2章基本放大器4讲

合集下载

高频功率放大器4

高频功率放大器4

第2章 高频功率放大器
对上述这些原则的电路示意说明如图2.12所示。
谐振功放的基极馈电线路的组成原则与集电极馈 电线路相仿。第一,基极电流中的直流分量IB0只流过 基极偏置电源(即EB直接加到晶体管b ,e两端)。第二, 基极电流中的基波分量ib1只流过输入端的激励信号源, 以便使输入信号控制晶体管的工作,实现放大。这些 原则的电路示意说明如图2.13所示。
第2章 高频功率放大器
3. 基极馈电线路 基极馈电线路原则上和集电极馈电相同,也有串 馈与并馈之分。基极串联馈电是指偏置电压EB,输入 信号源ub及管子b,e三者在电路形式上为串联连接的一 种馈电方式,而在电路形式上为并联连接的则称为并 联馈电。
第2章 高频功率放大器
(1)串联馈电。串联馈电如图2.15(a)所示。图中CB2 为滤波旁路电容。由图可见,EB,ub,管子b,e三者为 串联连接,基极电流中的直流分量IB0只流过偏置电压 EB,而基波分量ib1只通过激励信号源ub,符合馈电线路 原则。
第2章 高频功率放大器
第2章 高频功率放大器
第2章 高频功率放大器
第2章 高频功率放大器
第2章 高频功率放大器
第2章 高频功率放大器
第2章 高频功率放大器
第2章 高频功率放大器
第2章 高频功率放大器
第2章 高频功率放大器
(2) L型匹配网络。设有一谐振功放,要求的临界 状态电阻为Re,负载为天线,呈现纯阻性rA,且rA<Re, 应如何设计匹配网络呢?
第2章 高频功率放大器
第2章 高频功率放大器
第2章 高频功率放大器
第2章 高频功率放大器
T型网络的形式如图2.24(c)所示。它同样可视作是 两节L型匹配网络的级联,如图2.24(d)所示。与Π型匹 配网络相反,T型匹配网络的阻抗变换特点是低→高 →低。

电路与模拟电子技术原理第7章2场效应管放大课件.ppt

电路与模拟电子技术原理第7章2场效应管放大课件.ppt
场效应管放大电路静态分析的思路,是首 先确定管子的工作状态,再计算此工作状 态下的静态工作点(IDQ,UGSQ,UDSQ)。
应记住场效应管是一种电压控制器件,栅 极只需要偏压,不需要偏流(IG=0),所 以漏极电流恒等于源极电流(iD=iS)。
利用这个特性,再结合基尔霍夫定律和场 效应管伏安特性关系方程即可求解。
利用场效应管工作在恒流区时,漏极电流iD 受栅源电压uGS控制的特性,也可以构成场 效应管放大电路。
14:29:07
2
7.3 场效应管放大电路
7.3.1 场效应管放大电路的工作原理 7.3.2 场效应管放大电路的组成 7.3.3 场效应管放大电路的近似估算
14:29:07
3
7.3.1 场效应管放大电路的工作原理
14:29:07
24
场效应管电路静态分析思路(续)
假设其工作于某个特定区域,并求解 此状态下的G-S回路和D-S回路方程,
如果所得到的结果符合假设区域的偏 置条件,说明我们的假设正确;
否则说明我们的假设不正确,应作出 新的假设。
14:29:07
25
场效应管静态分析步骤
首先确定场效应管工作状态,步骤如下:
(1)假设FET工作于截止区,则
ID=0,IG=0 在此前提下计算UGS,验证
UGS<UP 是否成立。如果成立,则说明FET处于截
止区。否则进行第二步。
14:29:07
26
场效应管静态分析步骤(续)
(2)假设FET工作于恒流区,则
IG=0
2
ID
I
DSS
1
U GS UP
在此前提下计算UGS,验证
UGS=-IDRs=0(V) 不满足UGS<UP的条件,说明FET不能工 作于截止区。

