瓷基板，并进行清洗、打磨和抛光等预处理工艺。
2. 工艺铜箔：在基板表面涂覆一层薄铜箔，用于导电的作用，并采用曝光、显影、电镀等工艺制备图案。
3. 涂布荧光物质：利用喷涂、印刷等工艺将荧光物质涂布在基板表面，用于检测电路运行状态。
4. 制备半导体器件：对选择的功率半导体器件进行清洗、封装和测试，然后进行焊接，连接到基板上。
5. 封装：将焊接好的器件与驱动芯片一起进行封装。
6. 测试：进行各种测试，比如电路连通性测试、功率测试、温度测试等。
7. 分选和质量控制：将测试通过，符合质量要求的智能功率模块进行分选，并进行最终质量检验和包装。
以上是智能功率模块的工艺流程。
在每个环节中，都需要注意具体实施工艺，以保证智能功率模块的性能和品质。
八个基本半导体工艺
八个基本半导体工艺半导体工艺是指将材料变成半导体器件的过程，其重要程度不言而喻。
在现代电子技术中，半导体器件已经成为核心，广泛应用于计算机、通讯、能源、医疗、交通等各个领域。
这里我们将介绍八个基本的半导体工艺。
1. 晶圆制备工艺晶圆是半导体器件制造的关键材料，其制备工艺又被称为晶圆制备工艺。
晶圆制备工艺包括：单晶生长、切片、去除表面缺陷等。
单晶生长是指将高纯度的半导体材料通过熔融法或气相沉积法制成单晶，在这个过程中需要控制晶体生长速度、温度、压力等因素，以保证晶体质量。
切片是指将单晶切成厚度为0.5 mm左右的晶片，这个过程中需要控制切割角度、切割速度等因素，以保证晶片质量。
去除表面缺陷是指通过化学机械抛光等方式去除晶片表面缺陷，以保证晶圆表面平整度。
2. 氧化工艺氧化工艺是指将半导体器件表面形成氧化物层的过程。
氧化工艺可以通过湿法氧化、干法氧化等方式实现。
湿法氧化是将半导体器件置于酸性或碱性液体中，通过化学反应形成氧化物层。
干法氧化是将半导体器件置于高温气氛中，通过氧化反应形成氧化物层。
氧化工艺可以提高半导体器件的绝缘性能、稳定性和可靠性。
3. 沉积工艺沉积工艺是指将材料沉积在半导体器件表面形成薄膜的过程。
沉积工艺包括物理气相沉积、化学气相沉积、物理溅射沉积等。
物理气相沉积是将材料蒸发或溅射到半导体器件表面，形成薄膜。
化学气相沉积是将材料化学反应后生成气体，再将气体沉积到半导体器件表面，形成薄膜。
物理溅射沉积是将材料通过溅射的方式，将材料沉积在半导体器件表面，形成薄膜。
沉积工艺可以改善半导体器件的电学、光学、机械性能等。
4. 电子束光刻工艺电子束光刻工艺是指通过电子束照射对光刻胶进行曝光，制作出微米级别的图形的过程。
电子束光刻工艺具有高分辨率、高精度和高速度等优点，是制造微电子元器件的必要工艺。
5. 金属化工艺金属化工艺是指将金属材料沉积在半导体器件表面形成导电层的过程。
金属化工艺包括：电镀、化学镀、物理气相沉积等。
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图 2 (a) 预弯后的铜底板 (b) 铜底板与DBC 基板焊接后的合 格品
图 3 新型 IGBT 模块的基板和底板
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实践证明, IGB T 模块的铜底板与DBC 陶瓷板 之间的焊接处, 由于功率循环 (即温度变化) 存在 着焊料的疲劳失效问题, 这主要是由于DBC 基板与 铜底板热膨胀系数相差较大而引起的, 表 2 列出了 各种材料的热膨胀系数。由于铜底板收缩尺寸较大, 而DBC 基板收缩尺寸较小, 造成DBC 基板严重弯 曲, 从而引起焊料的塑性形变, 因而在DBC 基板与 铜底板之间产生热接触较差的面积, 一旦这种效应 发生, 就会产生恶性循环, 使疲劳加速, 最后造成 模块失效。采用较小面积的A lN DBC 基板, 或采用 掺磷、 镁的铜银合金, 并在焊接前对铜底板进行一 定弧度的预弯, 如图 2 (a) , 焊后如图 2 (b) , 这种 尚存在一定弧度的焊成品, 当模块与散热器表面接 触时, 能保证铜底板与散热器表面充分接触, 有利 于热传导。 采用热膨胀系数接近 A lN DBC 基板的 A lSiC 底板替代铜底板, 将很好地解决这一疲劳问 题[4 ], 如图 3。
2 模块的结构设计及相关工艺技术
