12 18W电源芯片VIPer 22A

VOUT =
R5 + R6 × 2.5V R6
R3、R4 限制 U2 光耦 PC817B 的电流，避免影响反馈回路。C8 的加入使得系统反馈更加稳定，避免振荡。 � VDD 电压部分 LKVIPER 22A 芯片工作电压范围宽，达到 9V——30V，此特性可以很方便的应用在某些特殊的领域，比如电 池充电器等。 当开关电源启动后， C2 电容上的电压会通过 T2 原边线圈、芯片内部的高压启动 MOS 管向芯片 VDD 电容 C4 充电。当 C4 电容电压达到 16V，内部高压启动 MOS 管关闭，同时 PWM 开启，系统开始工作。 当 C4 电容电压下降到 9V 以下，关闭 PWM 信号，同时芯片将会产生复位信号，使系统重新启动。这就是 欠压保护。
GND
V out out-
1 2 3 4
8 D R A IN 7 D R A IN 6 D R A IN 5 D R A IN
电源
GND FB VDD
LKVIPER 2 2 A
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深圳市钲铭科电子有限公司 内部方框图
VIPer22A 芯片（12-18W） LED 电源方案
DRAI N VDD 内部电源 产生电路 LVDD 基准电路 VREF
ID
VF B =0
ID L IM
IFB = -
0.23V F B IFB S D
从上图可以看出，IFB 电流大，ID 的电流就小；IFB 电流小，ID 的电流就大。当 IFB 的电流大于 IFBSD 时， 芯片会关闭 PWM，此时的 ID 的值大约为 85mA，同时芯片会自动进入突发模式。这对于系统工作在空载或者轻 载至关重要。 � 过压保护
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深圳市钲铭科电子有限公司 极限参数
极限参数(TA= 25℃) 符号 VDS(max) VDS(ST) VDD Ivdd IFB VESD TJ TSTG 说明 芯片 DRAIN 脚最高耐压 芯片启动时，DRAIN 脚最高耐压 芯片电源电压 嵌位电流 最大反馈电流 ESD 电压 结温 存储温度 范围 -0.3~730 -0.3~400 -0.3～30 10 3 >4000 -40～150 -55～150
1 2 3 4
C5 1 0 2
FB VD D
LKVIPER 2 2 A
C4 4.7U F /5 0 V
R2 6 .8K
U3 T L 431 Y1 102 R6 5.1K
�
电路图说明 上图中 D1-D4、C2 组成全波整流，D6、R1、C3 组成 RCD 吸收回路，消除变压器 T2 漏感产生的尖峰电压， 避免击穿 LKVIPER 22A 内部的高压 MOS 管。 输出部分 U3、U2、R5、R6、R3、R4、C8 组成采样反馈电路，R5、R6 决定系统的输出电压，输出电压 VOUT 等于：
概述
LKVIPER 22A 是采用电流模式 PWM 控制方式的功率开关芯片，集成 高压启动电路和高压功率管，为低成本开关电源系统提供高性价比的解 决方案。 芯片 VDD 的工作电压范围宽，很方便的应用于充电器领域。芯片提 供了过温、过流、过压、欠压等保护功能，保证了系统的可靠性。
管脚图
输出功率表
输入电压 输出功率
--
振荡电路
S
欠压保护电路
R1 R2 R3
驱 动
Q
8V/1 4 .5V
+
过温保护电路
前沿消隐电路
过压保护电路 VDD钳位电路
S2
S1
R1 Q
+
--
0.2 3 V
230oh m 1K o h m
FB GND
管脚示意图
GND GND
1 2 3 4
8 D R A IN 7 D R A IN 6 D R A IN 5 D R A IN
VIPer22A 芯片（12-18W） LED 电源方案
1 2 V/0.8A
CX1 RT1
D2 D4 C1 D3
C2
C7
D6
D R A IN
CY1
GND GND FB VDD
1 2 3 4
LKVIP ER 22A
8
C4
7 D R A IN 6 D R A IN 5 D R A IN
R4 R3
R5
R6
ID = G ID • IS
通过上图可知： ( I S + I FB ) • R 2 = 0.23V ，由此可以得到：-
IS =
0.23V -I R 2 FB 0.23V - IFB ) R2
以上公式合并，可得到：
ID = G ID • (
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如果将 FB 脚对地短接，此时 IFB 的电流等于：
N4
N2(6,7- - 9,1 0 ) Φ0.3 5 *2*1 5 T N1(1- - 2) Φ0.2 5 *1*4 2 T 进 线 铁氟龙套管
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深圳市钲铭科电子有限公司 封装形式
DIP8
VIPer22A 芯片（12-18W） LED 电源方案