31. 第二章第四节:放大电路的频率特性

31. 第二章第四节:放大电路的频率特性

2.4 放大电路的频率特性由于放大电路中存在电抗元件(如管子的极间电容,电路的负载电容、分布电容、耦合电容、射极旁路电容等),使得放大器可能对不同频率信号分量的放大倍数和相移不同。

耦合电容和旁路电容影响放大器的低频特性;晶体管的结电容和分布电容影响放大器的高频特性。

而且它们的容抗随频率变化,故当输入信号幅值固定而信号频率不同时,放大电路的输出电压相对于输入电压的幅值和相位都将发生变化。

幅频特性:电压放大倍数的模|A u |与频率 f 的关系。

相频特性:输出电压相对于输入电压的相位移 ϕ 与频率 f 的关系。

O0.707 A A A u £££££(b)相频特性图29 放大电路的幅频特性和相频特性一.幅频特性:1. 在中频段++SE bI β图30 中频段放大电路的微变等效电路由于耦合电容和发射极旁路电容的容量较大,故对中频段信号的容抗很小,可视作短路。

三极管的极间电容和导线的分布电容很小,可认为它们的等效电容C O 与负载并联。

由于C O 的电容量很小,它对中频段信号的容抗很大,可视作开路。

所以,在中频段可认为电容不影响交流信号的传送,放大电路的放大倍数与信号频率无关而保持定值,输入电压与输出电压反向。

(前面所讨论的放大倍数及输出电压相对于输入电压的相位移均是指中频段的)2. 在低频段:++SE bI β图31 低频段放大电路的微变等效电路由于信号的频率较低,耦合电容和发射极旁路电容的容抗较大,其分压作用不能忽略即不能把它们视为短路,如图31所示。

以至实际送到三极管输入端的电压比输入信号要小,故放大倍数降低,即电压放大倍数的模随频率的降低而减小,输出电压与输入电压的相移也发生变化,并使产生越前的相位移(相对于中频段),不再保持180°的关系。

所以,在低频段放大倍数降低和相位移越前的主要原因是耦合电容和发射极旁路电容的影响。

当放大倍数降到中频段电压放大倍数时所对应得频率L f 为通频带的下限频率。

第4章-掌握集成运算放大器ppt课件(全)全篇

第4章-掌握集成运算放大器ppt课件(全)全篇

2 B
B1 B2
☆ 输入偏置电流IB是衡量差动管输入电流绝对值大小的标志
4.1.3 集成运放大器的主要参数
1. 输入误差特性
➢ 输入失调电流IOS
定义:零输入时,两输入偏置电流IB1、IB2之差称为输入失调电流, 即IOS =|IB1IB2|。
IOS反映了输入级差动管输入电流的对称性,一般希望IOS越小越好。 普通运放的IOS约为1nA0.1A。
✓UIO = 0、IIO = 0、 UIO = IIO = 0;
✓输入偏置电流 IIB = 0; ✓- 3 dB 带宽 fH = ∞ ,等等
4.1.4 集成运放的理想化模型
2. 理想运放的工作特性
理想运放的电压传输特性如图10-5所示。它分为线性区和非线
性区。
➢线性区
当理想运放工作于线性区时,VO=Ad(VPVN), 而Ad,因此VP VN) =0、VP=VN,又由输入电阻 Rid可知,流进运放同相输入端和反相输入端的
uO
+UOP
P
理想特 性
电流IP、IN为IP = IN =0;可见,当理想运放工作于线 性区时,同相输入端与反相输入端的电位相等,流 进同相输入端和反相输入端的电流为0。 IP = IN =0就 是VP和VN两个电位点短路,但是由于没有电流, 所以称为虚短路,简称虚短;而IP = IN =0表示流过 电流IP 、 IN的电路断开了,但是实际上没有断开, 所以称为虚断路,简称虚断。
4.1.3 集成运放大器的主要参数
2. 开环差模特性参数
➢-3dB带宽
定义:输入正弦小信号时, Aod是频率的函数,随着频率的增 加而下降。当下降3dB时所对应的信号频率称为-3dB带宽。一般运 放的-3dB带宽为几Hz几kHz,宽带运放可达到几MHz。

