ndk晶振参数
NDK晶振NZ2520SD钟用晶体振荡器规格书
1510B_NZ2520SD_e
Supply Voltage (V) +1.8±0.18 NSA3446E NSA3446C NSA3446D +2.5±0.25 NSA3447E NSA3447C NSA3447D +2.8±0.28 NSA3448E NSA3448C NSA3448D +3.3±0.33 NSA3449E NSA3449C NSA3449D
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■ Dimensions
2.50±0.10 2.00±0.10 #1 #2 #3 0.6 0.9 max 0.3 #4
■ Output Waveform <CMOS>
mm
Terminal land connections STAND-BY GND OUTPUT VCC
Tr 0.9VCC 1/2VCC 0.1VCC VOL t T
■ Specification Number
Overall Frequency Tolerance ±50 × 10-6 ±30 × 10-6 ±20 × 10
-6
Low Phase Noise Type
Operating Temperature Range(°C) –40 to +85 –10 to +70 –10 to +60
Tf VOH
晶振与晶体的参数详解
晶振与晶体的参数详解晶振和晶体是电子器件中常见的元器件，被广泛应用于各种电子设备中。
下面将详细解释晶振和晶体的参数及其作用。
首先，我们来解释一些晶振的参数：1.频率：晶振频率是指晶振器产生的振荡信号的频率。
晶振的频率通常通过外部电路进行调节，可以根据需要选择不同的频率值。
2.稳定度：晶振的稳定度是指晶振器在一段时间内产生的频率变化范围。
晶振的稳定度越高，产生的频率变化越小，可以提供更稳定、可靠的时钟信号。
3.温度系数：晶振的温度系数是指晶振器频率随温度变化的比例。
温度系数越小，晶振器的频率随温度变化的影响越小。
4.驱动能力：晶振的驱动能力是指晶振器输出信号的电流或电压幅度。
不同的应用场景需要不同幅度的驱动能力。
5.电源电压：晶振器需要一定的电源电压才能正常工作，通常以工作电压范围表示。
接下来，我们来解释一些晶体的参数：1.晶体结构：晶体的结构是指晶体的原子排列方式。
晶体结构可以分为立方晶体、六方晶体、斜方晶体等。
2.晶体尺寸：晶体尺寸是指晶体的长度、宽度和厚度。
晶体的尺寸可以影响晶体的振荡频率和稳定度。
3.谐振频率：晶体的谐振频率是指晶体在特定尺寸和结构下能够实现最佳振荡的频率。
4.谐振模式：晶体的谐振模式是指晶体在振荡时所产生的振动模式，可以分为纵向谐振模式、横向谐振模式等。
5.振荡电路：晶体需要通过外部的振荡电路来产生振荡信号。
振荡电路的设计和参数设置可以影响晶体的性能和稳定度。
晶振和晶体在电子设备中具有重要的作用，主要用于提供稳定的时钟信号和振荡信号。
晶振器通过晶体的振荡产生稳定的信号，可以被用作时钟信号源，用于同步控制电路的工作。
晶振器通常被广泛应用于各种电子设备中，例如计算机、通信设备、汽车电子等。
总结起来，晶振和晶体在电子器件中扮演重要角色，他们的参数和性能直接影响着整个电子设备的稳定性和可靠性。
只有合理选择和使用晶振和晶体，才能确保电子设备的正常工作和性能表现。
晶振技术参数(精)
晶振每个晶振都会有它的参数中心频率:？？ Hz。
晶振的频率稳定度:?? PPN。
温度对晶振频率的影响这个数字越大晶振就越稳定可调范围:?? PPM。
晶振频率的可调范围这个数字越大那晶振频率的可调范围就越小负载电容:?? PF。
晶振在中心频率下所要求的电容值谐振电阻:？?欧姆。
晶振的交流电阻震荡方式:基频和泛音。
基频的震荡方式一般都不会高于25MHz。
如果要更高的频率就可以用泛音晶振。
泛音的次数一般是单数如3次泛音5次泛音7次泛音当晶振接到震荡电路上在震荡电路所引入的电容不符合晶振的负载电容的容量要求时震荡电路所出的频率就会和晶振所标的频率不同例如:一个4.0000MHz +-20PPM负载电容是16PF的晶振当负载电容是10PF时震荡电路所出的频率就可能会是 4.0003MHz当负载电容是20PF时震荡电路所出的频率就可能会是 3.9997MHz晶振负载电容有2种接法1并联在晶振上2串联在晶振上第2种比较常用2个脚都接一个电容对交流地在一些对频率精度要求高的电路上如PLL的基准等。
