磁介质
磁介质的磁化与磁滞现象

磁介质的磁化与磁滞现象磁介质是一类特殊的材料,它在外加磁场的作用下会发生磁化现象。
磁化是指磁介质中原子或分子的磁矩在外加磁场的作用下发生定向排列的过程。
那么,磁介质的磁化是如何发生的呢?要了解磁介质的磁化过程,首先需要知道磁介质是由多个微小的磁畴组成的。
每个磁畴都具有一定的磁矩方向,但在没有外加磁场时,各个磁畴的磁矩方向是杂乱无章的。
当外加磁场作用于磁介质时,它会对磁畴的磁矩施加一个力矩,试图使磁矩与外加磁场方向相同。
由于各个磁畴之间存在互相影响的相互作用力,使得磁化过程并不是瞬时发生的。
在外加磁场作用下,磁介质中的磁矩会逐渐定向,并在达到平衡状态后保持一定的方向。
这个过程称为磁化过程。
磁滞现象是磁介质在磁化和去磁化过程中所显示出的一种特殊现象。
当外加磁场逐渐增大时,磁介质的磁化程度也随之增大。
然而,在达到一定磁场强度时,磁化程度不再随着外加磁场的增加而增大,而是停滞不前或增长速度变缓。
这个临界点称为饱和磁场强度。
同样,在减小外加磁场的过程中,磁介质的磁化程度也不是立即减小的。
相反,其磁矩仍然保持一部分定向,直到达到另一个临界点,也就是剩余磁场强度。
在这之后,磁介质中的磁矩会迅速消失,回到没有外加磁场时的状态。
磁滞现象是由于磁介质分子或原子之间存在着一定的耦合力。
当外加磁场改变其方向时,磁介质分子或原子不会立即跟随改变,而会保持一定的反向或相对不变的磁矩方向,这就导致了磁滞现象的出现。
磁滞现象不仅仅是磁介质的特性,它在很多应用中都起到重要的作用。
例如,磁滞回线的图像可以用于磁性材料的检测和识别。
在磁存储设备中,磁滞现象也被用来存储信息。
通过合理地控制外加磁场的大小和方向,可以实现信息的写入和读出。
除了磁滞现象外,磁介质的磁化还受到一些其他因素的影响。
温度是影响磁介质磁化性能的重要因素之一。
随着温度的升高,磁介质内部的原子或分子热运动增强,磁畴的稳定性减弱,从而降低了磁化程度。
此外,磁介质的组成和结构也会对磁化性能产生影响。
磁介质

如果将一个作轨道运动的电子放在外磁场 B0 中, 电子轨道运动的等效电流在磁场中受到磁力矩 M l B0 根据角动量定理 dL Mdt ( l B0 )dt e ( L B0 )dt 2m 上式表明:dL 垂直于 L 和 B0组成的平面
超导体的抗磁性可用下面的动画来演示,小球 是用超导态的材料制成的,由于小球的抗磁性,小 球被悬浮于空中,这就是所说的磁悬浮。
左上图是小磁铁悬浮在 Ba-La-Cu-O 体圆片(浸在液氮中)上方的照片。
超导
三、磁介质中的安培环路定理 如果在通电长螺线管中插入磁介质
I
B
按照安培的分子环流假说理解,介质的磁化过 程类似在其表面感应出“磁化电流”。
H
B
0 r
B
0 r —介质的磁导率
单位:安培/米
磁介质中的 安培环路定理
L
L
B dl 0 I 0 I s
电介质中的 高斯定理 1 S E dS 0 (q q)
B dl 0 I 0 M dl
L
S
1 E dS
(
L
B
0
M ) dl I
H
B
S
S 0 0 ( 0 E P ) dS q
q
1
P dS
0
M
D 0E P
L
H dl j f dS
NI H 2 R
测量: 可用霍尔器件在开口处测量 磁感应强度。 因磁感应强度的法向分量在 切口和铁芯中连续,故霍尔器件 在开口处测量的磁感应强度 B也 就是环路中的磁感应强度。
磁介质和磁强度的相关性

磁介质和磁强度的相关性知识点:磁介质和磁强度相关性一、磁介质的概念磁介质是指在外磁场的作用下,能够表现出磁性的物质。
磁介质分为顺磁质、抗磁质和铁磁质三类。
顺磁质在外磁场作用下,磁化强度与外磁场强度方向相同;抗磁质在外磁场作用下,磁化强度与外磁场强度方向相反;铁磁质在外磁场作用下,磁化强度远大于外磁场强度,并且具有自发磁化的特点。