放大器基础PPT课件

放大器基础PPT课件

vo ii
22
第22页/共78页
理想放大器性能特点
电压放大器: Ri 、Ro 0、 Av 大且不随 RL 和信号源而变化。
电流放大器: Ri 0、Ro 、 Ai 大且不随 RL 和信号源而变化。
互导放大器: Ri 、Ro 、Ag 大且不随 RL 和信号源而变化。
互阻放大器: Ri 0、 Ro 0、 Ar 大且不随 RL 和信号源而变化。
A( j ) A( )ejA ( )
25
第25页/共78页
▪ 波特图
在半对数坐标纸上描绘的频率特性曲线即波特图。
幅 A( f )(线性刻度)
频 AI 特 AI 性2

O
A(
f
)f(L 线性刻度)

增益分贝值:
A( ) 20 lg A( ) dB
通频带:
(f对H 数f /H刻z度)
增益下降到
1 2
20
第20页/共78页
增益(放大倍数)
放大器的增益:
A = xo / xi
即放大器输出信号变化量与输入信号变化量的比值。
不同类型放大器输入、输出电量不同,故增益的含义不同。
➢电压放大器
电压增益: Av 开路电压增益:
vo vi
RS
Avt
vot vi
vo vi
vot vo
Av (1
Ro ) RL
Ri Ri1
Ro Ro2
24
第24页/共78页
4.2.2 放大器的失真
放大器的失真是指输出信号不能重现输入信号波形
的一种物理现象。
失真类型
线性失真 非线性失真
频率失真 瞬变失真
频率失真
一般而言,放大器中含有电抗元件。在正弦信号激 励下,不同频率呈现不同电抗,因而放大器增益应为频 率的复函数:

第4讲静态工作点稳定的放大器-射极跟随器解析知识讲解

第4讲静态工作点稳定的放大器-射极跟随器解析知识讲解

RS
I1
I2 rbe

Ib
RB2=33k

Ui
US
RB1 RB2

E RC RL U o RE=2.5k RC=5k

Ii
RL=5k
BC
=60
RS

Ui
ri
US
ri=RB1//

Ic
EC=15V
RL

Uo
RB2// rbe E
RL= RC // RL
13

Ii
RS • Ui
US
ri=RB1// RB2// rbe
静态工作点稳定的放大器


式 偏
RB1

电 路
C1
+EC
I1 RC IC C2 IB B C
I2
E
RL
ui RB2
RE IE CE
I2=(5~10)IB I1= I2 + IB I2
VB
RB2 RB1 RB2
EC
uo
RE射极直流 负反馈电阻
CE 交流旁路 电容
IE = IC +IB IC
+EC 静态工作点稳定过程
10
解:(1)估算静态工作点
VB
RB2 RB1 RB2
EC
=(3315)/(100+33)
=3.7V
IC IE =VE/RE = (VB- UBE)/ RE = (3.7-0.7)/2.5
RB1=100k RB2=33k RE=2.5k RC=5k RL=5k =60 EC=15V
=1.2mA
IB=IC/=1.2/60=0.02mA=20A UCE = EC - ICRC - IERE =15-1.2 (5+2.5)=6V 11

(完整word版)电子电路基础版

通信电子电路基础第一章半导体器件§1-1 半导体基础知识一、什么是半导体半导体就是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。

(导电能力即电导率)(如:硅Si 锗Ge等+4价元素以及化合物)二、半导体的导电特性本征半导体――纯净、晶体结构完整的半导体称为本征半导体。

硅和锗的共价键结构。

(略)1、半导体的导电率会在外界因素作用下发生变化•掺杂──管子•温度──热敏元件•光照──光敏元件等2、半导体中的两种载流子──自由电子和空穴•自由电子──受束缚的电子(-)•空穴──电子跳走以后留下的坑(+)三、杂质半导体──N型、P型(前讲)掺杂可以显著地改变半导体的导电特性,从而制造出杂质半导体。

