SLC和MLC闪存nand flash的区别和历史
FLASH的黑片与白片,SLC与MLC
FLASH的黑片与白片，SLC与MLC一个晶圆上有成百上千个芯片，在晶圆生产好后要经过测试并把不好的标记上；买裸片的厂家买回未切割的晶圆自己切割、邦定，标记为不好的芯片(die)就会被丢弃；测试过的晶圆的另一个出路是被送去切割并封装，封装好后就是我们看到的带管脚的芯片了，在封装阶段标记为不好的芯片同样会被丢弃。
通常正规的测试流程是很费时的，因此提高了成本，有些晶圆厂会把未经过测试的晶圆卖给需要裸片的厂家，并由后者自己测试，对于后者可以买到较便宜的die，但是买未测试过晶园的厂家通常没有好的测试设备，同时为省钱减少测试项目，致使一些本来在半导体厂不能通过的die用在了最终的产品中，造成产品质量的不稳定。
简单的说，黑片的概念主要用于芯片，白片的概念既用于芯片也用于闪存卡。
黑片就是指芯片工厂选出的淘汰的次品，没有打上工厂标，和芯片型号的芯片，这样的芯片都经过个种渠道流通到市场上来，现在很多U盘大厂大量的采购芯片厂选下的坏块多的芯片，经过技术处理，做成产品，来降低他们的成本！白片比黑片好一点质量的，人为的给打上各种标！但不是真正工厂打的标！同时白片也可指白卡，也就是表面什么都没有打的闪存卡。
一般闪存行业有黑片，白片，中性卡之说。
所谓黑片，主要是指表面没有打上雷刻的Flash芯片，如K9K8G08U0A-PCB0的SLC芯片，没有这个型号打上，就是黑片。
白片主要是指表面什么都没有打的闪存卡，连是什么卡都没有标明。
中性卡是指表面有打上有Micro SD, SD等字样的闪存卡，但没有打上某指定品牌的LOGO。
目前市场上流行黑片、白片的说法，都是Downgrade Flash的类型，由于Flash制程和容量的提升，内部的构成越来越复杂。
而新的制程推出时，产品良率并不一定理想，那些不良的Flash有些是容量不足，有些是寿命不能达到要求，有些是测试不能通过，这些不能达到出厂要求的Flash都被称为Downgrade Flash。
固态硬盘芯片类型
固态硬盘芯片类型固态硬盘（Solid State Drive，SSD）作为一种新型存储设备，相对于传统机械硬盘具有更高的速度，更可靠的性能和更低的功耗。
其中，固态硬盘芯片类型是固态硬盘的核心组件，决定了其性能和稳定性。
本文将介绍一些常见的固态硬盘芯片类型。
1. NAND FlashNAND Flash是目前最常见的固态硬盘芯片类型。
它是一种非易失性的存储芯片，具有快速读写速度、低功耗、较高的可靠性和较长的寿命等特点。
根据NAND Flash的不同构造，可以分为SLC（Single-Level Cell）、MLC（Multi-Level Cell）和TLC（Triple-Level Cell）三种不同的存储单元。
SLC：SLC芯片使用较少的存储单元，每个存储单元只存储一个比特的数据，因此具有更快的读写速度、更高的耐用性和更长的寿命，但价格也相对较高。
MLC：MLC芯片每个存储单元可以存储两个比特的数据，存储密度更高，成本更低，但相对于SLC来说，读写速度稍慢，寿命也相对较短。
TLC：TLC芯片每个存储单元可以存储三个比特的数据，存储密度更高，成本更低，但相对于MLC来说，读写速度更慢，寿命也相对更短。
2. 3D NAND3D NAND是一种新型的NAND Flash技术，与传统的2D nand 不同，3D NAND采用立体多层的结构，将存储单元叠在一起，大大提高了存储密度和容量。
3D NAND具有更高的读写速度、较低的功耗和更长的寿命，还能够提供更大的容量，让用户可以存储更多的数据。
3. SLC LiteSLC Lite是一种基于MLC芯片的技术改进，通过减少存储单元的数量，将MLC芯片模拟成SLC芯片，以提高固态硬盘的性能和可靠性。
SLC Lite芯片具有较快的读写速度、较高的耐用性和较长的寿命，相对于普通的MLC芯片来说，更适合需要高性能和高可靠性的用户。