二、磁强度的定义磁强度是指磁场在某一点上的磁力线密度,是描述磁场强度的一个物理量。
磁强度用符号B表示,单位是特斯拉(T)。
三、磁介质与磁强度的关系1.磁介质对磁场的影响:磁介质放入磁场中,会受到磁场的磁化作用,使磁介质内部产生磁畴,从而改变磁场的分布。
不同类型的磁介质对磁场的影响程度不同。
2.磁介质的磁化强度:磁介质的磁化强度与外磁场强度有关。
当外磁场强度增大时,磁介质的磁化强度也会增大;当外磁场强度减小时,磁介质的磁化强度也会减小。
3.磁介质的磁化率:磁化率是描述磁介质磁化程度的一个物理量,用符号χ表示。
磁化率越大,磁介质的磁性越强。
不同类型的磁介质具有不同的磁化率。
4.磁介质的磁滞现象:磁介质在反复磁化过程中,磁化强度与外磁场强度之间的关系曲线不是直线,而是呈现出一定的滞后现象。
这种现象称为磁滞现象。
磁滞现象反映了磁介质的磁性强弱和稳定性。
5.磁介质的磁损耗:磁介质在磁化过程中,会产生能量损耗,表现为热能。
磁损耗是由于磁介质内部的磁畴壁移动和磁畴转动引起的。
磁损耗越大,磁介质的磁性越弱。
四、磁介质的应用1.磁记录:磁介质在磁记录技术中具有重要应用,如磁盘、磁带等。
不同类型的磁介质具有不同的记录密度和存储时间。
2.磁性材料:磁介质在磁性材料领域有广泛应用,如永磁体、磁性传感器、磁性滤波器等。
磁性材料的性能取决于磁介质的磁性强弱和稳定性。
3.磁疗:磁介质在磁疗领域也有应用,通过磁场作用于人体,达到治疗疾病的目的。
4.磁悬浮:磁介质在磁悬浮技术中起到关键作用,如磁悬浮列车、磁悬浮硬盘等。
磁介质

B=B+(ralative8以电子的轨道运动为例,第i 个电子受的磁力矩B m M i i v vv ×=电子轨道角动量增量ii i L t M L v v v ⊥=d d ∴电子旋进,它引起的感应磁矩反平行于。
i m Δv0B v 这种效应在顺磁质中也有,不过与分子固有磁矩的转向效应相比弱得多。
m im i11由于介质磁化而出现的一些等效的附加电流分布。
2. 磁化电流如上图,磁介质均匀被磁化,内部各点处的分子电流会相互抵消;表面上的小分子电流没有抵消,它们方向相同,等效为表面上有一层面束缚电流。
Si m v v=分子以顺磁质为例:由于分子的热运动,每个磁极子的取向不断在变化,但从统计平均的角度,每个磁极子对磁化强度的贡献是一样的, 将这个贡献等效为一分子磁矩,设分子m vM v在磁场中发生磁化,磁化强度MSNΔP m分m r ΔiS Ni分m r 顺磁质抗磁质2rS S i m π=v v 图示为顺磁质情形Mnm VM Vm n VMmM V V V ˆΔˆΔlim limΔ)ˆ(lim0ΔΔ0Δ分分分====→→→∑v14现为面束缚电流。
磁化n rM rt M r lrd SI ′d θ与电介质极化电荷面密度nP ˆ⋅v设:二、环路定理的应用举例[例1]书P171:无限长直螺线管充以磁介质[例2]书P172: 长同轴电缆充以磁介质19SΔS ΔSS Δ<<Δ侧lΔlΔ<<δ(2(当tg tg 211=θμμθ23* 静磁屏蔽铁磁材料的闭合壳体置于外磁场中,壳内口腔中磁感应强度大大削弱的现象。
应用:精密探头、显象管…都需要磁屏蔽。
*铁磁质具有把磁感应线聚集于自己内部的特性(磁感应线沿铁走)部分磁屏蔽25§19.4 铁磁质(ferromagnetic substance)一、磁畴(magnetic domain )自发磁化的小区域─磁畴实验研究表明:铁磁质内部存在一个个小区域,小区域内,分子磁矩有序排列(自发磁化)。
磁场中磁介质

磁介质的分类
顺磁性介质
抗磁性介质
铁磁性介质
反铁磁性介质
在磁场中容易被磁化的 物质,如铝、铂等。
在磁场中不容易被磁化 的物质,如铜、金等。
在磁场中极易被磁化的 物质,如铁、钴、镍等。
