温补晶振的几个主要参数
颇费一番精力整理的温补晶振
二、主要参数范围
温补晶振的常见频率：10MHz、12.288MHz、16.32MHz、16.368MHz、16.369MHz、16.8MHz、20MHz、24MHz、28.80MHz、30.72MHz、50MHz、52MHz等封装尺寸2520、3225、5032，精度有±0.25ppm、±0.6ppm、±1.0ppm、±2.0ppm等。
温度补偿晶体振荡器，简称为温补晶振。温补晶振属于有源晶振，它是在普通晶振的基础上，加了一个温度补偿网络，松季电子介绍从信号特征上它主要分为模拟温补晶振和数字温补晶振两种，也可从补偿方式分为：直接温度补偿晶体振荡器和间接温度补偿晶体振荡器。
一、应用领域
晶振在很多电子产品和通信设备商用到，要用到温补晶振的话一般稳定度会比较高了，是用于对稳定度要求比较高的设备，比如通信设备、要用到压控说明改设备使用的时间会比较就，不是消费类电子产品。
晶振的主要参数及其对电路的影响
晶振的尝试报告之阳早格格创做晶振的等效电器模型C0，是指以火晶为介量，由二个电极产死的电容.也称为石英谐振器的并联电容，它相称于以石英片为介量、以二电极为极板的仄板电容器的电容量战收架电容、引线电容的总战.几~几十pF.R1等效石英片爆收板滞形变时资料的能耗；几百欧C1反映其资料的刚刚性,10^(-3)~ 10^(-4)pFL1大概反映石英片的品量.mH~H晶振百般参数晶振的一些参数本去没有是牢固的大部分是会随温度、频次、背载电容、激励功率变更的RR 谐振电阻越小越佳效率：过大制成没有简单起振、电路没有宁静阻抗RR 越小越简单起振，反之若ESR 值較下則較没有简单起振.所以佳的Crystal 設計應正在ESR 與Co 值間博得仄稳.C1动向电容L1动向电感C0静电容效率：没有克没有及太下，可則易爆收较大的副波，效率频次宁静性LRC效率：LRC电路的Q值等于(L/C)^0.5 /R 果为而L较大，C与R很小，石英晶振的Q值可达几万到几百万.Q值越大位于晶振的感性区间，电抗直线陡峭，稳频本能极佳.FL特定背载电容以及激励功率下频偏偏越小越佳DLD2分歧启动功率下：阻抗最大-阻抗最小越小越佳效率：引导时振时没有振，制成睡眠晶机制制传染没有良DLD2（Drive Level Dependency 2）：正在分歧的功率驅動Crystal 時，所得之最大阻抗與最小阻抗之好.DLD2越小越佳，當Crystal 製程受传染時，則DLD2值會偏偏下，導致時振與時没有振現象，即（”Crystal Sleeping”）.佳的Crystal 没有果驅動功率變化，而產死較下的阻抗好異，制废品質異常.暂时，許多火晶製制礙於製程管制统制及良率短安，並没有主動提供此要害指標參數給客戶.备注：测出去很佳没有代表此参数很佳，果为是与面法尝试的.RLD2分歧启动功率下：阻抗最大与DLD闭系稀切正在指定的变更功率范畴内所量测到的最大阻抗Drive Level Dependency (maximum resistance – RR).FDLD2分歧启动功率下：F最大-F最小越小越佳制制传染没有良效率：引导时振时没有振，制成睡眠晶体正在分歧的功率驅動Crystal 時，所得之最大頻率與最小頻率之好，稱為FLD2.FLD2 越小越佳.當Crystal 製程受传染，則FLD2 值會偏偏下，導致時振與時没有振現像，即「Crystal Sleeping」.佳的Crystal 没有果驅動功率變化，而產死較下的頻率好異，制废品質異常.暂时，許多火晶製制礙於製程管制统制及良率短安，並没有主動提供此要害指標參數給客戶.SPDB寄死旗号强度与主旗号强度比值效率：如果太大了便有大概制成直交开机频偏偏，而且建改背载电容没有克没有及革新.大概者烤机之后温度变更之后频偏偏，热却大概者沉开又仄常了. 