•N型半导体(自由电子多)掺杂为+5价元素。

如:磷;砷P──+5价使自由电子大大增加原理:Si──+4价P与Si形成共价键后多余了一个电子。

载流子组成:o本征激发的空穴和自由电子──数量少。

o掺杂后由P提供的自由电子──数量多。

o空穴──少子o自由电子──多子•P型半导体(空穴多)掺杂为+3价元素。

如:硼;铝使空穴大大增加原理:Si──+4价B与Si形成共价键后多余了一个空穴。

B──+3价载流子组成:o本征激发的空穴和自由电子──数量少。

o掺杂后由B提供的空穴──数量多。

o空穴──多子o自由电子──少子结论:N型半导体中的多数载流子为自由电子;P型半导体中的多数载流子为空穴。

§1-2 PN结一、PN结的基本原理1、什么是PN结将一块P型半导体和一块N型半导体紧密第结合在一起时,交界面两侧的那部分区域。

2、PN结的结构分界面上的情况:P区:空穴多N区:自由电子多扩散运动:多的往少的那去,并被复合掉。

留下了正、负离子。

(正、负离子不能移动)留下了一个正、负离子区──耗尽区。

由正、负离子区形成了一个内建电场(即势垒高度)。

方向:N--> P大小:与材料和温度有关。

(很小,约零点几伏)漂移运动:由于内建电场的吸引,个别少数载流子受电场力的作用与多子运动方向相反作运动。

放大器基础知识解析PPT课件


输入经驱动放大的触发脉冲,当T4的栅极为低电位时,栅-源极电压差
为零,场效应管T4关断,能量存储电容器C4通过旁路电阻R6和二极管
D2快速充电,充电时间由时间常数决定。时间常数还决定了两次脉冲之
间的最小间隔。当T4栅极为高电位时,T4导通, C4中存储的能量通过
T4和D1向超声探头放电,激发脉冲超声波。电阻R7则调节激发能量,改
变超声波的幅值。400V的高压电源可采用美国SpellMan公司的印刷电
路板安装高压发生器MHV[69]。MHV的电压输出可在0-500V之间进
行调整,且体积较小便于电路板安装。
5
串联输入限幅电路
并联输入限幅电路 返6 回
可控增益放大电路实例
可变增益在从0至80dB范围内可获得0.05%的分辨率
放大器基础知识
本章重点介绍
1
1引言
现代科学及高新技术研究中,对数据的采集 和处理的测量精度、数据容量、采集速度、信 息传递和处理速度等的要求越来越高,相应电 子系统的设计要满足上述的新要求。学习如何 采用现代的电子技术的成就及应用,学会和掌 握高速、高分辨率、高性能电路和模块的工作 原理、构成方法及应用设计,是本课程学习的 主要目的。
放大电路从信号源吸取
信号大小的参数,对输
入为电压信号的放大电
路,Ri愈大,则放大电 路输入端的Vi值愈大。
反之,输入为电流的放
大电路,Ri愈小,注入 放大电路的输入电流Ii
愈大。 22
2.2 运算放大器性能指标
• 输入/输出电阻(阻抗) 2. 输出电阻
Ro

vt it
vs 0,RL
输出电阻是表明放大电路带载能力参数,对输出为电
D. 互导放大模型(自学)

模拟电子技术 教学PPT 作者 葛中海 4 放大器中的负反馈 课件下载


+EC
RB RC
1
RB21
RC2
+ ui

1 C 1
C3
+ uo –
T1 C2
RE1 RB22 RE2
T2 CE
Rf C 增加隔直电容C后,Rf只对交流起反馈作用。
2019/2/10
注:本电路中C1、C2也起到隔直作用。
教材配套课件
9
+EC RB + ui – Rf C1
1
RC
1
RB21
RC2
T2
X i +

X d
差值信号
基本放大 电路Ao
X o
输出信号
X f
反馈回路F
X Ao o X d
X f F 反馈: X o
20
反馈信号
反馈电路的三个环节: 放大:
2019/2/10
教材配套课件 叠加: X d X i X f
X i +

X d
基本放大 电路Ao
X o
X f
反馈回路F
X Ao o —开环放大倍数 X d
X F f —反馈系数 2019/2/10 X
o
X AF o X i
教材配套课件
—闭环放大倍数
21
X i +