在磁场中具有反铁磁性 的物质,如锰、铬等。
02
磁场对磁介质的影响
磁场对磁介质的作用
磁化现象
磁场对磁介质产生作用,使其内 部磁矩定向排列,形成磁化现象。
剩余磁化强度
当磁场去除后,磁介质仍会保留一部分磁化强度, 称为剩余磁化强度。
磁介质的磁导率
相对磁导率
描述磁介质在磁场中的导磁能力与真空导磁能 力的比值。
最大磁导率
在一定磁场强度下,磁介质的磁导率达到最大 值。
温度系数
表示磁导率随温度变化的系数,某些材料的温度系数较大,对温度变化较为敏 感。
03
磁介质的性质与特点
磁滞现象
磁介质在磁化过程中会出现滞后现 象,即当磁场反向时,磁介质的磁 化强度不会立即消失,而是逐渐减 小。
磁损耗
在交变磁场中,磁介质会因为磁滞 现象和涡流效应产生能量损耗。
磁介质的磁化过程
起始磁化
磁介质在磁场中开始被磁化的过程,起始磁化曲 线通常是非线性的。
磁饱和
随着磁场强度的增加,磁介质的磁化强度逐渐达 到饱和状态,此时磁导率不再变化。
3
磁滞损耗
由于磁滞现象产生的能量损耗,通常表现为热量。
磁介质的损耗特性
介电损耗
01
由于电场作用在磁介质上产生的能量损耗,通常表现为热量。
涡流损耗
02
由于磁场变化产生的涡旋电流在磁介质中产生的能量损耗,通
常表现为热量。
磁介质

Ze2 2 e rB m r 2 4 0 r
v
' m
同向时
当B不太大时,
0 , 0 20
2 2
eB 由此解得 2m
当 // B 时,也可以得到上述表达式
即 的方向总是与外磁场 B的方向相同。
0 B H M
M ) dl I
L
0
0 S ( 0 E P ) dS q S D 0E P
S
0
L H dl I
L
D dS e dV
S V
B , H , M 之间的关系
(4)超导体
r 0
B0
1933年,迈斯纳和奥克森菲尔德两位科学家发现,如果把超 导体放在磁场中冷却,则在材料电阻消失的同时,磁感应线将 从超导体中排出,不能通过超导体,这种现象称为抗磁性。
由于 r 与1相差甚微,为使用方便,故引入磁介 质的磁化率 m
r 1 m
r 1 e
L
B dl 0 I 0 I s
L L
磁介质中的 安培环路定理
电介质中的 高斯定理
L B dl 0 I 0 L M dl
L ( B
L
1 ' S E dS (q qi ) 0 S 1 1 S E dS q S P dS
Is
I0
Is——磁化电流 js——沿轴线单位长度上的磁 化电流(磁化面电流密度)
3、磁化强度和磁化电流密度之间的关系:
以长直螺线管中的圆柱形磁介质来说明它们的关系。
第十二章 磁介质
B B0 顺磁质(锰、铬、铂、氧、氮等)
B B0 抗磁质(铜、铋、硫、氢、银等)
B B0 铁磁质(铁、钴、镍等)
在介质均匀充满 磁场的情况下
定义
r
B B0
r
1 1 1
顺磁质 抗磁质 铁磁质
相对 磁导率
2. 分子电流和分子磁矩
分子电流:把分子或原子看作一个整体,分子 或原子中各个电子对外界所产生磁效应的总和,可 用一个等效的圆电流表示,统称为分子电流。 分子磁矩:把分子所具有的磁矩统称为分子磁 矩,用符号 pm 表示。 子中和每个电子相联系的磁矩都受到磁力矩的作用, 由于分子或原子中的电子以一定的角动量作高速转 动,这时,每个电子除了保持环绕原子核的运动和 电子本身的自旋以外,还要附加电子磁矩以外磁场 方向为轴线的转动,称为电子的进动。
或
(
B
0
M ) dl
I
磁介质中的安培环路定理
定义 H
M为磁场强度 0 B ( M ) dl
B
0
I
有磁介质时的 安培环路定理
则
H dl
I
磁介质中的安培环路定理: 磁场强度沿任
意闭合路径的线积分等于穿过该路径的所有传导电 流的代数和,而与磁化电流无关。 表明:磁场强度矢量的环流和传导电流I有关, 而在形式上与磁介质的磁性无关。其单位在国际单 位制中是A/m.