千万于值越大越佳制制传染没有良那个参数名字不妨明白为SP DB 其简直含意如下听尔细细讲去SPDB（Difference in dB between Amplitude of FR and Highest Spur）：Spurious 以dB 為單位時，SPDB 的絕對值越大越佳.-3dB 為最矮的央供，以预防振盪出没有念要的副波（Spur）頻率，制成系統頻率没有正確.“下图隐现了石英谐振器的模态谱，包罗基模，三阶泛音，5 阶泛音战一些治真旗号赞同，即寄死模.正在振荡器应用上，振荡器经常采用最强的模式处事.一些搞扰模式有慢遽降落的频次—温度个性.偶尔间，当温度爆收改变，正在一定温度下，寄死模的频次与振荡频次普遍，那引导了“活动性下落”.正在活动性下落时，寄死模的激励引起谐振器的特殊能量的消耗，引导Q 值的减小，等效串联电阻删大及振荡器频次的改变.当阻抗减少到相称大的时间，振荡器便会停止，即振荡器做废.当温度改变近离活动性下落的温度时，振荡器又会沉新处事.寄死模能有适合的安排战启拆要领统制.没有竭建正电极与晶片的尺寸闭系（即应用能陷准则），并脆持晶片主仄里仄止，那样便能把寄死模最小化”上头那段话瞅了是没有是有面晕，道真话尔也有面晕.然而是从上头咱们不妨归纳出如下几个论断：1.泛音晶振石英谐振器的模态谱，包罗基模，三阶泛音，5 阶泛音战一些治真旗号赞同，即寄死模. 寄死模的存留.2.正在振荡器应用上，振荡器经常采用最强的模式处事.一些搞扰模式有慢遽降落的频次—温度个性.寄死模会随温度频次变更，而且效率振荡.3.寄死模的缺陷是由于晶振的制制工艺制成.下去便很精确了，SPDB是一个衡量主频强度与寄死模强度好值的量（主频幅度/寄死频次与对于数吧）.那个值越小越佳，代表寄死模越小.TS背载电容变更对于频次的效率率效率频偏偏对于背载电容变更敏感制成电路没有宁静越小越佳TS（Trim Sensitivity of Load Measurement）：負載電容變化時，對晶體頻率變化量的影響，單位為ppm / pF. 效率：此值過大時，很简单正在分歧的負載電容效率下，產死極大的頻率飄移.温度频好制制工艺分歧格会使直线宽沉偏偏离超出图二阳影部分效率：频次随温度变更分歧切割角度对于直线的效率石英晶体结构真例问题：加进纯量大概者有银屑、镀银偏偏了、镀银里里裂痕微调银镀偏偏灰尘、银屑、晶片缺角。
晶振技术参数(精)
晶振每个晶振都会有它的参数中心频率:？？ Hz。
晶振的频率稳定度:?? PPN。
温度对晶振频率的影响这个数字越大晶振就越稳定可调范围:?? PPM。
晶振频率的可调范围这个数字越大那晶振频率的可调范围就越小负载电容:?? PF。
晶振在中心频率下所要求的电容值谐振电阻:？?欧姆。
晶振的交流电阻震荡方式:基频和泛音。
基频的震荡方式一般都不会高于25MHz。
如果要更高的频率就可以用泛音晶振。
泛音的次数一般是单数如3次泛音5次泛音7次泛音当晶振接到震荡电路上在震荡电路所引入的电容不符合晶振的负载电容的容量要求时震荡电路所出的频率就会和晶振所标的频率不同例如:一个4.0000MHz +-20PPM负载电容是16PF的晶振当负载电容是10PF时震荡电路所出的频率就可能会是 4.0003MHz当负载电容是20PF时震荡电路所出的频率就可能会是 3.9997MHz晶振负载电容有2种接法1并联在晶振上2串联在晶振上第2种比较常用2个脚都接一个电容对交流地在一些对频率精度要求高的电路上如PLL的基准等。
就是并多个可调电容来微调频率的如果对频率精度要求不高就用固定电容就行了晶振的分类根据晶振的功能和实现技术的不同，可以将晶振分为以下四类：1恒温晶体振荡器（以下简称OCXO这类型晶振对温度稳定性的解决方案采用了恒温槽技术，将晶体置于恒温槽内，通过设置恒温工作点，使槽体保持恒温状态，在一定范围内不受外界温度影响，达到稳定输出频率的效果。
这类晶振主要用于各种类型的通信设备，包括交换机、SDH 传输设备、移动通信直放机、GPS接收机、电台、数字电视及军工设备等领域。
根据用户需要，该类型晶振可以带压控引脚。
