反 应 堆 物 理(第四讲)扩散理论
《核反应堆物理分析》名词解释及重要概念整理

E E r 第一章—核反响堆的核物理根底直接相互作用:入射中子直接与靶核内的某个核子碰撞,使其从核里放射出来,而中子却留在了靶核内的核反响。
中子的散射:散射是使中于慢化(即使中子的动能减小)的主要核反响过程。
非弹性散射:中子首先被靶核吸取而形成处于激发态的复合核,然后靶核通过放出中子并放射 γ 射线而返回基态。
弹性散射:分为共振弹性散射和势散射。
微观截面:一个中子和一个靶核发生反响的几率。
宏观截面:一个中子和单位体积靶核发生反响的几率。
平均自由程:中子在介质中运动时,与原子核连续两次相互作用之间穿行的平均距离叫作平均自由程。
核反响率:每秒每单位体积内的中子与介质原子核发生作用的总次数(统计平均值)。
中子通量密度:某点处中子密度与相应的中子速度的乘积,表示单位体积内全部中子在单位时间内穿行距离的总和。
多普勒效应:由于靶核的热运动随温度的增加而增加,所以这时共振峰的宽度将随着温度的上升而增加,同时峰值也渐渐减小,这种现象称为多普勒效应或多普勒展宽。
瞬发中子和缓发中子:裂变中,99%以上的中子是在裂变的瞬间(约 10-14s)放射出来的,把这些中子叫瞬发中子;裂变中子中,还有小于1%的中子是在裂变碎片衰变过程中放射出来的,把这些中子叫缓发中子。
其次章—中子慢化和慢化能谱慢化时间:裂变中子能量由裂变能慢化到热能所需要的平均时间。
集中时间:无限介质内热中子在自产生至被俘获以前所经过的平均时间。
平均寿命:在反响堆动力学计算中往往需要用到快中子自裂变产生到慢化成为热中子,直至最终被俘获的平均时间,称为中子的平均寿命。
慢化密度:在 r 处每秒每单位体积内慢化到能量E 以下的中子数。
分界能或缝合能:通常把某个分界能量 以下的中子称为热中子, 称为分界能或缝合能。
c c第三章—中子集中理论中子角密度:在 r 处单位体积内和能量为 E 的单位能量间隔内,运动方向为 的单位立体角内的中子数目。
慢化长度:中子从慢化成为热中子处到被吸取为止在介质中运动所穿行的直线距离。
第5章《材料科学》 扩散讲解

§5.1.1 扩散定律
第一定律推导:
如右图所示,设有一金属棒,沿x轴方向存在着浓度梯度,并设: (1)有两个垂直于X轴方向的单位面积的原子平面l和2,其面间距离 为dx。 (2)当温度和浓度恒定时,每一扩散原子的平均跃迁领率为f。 (3)C1和C2分别代表平面l和平面2的扩散原子体积浓度.
由假设可知:
§5.1.2 扩散定律的应用
② 扩散的抛物线规律:由式(3.11)和(3.12)看出,如果要求距 焊接面为x处的浓度达到C,则所需要的扩散时间可由下式计算
x K Dt
(3.13)
式中,K是与晶体结构有关的常数。此关系式表明,原子的扩散距离与时间呈 抛物线关系,许多扩散型相变的生长过程也满足这种关系。
c
x
Cp:平均成分;A0:振幅Cmax- Cp;λ:晶粒间距的一半。 例:对于均匀化退火,若要求晶粒中心成分偏析振幅降低 到1/100,则:
[C(λ/2,t)- Cp]/( Cmax- Cp)=exp(-π2Dt/λ2)=1/100。 (4)高斯解(薄膜解) Cx=(M/√πDT)exp(-x2/4Dt) 适用条件:限定扩散源、衰减薄膜源(扩散物质总量M不变;t=0,c=0) 例:半导体Si中P的掺杂。
令
1 1 1 1 dC f (n1 n2 ) f (C1 C2 )dx (C2 C1)dx f (dx)2 2 2 2 2 dx dC 1 2 J D ( ) D f (dx) 并代入上式,有: dx 2 J
同时可写出y、z方向的菲克第一定律表达式。
§5.1.1 扩散定律
2
A1 A2
解出积分常数
A1
C1 C 2
, A2
扩散的表现理论

4.1 表象理论
1953年,史密斯运用菲克第一定律测定碳在-Fe中的扩散系数
2r2
l
2r1
1000C [C]