m
§12-2 磁化强度 1. 磁化强度
磁化电流
反映磁介质磁化程度(大小与方向)的物理量。 磁化强度:单位体积内所有分子固有磁矩的 矢量和 p 加上附加磁矩的矢量和 p ,称为磁 化强度,用 M表示。
m m
磁介质的原理与应用
磁介质的原理与应用1. 磁介质的定义与分类磁介质是指在外加磁场作用下能够呈现磁性的材料。
根据其磁化行为,磁介质可以进一步分为两类:1.顺磁体:顺磁体是指在外加磁场作用下,磁化强度和外磁场方向相同,且呈线性增加的材料。
常见的顺磁体包括铁矿石等物质。
2.铁磁体:铁磁体是指在外加磁场作用下,磁化强度比外磁场强,且呈非线性增加的材料。
铁磁体通常由含有铁、镍、钴等元素的合金组成,如镍铁合金。
2. 磁介质的原理磁介质的磁性来源于其中的微观磁性原子或分子。
当外加磁场作用于磁介质时,磁介质内部的磁性原子或分子受到磁场力的作用而发生定向,导致磁介质整体呈现磁性。
磁介质的原理可以用以下几个关键概念来解释:•磁矩:磁介质中的微观磁性原子或分子具有自旋和轨道运动,从而产生一个经典意义上的磁矩。
磁矩是描述磁性物质受到磁场力作用时的响应。
•磁化强度:磁化强度是磁介质单位体积内部磁矩总和的大小。
在外加磁场的作用下,磁介质内部的磁矩会对齐并增加,从而使磁化强度增加。
•磁化曲线:磁化曲线是描述磁介质在外加磁场作用下磁化强度与磁场强度之间关系的曲线。
磁化曲线通常呈现S型,具有磁饱和点和磁剩余强度等特征。
3. 磁介质的应用磁介质在许多领域都有广泛的应用,包括电子技术、通信、医学等。
以下列举了一些常见的磁介质应用:•磁记录媒体:磁介质被广泛用于磁记录媒体,如硬盘、软盘、磁带等。
在磁介质上可以通过磁化的方式记录和存储信息。
•电感元件:磁介质在电感元件中起到了重要的作用。
将磁介质材料包裹在线圈中,可以增加电感器的感应电流和能量存储。
•变压器:磁介质在变压器中用于隔离电流和传递能量。
铁芯变压器通过铁磁性材料增强磁感应强度,提高能量传递效率。
•磁存储器件:磁介质在磁存储器件中扮演着重要的角色。
磁介质可以通过改变磁化状态来存储和读取信息,如磁盘驱动器和磁带。
•医学成像:磁介质在医学成像方面也有应用。
磁共振成像(MRI)技术中使用了磁介质材料来产生磁场,通过检测磁介质材料的信号来获取人体内部的影像。
磁介质
介质中用环路定理求解的一般步骤:
H
B M
js
14.5 铁磁质
铁磁质的磁化机制 1.磁畴: 铁磁质内部存在着分区自发磁化的小区域.
2.磁化机制:无外场时,各磁畴排列无序,对外不显磁性 有外场时,各磁畴的磁矩趋于沿外磁场排列—磁化. 铁磁质的一般特性. 1.在外磁场的作用下产生的附加磁场B>>B0. 2.磁导率不是恒量,一般有 = (H) 3.外场撤除后,仍有剩磁存在. 4.居里温度:当温度超过某温度时,铁磁质变为顺磁质.
磁化曲线 对铁磁质, 随外磁场H变化而变化. 即对B = H 关系 不是常量. 因此B与H的关系非线性.