OCXO的工作原理如下图3所示：图3恒温晶体振荡器原理框图OCXO的主要优点是，由于采用了恒温槽技术，频率温度特性在所有类型晶振中是最好的，由于电路设计精密，其短稳和相位噪声都较好。
主要缺点是功耗大、体积大，需要5分钟左右的加热时间才能正常工作等。
京瓷kyocera温补晶振KT7050规格参数、数据手册、规格书信息
Temperature Compensated Crystal Oscillators (TCXO, VCTCXO) Surface Mount Type TCXO (LSI Type) KT7050 Series for Femtocell/ Stratum3
ｗｗｗ．ｊｚｓｃ８．ｃｏｍ
7.0×5.0mm
Features
• High stability and high reliability • 2.7 to 5.5V drive available • Clipped sine wave or CMOS level
output • Low phase noise • Disable Function (KT7050A)
Symbol fo
f_tol
VCC ICC f_age f_cont Vpp VOL VOH tr/ tf SYM
—
* Please contact us for other specifications.
Dimensions
Packaging (Tape & Reel 1000 pcs./ reel)
CMOS output 20years aging @40°C Including temp characteristics, initial tolerance, rated power supply voltage change and load change. Positive *100k ohm min Clipped Sine, Load: 10k ohm // 10pF CMOS, Load: 15pF IOL=4mA CMOS, Load: 15pF IOH=−4mA
温补晶振缺一不可的参数
温补晶振缺一不可的参数
温度补偿石英晶体振荡器(TCXO)由于具有较高的频率稳定度,作为一种高精度频率源被广泛地应用于通讯系统、雷达导航系统、精密测控系统等。
温补晶振由石英晶体振荡电路和温度补偿网络两部分组成。
电子行业的对晶振应该有一定的了解了，温补晶振我们一般就看温度补偿范围是多大的，零下摄氏度也可以正常工作吗？这是温补晶振具备的特性！下面我为大家介绍温补晶振必不可少的参数。
1、温度稳定度
其他规格条件保持不变，在规定温度范围内石英晶体振荡器输出频率的最大变化量相对于温度范围内输出频率极值之和的允许频偏值，即(fmax-fmin)/(fmax+fmin)。
2、负载特性
其他条件保持不变，负载在规定变化范围内晶体振荡器输出频率相对于标称负载下的输出频率的最大允许频偏。
3、频率准确度
在标准电源电压，标准负载电容阻抗，基准温度(25℃)以及其他条件保持不变的情况下，石英晶体振荡器的频率相对与其规定标称值的最大允许偏差不得超过±50。
4、电压特性
其他条件保持不变，电源电压在规定变化范围内晶体振荡器输出频率相对于标称电源电压下的输出频率的最大允许频偏。
5、频率老化
在规定的环境条件下，由于元件(主要是石英谐振器)老化而引起的输出频率随时间的系统漂移过程，通常用某一时间间隔内的频差来量度，对于高稳定晶振，由于输出频率在较长的工作时间内呈近似线性的单方向漂移,往往用老化率(单位时间内的相对频率变化)来量度。
6、杂波
输出信号中与主频无谐波(副谐波除外)关系的离散频谱分量与主频的功率比，用dBc表示。
晶振的主要参数及其对电路的影响
晶振的测试陈述之宇文皓月创作晶振的等效电器模型C0，是指以水晶为介质，由两个电极形成的电容。
也称为石英谐振器的并联电容，它相当于以石英片为介质、以两电极为极板的平板电容器的电容量和支架电容、引线电容的总和。
几~几十pF。
