mos管雪崩击穿原理
MOS管被击穿的原因及解决方案(全)
MOS管被击穿的原因及解决方案（转）而MOS管被击穿的原因及解决方案如下：第一、MOS管本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。
虽然ＭＯＳ输入端有抗静电的保护措施，但仍需小心对待，在存储和运输中最好用金属容器或者导电材料包装，不要放在易产生静电高压的化工材料或化纤织物中。
组装、调试时，工具、仪表、工作台等均应良好接地。
要防止操作人员的静电干扰造成的损坏，如不宜穿尼龙、化纤衣服，手或工具在接触集成块前最好先接一下地。
对器件引线矫直弯曲或人工焊接时，使用的设备必须良好接地。
第二、ＭＯＳ电路输入端的保护二极管，其导通时电流容限一般为１ｍＡ在可能出现过大瞬态输入电流（超过１０ｍＡ）时，应串接输入保护电阻。
而129#在初期设计时没有加入保护电阻，所以这也是MOS管可能击穿的原因，而通过更换一个内部有保护电阻的MOS管应可防止此种失效的发生。
还有由于保护电路吸收的瞬间能量有限，太大的瞬间信号和过高的静电电压将使保护电路失去作用。
所以焊接时电烙铁必须可靠接地，以防漏电击穿器件输入端，一般使用时，可断电后利用电烙铁的余热进行焊接，并先焊其接地管脚。
附录：静电的基本物理特征为：有吸引或排斥的力量；有电场存在，与大地有电位差；会产生放电电流。
这三种情形会对电子元件造成以下影响：1.元件吸附灰尘，改变线路间的阻抗，影响元件的功能和寿命。
2.因电场或电流破坏元件绝缘层和导体，使元件不能工作（完全破坏）。
3.因瞬间的电场软击穿或电流产生过热，使元件受伤，虽然仍能工作，但是寿命受损。
上述这三种情况中，如果元件完全破坏，必能在生产及品质测试中被察觉而排除，影响较少。
如果元件轻微受损，在正常测试中不易被发现，在这种情形下，常会因经过多次加工，甚至已在使用时，才被发现破坏，不但检查不易，而且损失亦难以预测。
静电对电子元件产生的危害不亚于严重火灾和爆炸事故的损失电子元件及产品在什么情况下会遭受静电破坏呢？可以这么说：电子产品从生产到使用的全过程都遭受静电破坏的威胁。
雪崩击穿原理
雪崩击穿原理雪崩击穿是指在缓存系统中，由于某个热点数据失效或者过期，导致大量请求同时访问数据库，从而造成数据库瞬间压力过大，甚至导致数据库崩溃的现象。
这一现象往往发生在高并发访问下，对于一些重要的数据，如用户信息、商品信息等，一旦发生雪崩击穿，将会给系统带来严重的影响。
雪崩击穿的原理可以简单概括为以下几个步骤：1. 缓存失效：由于缓存中的某个热点数据失效或者过期，导致后续请求无法从缓存中获取到数据，只能去访问数据库。
2. 并发访问：当缓存失效后，大量的请求同时访问数据库，这些请求会同时去查询数据库中的数据。
3. 数据库压力：由于并发访问的请求数量过大，数据库会瞬间承受巨大的压力。
如果数据库的处理能力无法满足这一突发的访问量，就会导致数据库响应变慢甚至崩溃。
雪崩击穿的原理看似简单，但是对于系统的影响却是非常严重的。
当系统中的热点数据失效后，大量的请求会直接访问数据库，这将会导致数据库的负载急剧上升。
如果数据库的处理能力不足以应对这一突发的访问量，就会造成请求的响应时间过长甚至超时，最终导致用户无法正常使用系统。
为了避免雪崩击穿的发生，我们可以采取一些措施：1. 设置合理的缓存过期时间：合理设置缓存的过期时间，避免缓存中的热点数据同时失效，减少数据库压力。
2. 使用分布式锁：在缓存失效时，通过使用分布式锁的方式，只允许一个请求去查询数据库并将查询结果存入缓存，其他请求则等待该请求的结果。