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R1 5 6 K D5 F R 1 0 7
C6 470 U F
C6 7 470 U F
1 2 V/1A
C1 0.1U F /2 7 5 V
U1
GND GND
R3 470 R 8 D R A IN 7 D R A IN 6 D R A IN 5 D R A IN R7 1 0 0 R D6 F R 107 R4 2.2K C8 1 0 4 U2 P C 817 B R5 20K
VIPer22A 芯片（12-18W） LED 电源方案
IFB = -
0.23V R1 1 1 + ) R1 R2
再将上式合并，最终得到 IDLIM：
IDLIM = G ID • 0.23V • (
然而在实际应用中，FB 脚是上拉的方式接入到 VDD，不可能对地短路。当系统启动或者短路时，此时 FB 脚的电压比较接近于 0V，通过内部高压 MOS 管漏极电流则为最大值 IDLIM。
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深圳市钲铭科电子有限公司 功能表述
F1 1A/2 5 0 V a c T1 4 0 m H D1~D4 1 N4 0 0 7 C2 2 2 U F /4 0 0 V D7 S R 3100
VIPer22A 芯片（12-18W） LED 电源方案
L1 5 U H
9 0 V a c ~2 6 4 V a c C3 1 0 2 /1K V
VIPer22A 芯片（12-18W） LED 电源方案
单位 V V V mA mA V ℃ ℃
热阻参数
符号 RthJA 说明 热阻(1)
2
LKVIPER 22A
单位
45
℃/W
注（1） ：芯片要焊接在有 200mm 铜箔散热的 PCB 板，铜箔厚度 35um，铜箔连接到所有的 GND 脚。
电气工作参数
VDD
V D D O VP
VDD ON
V D D O FF
t
VD S
t
当芯片 VDD 的电压超过 VDDOVP 时，会触发内部复位信号，导致系统重新启动。
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� 12V/0.8A 反激电源应用方案 原理图：
F1 D1 LT 1 R1 D5 LT 2 C3 T1 D7 C6 L1
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VIPer22A 芯片（12-18W） LED 电源方案
VDD
VDDON
V D D O FF 欠压保护
t
VO U T
t
�
FB 部分
D R A IN ID
PWM control VDD
+
IF B FB R1
0.2 3 V
IS
R2
GND
通过高压 MOS 的电流 ID 分成两个部分， 其中一部分为 IS， 这部分电流为芯片采样电流。 IS 与 ID 成比例关系：
变压器参数：
变压器绕制方法
N1 N2 N3
制作说明： 1. 骨 架 E F 2 0 (5+5) P C 4 0 磁 芯 N4(4- - 5) Φ0.2 5 *1*1 8 T N3(2- - 3) Φ0.2 5 *1*5 8 T 2. 电 感 量 L p (1- - 2) = 1.8m H ，漏 感 为 L p 的5% 以 下 3. 初 级 对 次 级 打 3 5 0 0 V A C 漏 电 流 <2m A /6 0 s 4. 初 级 对 次 级 打 1 5 0 0 V A C 漏 电 流 <2m A /6 0 s 5. 次 级 对 初 级 打 1 5 0 0 V A C 漏 电 流 <2m A /6 0 s 6. D C 5 0 0 V绕 组 与 磁 芯 之 间 1m in 大 于 1 0 0 mΩ 7. D C 5 0 0 V绕 组 与 绕 组 之 间 1m in 大 于 1 0 0 mΩ
LKVIPER 2 2 A
FB VD D
DIP8
管脚说明
名称 GND FB VDD DRAIN 管脚序号 1,2 3 4 ,5,6,7,8 管脚说明 芯片地，同时也是内置高压 MOS 管 SOURCE 端口 反馈输入端口 芯片电源端，工作电压范围可达 9V——30V 内置高压 MOS 管的 DRAIN，同时芯片启动时，也做芯片的启动
R7
C5
U1 R2 U2 C8
U3 R8
BOM 清单：
CX1 C1 C2 C3 C4 C5 C6、C7 X 电容 10uF/400V 15uF/400V 102/1KV 103 10uF/50V 470uF/35V C8 D1、D2 D3、D4 D5、D6 D7 LT L1 104 IN4007 IN4007 FR107 SR3100 UU9.8 3uH R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 100K/1W 9.1K 100Ω 270 1K 47K 33K R8 U1 U2 U3 F1 Y1 RT1 5.1K LKVIPER 22A 光耦 TL431 1A/250V 222/250V 5D-9