就是并多个可调电容来微调频率的如果对频率精度要求不高就用固定电容就行了晶振的分类根据晶振的功能和实现技术的不同，可以将晶振分为以下四类：1恒温晶体振荡器（以下简称OCXO这类型晶振对温度稳定性的解决方案采用了恒温槽技术，将晶体置于恒温槽内，通过设置恒温工作点，使槽体保持恒温状态，在一定范围内不受外界温度影响，达到稳定输出频率的效果。
这类晶振主要用于各种类型的通信设备，包括交换机、SDH 传输设备、移动通信直放机、GPS接收机、电台、数字电视及军工设备等领域。
根据用户需要，该类型晶振可以带压控引脚。
OCXO的工作原理如下图3所示：图3恒温晶体振荡器原理框图OCXO的主要优点是，由于采用了恒温槽技术，频率温度特性在所有类型晶振中是最好的，由于电路设计精密，其短稳和相位噪声都较好。
主要缺点是功耗大、体积大，需要5分钟左右的加热时间才能正常工作等。
晶振参数详解
其中，CS 为晶体两个管 为 管脚间的寄生 电容（Shunt t Capacitance e）
8
All rights reserved, NO Spreading without Authorization
当 R1、L1、C1 串联支路 路发生谐振的 的频率即串联 联谐振频率（Fr） ，此时容 容抗与感抗相互抵 路相当于只有 有等效串联电 阻 R1。 消，因此，支路
3
All rights reserved, NO Spreading without Authorization
并联型振荡 荡器电路如下 下图所示， 这种 种形式读者可 可能见得更多 多些， 一般单 单片机都会有 有这样 的电 电路。晶振的 的两个引脚与芯片（如单片 片机）内部的 的反相器相连 连接，再结合 合外部的匹配 配电容 CL1、CL2、R1、R2 R ，组成一个 个皮尔斯振荡 荡器（Pierce oscillator）
Au uthor: Jackie Lo ong
晶振 振参数详 详解
晶振是石英 英晶体谐振器 器（quartz cry ystal oscillator r）的简称，也称有源晶 振，它能够产 产生 中央 央处理器（CP PU）执行指令 令所必须的时 时钟频率信号 号，CPU 一切 切指令的执行 行都是建立在 在这个 基础 础上的，时钟 钟信号频率越 越高，通常 CP PU 的运行速 速度也就越快。 只要是包含 含 CPU 的电子 子产品，都至 至少包含一个 个时钟源，就算 算外面看不到 到实际的晶振 振电 路，也是在芯片 片内部被集成 成，它被称为 CPU 的心脏 脏。 如下图所示 示的有源晶振 振， 在外部施加 加适当的电压 压后， 就可以 以输出预先设 设置好的周期性时 钟信 信号，
NDK晶振NM1170BA晶体滤波器规格书
mm
5.8
2 1 6 5 9.0 3 4
Terminal land connections GND 1 GND 2 OUTPUT 3 GND 4 GND 5 INPUT 6
10.2
1.2
3.5
Tolerance ±0.3
cf15_111003_NM1170BA_e
NM1170BA
Caution: Solder only the top surface of the filter before using it.
■ Dimensions
NM1170BA : Type: with a built-in coupling capacitor
11.4 5 6 7.0 1 2 4 3 2.35 1.8 Land pattern (Typical) 1.3 1.8 1.3
(Surface-mount Type)
■ Specifications
Model
Number of poles Nominal frequency 3 dB Passband width Stop bandwidth Ripple Insertion loss (insertion attenuation) Guaranteed attenuation Spurious characteristics Terminating impedance Operating temperature range Package type Ordering code 45SC7.5BG-45MMN15-368 45SC15BE-45MMN15-319 Min. ±3.75 kHz Max. ±12.5 kHz at 25 dB Max. 1 dB Max. 5 dB Min. 80 dB at –910 kHz Min. 50 dB Within ±1 MHz 350 Ω // 6 pF –20 to +70 °C Min. ±7.5 kHz Max. ±25 kHz at 35 dB Max. 2 