4. TLC 3DTLC 3D是一种结合了3D NAND和TLC技术的芯片类型。
超级实用的FLASH芯片知识大全.doc
FLASH芯片及优盘知识2010-6-13/FLASH芯片及优盘知识SLC，全称单层式储存单元（Single Level Cell），MLC全称多层式储存单元（Multi Level Cell），SLC和MLC是NAND闪存芯片的种类，它们的区别主要是结构不同。
SLC芯片中，每个存储单元只存放1Bit的资料，所以成本高，价格贵，但是相对效率高，速度快，可靠性高，寿命长且少电。
而MLC通过使用大量的电压等级，在每个储存单元存放2Bit的资料，数据密度较大，但是相对SLC性能和寿命都差了不少，唯一的优势就是成本便宜。
1、理论寿命：SLC可10万次擦写，MLC只能1万次擦写，SLC是MLC的10倍；2、理论速度：写入速度SLC大约是MLC的4倍左右，读取速度SLC是MLC 的两倍左右；3、耗电：MLC比SLC耗电；4、稳定性：SLC结构简单，控制容易，控制芯片兼容性好，MLC结构相对复杂，控制芯片兼容性相对要差。
以上是SLC和MLC NAND闪存芯片的主要区别，目前市场上的闪盘多采用MLC芯片，这就是闪盘大幅降价，而采用SLC芯片的SSD价格变化不大的主要原因。
什么是SLC和MLC？SLC全称为Single-Level Cell，MLC全称为Multi-Level Cell。
数码播放器中一般采用两种不同类型的NAND闪存。
其中一种叫做SLC（Single Level Cell），单层单元闪存；第二种叫做MLC（Multi Level Cell），多层单元闪存。
两者的主要区别是SLC每一个单元储存一位数据，而MLC通过使用大量的电压等级，每一个单元储存两位数据，数据密度比较大。
SLC芯片和MLC技术特点一般而言，SLC虽然生产成本较高，但在效能上大幅胜于MLC。
SLC晶片可重复写入次数约10万次，而MLC晶片的写入次数至少要达到1万次才算标准，而目前三星MLC芯片采用的MLC芯片写入寿命则在5000次左右。
固态硬盘闪存芯片之MLC与SLC的区别
在固态硬盘知识介绍中经常会提及MLC与SLC。
SLC和MLC均是NAND Flash的存储原理级技术，也可以理解为目前NAND Flash在存储数据原理方面分道扬镳的一个表现。
SLC全称单层式储存 (Single Level Cell），是指一个Block（块，Flash的基本存储单元，也可称为Cell）只有两种电荷值，高低不同的电荷值表明0或者1，因为只需要一组高低电压就可以区分出0或者1信号，所以SLC最大的驱动电压可以做到很低，传统的双电压卡或者低电压版本卡片肯定采用SLC类型的NAND Flash芯片。
SLC因为结构简单，在写入数据时电压变化的区间小，所以寿命较长，传统的SLC Flash可以经受10万次的读写，因此出现坏Block的几率较小，因为存储结构非常简单，一组电压即可驱动，所以其速度表现更好，目前所有的超高速卡都采用SLC类型的Flash芯片。
不过这种一个Block只存储一组数据的模式无法在相同的晶圆面积上实现较高的存储密度，所以只能在工艺制程方面努力进步，才能满足用户在容量方面的要求。
MLC（多层式储存—Multi Leveled Cell）是那种充分利用Block的技术，它采用较高的电压驱动，通过不同级别的电压在一个Block中记录两组位信息（00、01、11、10），这样就可以将原本SLC的记录密度理论提升一倍，这对于曾经工艺制程遇到瓶颈的NAND Flash而言，是非常好的消息。
不过MLC除了同制程、同晶圆面积时理论大一倍的记录空间外，存在一些先天的弊端，比如说电压区间更小，Flash就需要更多的CRC校验空间，这会大概占据Block中10%的空间，因此实际使用中同制程同晶圆面积的MLC的容量不到SLC的一倍。
因为电压变化更频繁，所以MLC技术的Flash在寿命方面远劣于SLC，官方给出的可擦写次数仅为1万次，也就是说一张512MB的USB闪存盘，你写入512MB的数据1万次（理想状态），它就完蛋了，这可能是MLC最要命的一个缺点。
