高纯度电子特种气体市场开发前景——硅烷SiH4、磷烷PH3、砷烷AsH3
高纯度电子特种气体市场开发前景——硅烷SiH4、磷烷PH3、砷烷AsH3
高纯度特种气体（硅烷SiH4、磷烷PH3、砷烷AsH3）广泛应用于电子行业、太阳能电池、移动通讯、汽车导航、航空航天、军事工业等方面。
目前我国只能生产纯度在3N~4N标准的特种气体，而在许多重要领域，比如：国家战备武器研究和神州五号运载火箭上的控制系统的电子原器件的制造，以及卫星上使用的太阳能电池的制造等方面所急需的6N标准的气体全部依靠进口。
目前世界上只有美国、俄罗斯等发达国家才能生产。
美国的SOLKATRONIC公司经销该种气体，我国进口该种气体常常因国际形势紧张和变化而受到阻碍，因此直接制约了上述相关领域的发展。
白俄罗斯无线电材料研究所在前苏联时期承担了研制高纯度特种气体的任务，具备研制和生产这种气体的能力。
经过磋商，白方愿同我方合作，提供技术共同开发该项产品。
本项目主要利用该所研制的烷类气体深度提纯技术，在中国建立高纯度特种气体的研究基地及产业化基地，解决我国急需的高纯气体材料的国产化问题，使硅烷、磷烷、砷烷气体的纯度达到6N（99.9999%）。
该项目在国内属首创，技术指标达到国际同行业先进水平，填补我国高纯度特气生产空白，彻底改变我国电子特气长期受制于人的局面。
二、国内外现状
中国的超纯度特种气体研制始于1983年，当时从事这一工作的单位有北京氧气厂、浙江大学、大连光明化学所和保定红星单晶硅厂，.研究的内容为超纯气体和烷类气体。
“七五”期间，国家科委委托电子部、化工部牵头，组织电子气体攻关招标会，中标的单位南京特种气体厂(公司)、中科院沈阳金属研究所、大连光明所、核工业部理化研究院和南京大学。
攻关项目主要有烷类气体、化学气体刻蚀气体、高熔点氟化物金属气体、金属有机化合物(“MO”源)、气瓶处理技术和配套器件的研制，涉及气体品种20多种。
1991年，国家又在“八五”科技攻关项目—集成电路用关键材料研究课题下，又专设了“电子特种气体研究”
的子课题，开始了新一**关。
我国对于超纯度特种气体的研究前后经历了20多年的努力，但收效不大，虽然开发出了一批特种气体，但质量一般，基本满足2~3µm技术(即中小规模
集成电路用的气体)，而超大(VLSI)和特大(ULSI) 规模集成电路的用气仍然不能生产，尤其是纯度超过6N的气体还得全部依靠进口来解决。
从国外情况看，由于美国在技术上封锁、在产品销售上限制，我国无法将该项技术引入国内。
国内外水平对比表
采用先进的低温精馏、吸附干燥、过滤除尘以及高纯气体灌装技术及设备，生产出适合我国各行业需要的6N高纯气体。
2、技术关键
A、引进进口气体提纯关键技术和设备。
B、建立分析方法、完善分析设备。
C、完善辅助设备，如：超纯灌装设备、钢瓶处理系统。
砷烷提纯工艺流程图如下：
3、技术指标
产品的性能指标与国外对比：
表1
表2
磷烷性能比较
表3
注：*表示该项指标优于美国公司标准环境保护
制造过程对环境无污染、无工业垃圾、尾气排放符合国际标准，无噪音，其副产品可二次利用,并可销往国内、外。
三种气体国内外价格对比表
产品应用领域广阔、经济效益巨大、社会效益深远。
为彻底改变我国电子特气长期受制于人的局面，国内应建立两到三条具有规模性企业来缓解市场需求压力，这样，将使我国在航天航空、军事领域、卫星通讯、太阳电池等等一系列高科技领域，因需进口高纯（>6N）气体而受制约、影响发展的问题得以解决。
特种气体应用于半导体行业
特种气体应用于半导体行业半导体工业常用的纯气1、硅烷（SiH4）：有毒。