B Bm
铁磁质
•N •
M
P
•
顺磁质 抗磁质
max
i
O H
O
H
从图可见: H, B到M点; H, B到N点; 最后到饱和P点.
磁滞回线 当外场H由0增加时,磁介 质内B非线性增加到P 当H变小时,B并不原路返回 Br - H 而是沿PQP 变化. m 当H= 0时,B =Br 叫剩磁 当H反向=Hc时, B =0
R1 R2
0 r R1
Io
r
LH dl 2 rH
Ir H 2 2 R1
o Ir B o H 2 2R1
I 2 r 2 R1
R1 r R2
H dl H 2 r I
L
R2 r
o r I B o r H 2 r o I B o H 2 r
pm 0
顺磁性介质 抗磁性介质
1.顺磁质
特点:存在分子固有磁矩。
Pm
分子圆电流和磁矩
磁场中的磁介质
实验表明,铁磁质的磁化曲线都是不可逆的。即达到饱和
后,如果逐渐减小电流I,B并不沿起始磁化曲线逆向地随H的 减小而减小,而是沿下图所示中另一条曲线PQ比较缓慢地减 小。这种B的变化落后于H的变化规律称为磁滞现象(简称磁 滞)。由于磁滞的缘故,当磁场强度H减小到零时,磁感应强 度B并不等于零,而是仍有一定的数值Br,Br称为剩余磁感应 强度(简称剩磁)。这时撤去线圈,铁磁质就是一块永磁体。
物理学
磁场中的磁介质
1.1 磁介质
磁介质是指在磁场作用下,其内部状态发生变化,并反过 来影响磁场存在和分布的物质。磁介质在磁场作用下内部状态 的变化称为磁化。
磁化了的磁介质会产生附加磁场,对原磁场产生影响。磁 介质在磁感应强度为B0的外磁场中,受外磁场的作用而被磁化 产生附加磁场B'。此时,在磁介质中的磁场B是这两个磁感应 强度的矢量和,即
2.磁化曲线与磁滞回线
铁磁质的特点是:① r 1 ,可达102~105数量级;② 相 对磁导率μr和磁导率μ会随着磁场强度H的变化而变化,即磁感 应强度B与磁场强度H不成线形关系。以上这些特点可以用B-H 曲线(也称磁化曲线)来描述。
B和H的关系可用实验测定。在实验中,可得出某一铁磁质 开始的B-H曲线,称为初始磁化曲线,如下图所示。从曲线可以 看出,当外加的磁场强度H从零逐渐增大时,可以看出介质的磁 感应强度B也逐渐增加;到达点M后,H继
顺磁质在没有外磁场时,磁介质中各分子磁矩的方向是杂 乱无章的。大量分子的磁矩相互抵消,所以宏观上磁介质不显 磁性。当有外电场B0时,所有分子磁矩都受到磁场力矩的作用 ,使各分子都不同程度地沿磁场方向排列,分子电流产生了一 个沿外磁场B0方向的附加磁场B',从而使总的磁感应强度增加 ,即磁感应强度的值为B=B0+B'>B0。
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在国际单位制中,磁场强度的单位为安/米(A/m)。14
例题8-11
I 解 由安培环路定理:
有
l
H dl
I
o内
H· 2r = NI NI NI H nI 2r l
22
例题补充 图示为三种不同的 a 磁介质的B~H关系曲线,其中虚线 B 表示的是B=oH的关系。a、b、c 各代表哪一类磁介质的B~H关系曲 b 线: c a代表 铁磁质 的B~H关系曲线。 H b代表 顺磁质 的B~H关系曲线。 图12-14 c代表 抗磁质 的B~H关系曲线。 抗磁质和顺磁质的B和H间是线性关系,相对磁 导率r 与1相差不大。在一般性(精度要求不高)的问 题中,可以把抗磁质和顺磁质的相对磁导率r 看作 是 1。 对铁磁质, B和H间是非线性的, 相对磁导率 r»1 。 23
o内
内
(8-60)
内
B ( M ) dl l o
B H M o
I
o内
我们定义:磁场强度矢量 (8-61) (8-62)
13
H dl I o内
l
这就是磁介质中的安培环路定理。
H dl I o内
l
(8-62)