合的集成电力电子模块。 而采用多层结构的三维制 作技术[ 2 ]、新型材料、热控技术以及谐振开关技术来 制造集成电力电子模块 (如图 1) , 将促进模块技术 的进一步发展, 为下一世纪电力电子技术的发展开 辟了新途径。
电力半导体模块的制作是集电子学、 电学、 热 学、机械学和材料学等于一体的综合性科学技术。因 此, 设计模块结构时, 应充分考虑以下因素:
点和关键工艺技术。
醚 (PPS) , 表 1 列出了它们的性能参数[3]。由表 1 可
211 模块外壳和盖板的设计
见, 加 40% 玻璃纤维的 PPS 较加 30% 玻璃纤维的
采用什么材料制造模块外壳和盖板是设计者首 PB T 具有更优良的机械性能和高温性能。
表 1 PPS 和 PBT 材料性能参数
1 引 言
模块化是电力半导体器件近年来发展的主要方 向之一。自 70 年代 Sem ik ron 等人成功地把模块基 本原理引入电力电子技术领域以来[1], 由于模块与 同容量的分立器件相比具有体积小、 重量轻、 结构 紧凑、 可靠性高、 外接线简单、 互换性好、 便于维 修安装、 结构重复性好、 装置的机械设计可简化等 优点而受到世界各国电力半导体器件公司的高度重
视, 投入大量人力和财力, 开发出各种电连接形式 的电力半导体模块, 使模块技术得以蓬勃发展。
起 初 是 中 小 功 率 ( 电 压 ≤ 1000V , 电 流 ≤ 100A ) 的普通晶闸管和整流二极管模块, 之后随着 新型半导体器件和晶闸管派生器件以及制造模块的 相应辅助材料的研制成功, 继而出现了双向晶闸管、 可关断晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、G T R、功 率M O SFET、 IGB T 和M CT 等模块, 并进行了生 产。特别是M O S 结构电力半导体器件的出现, 亦即
Power sem iconductor m odule and its technology
W U J i2jun, W U L i2li
(X iπan P ow er E lectron ics R esea rch Institu te, X iπan 710061, Ch ina)
Abstract: T he developm en t h isto ry of pow er sem iconducto r m odu le is review ed. T he develop ing d irect ion of pow er sem iconducto r m odu le is po in ted in fea tu re. T he p ap er describes the fea tu re and the app lica t ion dom a in of in telligen t thyristo r m odu le w h ich is develop ed by ou r coun t ry and now is m anufactu red in Ch ina. T he a rt icle a lso in t roduces the con st ruct ion and techno logy of IGB T m odu le. T he a t ten t ive p rob lem s and techno logy fea tu re a re p ropo sed w h ile design ing the p a rt s of IGB T m odu le. Keywords: pow er sem iconducto r m odu le; in telligen t thyristo r m odu le; bond; IGB T m odu le
压力的传递, 必须充分考虑压力方向的合理性, 以 一类是热压成型类材料。由于它不易制作得太薄, 且
避免铜底板受压后发生翘变或形变, 增加热阻, 降 易脆裂, 因而目前很少采用。 常采用的注塑型材料
低输出功率。
有两种, 一种是加一定玻璃纤维的聚对苯二甲酸丁
下面分别略述 IGB T 模块各主要部件的设计要 二醇脂 (PB T ) , 另一种是加一定玻璃纤维的聚苯硫
体积电阻 8mm
415×1016 110×1015
吸水率 %
0105 0105 0102