dB Max. 5 dB Min. 80 dB at –910 kHz Min. 50 dB Within ±1 MHz 650 Ω // 2 pF –20 to +70 °C 45 MHz Min. ±10 kHz Max. ±25 kHz at 25 dB Max. 1 dB Max. 3 dB Min. 80 dB at –910 kHz Min. 25 dB Within ±1 MHz 800 Ω // 1.5 pF –30 to +70 °C 45SC20BB-45MMN15-372 Min. ±15 kHz Max. ±60 kHz at 40 dB Max. 1 dB Max. 4 dB Min. 70 dB at –910 kHz Min. 30 dB Within ±1 MHz 1000 Ω // 1 pF –20 to +70 °C 45SC30BD-45MMN15-371
晶振主要参数
晶振主要参数介绍晶振是一种被广泛应用于电子设备中的关键元件，它能够产生一定频率的交变电场，用于驱动数字系统的时钟信号。
晶振的主要参数是指影响晶振性能和稳定性的关键指标，包括频率稳定性、频率漂移、负载能力等。
本文将详细介绍晶振的主要参数，以及这些参数对晶振性能的影响。
频率稳定性频率稳定性是晶振的一个重要参数，它指的是晶振输出频率的稳定程度。
频率稳定性可以通过频率偏差来描述，即晶振输出频率与额定频率之间的差异。
频率稳定性的单位通常为ppm（百万分之一）。
晶振的频率稳定性取决于晶振内部的谐振器结构和工艺技术。
一般来说，晶振的频率稳定性越高，其输出的时钟信号越准确可靠。
频率漂移频率漂移是指晶振输出频率随环境温度变化而发生的变化。
由于晶体的物理特性受温度的影响，晶振的频率也会随温度的变化而发生漂移。
频率漂移通常用ppm/℃（百万分之一/摄氏度）来表示，它可以通过温度系数来计算，即单位温度变化下频率发生的变化。
频率漂移对于某些应用场合来说非常重要，特别是对于需要高精度时钟信号的系统。
原因频率漂移的主要原因是晶体振荡器内部晶体的温度特性。
晶体振荡器中的振荡回路包含晶体谐振器，而晶体谐振器的频率与其温度特性密切相关。
晶体振荡器在工作过程中会产生一定的热量，这将会影响晶体振荡器的温度，从而导致频率漂移。
不同品牌和型号的晶振在频率漂移方面表现也有所不同，所以在选择晶振时需要考虑其频率漂移特性。
解决方法为了解决频率漂移问题，可以采取以下方法：1.选择温度补偿晶振：温度补偿晶振是一种内部集成了温度补偿电路的晶振，它能够根据温度变化自动调整其输出频率，从而达到抵消频率漂移的效果。
2.冷却措施：对于一些特殊应用场合，可以采取冷却措施来降低晶振的工作温度，从而减小频率漂移。
负载能力负载能力是晶振的另一个重要参数，它指的是晶振能够驱动的最大负载电容。
晶振内部的谐振器结构会产生振荡信号，这个信号需要通过负载电容来加载，负载能力可以用来描述晶振输出信号的负载能力。
晶振的主要参数有哪些？
目前来说说晶振的标称频率在1 ~ 200 MHz之间，如3.2768MHz、8MHz、12MHz、24MHz、125MHz等，这些都是晶振的参数。
对于更高的输出频率，通常使用PLL将低频倍频至1GHz以上，这些都是常见的晶振参数的，当然对于详细的参数，建议大家可以直接询问我们客服，我们可以根据用户的需求进行推荐或定制适合您的参数，因为现在晶振的参数有很多种哦。
参数一：精度要求SMD 晶振的最高精度通常是10PPM，这是相当常见的。
特殊精度要求需要订单。
其次依次分布15ppm、20ppm、25ppm、30ppm、50ppm 的等级。
插件晶振以气缸晶振为例。
5ppm是钢瓶晶振的最高精度，其次是10ppm、20ppm和30ppm。
参数二：负载电容负载电容有时候是一个很重要的参数。
如果晶振的负载电容与晶振外接两端连接的电容参数匹配不正确，容易造成频率偏移、精度误差等。
这将导致产品无法满足最终精度要求。
当然也有厂家对负载电容的参数要求不是特别严格。
那么我们来说一个音叉晶体。
常见的负载电容有6PF、7PF、9PF、12.5PF；20PF和12PF是MHZ 晶振中最常见的负载电容，其次是8PF、9PF、15PF和18PF。
负载电容CL是电路中晶体两端的总有效电容，不是晶振外部匹配电容，主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻，并与晶体一起决定振荡器电路的工作频率。
通过调整负载电容，振荡器的工作频率可以微调到标称值。
参数三：频率单位通常分为KHZ和MHZ。