NAND.FLASH的两种（SLC和MLC）区别
NAND.FLASH的两种（SLC和MLC）区别NAND.FLASH的两种（SLC和MLC）区别SLC和MLC属于两种不同类型的NAND FLASH存储器，用来作为MP3播放器、移动存储盘等产品的存储介质。
SLC全称是Single-Level Cell，即单层单元闪存，而MLC全称则是Multi-Level Cell，即为多层单元闪存。
它们之间的区别，在于SLC每一个单元，只能存储一位数据，MLC每一个单元可以存储两位数据，MCL的数据密度要比SLC大一倍。
MLC的优势密度要大，成本上来说，MLC也具有很大的优势。
据了解，不少芯片厂商开始从SLC制程转向MLC制程，今年8月，三星正式从SLC转向MLC，今年10月份，三星已经开始大批量的生产MLC闪存芯片。
目前三星采用的芯片编号为K9G****** K9L*****的芯片为MLC芯片，而现代采用编号为：HYUU**** HYUV***芯片也是MLC芯片。
不过尽管MLC有其自身的优势，但是也掩饰不了其缺点。
1、读写效能较差相比SLC闪存，MLC的读写效能要差，SLC闪存约可以反复读写10万次左右，而MLC则大约只能读写1万次左右，甚至有部分产品只能达到5000次左右。
2、读写速度较慢在相同条件下，MLC的读写速度要比SLC芯片慢，目前MLC芯片速度大约只有2M左右。
3、能耗较高在相同使用条件下，MLC能耗比SLC高，要多15％左右的电流消耗。
这些原因，很大程度上是取决于MLC制式改变，需要新的控制芯片支持，而部分MP3、闪存盘等产品仍然延续老式的设计，MLC就会带来各种问题，包括数据丢失、传输速度慢等缺陷。
今年大批量SD卡被招回的风波，就是因为转用MLC 芯片，没有新的主控芯片支持惹的祸，造成了很大的影响。
随着三星、东芝的MLC闪存芯片开始量产，MLC芯片应用也越来约广泛，由于全新的MLC芯片在存储密度等方面加大，对主控芯片的要求也越来越高。
读写频繁的数码播放器和闪存盘等数码设备也加重了MLC闪存的出错几率，对于视频和音频这样的应用来说，必需具备控制芯片和ECC校验机制，目前有的主控芯片通过纯软件校验，这样，无形当中加重了主控芯片的负担。
天硕教你看透内存卡芯片SLC、MLC、TLC三者的本质区别
天硕教你看透内存卡芯片SLC、MLC、TLC三者的本质区别前一段时间朋友圈掀起了一股“气质风”。
做人看气质，那买内存卡又该如何看气质？今天我们就来谈论一下内存卡的气质。
其实说起内存卡，其本质也就是卡中的内存芯片而已，所以首先，让我们来看看内存芯片有哪些种类。
拍摄时间-型号-焦距-光圈-快门速度-ISO -曝光补偿0EVGPS -Design XinBeta内存技术最早是应用在军事、航天等重要领域上的，所以保障长时间工作顺利运作，成了内存卡设计的唯一指标。
所以，军工级SLC 芯片,也是第一代内存技术（SLC即是Single-LevelCell，单层单元的英文缩写）就在这个技术背景下诞生了。
这种技术以低耗、高效、耐用著称，平均擦写寿命达到10万次。
同时要注意的是，这种卓越性能是以昂贵的造价和繁杂的制作工艺来换取的。
随着社会的发展，商业服务器、移动终端（手机、便携电脑）、数码器材等民用领域开始对内存技术产生大量需求。
由于应用面积和需求数量的迅速扩大，加上商业开发的要求，繁杂和昂贵的SLC技术显然不符合要求，于是企业级、商用级、一般消费级及低端消费级等民用内存技术产品被开发、使用。
其中，廉价、生产简易的MLC和TLC迅速占领了手机、数码相机领域，成了最大赢家。
在手机、数码相机刚起步阶段，MLC和TLC还能应付得绰绰有余，随着数码技术的不断发展，MLC和TLC的内存技术已经开始左右支绌。
数据丢失、保存不完整、无法读写、无故写保护………这些都是MLC 和TLC在应付大容量时露出的技术短板。