这样可以避免大量请求同时访问数据库。
3. 异步更新缓存：当缓存中的数据过期时，可以通过异步的方式去更新缓存，避免请求直接访问数据库。
4. 数据预热：在系统启动时，可以预先加载热点数据到缓存中，避免热点数据失效后的大量请求直接访问数据库。
雪崩击穿是一种缓存系统中常见的问题，对系统的影响十分严重。
为了避免雪崩击穿的发生，我们可以通过合理设置缓存过期时间、使用分布式锁、异步更新缓存以及数据预热等方式来减轻数据库的压力，保证系统的稳定性和可用性。
MOS管击穿的原因与解决方案
MOS 管击穿的原因及解决方案MOS管被击穿的原因及解决方案如下：第一、 MOS 管本身的输入电阻很高，而栅- 源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C ），将管子损坏。
虽然ＭＯＳ输入端有抗静电的保护措施，但仍需小心对待，在存储和运输中最好用金属容器或者导电材料包装，不要放在易产生静电高压的化工材料或化纤织物中。
组装、调试时，工具、仪表、工作台等均应良好接地。
要防止操作人员的静电干扰造成的损坏，如不宜穿尼龙、化纤衣服，手或工具在接触集成块前最好先接一下地。
对器件引线矫直弯曲或人工焊接时，使用的设备必须良好接地。
第二、ＭＯＳ电路输入端的保护二极管，其导通时电流容限一般为１ｍＡ在可能出现过大瞬态输入电流（超过１０ｍＡ）时，应串接输入保护电阻。
而129# 在初期设计时没有加入保护电阻，所以这也是MOS 管可能击穿的原因，而通过更换一个内部有保护电阻的MOS管应可防止此种失效的发生。
还有由于保护电路吸收的瞬间能量有限，太大的瞬间信号和过高的静电电压将使保护电路失去作用。
所以焊接时电烙铁必须可靠接地，以防漏电击穿器件输入端，一般使用时，可断电后利用电烙铁的余热进行焊接，并先焊其接地管脚。
附录：静电的基本物理特征为：有吸引或排斥的力量；有电场存在，与大地有电位差；会产生放电电流。
这三种情形会对电子元件造成以下影响：1.元件吸附灰尘，改变线路间的阻抗，影响元件的功能和寿命。
2.因电场或电流破坏元件绝缘层和导体，使元件不能工作（完全破坏）。
3.因瞬间的电场软击穿或电流产生过热，使元件受伤，虽然仍能工作，但是寿命受损。
上述这三种情况中，如果元件完全破坏，必能在生产及品质测试中被察觉而排除，影响较少。
如果元件轻微受损，在正常测试中不易被发现，在这种情形下，常会因经过多次加工，甚至已在使用时，才被发现破坏，不但检查不易，而且损失亦难以预测。
静电对电子元件产生的危害不亚于严重火灾和爆炸事故的损失电子元件及产品在什么情况下会遭受静电破坏呢？可以这么说：电子产品从生产到使用的全过程都遭受静电破坏的威胁。
MOS管击穿的原因与解决方案
MOS 管击穿的原因及解决方案MOS管被击穿的原因及解决方案如下：第一、 MOS 管本身的输入电阻很高，而栅- 源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C ），将管子损坏。
虽然ＭＯＳ输入端有抗静电的保护措施，但仍需小心对待，在存储和运输中最好用金属容器或者导电材料包装，不要放在易产生静电高压的化工材料或化纤织物中。
组装、调试时，工具、仪表、工作台等均应良好接地。
要防止操作人员的静电干扰造成的损坏，如不宜穿尼龙、化纤衣服，手或工具在接触集成块前最好先接一下地。
对器件引线矫直弯曲或人工焊接时，使用的设备必须良好接地。
第二、ＭＯＳ电路输入端的保护二极管，其导通时电流容限一般为１ｍＡ在可能出现过大瞬态输入电流（超过１０ｍＡ）时，应串接输入保护电阻。