硅烷在半导体工业中主要用于制作高纯多晶硅、通过气相淀积制作二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、多晶硅隔离层、多晶硅欧姆接触层和异质或同质硅外延生长原料、以及离子注入源和激光介质等，还可用于制作太阳能电池、光导纤维和光电传感器等。
2、锗烷（GeH4）：剧毒。
金属锗是一种良好的半导体材料，锗烷在电子工业中主要用于化学气相淀积，形成各种不同的硅锗合金用于电子元器件的制造。
3、磷烷（PH3）：剧毒。
主要用于硅烷外延的掺杂剂，磷扩散的杂质源。
同时也用于多晶硅化学气相淀积、外延GaP材料、离子注入工艺、化合物半导体的MOCVD工艺、磷硅玻璃（PSG）钝化膜制备等工艺中。
4、砷烷（AsH3）：剧毒。
主要用于外延和离子注入工艺中的n型掺杂剂。
5、氢化锑（SbH3）：剧毒。
用作制造n型硅半导体时的气相掺杂剂。
6、乙硼烷（B2H6）：窒息臭味的剧毒气体。
硼烷是气态杂质源、离子注入和硼掺杂氧化扩散的掺杂剂，它也曾作为高能燃料用于火箭和导弹的燃料。
7、三氟化硼（BF3）：有毒，极强刺激性。
主要用作P型掺杂剂、离子注入源和等离子刻蚀气体。
8、三氟化氮（NF3）：毒性较强。
主要用于化学气相淀积（CVD）装置的清洗。
三氟化氮可以单独或与其它气体组合，用作等离子体工艺的蚀刻气体，例如，NF3、NF3/Ar、NF3/He用于硅化合物MoSi2的蚀刻；NF3/CCl4、NF3/HCl既用于MoSi2的蚀刻，也用于NbSi2的蚀刻。
9、三氟化磷（PF3）：毒性极强。
作为气态磷离子注入源。
10、四氟化硅（SiF4）：遇水生成腐蚀性极强的氟硅酸。
主要用于氮化硅（Si3N4）和硅化钽（TaSi2）的等离子蚀刻、发光二极管P型掺杂、离子注入工艺、外延沉积扩散的硅源和光导纤维用高纯石英玻璃的原料。
11、五氟化磷（PF5）：在潮湿的空气中产生有毒的氟化氢烟雾。
用作气态磷离子注入源。
12、四氟化碳（CF4）：作为等离子蚀刻工艺中常用的工作气体，是二氧化硅、氮化硅的等离子蚀刻剂。
电子特种气体及我国发展现状
关键词：电子气体 ；ＭＯ；源材料 ；纯净度 中图分类号：Ｔ １７ Ｏ １ 文献标识码：Ａ
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气相沉积 ） 室的刻蚀气体和清洗气体； 而硼烷（ ２ ６、 ＢＨ ）
磷烷 （ Ｈ ） Ｐ ３、砷烷 （ ｓ ３ Ａ Ｈ ）等气体主要用作气体掺
维普资讯
ｓ ｍｉｏ ｄ ｃｏ ｎ ｕ ｔｙ Ａｎ ｌＯ ｄｓｕ ｓｔ ｅ ｉｆ ｃ ｏ ｏ ｓ ｍｉｏ ｄ ｃｏ ｎ ｕ ｔｙ ｏ ｈ ｌｃｒ ｎｃ ｅ ｃ ｎ ｕ ｔ ｒｉｄ ｓ ． ｄ ｗｅ ａＳ ｉｃ ｓ ｎ ｅ ｔ ｎ ｔ ｅ ｃ ｎ ｕ ｔ ｒｉｄ ｓｒ ｆｔｅ ｅｅ ｔｏ ｉ ｒ ｈ ｉ ｓ ｅ ｉｌ ａ ｕ ｆ ａｉｎ Ａｃ ｏ ｄｎ ｅｎ ｔ ｎ ｌ ｒｋ ｔ ｆ ｈ ｌｃｒｎ ｃｇ ｓ ｗｅｓ ｍｍａｉｅｔｅｄ ｍｅ ｔ ｐ ｃａ ｓｐ ｒｉ ｔ ． ｃ ｒ ｉｇｔ ｔ ａ ｏ ａ ｇ ｉ ｃ ｏ ｏｈ ｉ ｍａ ｅ ｅｅｅ ｔ ｉ ａ， ｕ ｏｔ ｏ ｒ ｏ ｓ ｃ ｚ ｈ ｉ ｉｄ ｓ ｉｓｔａ ｒ ｄ ｃ ｈ ｌｃｒ ｎｃｇ ｓａ ｄ ｔｅｒｓａｕ ， ｎ ｌｏ ｐ ｉｔｏ ｔ ｅ ｐ ｏ ｌｍ ｆｔｅ ａ ｄ ｎ ｕ ｔ ｅ ｔ ｏ ｕ ｅｔｅｅｅ ｔ ｉ ａ ｉ ｔｔ ｓ ａ ｄｗｅａｓ ｏｎ ｕ ｒｂ ｅ ｏ ｍ ｒ ｈ ｐ ｏ ｎ ｈ ｈ ｔ ｈ ｎ ｔｅｄ ｖ ｌｐ ｎ ｉ ｃ ｏ ｆ ｅｅｅ ｔ ｎｃｇ ｓｉｄ ｓ ｙ ｈ ｅ ｅｏ ｍｅ ｔ ｒ ｔ ｎｏ ｌｃｒ ｉ ａ ｕ ｔ ． ｄ ｅｉ ｈ ｔ ｏ ｎ ｒ