当然，如果不是对高速连拍和4K视频录制有要求的专业摄影师，MLC和TLC还是可以勉强应付的。
虽然MLC和TLC的存储上限比SLC提高了很多，但使用寿命也直线下降，平均擦写只有500-1000次。
随着影像技术的发展，MLC 和TLC仍会逐渐陷入性能泥潭，直至被新一代廉价内存技术取代。
那SLC芯片是不是就彻底告别了民用领域？没有。
固态硬盘闪存种类介绍
固态硬盘闪存种类介绍
1.SLC
SLC全称是单层式储存（Single Level Cell），因为结构简单，在写入数据时电压变化的区间小，所以寿命较长，传统的SLC NAND闪存可以经受10万次的读写。
而且因为一组电压即可驱动，所以其速度表现更好，目前很多高端固态硬盘都是都采用该类型的Flash闪存芯片。
2.MLC
MLC全称是多层式储存（Multi Leveled Cell），它采用较高的电压驱动，通过不同级别的电压在一个块中记录两组位信息，这样就可以将原本SLC的记录密度理论提升一倍。
作为目前在固态硬盘中应用最为广泛的MLC NAND闪存，其最大的特点就是以更高的存储密度换取更低的存储成本，从而可以获得进入更多终端领域的契机。
不过，MLC的缺点也很明显，其写入寿命较短，读写方面的能力也比SLC低，官方给出的可擦写次数仅为1万次。
3.TLC
SLC即Triple-cell-per-bit，由于采用三层存储单元，因此可以以较低。
NAND_SLC和MLC
NAND的SLC和MLC 介绍∙SLC和MLCNAND闪存可分为三大架构：单层单元（Single Level Cell），SLC；多层单元（Multi Level Cell），MLC；多位单元（Multi Bit Cell），MBC。
其中，MBC是Infineon和Saifun以NROM 技术为基础共同开发的NAND闪存架构，该项架构技术并不是十分成熟，目前没有广泛应用，本节略过不提。
SLC和MLC结构和工作原理示意图SLC是基础的NAND闪存技术，与EEPROM的原理类似（整个NAND闪存都是东芝根据EEPROM 发展开发的）。
其工作原理简单来说，是在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电子的浮动栅（Floating Gate，闪存存储单元中存放电荷的部分），数据是0或1取决于浮动栅中是否有电荷。
有电荷为0，无电荷为1。
写入时只有数据为0时才进行写入，写入方式是向栅电极和漏极施加高电压，增加在源极和漏极之间传导的电荷能量。
电荷突破氧化膜绝缘体，进入浮动栅。
读取数据时，向栅电极施加一定的电压，电流大为 1，电流小则定为0。
采用这样的方式在每个Cell中可存储1个bit的信息，其特点是稳定、读写速度快，但Cell 可写入次数为10万次，三星是SLC是主要倡导者。
但是SLC也有很大的缺点，就是同面积容量比较小，并且由于先天上的限制，基本上很难再往前发展。
1997年，Intel率先研发成功MLC，其原理是将2个或2个以上bit以上的信息写入一个浮动栅，然后利用不同电位的电荷，透过内存储存格的电压控制精准读写。
MLC由于成本低，容量大，问世以来得到了Intel、东芝、 Hynix等多家闪存大厂的支持，其中东芝更是大力发展MLC技术。
不过，MLC也有其缺点，那就是工作不如SLC稳定，读写速度也比SLC慢。
还有，MLC的可写入次数为1万次。
因此，MLC曾一度被误解为劣质闪存芯片。
不过，由于容量上的先天优势，MLC技术也在不断改进和发展。
u盘 芯片
u盘芯片U盘芯片是指U盘中集成的存储器芯片，它是U盘的核心部件，负责存储和读取数据。
U盘芯片可以分为多种类型，不同的芯片具有不同的特点和功能。
下面将详细介绍U盘芯片的相关知识。
一、U盘芯片的分类按照存储介质的不同，U盘芯片可以分为以下几类：1. NAND Flash芯片：这是目前应用最广泛的一种U盘芯片，具有高速传输、可靠性高、容量大的特点。
2. EEPROM芯片：这是一种电可擦除可编程只读存储器，相比NAND Flash芯片，它的读取速度较慢，容量较小，但数据保存时间较长。