而129# 在初期设计时没有加入保护电阻，所以这也是MOS 管可能击穿的原因，而通过更换一个内部有保护电阻的MOS管应可防止此种失效的发生。
还有由于保护电路吸收的瞬间能量有限，太大的瞬间信号和过高的静电电压将使保护电路失去作用。
所以焊接时电烙铁必须可靠接地，以防漏电击穿器件输入端，一般使用时，可断电后利用电烙铁的余热进行焊接，并先焊其接地管脚。
附录：静电的基本物理特征为：有吸引或排斥的力量；有电场存在，与大地有电位差；会产生放电电流。
这三种情形会对电子元件造成以下影响：1.元件吸附灰尘，改变线路间的阻抗，影响元件的功能和寿命。
2.因电场或电流破坏元件绝缘层和导体，使元件不能工作（完全破坏）。
3.因瞬间的电场软击穿或电流产生过热，使元件受伤，虽然仍能工作，但是寿命受损。
上述这三种情况中，如果元件完全破坏，必能在生产及品质测试中被察觉而排除，影响较少。
如果元件轻微受损，在正常测试中不易被发现，在这种情形下，常会因经过多次加工，甚至已在使用时，才被发现破坏，不但检查不易，而且损失亦难以预测。
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MOS管击穿的原因
MOS管被击穿的原因及解决方案如下：第一、MOS管本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。
虽然ＭＯＳ输入端有抗静电的保护措施，但仍需小心对待，在存储和运输中最好用金属容器或者导电材料包装，不要放在易产生静电高压的化工材料或化纤织物中。
组装、调试时，工具、仪表、工作台等均应良好接地。
要防止操作人员的静电干扰造成的损坏，如不宜穿尼龙、化纤衣服，手或工具在接触集成块前最好先接一下地。
对器件引线矫直弯曲或人工焊接时，使用的设备必须良好接地。
第二、ＭＯＳ电路输入端的保护二极管，其导通时电流容限一般为１ｍＡ在可能出现过大瞬态输入电流（超过１０ｍＡ）时，应串接输入保护电阻。
而129#在初期设计时没有加入保护电阻，所以这也是MOS管可能击穿的原因，而通过更换一个内部有保护电阻的MOS管应可防止此种失效的发生。
还有由于保护电路吸收的瞬间能量有限，太大的瞬间信号和过高的静电电压将使保护电路失去作用。
所以焊接时电烙铁必须可靠接地，以防漏电击穿器件输入端，一般使用时，可断电后利用电烙铁的余热进行焊接，并先焊其接地管脚。
静电的基本物理特征为：有吸引或排斥的力量；有电场存在，与大地有电位差；会产生放电电流。
这三种情形会对电子元件造成以下影响：1.元件吸附灰尘，改变线路间的阻抗，影响元件的功能和寿命。
2.因电场或电流破坏元件绝缘层和导体，使元件不能工作（完全破坏）。
上述这三种情况中，如果元件完全破坏，必能在生产及品质测试中被察觉而排除，影响较少。
如果元件轻微受损，在正常测试中不易被发现，在这种情形下，常会因经过多次加工，甚至已在使用时，才被发现破坏，不但检查不易，而且损失亦难以预测。
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mos管雪崩击穿分析
功率MOSFET雪崩击穿问题分析2008-10-29 10:08:00 【文章字体：大中小】推荐收藏打印摘要：分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因，以及MOSFET故障时能量耗散与器件温升的关系。
和传统的双极性晶体管相比，反向偏置时MOSFET雪崩击穿过程不存在“热点”的作用，而电气量变化却十分复杂。