2024年含氟电子特种气体市场前景分析
2024年含氟电子特种气体市场前景分析含氟电子特种气体是一类在电子工业中广泛应用的特种气体，具有重要的产业价值和市场潜力。
本文将对含氟电子特种气体市场的前景进行分析。
1. 市场概述含氟电子特种气体是一类广泛应用于电子工业的气体产品，主要包括氟化氮、氟化氩等。
这些气体在电子器件制造、半导体生产、LCD制造等领域具有重要作用，广泛应用于电子行业中的各个环节。
2. 市场需求分析2.1 电子器件制造电子器件制造是含氟电子特种气体的主要应用领域之一。
随着电子设备的不断更新换代，对器件制造的要求也越来越高。
含氟电子特种气体在半导体材料生长、晶圆制备和器件封装等过程中起到关键作用，可以改善材料性能，提高器件性能和可靠性。
2.2 半导体生产半导体是现代电子产业的核心组成部分，而含氟电子特种气体在半导体生产过程中发挥着重要作用。
半导体的精细加工和制造需要在特定的环境中进行，这就要求生产过程中需要稳定、纯净的气氛。
含氟电子特种气体可以提供高纯度的气体，确保半导体生产过程的稳定性和高品质。
2.3 LCD制造随着液晶显示技术的发展，液晶显示器在消费电子行业的应用越来越广泛。
而在液晶显示器的制造过程中，含氟电子特种气体也扮演着重要的角色。
含氟电子特种气体可以用于液晶显示器的制备、刻蚀和清洗等过程，保证产品的质量和性能。
3. 市场前景分析3.1 市场规模扩大随着电子产业的快速发展，对含氟电子特种气体的需求也在不断增加。
新的应用领域的不断涌现，使得市场规模得到了进一步扩大。
各国政府对于电子行业的支持和鼓励也为含氟电子特种气体市场提供了有利条件。
3.2 技术创新带来机遇技术创新是电子行业持续发展的重要推动力量，也为含氟电子特种气体市场带来了新的机遇。
新的材料、新的工艺和新的设备的出现，将对含氟电子特种气体的需求提出了更高的要求，同时也为市场带来新的增长点。
3.3 市场竞争加剧虽然含氟电子特种气体市场前景广阔，但也面临着激烈的市场竞争。
电子特种气体行业发展现状及趋势分析
电子特种气体行业发展现状及趋势分析一、工业气体概述气体是工业生产的重要基础性原材料，被喻为“工业的血液”，下游广泛应用于冶金、化工、机械制造、电子电器、能源、食品医疗等多个行业，上游通常以空气、工业废气、基础化学原料等作为原材料。
根据应用领域的不同，一般将工业气体分为普通工业气体和其他气体（特种气体、高纯大宗气体等），其中普通工业气体一般是指在冶金、化工、能源等传统制造业中使用的氮气、氧气、氩气等空分气体以及乙炔、二氧化碳等合成气体，具有需求量大、纯度要求相对较低等特点，供应模式一般以现场供应或储槽供气等为主。
随着中国经济的快速发展，工业气体作为基础工业要素之一，在国民经济中的重要地位和作用日益凸显，被广泛应用于多个国民经济重要领域，包括冶金、化工等多个传统行业。
需求的稳定为工业气体市场的发展提供了保证，未来随着高新技术产业的兴起,新兴分散用气市场将逐渐崛起，为中国国内气体零售商的发展开拓出更大的空间，从而促进工业气体行业的发展。
2020年中国工业气体行业市场规模为1623亿元，同比增长9.88%。
二、电子特种气体分类电子特气是集成电路、新型平板显示、太阳能电池等半导体行业生产过程中的关键材料。
电子气体主要分为大宗气体和特种气体，大宗气体集中供应且用量较大，主要用作环境气、保护气；特种气体用量较小，主要用于蚀刻、离子注入等。
三、电子特种气体行业市场规模根据数据显示，2013-2020年中国特种气体行业市场规模呈现稳定上升趋势。
截至2020年底，中国电子特气市场规模达到173.6亿元，同比增长24%。