R1等效石英片发生机械形变时资料的能耗；几百欧C1反映其资料的刚性,10^(-3)~ 10^(-4)pFL1大体反映石英片的质量.mH~H晶振各种参数晶振的一些参数其实不是固定的大部分是会随温度、频率、负载电容、激励功率变更的RR 谐振电阻越小越好影响：过大造成不容易起振、电路不稳定阻抗 RR 越小越容易起振，反之若 ESR 值較高則較不容易起振。
所以好的 Crystal 設計應在 ESR 與Co 值間取得平衡。
C1动态电容L1动态电感C0静电容影响：不克不及太高，否則易发生较大的副波，影响频率稳定性LRC影响：L RC电路的Q值等于 (L/C)^0.5 /R 因为而L较大，C与R很小，石英晶振的Q值可达几万到几百万。
Q值越大位于晶振的感性区间，电抗曲线陡峭，稳频性能极好。
FL特定负载电容以及激励功率下频偏越小越好DLD2分歧驱动功率下：阻抗最大-阻抗最小越小越好影响：导致时振时不振，造成睡眠晶体制造污染不良DLD2（Drive Level Dependency 2）：在分歧的功率驅動 Crystal 時，所得之最大阻抗與最小阻抗之差。
DLD2越小越好，當 Crystal 製程受污染時，則DLD2值會偏高，導致時振與時不振現象，即（”Crystal Sleeping”）。
好的 Crystal 不因驅動功率變化，而產生較高的阻抗差異，造成品質異常。
目前，許多水晶製造礙於製程管理控制及良率欠安，並不主動提供此重要指標參數給客戶。
备注：测出来很好不代表此参数很好，因为是取点法测试的。
RLD2分歧驱动功率下：阻抗最大与DLD关系紧密在指定的变更功率范围内所量测到的最大阻抗 Drive Level Dependency (maximum resistance – RR).FDLD2分歧驱动功率下：F最大-F最小越小越好制造污染不良影响：导致时振时不振，造成睡眠晶体在分歧的功率驅動 Crystal 時，所得之最大頻率與最小頻率之差，稱為 FLD2。
[整理]DSB321SC温补晶振.
![[整理]DSB321SC温补晶振.](https://img.taocdn.com/s3/m/681dbd7b2e3f5727a5e96266.png)
DSB321SC温补晶振一，晶振的工作原理及作用：石英晶体振荡器是利用石英晶体（二氧化硅的结晶体）的压电效应制成的一种谐振器件，它的基本结构大致是从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片（简称为晶片，它可以是正方形、矩形或圆形等），在它的两个对应面上涂敷银层作为电极，在每个电极上各焊一根引线接到管脚上，再加上封装外壳就构成了石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振。
其产品一般用金属外壳封装，也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。
晶振是用一种能把电能和机械能相互转化的晶体在共振的状态下工作，以提供稳定，精确的单频振荡。
在通常工作条件下，普通的晶振频率绝对精度可达百万分之五十。
高级的精度更高。
有些晶振还可以由外加电压在一定范围内调整频率，称为压控振荡器（VCO）。
晶振的作用是为系统提供基本的时钟信号。
通常一个系统共用一个晶振，便于各部分保持同步。
有些通讯系统的基频和射频使用不同的晶振，而通过电子调整频率的方法保持同步。
二，晶振的分类；晶体振荡器也分为无源晶振和有源晶振两种类型。
无源晶振与有源晶振（谐振）的英文名称不同，无源晶振为crystal（晶体），而有源晶振则叫做oscillator（振荡器）。
无源晶振需要借助于时钟电路才能产生振荡信号，自身无法振荡起来，所以“无源晶振”这个说法并不准确；有源晶振是一个完整的谐振振荡器。
石英晶体振荡器与石英晶体谐振器都是提供稳定电路频率的一种电子器件。