寄生器件在MOSFET的雪崩击穿中起着决定性的作用，寄生晶体管的激活导通是其雪崩击穿的主要原因。
在MOSFET 发生雪崩击穿时，器件内部能量的耗散会使器件温度急剧升高。
关键词：双极性晶体管；功率MOSFET；雪崩击穿；寄生晶体管；能量耗散1 引言功率MOSFET在电力电子设备中应用十分广泛，因其故障而引起的电子设备损坏也比较常见。
分析研究功率MOSFET故障的原因、后果，对于MOSFET的进一步推广应用具有重要意义。
在正向偏置工作时，由于功率MOSFET是多数载流子导电，通常被看成是不存在二次击穿的器件。
但事实上，当功率MOSFET反向偏置时，受电气量变化（如漏源极电压、电流变化）的作用，功率MOSFET内部载流子容易发生雪崩式倍增，因而发生雪崩击穿现象。
与双极性晶体管的二次击穿不同，MOSFET的雪崩击穿常在高压、大电流时发生，不存在局部热点的作用；其安全工作范围也不受脉冲宽度的影响。
目前，功率器件的故障研究已经从单纯的物理结构分析过渡到了器件建模理论仿真模拟层面。
因此，本文将从理论上推导MOSFET故障时漏极电流的构成，并从微观电子角度对MOSFET雪崩击穿现象作详细分析。
同时，还将对故障时器件的能量、温度变化关系作一定的分析。
2 功率MOSFET雪崩击穿理论分析当MOSFET漏极存在大电流Id，高电压Vd时，器件内电离作用加剧，出现大量的空穴电流，经Rb流入源极，导致寄生三极管基极电势Vb升高，出现所谓的“快回(Snap-back)”现象，即在Vb升高到一定程度时，寄生三极管V2导通，集电极（即漏极）电压快速返回达到晶体管基极开路时的击穿电压（增益很高的晶体管中该值相对较低），从而发生雪崩击穿，(大量的研究和试验表明，Ic,SB很小。
MOS管击穿的原因及解决方案
MOS管击穿的原因及解决方案MOS管被击穿的原因及解决方案如下：第一、MOS管本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。
虽然ＭＯＳ输入端有抗静电的保护措施，但仍需小心对待，在存储和运输中最好用金属容器或者导电材料包装，不要放在易产生静电高压的化工材料或化纤织物中。
组装、调试时，工具、仪表、工作台等均应良好接地。
要防止操作人员的静电干扰造成的损坏，如不宜穿尼龙、化纤衣服，手或工具在接触集成块前最好先接一下地。
对器件引线矫直弯曲或人工焊接时，使用的设备必须良好接地。
第二、ＭＯＳ电路输入端的保护二极管，其导通时电流容限一般为１ｍＡ在可能出现过大瞬态输入电流（超过１０ｍＡ）时，应串接输入保护电阻。
而129#在初期设计时没有加入保护电阻，所以这也是MOS管可能击穿的原因，而通过更换一个内部有保护电阻的MOS管应可防止此种失效的发生。
还有由于保护电路吸收的瞬间能量有限，太大的瞬间信号和过高的静电电压将使保护电路失去作用。
所以焊接时电烙铁必须可靠接地，以防漏电击穿器件输入端，一般使用时，可断电后利用电烙铁的余热进行焊接，并先焊其接地管脚。
附录：静电的基本物理特征为：有吸引或排斥的力量；有电场存在，与大地有电位差；会产生放电电流。
这三种情形会对电子元件造成以下影响：1.元件吸附灰尘，改变线路间的阻抗，影响元件的功能和寿命。
2.因电场或电流破坏元件绝缘层和导体，使元件不能工作（完全破坏）。
3.因瞬间的电场软击穿或电流产生过热，使元件受伤，虽然仍能工作，但是寿命受损。
上述这三种情况中，如果元件完全破坏，必能在生产及品质测试中被察觉而排除，影响较少。
如果元件轻微受损，在正常测试中不易被发现，在这种情形下，常会因经过多次加工，甚至已在使用时，才被发现破坏，不但检查不易，而且损失亦难以预测。
静电对电子元件产生的危害不亚于严重火灾和爆炸事故的损失电子元件及产品在什么情况下会遭受静电破坏呢？可以这么说：电子产品从生产到使用的全过程都遭受静电破坏的威胁。
MOS管击穿的原因及解决方案
MOS管击穿的原因及解决方案MOS管被击穿的原因及解决方案如下:第一、MOS管本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C）,将管子损坏。
虽然ＭＯＳ输入端有抗静电的保护措施,但仍需小心对待，在存储和运输中最好用金属容器或者导电材料包装，不要放在易产生静电高压的化工材料或化纤织物中。
组装、调试时，工具、仪表、工作台等均应良好接地。
要防止操作人员的静电干扰造成的损坏，如不宜穿尼龙、化纤衣服，手或工具在接触集成块前最好先接一下地。
对器件引线矫直弯曲或人工焊接时,使用的设备必须良好接地.第二、ＭＯＳ电路输入端的保护二极管，其导通时电流容限一般为１ｍＡ在可能出现过大瞬态输入电流（超过１０ｍＡ）时，应串接输入保护电阻。
而129#在初期设计时没有加入保护电阻,所以这也是MOS管可能击穿的原因，而通过更换一个内部有保护电阻的MOS管应可防止此种失效的发生.还有由于保护电路吸收的瞬间能量有限,太大的瞬间信号和过高的静电电压将使保护电路失去作用。
所以焊接时电烙铁必须可靠接地,以防漏电击穿器件输入端,一般使用时，可断电后利用电烙铁的余热进行焊接,并先焊其接地管脚.附录：静电的基本物理特征为：有吸引或排斥的力量；有电场存在，与大地有电位差;会产生放电电流。
这三种情形会对电子元件造成以下影响：1。
元件吸附灰尘，改变线路间的阻抗,影响元件的功能和寿命。
2.因电场或电流破坏元件绝缘层和导体，使元件不能工作(完全破坏)。
3.因瞬间的电场软击穿或电流产生过热，使元件受伤，虽然仍能工作，但是寿命受损。
上述这三种情况中，如果元件完全破坏，必能在生产及品质测试中被察觉而排除，影响较少。
如果元件轻微受损，在正常测试中不易被发现,在这种情形下，常会因经过多次加工,甚至已在使用时，才被发现破坏，不但检查不易,而且损失亦难以预测。
静电对电子元件产生的危害不亚于严重火灾和爆炸事故的损失电子元件及产品在什么情况下会遭受静电破坏呢?可以这么说：电子产品从生产到使用的全过程都遭受静电破坏的威胁。
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mos管雪崩击穿原理
mos管雪崩击穿原理是指当MOS管的栅-源结或栅-漏结处的
电场强度达到一定值时，会发生电子与正空穴的雪崩击穿现象，导致结内的载流子数量急剧增加，电流急剧增大，从而对
MOS管造成损坏。
MOS管是由栅极、漏极和源极组成的一种半导体器件。
当MOS管处于开启状态时，栅极施加的电压控制了漏极-源极之
间的电流流动，而栅极-漏极或栅极-源极之间的结负责控制器
件的操作。
在正常操作中，当栅极施加的电压较低时，MOS管的结处形
成了一个屏障，阻碍了电流的流动，器件处于断开状态。
当栅极施加的电压增大到一定程度时，电场强度也会增大，电子与正空穴之间的碰撞增多，加速电子能量增大，导致一部分电子获得了足够的能量突破屏障，电流开始通过。
这个过程叫做击穿。
当电场强度进一步增大时，电子与正空穴之间的碰撞会更加频繁，足够多的电子通过击穿屏障，导致电流急剧增大，这种情况叫做雪崩击穿。
雪崩击穿会对MOS管造成瞬间的过电流，
导致电压超过器件的耐压能力，可能造成器件损坏。
因此，保证MOS管在正常工作范围内，避免电压超过耐压能力，是防止雪崩击穿的重要措施。