我国电子特气主要用于半导体、电子器件以及太阳能三大领域中，其中半导体占比最大，44.2%的电子特气用于半导体领域，34.7%的电子特气用于电子器件领域。
其中六氟化硫在国内外被广泛应用于电力设备中的输配电及控制设备行业，四氟化碳被广泛应用于国内外半导体制造、平板显示、太阳能薄膜等行业。
四、电子特种气体行业竞争格局全球电子特种气体市场高度集中，国内市场主要被外资企业所把控。
半导体行业常用气体介绍.doc
NF3/Ar 、NF3/He 用于硅化合物 MoSi2 的蚀刻； NF3/CCl4 、NF3/HCl 既用于 MoSi2
的蚀刻，也用于 NbSi2 的蚀刻。
9、三氟化磷（ PF3 ）：毒性极强。作为气态磷离子注入源。
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10、四氟化硅（SiF4 ）：遇水生成腐蚀性极强的氟硅酸。 主要用于氮化硅 （Si3N4 ） 和硅化钽（ TaSi2 ）的等离子蚀刻、发光二极管 P 型掺杂、离子注入工艺、外延
积、氮化硅膜淀积， 太阳能电池和其它光感受器的非晶硅膜淀积等。 单晶材料淀积并生长在衬底表面上的过程。常用外延混合气组成如下表：
外延是一种
序号
组份气体
稀释气体
1 氦、氩、氢、氮
2
硅烷（ SiH4）
氦、氩、氢、氮 5 X- t) ?%
3. W' D" 氯硅烷（ SiClห้องสมุดไป่ตู้ ）
c" H u: ]+ A# 二氯二氢硅（ SiH2Cl2 ） ( b+ C
b4 `, d
p& b7 A: `
|
d+ ]6 l
, j5 ]) e.
氯硅烷（ SiCl4 ） +氢
CVD
~( f: m. l!
硅烷（ SiH4） +甲烷（ CH4 ）
离子注入 CVD
F* `/ H
硅烷（ SiH4） +氧 " U6 H: b7 v. W) Y
CVD
硅烷（ SiH4） +氧 +磷烷（ PH3 ） %~. d: N; CVD' k9 I* m$ @,
沉积扩散的硅源和光导纤维用高纯石英玻璃的原料。
2024年高纯磷烷市场发展现状
高纯磷烷市场发展现状1. 引言高纯磷烷是一种具有广泛应用前景的化学品，具有优异的物理和化学特性，被广泛应用于冶金、电子、化工等行业。
本文将对高纯磷烷市场的发展现状进行分析。
2. 高纯磷烷的概述高纯磷烷，化学式为PH3，是一种无色有毒气体。
它具有良好的燃烧性能和化学反应活性，因此在许多领域有着广泛的应用。
高纯磷烷的生产主要通过磷矿的提取和提纯获得，经过一系列的化学反应和分离步骤得到纯度较高的产品。
3. 高纯磷烷市场规模与需求随着工业化进程的推进和技术的不断发展，高纯磷烷的需求不断增长。
高纯磷烷在电子行业中被广泛用作半导体材料的制备。
此外，在冶金、化工和制药等领域也有广泛的应用。
随着这些领域的持续发展，高纯磷烷市场有望取得长期稳定的增长。
4. 高纯磷烷市场的竞争格局目前，高纯磷烷市场主要由几家大型化工企业垄断，产品质量和供应能力是其竞争的主要因素。
这些企业通常具有强大的研发能力和生产规模，能够提供稳定的产品质量和供应。
然而，随着市场的开放和竞争的加剧，一些中小型企业也开始涉足高纯磷烷市场，为市场带来了一定的竞争压力。
5. 高纯磷烷市场的发展趋势（1）技术进步：随着科技水平的提高，高纯磷烷的生产工艺和方法也得到了不断改进。
新的生产技术可以提高产品的纯度和产量，降低生产成本，促进市场的发展。
（2）环保政策的影响：随着环保意识的加强，各国政府对工业排放的限制也越来越严格。
高纯磷烷生产企业需要采取更加环保的生产方式，减少对环境的污染。
这一趋势促使企业加大对环保技术的研发投入，推动了市场向环保型产品的转变。
（3）市场拓展：目前高纯磷烷主要在发达国家和地区市场占有率较高，但随着新兴市场的快速发展，这些地区对高纯磷烷的需求也在不断增加。