石英晶体振荡器是利用石英晶体的压电效应来起振，而石英晶体谐振器是利用石英晶体和内置IC共同作用来工作的。
振荡器直接应用于电路中，谐振器工作时一般需要提供3.3V电压来维持工作。
振荡器比谐振器多了一个重要技术参数：谐振电阻（RR），谐振器没有电阻要求。
RR 的大小直接影响电路的性能，因此这是各商家竞争的一个重要参数。
三，DSB321SC晶振的制造商及应用领域；目前通信设备上用到的20.MHZ和10MHZ主要是由欧美日等晶振制造厂商提供，其原因就在于16.32MHZ和10MHZ的晶振是需要高精度，高可靠性的带有温度补偿功能的，只有这样通讯才能更加准确。
晶振的四个重要参数
晶振的四个重要参数晶振，全称晶体振荡器，它能够产生中央处理器（CPU）执行指令所必须要的时钟频率信号，CPU一切指令的执行都是建立在这个基础上的，时钟信号频率越高，通常CPU的运行速度也就越快。
凡是包含CPU的电子产品，其中至少含有一个时钟源，哪怕我们在电路板中看不到实际的振荡电路，那也是晶振在芯片内部被集成，往往被人们称之为电路系统的心脏。
一旦心脏停止跳动，整块电路板可能出现瘫痪的状况。
因此晶振的质量问题是很多厂商放在第一位的最终抉择的考虑基础！所以很多客户对日系晶振有了十足的信任感，近年来台系的TXC晶振在国内厂商也有了较高的重视度晶振质量的好坏由什么决定了？有人会说从外观的崭新程度分辨，或者是外包装，又或者产品印字标识。
这一切真的能有助于我们分辨晶振的好坏吗？像晶振这样的电子元器件拿在手上我们是无法判断其好坏程度的，通常晶振人所指的坏即是在电路工作中晶振不起振，或者时而稳定时而不稳定的现象！那么这一切现象终究是归根于质量问题还是晶振参数？晶振不可忽视的四个参数1，频率单位，频率单位通常分为KHZ与MHZ，而对于有源晶振和无源晶振来讲，32.768既存在KHZ的单位，也存在MHZ的单位，因此频率的单位一定要标准清晰。
2，精度要求，贴片晶振最高精度通常为10PPM比较常见，比较特殊的精度要求得订货。
其次15ppm，20ppm，25ppm，30ppm，50ppm的等级依次分布。
插件晶振以圆柱晶振为例，5ppm是其圆柱晶振中精度最高的一个等级，其次10ppm，20ppm，30ppm.3，负载电容，负载电容有时候是一个非常至关重要的参数，如果晶振的负载电容与晶振外部两端连接的电容参数匹配不正确的话，很容易造成频率偏差，精度误差等等，从而导致产品无法达到最终的精准要求。
当然也存在对负载电容参数不是特别严格的厂家，那么我们说说关于音叉晶体一块，常见的负载电容有6PF，7PF，9PF，12.5PF；MHZ晶振常见的负载电容以20PF和12PF最为广泛，其次8PF，9PF，15PF，18PF等等比较常用。
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温补晶振的几个主要参数
温补晶振是一种用于提高电子元件精度的技术，其主要参数包括
频率稳定度、温度系数、工作温度范围、工作电压等。
首先，频率稳定度是温补晶振的一个重要参数。
它表示晶振在不
同温度、电压和负载等条件下输出频率的稳定程度。
一个高质量的温
补晶振应具有高的频率稳定度，可以使电子设备在复杂环境下保持稳
定工作。
其次，温度系数也是一个关键参数。
它表示晶振的输出频率随着
温度的变化而产生的变化。
一个低温度系数的晶振可以保持在一个较
小的温度范围内保持稳定输出，从而提高电子设备的运行效率和精度。
此外，工作温度范围也是一个重要的参数。
它表示晶振可以在哪
些温度范围内稳定工作。
一般来说，工作温度范围越宽，晶振的使用
范围也就越广泛。
最后，工作电压是一个需要注意的参数。
它表示晶振在哪些电压
下可以正常工作。
如果工作电压不匹配，晶振就很难正常工作，可能
会产生不稳定的输出。
因此，在选择温补晶振时，需要根据实际需求选择具备合适参数
的晶振。
同时，在使用过程中还要注意对晶振进行正确的安装，避免
操作不当等因素对晶振的影响。