X d
基本放大 电路Ao
X o
X f
2019/2/10 教材配套课件 2
反馈框图:
实际被放大信号
叠加 输入
开环 放大器
反馈 信号
±
输出 闭环
反馈网络 正反馈 负反馈

第2章 基本放大电路复习题


6.解:(a)根据T1、T2管的电流流向,符合复合管的构成规则,且T1为 PNP型,所以复合管的管型为PNP型,如图(a)所示。
(b) 根据T1、T2、T3管的电流流向,符合复合管的构成规则,且T1 为NPN型,所以复合管的管型为NPN型,如图(b)所示。
7.解:(a)根据T1、T2管的电流流向,符合复合管的构成规则,且T1为 NPN型,所以复合管的管型为NPN型,如图(a)所示。
1.
当放大电路的负载电阻增大时,放大电路的输出电阻RO

A、减小
B、不变
C、增大
D、不确定
2.在如图所示的电路中,已知晶体管T的=80,rbe=1kΩ,=
20mV;静态时UBEQ=0.7V,UCEQ=4V,IBQ=20μA。
下列结论正确的是

A、 B、 C、 D、
3.在如图所示的电路中,已知晶体管T的=80,rbe=1kΩ,=
六、分析与计算题(每题10分)
1.电路如图所示,晶体管导通时UBE=0.7V,β=50。试分析VBB为0V、 1V、1.5V三种情况下晶体管T的工作状态及输出电压uO的值。
2.电路如图所示,已知晶体管的=100,rbe=1.4kΩ,各电容器对 交流信号可视为短路,其他参数如图中所示。 (1)现已测得静态管压降UCEQ=6V,请画出该电路的直流通道, 并估算Rb约为多少千欧; (2)若测得 和 的有效值分别为1mV和100mV,请画出该电路的交 流通道,并计算负载电阻RL为多少千欧?
1. 画出图示电路的直流通路和交流通路。电路中所有电容对交流 信号均可视为短路。
2. 画出图示电路的直流通路和交流通路。电路中所有电容对交流 信号均可视为短路。
3. 画出图示电路的直流通路和交流通路。电路中所有电容对交流 信号均可视为短路。
  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
共发射极、共集电极、 共发射极、共集电极、共基极
三种组态
共发射极接法,发射极作为公共电极, 表示; 共发射极接法,发射极作为公共电极,用CE表示; 表示 共集电极接法,集电极作为公共电极, 共集电极接法,集电极作为公共电极,用CC表示; 共基极接法,基极作为公共电极, 表示。 共基极接法,基极作为公共电极,用CB表示。
三极管的三种组态
放大电路的主要技术指标
(1) 放大倍数
放大倍数的定义
& VO & AV = & Vi
(2) 输入电阻 Ri
输入电阻的定义
定义
& Vi Ri = & Ii
输出电阻R (3) 输出电阻 o
.
Ro =
V
. RL = ∞ , & VS = 0
I
(4) 通频带
通频带的定义
2.2 共射极基本放大电路
静态分析 动态分析
1.静态分析 (1)估算静态工作点 IB、IC、VCE ) )估算静态工作点Q(
V CC − V BE IB = Rb IC = β IB V CE = V CC − I C R c
电路如图。 例:电路如图。 已知β=50,Rb=300kΩ,Rc=4kΩ ①已知β=50,Rb=300kΩ,Rc=4kΩ,Vcc=12V, 试求Q 试求Q 。 Rb改为110kΩ 其它参数不变,试求Q 改为110k ②若Rb改为110kΩ,其它参数不变,试求Q。
共发射极组态交流基本放大电路
(1)基本组成
三 极 管T——
起放大作用。 起放大作用。
将变化的集电极电流 转换为电压输出。 提供电源,并使三极管 工作在线性区。 输入耦合电容C1保证信号加到 发射结,不影响发射结偏置。 输出耦合电容C2保证信号输送 到负载,不影响集电结偏置
负载电阻Rc 、RL—— 偏置电路VCC 、Rb—— 耦合电容C1 、C2——
(a) 截止失真
(b) 饱和失真
放大器截止失真和饱和失真 (动画3-2) (动画3-3)
波形的失真
由于放大电路的工作点达到了三极管 的饱和区而引起的非线性失真。对于NPN管, 的饱和区而引起的非线性失真。对于 管 输出电压表现为底部失真。 输出电压表现为底部失真。
饱和失真
由于放大电路的工作点达到了三极管 的截止区而引起的非线性失真。对于NPN管, 的截止区而引起的非线性失真。对于 管 输出电压表现为顶部失真。 输出电压表现为顶部失真。
2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7
放大电路的基本概念 共射极基本放大电路 图解分析法 小信号模型分析法 射极偏置电路 共集电极和共基极电路 放大电路的频率响应
2.1 放大电路的基本概念
放大电路的结构示意框图
放大概念示意图
基本放大电路一般是指由一个三极管与 相应元件组成的三种基本组态放大电路。 相应元件组成的三种基本组态放大电路。
1. vi↑→ vBE↑→ iB↑→ iC↑→ vCE↓→ |-vo| ↑ ↑→ ↑→ ↑→ ↑→ ↓→ 2. vo与vi相位相反; 相位相反; 与 相位相反 3. 可以测量出放大电路的电压放大倍数; 可以测量出放大电路的电压放大倍数; 4. 可以确定最大不失真输出幅度 可以确定最大不失真输出幅度。
(b)交流通道 能通过直流的通道。 能通过交流的电路通道。
直流通道 交流通道
直流电源和耦合电容对交流相当于短路
(4) 放大原理
三极管放大作用
1 vi C→ v be
变化的 i c通过 Rc转变为 变化的输出
→ 2 v c C→ v o