即:磁场强度H的环流(沿任一闭合路径l的线积分) 等于该闭合路径l所包围的传导电流的代数和。 实验表明,在各向同性磁介质中: M=mH (8-64) B -M ,于是 式中, m叫磁介质的磁化率。因 H o
图12-11 磁滞回线
21
B
矩磁
H
图12-12 软磁材料的 磁滞回线
图12-13 硬磁材料的磁滞回线
软磁材料的磁滞 回线比较瘦(见图1212),剩磁和矫顽力都 很小,常用来作变压 器和电磁铁的铁心。
硬磁材料的磁滞回线 显得胖 ( 见图 12-13), 有较 大的剩磁和矫顽力,常 用来作永久磁体、记录 磁带或电子计算机的记 忆元件。
pm
电子进动与附加磁矩
在外磁场Bo作用下, 分子中的电子受到洛仑兹 力的作用,除了绕核运动和自旋外,还要附加一个以外 磁场方向为轴线的转动,从而形成进动。 电子进动的结果是: 产生一个和外磁场Bo方向相 反的附加磁矩pm。 Bo
fm
pm
图12-2 陀螺的进动
pm
5
图12-3 电子的进动
抗磁质和顺磁质的磁化
抗磁质 附加磁矩pm是产生磁效应的唯一原因。 附加磁矩pm产生的磁场 B´的方向总是与外磁场 Bo 的方向相反,因此抗磁质中 B=Bo+B´<Bo 这是抗磁性的重要表现。 顺磁质 由于附加磁矩 pm较之 pm很小 ,可以略去 , 因此分子 的固有磁矩pm是顺磁质产生磁效应的主要原因。 在外磁场 Bo中 ,分子的固有磁矩 pm受到力矩的作用 而转向外磁场方向排列而产生的附加磁场 B´的方向 和外磁场Bo的方向相同,因此顺磁质中 B=Bo+B´>Bo 6 这是顺磁性的重要表现。
18
I H
o内
2r
I
2 2
ar b:H
2r μI B μH 2r
I r I o· · a r· c b
图12-9
I ( r 2 b 2 ) I ( c 2 b 2 ) b<r<c: H= 2 r
rc:H
B=0
0
2r
=0
μo c r B μo H ( 2 ) 2 2r c b
L
S M
图12-5
JLS=| pmi| =磁介质中分子磁矩的矢量和
按磁化强度的定义 ,有
p M
mi
V
J
(8-58)
即磁化电流面密度J 等于磁化强度M的大小 。
10
一般情况下, J=M可 写成下面的矢量式:
en
M
J M en (12-4)
取如图12-6所示的 矩形闭合路径l, 则磁化 强度的环流为
传导 磁化 电流 电流
2.磁介质中的安培环路定理
l
B dl o(
I I )
o内
内
(8-60)
式中, Io内和 I´内分别是闭合路径l所包围的传导电 流和磁化电流的代数和。
12
) I I 由于: M dl I l
l
B dl o(
r o
图12-7
15
求铁芯的相对磁导率r 。
B o r H
m
S
r o
m r o HS B0
B
I
图12-7
16
例题补充 一根长直同轴线由半 径 a的长导线和套在它外面的内半 径为b、外半径为c的同轴导体圆筒 组成。中间充满磁导率为的各向 同性均匀非铁磁绝缘材料,如图12-8 所示。传导电流I沿导线向上流去, 由圆筒向下流回, I 设电流在截面上都 是均匀分布的。求 I o· a · 同轴线内外的磁场 c ·b 强度H和磁感应强 度B的分布。
磁 介 质
(Magnetism medium)
(4)
1
§8-7磁场中的磁介质
1.磁介质的种类 在考虑物质与磁场的相互影响时,我们把所有的物 质都称为磁介质。 电场中,电介质极化后,在均匀电介质表面出现 极化电荷,于是电介质中的电场为
E Eo E
Eo
与此类似,磁场中,磁介质磁化后,在均匀磁介 质表面出现磁化电流,于是磁介质中的磁场为 B=Bo+B =rBo (8-56) 式中, r叫磁介质的相对磁导率,它随磁介质的种类和 状态的不同而不同。对真空, r=1。 2
r