渗碳气氛
脱碳气氛
条件: 经过一定的时间后,系统达到稳 定态; 此时圆筒内各点的碳浓度恒定; 符合扩散第一定律应用条件。
4.1 表象理论
设筒半径为r,长度l
代入扩散第一定律
l
渗碳气体
表象理论 扩散的热力学分析 扩散的原子理论 扩散激活能 影响扩散的因素
目 录
4.1 表象理论
间隙固溶体的扩散实例
4.1 表象理论
置换固溶体的扩散实例
4.1 表象理论
稳态 (steady-state):系统各处的浓度不随时间改变:
(1)菲克第一定律(稳态扩散d/dt=0)
0.5 mm
(1)沉积B以得富含B的表面层
硅
(2)产生掺杂B的半导体
硅
应用实例
4.1 表象理论
利用高斯解就可以求得给定温度下扩散一定时间后硼在硅中的分布。
例:已知1100℃时硼在硅中的扩散系数D为4×10-7m2/s,硼薄膜的质量M为9.43×1019原子。 则当在1100℃扩散进行7×107s后,硼表面(x=0) 的浓度为:
其中:
为分布曲线的振幅,随扩散时间的延长而衰减
M为扩散物质的单位表面质量
4.1 表象理论
t=0时,分布振幅无穷大,高斯解只是近似解; 扩散时间越长,扩散物质初始分布范围越窄,高斯解越精准。
不同Dt(=1/16,1/4,1)的扩散物质浓度分布曲线
4.1 表象理论
在制作半导体元件时,常在硅表面先沉积一层B,然后加热使之扩散,形成p型半导体,掺杂P形成n型半导体。
无机材料科学8扩散

8.3.4非化学计量化合物中的扩散系数
• 阳离子缺位型氧化物中的正离子空位扩散
过渡金属氧化物中正离子是可变价的, 常会形成缺金属型的非计量化合物。其 中存在有金属离子空位,如Fe1-xO中的铁 离子空位可达5%~15%。以氧化钴为例, 其缺陷反应如下:
• 式 正离中子,位Co置Co,·表相示当一于个C电o3子+空占穴据存Co在2+于位该置, 相 当 定当 反 ,于应而C平得o衡:2+时被,氧K化0由。反设应K0自为由平能衡Δ常G数f决,
• 空位机构扩散系数中应考虑晶体结构中 总空位浓度Nd=Nv+Ni,其中,Nv和Ni
分别为本征空位浓度和杂质空位浓度。 此时扩散系数应由下式表达:
• 在温度足够高的情况下.结构中来自于 本征缺陷的空位浓度Nv可远大于Ni,此
时扩散为本征缺陷所控制。扩散活化能 Q和频率因子D0分别为:
• 当温度足够低时,结构中本征缺陷提供的空位 浓度Nv可远小于Ni,从式变为:
• Co离子的空位扩散系数与氧分压的1/6 次方成比例 .
• 阴离子缺位型氧化物中氧空位扩散
以TiO2-x为例,其缺陷反应如下:
8.5 影响扩散系数的因素
• 扩散是一个基本的动力学过程,对材料 制备、加工中的性能变化及显微结构形 成以及材料使用过程中性能衰减起着决 定性的作用。对扩散的控制,往往从影 响扩散速度的因素入手,因此,了解影 响扩散的因素对深入理解扩散理论以及 应用扩散理论解决实际问题具有重要意 义。
• H、C和N在α—Fe中形成间隙固溶体。它们的扩散活 化能分别为8.2kJ/mol、85.4 kJ/mol、76.2 kJ/mol, 而置换型固溶体的扩散活化能大多在180~340kJ/mol 范围之内,多数的Q≈250 kJ/mol。在置换型固溶体 中,电负性相差越大。亲和力越强,则扩散越困难。
扩散理论(优.选)

由边界条件 求解erf(β)
求解C
29
根据不同条件,无限大物体中扩散有不同情况
(1)B金属棒初−
erf
⎜⎜⎝⎛
2
x Dt
⎟⎟⎠⎞ ]
(2) 扩 散 偶 焊 接 面 处 溶 质 浓 度 c0 , 根 据 x=0
时,β = 0, erf (β ) = 0 ,则c0=(c1+c2)/2,若B棒初始浓度 c1=0,则c0= c2 /2。
若x<0则C=C2 边界条件: t>0时
棒两端的溶质浓度不受扩散的影响而
x=∞ C=C1
保持恒定。
x=-∞ C=C2
23
∂C ∂t
=D
∂2C ∂x 2