国际企业通过加强市场开拓，不断扩大产品的销售范围，以满足市场需求。
6. 高纯磷烷市场的挑战与机遇（1）价格波动：高纯磷烷市场价格受供求关系的影响较大，价格波动较为剧烈。
此外，原材料价格的波动也会对高纯磷烷市场造成影响。
中国及部分省市电子特气行业相关政策加快高纯特种电子气体研发及产业化
中国及部分省市电子特气行业相关政策加快高纯特种电子气体研发及产业化
电子特气广泛应用于半导体、微电子和相关的太阳能电池等高科技产业，或用于薄膜沉积、刻蚀、掺杂、钝化、清洗，或用作载气、保护气氛等等。
由于半导体和微电子技术向更高性能、更高集成度发展，对电子特气的纯度提出了越来越高的要求，电子特气的的净化愈加关键和重要。
国家层面电子特气行业相关政策
近些年，为了促进电子特气行业发展，中国陆续发布了许多政策，如中国工业和信息化部等四部委联合发布的新材料产业发展指南中在重点任务中提出加快高纯特种电子气体研发及产业化，解决极大规模集成电路材料的制约问题。
地方层面电子特气行业政策
显示，为了响应国家号召，各省市积极推动电子特气行业发展，如2021年7月发布的浙江省新材料产业发展"十四五"规
划中提出重点发展包括电子特气以及下游光刻胶等半导体新材料，重点打造基于电子化学品材料的核心产业链。
高纯度电子特种气体市场开发前景——硅烷SiH4、磷烷PH3、砷烷AsH3
高纯度电子特种气体市场开发前景——硅烷SiH4、磷烷PH3、砷烷AsH3高纯度特种气体（硅烷SiH4、磷烷PH3、砷烷AsH3）广泛应用于电子行业、太阳能电池、移动通讯、汽车导航、航空航天、军事工业等方面。
目前我国只能生产纯度在3N~4N标准的特种气体，而在许多重要领域，比如：国家战备武器研究和神州五号运载火箭上的控制系统的电子原器件的制造，以及卫星上使用的太阳能电池的制造等方面所急需的6N标准的气体全部依靠进口。
目前世界上只有美国、俄罗斯等发达国家才能生产。
美国的SOLKATRONIC公司经销该种气体，我国进口该种气体常常因国际形势紧张和变化而受到阻碍，因此直接制约了上述相关领域的发展。
白俄罗斯无线电材料研究所在前苏联时期承担了研制高纯度特种气体的任务，具备研制和生产这种气体的能力。
经过磋商，白方愿同我方合作，提供技术共同开发该项产品。
本项目主要利用该所研制的烷类气体深度提纯技术，在中国建立高纯度特种气体的研究基地及产业化基地，解决我国急需的高纯气体材料的国产化问题，使硅烷、磷烷、砷烷气体的纯度达到6N（99.9999%）。
该项目在国内属首创，技术指标达到国际同行业先进水平，填补我国高纯度特气生产空白，彻底改变我国电子特气长期受制于人的局面。
二、国内外现状中国的超纯度特种气体研制始于1983年，当时从事这一工作的单位有北京氧气厂、浙江大学、大连光明化学所和保定红星单晶硅厂，.研究的内容为超纯气体和烷类气体。
“七五”期间，国家科委委托电子部、化工部牵头，组织电子气体攻关招标会，中标的单位南京特种气体厂(公司)、中科院沈阳金属研究所、大连光明所、核工业部理化研究院和南京大学。
攻关项目主要有烷类气体、化学气体刻蚀气体、高熔点氟化物金属气体、金属有机化合物(“MO”源)、气瓶处理技术和配套器件的研制，涉及气体品种20多种。
1991年，国家又在“八五”科技攻关项目—集成电路用关键材料研究课题下，又专设了“电子特种气体研究”的子课题，开始了新一**关。
电子特气的比较
1、硅烷（Silane）SiH4气体是电子气体中最重要的品种，它是于半导体多晶硅、外延膜生成、硅器件纯化膜和聚硅膜的原料气，有资料介绍SiH4用量大约以50%的比例增长，其中用于硅器件约占58%，用于感光磁鼓30%，其余30%左右用于非晶形太阳电池。