对于有源晶振和无源晶振，32.768既有KHZ 单位，也有MHZ单位，所以频率单位必须标准明确。
标称频率(正常频率)标准频率，如8MHz、26MHz、32.768KHz等。
参数四：温度频率差表示特定温度范围内工作频率与参考温度的允许偏差，单位为ppm。
值越小，精确度越高。
1MHz是晶振，1 PPM是1Hz的偏差。
负载电容CL负载电容是指晶振正常振荡所需的电容。
为了使晶体正常工作，需要在晶体两端连接外部电容，以匹配晶体的负载电容。
晶振主要参数
晶振主要参数
晶振是一种电子元件，它是一种能够产生稳定的高频振荡信号的元件。
晶振主要参数包括频率、精度、稳定性、温度系数、负载能力等。
频率是晶振最基本的参数，它决定了晶振的工作频率。
晶振的频率通常以MHz为单位，常见的频率有4MHz、8MHz、12MHz等。
频率越高，晶振的工作速度就越快，但是也会带来更高的功耗和噪声。
精度是指晶振输出频率与标称频率之间的偏差。
精度越高，晶振输出的频率就越接近标称频率，误差就越小。
常见的精度有±10ppm、±20ppm等。
ppm是百万分之一的意思，即误差占标称频率的百万分之一。
稳定性是指晶振输出频率在长时间内的稳定性。
稳定性越好，晶振输出的频率就越稳定，不会因为环境温度、电压等因素的变化而产生明显的波动。
常见的稳定性有±50ppm、±100ppm等。
温度系数是指晶振输出频率随温度变化的程度。
温度系数越小，晶振输出的频率就越不受温度影响，稳定性也就越好。
常见的温度系数有±10ppm/℃、±20ppm/℃等。
负载能力是指晶振输出信号能够驱动的负载电容大小。
负载能力越大，晶振输出的信号就能够驱动更大的负载电容，适用范围也就更
广。
常见的负载能力有10pF、15pF等。
晶振主要参数是决定晶振性能的关键因素，不同的应用场景需要选择不同的晶振参数，以满足不同的需求。
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ndk晶振参数
NDK晶振参数
一、引言
随着技术的不断发展，晶振作为电子产品中常见的元器件，其参数对于设备的性能和稳定性起着至关重要的作用。
本文将围绕NDK 晶振参数展开讨论，旨在深入了解晶振参数的含义、作用及其选择的注意事项。
二、晶振参数的含义及作用
1. 频率：晶振的频率是指晶体振荡器在单位时间内震荡的次数，单位为赫兹(Hz)。
频率决定了设备的时钟速度和数据传输速率，对于各类电子设备的正常运行至关重要。
2. 精度：晶振的精度是指晶体振荡器的频率和标称频率之间的偏差，通常以±ppm（百万分之几）为单位。
精度越高，设备的计时准确性越高，对于精密仪器和通信设备尤为重要。
3. 器件尺寸：晶振的尺寸直接影响到设备的体积和布局，对于空间受限的应用场景，需要选择尺寸较小的晶振。
4. 工作温度范围：晶振的工作温度范围是指晶振器在正常工作条件下能够保持稳定的温度范围。
不同的应用场景对工作温度范围有不同的要求，因此选择合适的工作温度范围对于设备的可靠性至关重要。
5. 电源电压：晶振的电源电压是指晶振器正常工作所需的电压范围。
不同的设备对电源电压有不同的要求，选择合适的电源电压可以确保设备的正常运行。
6. 电流消耗：晶振的电流消耗是指晶振器在工作状态下消耗的电流。
电流消耗越低，设备的功耗越低，有助于延长电池使用寿命和提高设备的能效。
7. 驱动能力：晶振的驱动能力是指晶振器输出的信号能够驱动的负载电容。
驱动能力越好，晶振器输出的信号质量越好，对于通信设备和数字电路尤为重要。
8. 相位噪声：晶振的相位噪声是指晶振器输出信号的相位稳定性，通常以dBc/Hz为单位。
相位噪声越低，设备的抗干扰能力越强，对于无线通信设备和高精度测量仪器尤为重要。
三、晶振参数的选择注意事项
1. 根据应用需求选择合适的频率，确保设备的正常运行。
2. 对于对时钟精度要求较高的应用，选择精度较高的晶振。
3. 根据设备的空间布局选择适合尺寸的晶振。
4. 对于工作温度范围较广的应用，选择工作温度范围广泛的晶振。
5. 根据设备的电源电压要求选择合适的电源电压。
6. 对于功耗敏感的应用，选择低功耗的晶振。
7. 根据设备的驱动需求选择驱动能力较好的晶振。
8. 对于抗干扰能力要求较高的应用，选择相位噪声较低的晶振。
四、总结
本文围绕NDK晶振参数展开讨论，介绍了晶振参数的含义、作用以及选择的注意事项。
了解晶振参数对于设备的性能和稳定性至关重要，合理选择晶振参数可以确保设备的正常运行和高效工作。
在实际应用中，需要根据具体需求综合考虑各个参数，并选择合适的晶振，以满足设备的要求。
希望本文能够对读者在选择和应用晶振参数时提供一定的参考和帮助。