假定一个变量λ,且 λ=x / t
(Boltzman 变换)
∂C = ∂C (− x ) = ∂C (− λ ) ∂t ∂λ 2t t ∂λ 2t
∂C ∂x
C
=
C0
+
(Cmax
− C0 ) sin
πx
l
π2
exp( l2
Dt)
33
讨论:分析球状的第2相长大或溶解时的扩散现象。
引入极坐标系,分析扩散通量
设想一个离极坐标中心p、厚度为 Δp的球壳。从球 壳内则流入的通量为 J p,流出至外则的为J p+Δp,则 球壳中的溶质浓度变化为:
∂C ∂t
•
4πp2
(2) 按扩散方向分: 由高浓度区向低浓度区的扩散叫顺扩散,又称下坡扩散; 由低浓
度区向高浓度区的扩散叫逆扩散,又称上坡扩散。 (3) 按原子的扩散方向分:
在晶粒内部进行的扩散称为体扩散;在表面进行的扩散称为表面 扩散;沿晶界进行的扩散称为晶界扩散。表面扩散和晶界扩散的扩散速 度比体扩散要快得多,一般称前两种情况为短路扩散。此外还有沿位错 线的扩散,沿层错面的扩散等。
材料科学概论 1.6 扩散PPT课件

(2)Fick第二定律(Fick’s Second Law)
Fick第二定律解决溶质浓度随时间变化的情 况,即 dc/dt≠0。
两个相距dx垂直x轴的平面 组成的微体积,J1、J2为进入、 流出两平面间的扩散通量。 单位时间内物质流入体积元的速率应为: 在dx距离内,物质流动速 率的变化应为:
所以在平面2物质流出的速率应为:
x
式中:“-”号表示驱动力与化学位下降的 方向一致,也就是扩散总是向化学位减少的方向 进行的。
扩散的热力学因子 组元i的扩散系数可表示为
Di=KTBi(1+ lni/ lnCi)
其中,(1+ lni / lnCi) 称为热力学因子。 当(1+ lni / lnCi)<0时,Di<0,发生上坡扩散。
中的原子结合方式不同,这就导致了三种类型 固体中原子或分子扩散的方式不同。
扩散现象(Diffusion)
当外界提供能量时,固体金属中原子或分子偏离平衡
位置的周期性振动,作或长或短距离的跃迁的现象。
(原子或离子迁移的微观过程以及由此引起的宏观现象。)
(热激活的原子通过自身的热振动克服束缚而迁移它处的
图4.14 间隙机制 示意图
3. 空位机制 晶体中存在着空位。这些空位的存在使
原子迁移更容易,故大多数情况下,原子扩 散是借助空位机制,如图4.15,图4.16a以及 图4.17。
图4.15 空位机制 示意图
图4.16 (a)(b)
Diffusion by Vacancy Mechanism
Motion of atom
Motion of vacancy
Cu
Ni
图4.17 Diffusion by Vacancy Mechanism
扩散定律及应用
§1 菲克定律
• 菲克第一定律 • 菲克第二定律 • 扩散方程旳应用 • 扩散方程旳误差函数解
一、菲克第一定律
菲克(A.Fick)在1855年总结出旳,数学体现式为:
J为扩散通量。即:单位时间经过垂直于扩散方向旳单位面积旳扩 散物质通量,单位是
为溶质原子旳浓度梯度
D称为扩散系数,单位?? 负号表达物质总是从浓度高处向浓度低旳方向迁移
x x d t d x t d d
put 4and 5 in 1 - dC 1 d (D dC )
2t d t dt d
1 2
C
C1
dC
C C1
d(D
dC
d
)
For points in C-x curve, t = const
1 2
1 t
C
C1
xdC
t
C
C1
d(
D
dC dx
)
1 2t
C
C1
xdC
若用体积浓度(c)旳变化率表达积存速率, 则??
假如D是常数,上式可写为
三维情况,设在不同旳方向扩散系数为相等旳常数, 则扩散第二方程为:
合用条件: 非稳态扩散: C/t≠0 或 J/x≠0
三、扩散方程旳应用
1、稳态扩散
•一厚度为d旳薄板旳扩散
板内任一处旳浓度??