国外SiH4制造工艺大体可分为：（1）硅化镁法（小松法）加液NH3 Mg2Si+4NH4Cl SiH4+2MgCl2·4NH3 该法1935年公布时，是用NH4Br，但工业化阶段采用了价格低廉又极易获得的NH4Cl代替NH4Br。
经试验发现两者收率几乎没有差别，含砷烷都较低，平均产率约为80%。
所用的原料Mg2Si是在H2的环境中将硅粉和活性镁粉加热到500~600℃制取的，由于反应中所用的液NH3对各种金属离子有络合作用，因此，生成的SiH4所含金属相对较少，粗制SiH4采用精馏或吸附、络合、吸收等净化工艺，制造高纯SiH4。
这种方法是对约翰逊工艺的改进，是世界上最早实现工业化的工艺，该工艺经逐渐完善，在SiH4生产史上持续了近四分之一世纪，至今仍有一些SiH4制造商采用此工艺。
（2）氢化铝锂法加醚SiCl4+LiAlH4 SiH4+LiCl+AlCl3 △1965年RunYan报道了一种SiH4合成新方法，它是采用强还原剂LiAlH4在二甲醚四氢呋喃的溶剂中，通过还原反应发生SiH4气体，该法反应所用的LiAlH4、SiCl4容易从市场获得，但SiCl4、LiAlH4化学活性较强，反应剧烈，需谨慎处理，因此，不宜大规模生产，但小规模合成非常方便实用。
（3）UCC工艺（非均化法）SiCl4+H2+Si SiHCl3 Cat SiHCl3 SiH2Cl2+ SiCl4 Cat SiH2Cl2 SiH4 + SiHCl3 该工艺是目前国际十分通用的工业化生产工艺，其生产SiH4的产量为上千吨，是一种可以生产几种硅源气体（SiH4、SiH2Cl2、SiHCl3）的理想方法，该方法首先合成SiHCl3，SiHCl3进行歧化反应（催化剂为大孔离子树脂）后生成十分有用SiH2Cl2，SiH2Cl2再进行歧化转化为SiH4，反应的每一步都经过精馏处理，因此，生产的SiH4、SiH2Cl2、SiHCl3纯度都较高，由于上述三种Si 源都可广泛应用于光电子、微电子、光纤制造领域，因此，生产过程调节十分方便，由于可连续化生产，且根据各种硅产品的用量调节生产过程，因此SiH4制造成本较低，又由于SiHCl3——SiH2Cl2——SiH4生产链条每一步都包括合成、净化、原料、产品的工艺，因此产品较纯，如今，该方法已大规模的SiH4生产中得到广泛使用。
半导体行业产生的特种气体有哪些(半导体特种气体种类)
半导体属于高新技术产业，往往被误解为“清洁”产业，但事实上，在清洗、光刻、去胶、烘干等工艺中需使用大量的酸、碱及有机溶剂和多种特殊气体，整个生产过程三废产量大、种类多。
半导体工业用气体具有品种多、质量要求高、用量少等特点，大部分是有毒或腐蚀性气体，品种高达百余种。
本文将介绍半导体行业产生的特种气体有哪些？
半导体特种气体种类
半导体工业特种气体按照应用分类，主要包括：
1、硅族气体：含硅基的硅烷类，如硅烷（SiH4）、二氯二氢硅（SiH2Cl2）、乙硅烷（Si2H6）等。
2、掺杂气体：含硼、磷、砷等三族及五族原子之气体，如三氯化硼（BCl3）、三氟化硼（BF3）、磷烷（PH3）、砷烷（AsH3）等。
3、蚀刻清洗气体：以含卤素的卤化物及卤碳化合物为主，如氯气（Cl2）、三氟化氮（NF3）、溴化氢（HBr）、四氟化碳（CF4）、六氟乙烷（C2F6）等
4、反应气体：以碳系及氮系氧化物为主，如二氧化碳（CO2）、氨（NH3）、氧化亚氮（N2O）等。
5、金属气相沉积气体：含卤化金属及有机烷类金属，如六氟化钨（WF6）、三甲基镓（Ga （CH3）3）等。
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