为了保证外壳和盖板成型时不形变, 必须采取 局部加厚和加强筋等措施, 并尽可能使各处壁厚一 致, 以防在成型过程中由于不均匀的凝固和收缩使 厚壁处产生气泡和形变。 盖板应设计有防爆孔, 以 解决模块在高温工作时, 由于内部硅凝胶膨胀, 而 环氧与外壳封装严密, 使能量无法释放, 最终因应 力积累而导致模块爆炸。 212 铜底板与主电极的设计
(1) 从电学和热学的角度出发, 在结构情况许 可条件下, 尽量缩短管芯和散热器之间的距离及管
芯和主电极引出线之间的距离, 使模块的热阻最小,
且能保持良好的电性能;
(2) 选材时, 必须针对模块制作工艺的不同, 选
择焊接式 (或键合式) 或压接式, 而特别注意各部
件之间热胀冷缩的配合公差, 使各部件之间的应力
其它配套部件和材料等存在一些质量问题, 加之工 艺技术的落后, 使初期的晶闸管和整流二极管模块 的品种少、 外观差、 可靠性低且价格高, 因此无法 与国外竞争, 模块技术发展缓慢。90 年代中期, 由 于各方面的重视, 我国电力半导体模块的制造工艺 技术得到很大改进, 使模块的产量、 品种和质量获 得飞速的发展和提高, 并开发出一些国际上没有的, 把同步、 移相、 高频调制、 脉冲分配、 脉冲功放等 电路组成的移相触发系统与晶闸管共同封装在同一 绝缘外壳内的集成移相调控晶闸管整流桥模块和集 成移相调控晶闸管交流开关模块。 同时解决了同步 元件的微型化, 多路高速大电流集成电路和高压隔 离技术等难题, 提高了信号幅度和抗干扰能力, 使 驱动电路体积大大缩小, 有利于集成化。 晶闸管调 控整流模块和交流模块的研制开发成功, 大大方便 了用户使用, 简化了装置的接线。 与此同时, 国内 已开发研制并小批量生产各种接线方式的 IGB T 模 块和高频快恢复二极管模块。
电压驱动的电力半导体器件的出现, 使பைடு நூலகம்动功率大 设计技术以及一些生产线, 但由于半导体芯片以及
大降低, 驱动趋于简化, 进而发展到把器件芯片与 控制电路、 驱动电路、 过压、 过流、 过热和欠压保 护电路以及自诊断电路组合, 并封装在同一绝缘外 壳内的智能化模块 ( IPM )。开发出适用于各种不同 用户应用要求的用户专用功率模块 (A SPM ) , 以适 应计算机、 通讯、 空间技术以及各种大容量的工业 电力变流装置和电动机驱动要求。 事实证明, 采用 传统设计方法和一般工艺技术以及常规方法制造的 元器件所制成的电力电子装置, 在质量、可靠性、价 格以及设计周期上处于较落后和无竞争地位, 要开 发新一代电力电子装置, 必须采用高集成度、 智能 化和标准化的, 并适用于任何应用范围的集成电力 电子模块 ( IPEM ) , 以降低装置的生产成本, 缩短 产品进入市场的周期, 提高产品的可靠性。但是, 在 技术上要把逻辑电平为几伏、 几毫安的集成电路与 几百安、 几千伏的电力半导体器件集成在同一芯片 上是非常困难的, 特别是采用传统结构方法制造的 储能元件, 如电感器和电容器, 由于它们的体积庞 大, 更不适用于高密度的电子封装。 凡此种种, 迫 使人们采用混合封装形式来制造适用于各种应用场
收稿日期: 2000- 09- 04 © 1994-2010 China Academic Journal Electronic Publishing House. All rights reserved.
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半导体情报 第 38 卷 第 1 期 2001 年 2 月
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表 2 各种材料的热膨胀系数
材料名称
A lN DBC 板
A l2O 3 (92% ) DBC 板
参数名称 材料名称
PPS (无玻璃纤维) PPS+ 40% 玻璃纤维 PBT + 30% 玻璃纤维
抗压强度 M Pa
143100 220140 169190
抗拉强度 M Pa
130100 179114 133160
热变形温度 ℃
260100 26010 22010
绝缘强度 kV mm 1717 1917 2117
最小, 以免造成半导体芯片的碎裂和铜底板的弯曲,
从而避免引起铜底板与散热器接触不良, 使热阻增