•贮氢容器
氢在金属中扩散极快,当温度较高、压强较大 时,用金属容器储存H2极易渗漏。 (1)列出稳态下金属容器中旳H2经过器壁扩散旳 第一方程 (2)阐明方程旳含义 (3)提出降低氢扩散逸失旳措施
互扩散:原子经过进入对方元素晶体点阵而造成旳扩散。
(有浓度变化)
➢(2)根据扩散方向
材料物理化学固体中的扩散
2018/9/ 6
1 13 1 6 G0 [V ] ( ) P ) O2 exp( 3RT 4
DM S M 1 1 13 6 a0 ( ) v0 P O2 exp[ 4 R
2
S0
3 ]exp[ H M H 0 / 3 ] RT
S M 1 1 13 DM a0 ( ) v0 PO26 exp[ 4 R
【思考】为什么还原气氛或惰性气氛更有利
于氧化钛、氧化铝等氧化物陶瓷的烧结!
1 1 2 1 3 D0 a0 ( ) v0 PO2 6 exp[ 4
S M
S0
R
3 ]exp[
H M H RT
3]
PO2 ↓
DO ↑
扩散加快 烧结温度降低 致密度提高
同时考察不同扩散系数与温度的关系
2
D D0 exp(
M
6
2018/9/6
RT
)
杨为中 材 料 物 理 化 学
2).间隙机构-间隙扩散系数
晶体间隙浓度往往很小,间隙原子周围往往
7
都空着,可供其跃迁的位置概率P~100%
2018/9/ 6
间隙原子扩散无需形成能,只需迁移能
Sm H m D a0 v0 exp( ) exp( ) R RT D0
氧离子空位型
1 6 D0 a0 2 ( ) 3 v0 P exp[ O2 4
1 1
S M
S0
R
3 ]exp[
H M H RT
3]
【试问】过渡金属非化学计量氧化物
增加氧分压分别对于前者金属离子扩散 和后者氧离子扩散有何影响?
促进
不利
2018/9/6 杨为中 材 料 物 理 化 学
扩散模型反向过程
扩散模型反向过程
扩散模型是描述物质从高浓度区域向低浓度区域转移过程的模型。
反向过程,即反扩散或逆扩散,则是物质从低浓度区域向高浓度区域的转移过程。
在扩散模型中,扩散系数(D)决定了物质转移的速率,扩散系数越大,物质扩散的速率越快。
扩散系数与物质的性质、温度和介质有关。
反向过程同样适用扩散系数,但其方向与正向扩散相反。
对于非稳态扩散,物质浓度随时间变化,可以通过菲克定律进行描述。
菲克定律的表达式为:
\(J = - D \frac{\partial C}{\partial x}\)
其中,J是扩散通量,C是物质浓度,D是扩散系数,x是方向坐标。
负号表示扩散方向是从高浓度区域到低浓度区域。
对于反向过程,负号变为正号。
此外,扩散模型还经常用于描述化学反应中的物质传递过程、污染物在环境中的传播、生物体内的物质传输等。
反向过程也可应用于类似领域,例如化学反应中的反向反应过程、污染物排放到环境中的扩散等。
需要注意的是,实际应用中需要考虑具体的情况和限制条件,如物质的物理化学性质、温度、压力、介质的特性等。
反应堆物理第四章(2)截面变化规律
235U核吸收中子后并不是都发生裂变的,有的发生辐射 俘获反应而变成236U。辐射俘获截面与裂变截面之比通 常用α表示,称为俘获-裂变比。
α = σγ σf
α与裂变同位素的种类和中子能量有关。在反应堆分
析中常用到另一个量,就是燃料核每吸收一个中子后
平均放出的中子数,称为有效裂变中子数,用η表示
。
η = νσ f = νσ f = ν
吸收截面
轻核,由于其第一个激发态的 能量比重核高,所以轻核在 中能区一般不出现共振峰, 只有能量达到MeV才出现这 种共振峰。和重核窄而高的 共振峰不同,轻核的共振峰 宽而低。 因此在热中子反应堆中共振吸 收主要考虑重核(如238U核) 的吸收。
3、在高能区(E> 103eV ) 随着中子能量的增加,共振峰间距变小,共振峰开始重叠 ,以致不再能够分辩,微观吸收截面随能量的变化,虽有 一定的起伏,但变得缓慢平滑了。而且截面数值很小。
(二)非弹性散射截面