ib

ic (βib ) → ic Rc
2.3 图解分析法
截止失真
注意:对于PNP管,由于是负电源供 电,失真的表现形式,与NPN管正好相反。
(3)放大电路的最大不失真输出幅度 )
放大器的最大不失真输出 幅度(动画3-4)
例:电路如图。已知输出特性。作交流负载线, 并确定最大不失真输出电压Vom。
Q2பைடு நூலகம்
Q Q1
交流负载线确定方法: 交流负载线确定方法: 1.通过输出特性曲线上的 点做一条直线,其斜 通过输出特性曲线上的Q点做一条直线 通过输出特性曲线上的 点做一条直线, 率为率为-1/R'L 。 2.R'L= RL∥Rc, 是交流负载电阻。 是交流负载电阻。 3.交流负载线是有交流 交流负载线是有交流 输入信号时Q点的运 输入信号时 点的运 动轨迹。 动轨迹。 4.交流负载线与直流 交流负载线与直流 负载线相交Q点 负载线相交 点。
①Q: 40uA,2mA,4V Q: ②Q: 109uA,2.9mA,0.3V
(2)静态工作状态的图解分析法
1) 直流负载线 2) 确定Q
放大电路静态工作状态的图解分析
例:电路和三极管 输出特性曲线如图。 试求静态工作点Q。
Q
2. 动态工作情况分析
(1)交流负载线
放大电路的动态工作状态的图解分析

(2) 静态和动态 静态—— v i = 0 时,放大电路的工作状态, 放大电路的工作状态, 静态 也称直流工作状态。 也称直流工作状态。 直流工作状态 动态—— v i ≠ 0 时,放大电路的工作状 动态 态,也称交流工作状态。 也称交流工作状态。 交流工作状态
(3) 直流通道和交流通道
(a)直流通道
(2)交流工作状态的图解分析 )
放大电路的动态图解分析
iB Q' IBQ Q Q" 0 0 uBE UBEQ uBE ① t 0
iB
iC ② ICQ t
直流 负载线 Q' Q 交流负 载线
iC ③
0 0
Q" UCEQ ④ t UCC
uCE uCE
0
t
(a) 输入回路
(b) 输 出回路
通过图解分析,可得如下结论: 通过图解分析,可得如下结论:
相关文档
最新文档