3. SLC芯片：这是一种以单元为基本存储单位的U盘芯片，它的读写速度较快，稳定性较好，但价格较高。
4. MLC芯片：这是以多个位为基本存储单位的U盘芯片，相比SLC芯片，它的价格较低，但读写速度较慢，稳定性较差。
二、U盘芯片的原理U盘芯片的工作原理是通过将电信号转换成数字信号进行数据的存取。
当将U盘连接到电脑时，芯片接收电脑发送的指令，并通过控制电路将数据写入或读取到芯片中。
同时，芯片还负责对存取的数据进行传输和控制，确保数据的完整性。
三、U盘芯片的特点1. 容量大：现在的U盘芯片容量从几十MB到几十TB不等，可以根据需求选择合适的存储容量。
2. 读写速度快：U盘芯片的高速传输是它的一大特点，可以达到MB/s或GB/s级别的传输速度，大大提高了数据传输效率。
3. 可擦写次数多：NAND Flash芯片一般可以支持上百万次的擦写操作，使得用户可以反复使用U盘而不用担心芯片的寿命问题。
4. 低功耗：U盘芯片采用了低功耗技术，可以有效延长使用时间和电池寿命。
5. 稳定可靠：U盘芯片具有良好的抗磨损性能和高可靠性，即使在恶劣的环境下也能正常工作。
四、U盘芯片的发展趋势1. 容量不断增大：随着科技的不断进步，U盘芯片的容量将越来越大，未来可能会实现TB级别的存储容量。
2. 读写速度提升：随着高速数据传输技术的发展，U盘芯片的读写速度将更加快速，大大提高数据传输效率。
MLC与SLC的对比
MLC与SLC的对比NAND FLASH作为目前电子设备的存储主体，已经非常广泛的应用到各种产品当中。
从技术类型上来讲，NAND FLASH分为两种：SLC和MLC。
关于SLC和MLC孰优孰劣，网上已经有大量文章刊载，一些2007年以前的资料，基本是在讲SLC的优势；随着英特尔、东芝、三星等公司的技术跟进，以及MLC的普遍应用，从08年以后发表的文章，基本是在讲MLC的好处了，MLC不可避免的成为当前设备存储的主流，市场上新推出的数码产品，已经很难找到SLC的身影！我们不禁要感叹，电子技术的发展真的太快了。
这里需要澄清几个概念：一、无论是SLC还是MLC，没有软件的坏块管理是根本无法使用的。
一片全新的NAND芯片，包括SLC和MLC，出厂时都会有几个坏块存在，随着擦写次数的不断增加坏块会越来越多，不过用户不用担心，软件的坏块管理是非常成熟的技术。
二、芯片的擦写次数不是读次数，NAND的读次数是无限制的！很多人存在这方面的误解。
三、芯片单个BLOCK的擦写次数不等于整个芯片的擦写次数！而数据手册上介绍的只是单块的擦写次数。
因为MLC的容量能比SLC大很多，所以从总体上来讲，MLC的使用率并不会弱于SLC。
四、数据存放的稳定性和擦写次数是没有关系的。
大家都知道NOR FLASH比NAND FLASH 要稳定的多，但NOR的擦写次数却不到NAND的十分之一！五、关于bootloader的擦写，我们根本不用担心多次擦写会带来芯片损毁，飞凌的研发工程师，每天都要去擦写系统修改软件，从来没有出现因此而导致NAND报废的情况。
从用户反馈来看也同样如此。
六、SLC会消亡吗？不会的，他至少要和MLC共存很长一段时间，就像NOR FLASH一样，仍在被大多数单片机所使用；目前绝大多数的ARM7、ARM9系统，并不能很好支持MLC；从ARM11开始最新的处理器，对MLC的支持就非常成熟了。
这里另外澄清一个概念，S3C2440也是可以支持MLC的！但是从技术上还不成熟，尤其没有4位以上的硬件纠错。
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SLC和MLC闪存nand flsah的区别和历史
飞凌OK6410开发板全新升级，标配1G超大容量NandFlash，让您的使用更加游刃有余。
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持。