有阈能,质量数越大的 核,阈能越低
当中子能量小于阈能时 ,σ in为零;而当中子能 量大于阈能时,σ in 随 着中子能量的增加而增 大。
几种反应堆常用材料的非弹性散射截面
(三)性散射截面
较低能量中子与多数元素的散射都是弹性散射
σ
,且基
e
本为常数,截面值大约为几靶。
。
氢俘获吸收截面
硼的总截面
吸收截面
¾ 重核和中等质量核 (例如U-235,U-238,Pu-239,
Cd-112等)在低能区有共振吸 收现象,其吸收截面偏离1/v 规律,故需要进行非 1/v 修 正。
σ a (E) == σ a (0.0253 ev)
0.0253 E ga
= σ a (293K )
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∫ φ(r, E) = φ(r, E, Ω)dΩ 4π
7
• t时刻在 r 处体积元 d r 内,能量在E与
E+dE之间,而运动方向在 Ω 方向上的立 体角元 d Ω 内的中子数目。
——中子角密度 n(r, E, Ω,t)
• t时刻在 r 处体积元 d r 内,能量在E与 E+dE之间的中子数目。
——中子数密度 n(r, E, t)
其中,沿 Ω 方向散射反应率:Σsφ(r ')dV / 4π
25
• 沿 Ω 方向运动的中子,不经碰撞到达dA的
概率:e−Σt |l|
• 每秒自dV散射沿 Ω 方向到达dA的中子数:
1
4π
Σtφ (r ') e−Σt |l|
cosθ dAdl
• 沿 Ω方向,每秒穿过dA的中子数:
∫ dA
4π
0 −∞
1)介质无限、均匀;
2)在实验室体系中散射各向同性 (Isotropic scattering) ;
3)介质的吸收截面很小,Σa<<Σs;
4)中子通量密度随空间位置缓慢变化。 21
2.2 单能中子扩散的斐克定律
• 斐克定律(Fick’s Law):
J = -Dgradφ
D
=
λ tr 3
, λtr
=
来代替
λs
。
31
• 比例系数D具有长度量纲,称为扩散系数 (diffusion coefficient),是反映中子在 介质中扩散过程的重要参数。
D = λs
3 或
D = λtr = λs 3 3(1− μ0 )
32
例题:习题1
解: (1)由定义可知:
φ = I + + I − = 3×1012 (cm-2·s-1)
代入斐克定律: ∇iJ = −∇iDgradφ 若D与空间无关: ∇iJ = −D∇2φ
34
则中子输运方程化简为:
∂n ∂t
=
S(r,t)
−
∇iJ
(r,t)
−
Σaφ (r , t )
1 v
∂φ (r , t )
∂t
=
S(r,t)
+
D∇ 2φ (r , t )
−
Σ aφ (r , t )
即单能中子扩散方程。
4π
∫= ΩzΦ(r,E,Ω)dΩ 4π
∫ = k 4π ΩzΦ(r,E,Ω)dΩ
∫ ∫ = k dϕ cosθΦ(r,E,θ,ϕ)sinθdθ
2π
π
14
∫ J
+ z
(r
,
E
)
=|
ΩikΦ(r, E, Ω)d Ω |
(Ωik )>0
∫ ∫ =
2π dϕ
π
2 cosθ iΦ(r, E,θ ,ϕ) sinθ dθ
8
• t时刻单位时间内,穿过 r 处垂直于 Ω
的单位面积的、能量在E与E+dE之间,而运
动方向在 Ω 方向上的立体角元 d Ω 内
的中子数目。
——中子角通量密度φ(r, E, Ω, t)
• t时刻单位时间内,穿过 r 处单位面积
的、能量在E与E+dE之间的中子数目。
——中子通量密度φ(r, E, t)
Σtφ
(r
')
e−Σt
|l|
cos
θ
dl
26
• 因为已假设中子通量密度随空间位置缓慢变 化,且因子 e−Σt |l|随距离按指数规律迅速减 小,所以上积分式中主要贡献只来自于P点附 近的中子。
• 把 φ(r ') 在 P(r ')点处按泰勒级数展开:
φ(r ') = φ(r) + l dφ + ...