B=Bo+B =rBo Nhomakorabea抗磁质—相对磁导率r略小于1的磁介质。 顺磁质—相对磁导率r略大于1的磁介质。 铁磁质—相对磁导率r»1 , 而且还随外磁场的 大小发生变化的磁介质。
为什么各类磁介质的相对磁导率 r有如此的不 同呢?这就要从它们在外磁场的作用下的磁化机理 的不同说起。
3
2.抗磁质和顺磁质的磁化
磁化电流是分子内的电荷运动 一段段接合而成的,不同于金属中 自由电子定向运动形成的传导电 流, 所以也叫束缚电流。
磁化电流在磁效应方面与传导电流相当,但是不 存在热效应。 在外磁场中的作用下,均匀磁介质的表面上出现 磁化电流的现象叫做磁介质的磁化 。
8
一 .磁化强度 1 .磁化强度—单位体积内分子磁矩的矢量和
p M
2 .磁化电流
mi
V
(8-57)
由于磁化电流是磁介质磁化的结果,所以磁化 电流和磁化强度之间一定存在着某种关系。 为简单起见,我们用长直螺线管中的圆柱体顺 磁介质来说明它们的关系。
9
设圆柱体顺磁介 质 长 L, 横 截 面 积 为 S, 磁化电流面密度 (即沿 轴线单位长度上的磁 化电流强度 ) 为 J, 则此 磁介质中的总磁矩为
19
§8-9 铁 磁 质—铁、钴、镍和它们的合金
一.高值
B= or H= r Bo
铸钢: r =5002200, 硅钢: r =7000 坡莫合金: r =105 因此,很小的电流就能在铁磁质中产生很强的磁场。 二.非线性 B 相对磁导率r要随磁场的强弱 发生变化,因此B和H的关系是非 B μ 线性的。 作为信号传输器件时, H 如变压器铁芯,要尽量工作在线 性段,以减小信号的失真。
a l
b
图12-6
l
M dl Mab Jab
I
内
(8-59)
Jab 闭合路径l所包围的磁化电流的代数和
可见,磁化强度的环流 ( 磁化强度沿闭合路径 l 的线 积分)等于该闭合路径l所包围的磁化电流的代数和。
11
二.磁介质中的安培环路定理
1.磁介质中的磁场
B=Bo+B =rBo
图12-10
20
H
三.有磁滞—有剰磁现象 一般说来,抗磁质和顺磁质在外磁场消失时,磁 性也消失。但铁磁质不同,外磁场消失后,还会保 留部分磁性,这就是磁滞现象。 B Br—剩磁 Br Hc —矫顽力(使铁磁质中 的磁场完全消失所需加的反 向磁场的大小) -Hc 不同铁磁质的磁滞回线 H 的形状是不同,它们各具有不 同的剩磁Br和矫顽力Hc。根 据磁滞回线的胖瘦可把铁磁 质分为硬磁材料和软磁材料。
分子磁矩
根据物质结构理论,分子中的电 子绕核运动,同时又自旋。这些运动 产生的磁效应,可用一个圆电流来 I 等效。 这个等效的圆电流称为分子 电流,相应的磁矩pm称为分子的固有 图12-1 磁矩。 无外加磁场时,抗磁质分子的固有磁矩pm为零,分子 不显磁性,从而整块抗磁质也不显磁性。 顺磁质分子的固有磁矩pm虽不为零,但由于分子 的热运动,分子磁矩取每一个方向的概率是一样的, 因 此对一块顺磁质来说,分子磁矩的矢量和为零,故也不 显磁性。 4
图12-9
I c I b
a
图12-8
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解 由安培环路定理:
l
2r I H dl H· I 及 B= H H
l
H dl I o内
o内
I I o· ·r a c ·b
图12-9
o内
2r
I 2 r 2 Ir a r<a: H= 2 r 2a 2 μo Ir B μo H 2 2a
§8 -8 磁化强度和磁化电流
pm
Bo
图12-4
磁化电流
一块顺磁质放到外磁场中时,它的分子的固有磁矩要 沿着磁场方向取向,如图15-4所示。考虑和这些磁矩相 对应的分子电流,可以发现:在均匀磁介质内部,各处 只有在横截 电流的方向总是有相反的,结果相互抵消。 面边缘处,分子电流未被抵消,形成与横截面边缘重合 的一层圆电流。这种电流叫做磁化电流。 7