成为同价位开发板中唯一标配1GFlash的产品。
包括wince系统在内的驱动软件经过改写，并严格测
试。
使用MLC的NAND可大幅提高容量和产品性价比。
备注：强大的S3C6410处理器支持MLC NANDFLASH,而这个功能在S3C2440上是不支持的。
MLC NAND已经得
到广泛应用，是未来的发展方向。
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以前只是知道FLASH分为NOR和NAND，没有注意过NAND还分很多种。
今天看到飞凌的升级信息，就在
网上查了一下。
评论不一，就拿出来和大家讨论一下，互相学习了。
Flash闪存是非易失性存储器，这是相对于SDRAM等存储器所说的。
即存储器断电后，内部的数据仍
然可以保存。
Flash根据技术方式分为Nand 、Nor Flash和AG-AND Flash，而U盘和MP3中最常用的内存就
是Nand Flash。
Nand Flash也有几种，根据技术方式，分为SLC、MCL、MirrorBit等三种。
SLC是Single level cell
的缩写，意为每个存储单元中只有1bit数据。
而MLC就是Multi-Level-Cell，意为该技术允许2 bit的数
据存储在一个存储单元当中。
而MirrorBit则是每个存储单元中只有4bit数据。
SLC的技术存储比较稳定，SLC的技术也最为成熟。
然而MLC可以在一个单元中有2bit 数据，这样同样大小
的晶圆就可以存放更多的数据，也就是成本相同的情况下，容量可以做的更大，这也是同样容量，MLC价
格比SLC低很多的原因。
通常情况下相同容量的MLC和SLC，MLC的价格比SLC低30％~40%，有些甚至更低。
区分SLC(停产)和MLC（现在主流，分新老制程，60NM 和56/50NM ）
1、看Flash的型号：根据Flash的命名规则，进行区分。
2、测试读写速度：SLC的非常快，MLC的很慢。
SLC闪存：即单层式储存(Single Level Cell；SLC)，包括三星电子、Hynix、美光（Micron）以及
东芝都是此技术使用者
MLC闪存：多层式储存（Multi Level Cell；MLC)，目前有东芝、Renesas、三星使用，英飞凌
（Infineon）与Saifun Semiconductors合资利用NROM技术所共同开发的多位储存（Multi Bit Cell；
MBC）。
除了三星，Hynix等其他存储器制造商也在向MLC闪存迈进。
虽然东芝凭借多年的技术
积累而在MLC技
术上占据优势，但英特尔与美光科技的合资企业IM Flash也有能力结合英特尔MLC技术与美光的NAND闪存
，从而在MLC型NAND闪存领域迅猛发展。
MLC闪存技术并非没有不足，实际上，在采用先进工艺生产MLC闪存方面困难重重。
随着闪存技术的
演进，在浮动栅(floating gate)中存储的电荷总量减少了，使得检测存储的信息变得更加困难，尤其是
对MLC芯片而言，它需要识别四个电压值，而非两个。
尽管如此，据报道，东芝在70nm 工艺中能够保证采
用与90nm技术相同的代码纠错方案。
这显示该公司并没有放慢MLC技术缩放的步伐，最少是就现在而言。
对于我们消费者而言，最关心的就是产品的质量问题，因此，网上流传很多说法，好像只有使用SLC
闪存的产品才是质量好的产品，其实不尽然，产品的质量好坏第一个关节是采用的物料的好坏，第二个
关节是厂家是否在生产过程中偷工减料。
这两者都是很重要的。
再其次，就是产品的成熟程度，一般刚
推出来的产品一般都会存在一些不为人知的问题，只能靠以后的不断改进才能使产品日趋完善
随着MP3、MP4控制芯片的更新换代和软件控制技术的更新，克服了很多难关，目前对于MLC闪存芯片
的架驽能力已经很成熟了，再加上MLC闪存生产技术的改进，因此目前很多厂家（包括IPOD）都采用MLC
闪存用于消费类数码产品的生产，尤其是大容量的数码产品，非它不可！。