连续方程:
∂n ∂t
=
S(r,
E, Ω,t)
−
∇iJ
(r,
E, Ω,t)
−
Σt
(r,
E, t )φ (r,
E, Ω,t)
17
• 输运方程只在个别简单情况下有解析解, 对于输运方程的化简,有以下几个思路:
1)降维;
2)划分能群;
3)对于空间角度的函数采用级数展开, 取其中若干项,常用的有PN法和SN法;或者 只计算有限个方向;
中子数为:dA cosθ[φ(r) − 1 dφ(r)]
4π
Σt dl
• 沿正z方向穿过dA的分中子流:
∫ J
+ z
dA
=
dA
4π
cosθ[φ(r) − 1
(Ωik )>0
Σt
dφ(r)]d Ω
dl
∫ ∫ = dA
4π
2π dϕ
0
π
2 [φ(r)
0
−
1 Σt
(Ω x
∂φ
∂x
+
Ωy
∂φ
∂y
+Ωz
∂φ
∂z
• 这里c通常是一个固定常数,代表波的传播
速率。在常压、20°C的空气中c为343米/
秒。
37
2.3 扩散方程的边界条件
• 目的:用物理或几何特性的限制,求出普 遍解中积分常数的特定取值。
• 要求:边界条件(boundary condition)的 数目应恰好足以使方程有唯一解。
J (r) = J x (r)i + J y (r) j + J z (r)k
Jz
(r)
=
J
+ z
(r)
−
J
− z
(r)
• 结论:只要求得通过dA的
J
+ z
(r
)
、
J
− z
(r)
即可
24
先考虑沿 Ω(θ ,ϕ)方向穿过dA的中子:
• 在 Ω(θ ,ϕ) 方向 r′ 处中子通量密度:φ(r ')
• r′点附近体积元: dV = dldAcosθ • r′ 点附近中子散射反应率:Σsφ(r ')dV
纳中央公墓。
5
1.2 中子输运模型
空间角Ω (p60)
dS dΩ =
r2
r 2sinθdθdϕ
=
r2
= sinθdθdϕ
6
• 中子角密度: n(r, E, Ω)
• 中子角通量密度:φ(r, E, Ω)
二者与中子密度、中子通量密度不同,为矢 量。
∫ n(r, E) = n(r, E, Ω)dΩ 4π
dl
其中, dφ = ∂φ dx + ∂φ dy + ∂φ dz
dl ∂x dl ∂y dl ∂z dl
27
• 其中方向导数又可写为:
dφ dl
=
Ωx
∂φ ∂x
+Ωy
∂φ ∂y
+Ωz
∂φ ∂z
其中,
⎧⎪⎨ΩΩxy
= =
sinθcosϕ sinθsinϕ
⎪⎩Ωz = cosθ
28
• 由上代入积分可得沿 Ω 方向每秒穿过dA的
Jx (r)
=
− λs
3
∂φ (r )
∂x
J y (r)
=
− λs
3
∂φ (r )
∂y
• 结论
J (r) =
J x (r)i
+
Jy
(r)
j
+
Jz
(r)k
=
−
λs
3
gradφ (r )
• 注意,这是在完全不考虑各向不同性散射的
前提下得到的,对于各向异性散射,需要用
输运平均自由程
λtr
= λs 1− μ0
)] cos θ
sinθ dθ
29
对到于:假设的弱吸收介质,Σt Σs ,积分得
J
+ z
(r
)
=
φ(r)
4
−
1 6Σs
∂φ (r )
∂z
同理可以得到:
J
− z
(r
)
=
φ(r)
4
+
1 6Σs
∂φ (r )
∂z
所以:
Jz (r)
=
J
+ z
(r
)
−
J
− z
(r
)
=
− λs
3
∂φ (r )
∂z
30
• 相应地有:
2月20日-1906年9月5
日),奥地利物理学家,热
力学和统计力学的奠基人之
一。1869年,他将麦克斯韦
速度分布律推广到保守力场
作用下的情况,得到了波尔
兹曼分布律。
1872年,玻尔兹曼建立了波尔兹曼方程(又称
输运方程)。玻尔兹曼后期在与马赫的经验主
义和奥斯特瓦尔德的唯能论论战中身心俱疲,
于1906年9月5日自杀身亡。他死后被葬在维也
(2)若以向右为正方向:
J = I + − I − = -1×1012 (cm-2·s-1)
可见其方向垂直于薄片表面向左。
(3)Ra = Σaφ =19.2×3×1012=5.76×1013
(cm-3·s-1)
33
回头分析中子输运方程的泄漏项:
∫S J (r, E, Ω,t)indS = ∫V ∇iJ (r, E, Ω,t)dS
自“-”侧各个方向穿过dS流向“+”侧的中子
总数为
J
+ n
dS
,反之为
J
− n
dS
,可以证
明: