雪崩测试【参考模板】
MOSFET雪崩特性及电源案例解析
506
69
VDD=90V, Tc=25Deg, L=7.4mH, RG=25Ω, IAR=11A
VDD=90V, Tc=25Deg, L=0.84mH, RG=25Ω, IAR=12A
TK12A60W 3
180
VDD=90V, Tc=25Deg, L=34.9mH, RG=25Ω, IAR=3.0A
不同类型MOSFET雪崩参数比较
AOT11S60
雪崩电流 IAR
2
多次雪崩能
60
量EAR mJ
单次雪崩能
120
量EAS mJ
单次雪崩测 试条件
VDD=150V, Tc=25Deg, L=60mH, RG=25Ω,
IAR=2A
FCP11N60N
3.7 0.94
201.7
Tc=25Deg, L=29.5mH, RG=25Ω, IAR=3.7A
单次雪崩
重复雪崩
2
MOSFET雪崩能力
雪崩能力
雪崩电流 IAS，IAR
寄生BJT导通，MOSFET 趋 于开通。
雪崩能量 EAS，EAR
MOSFET局部元胞过热损 坏。
MOSFET DIE雪崩损坏
• Source CT bottom burn out
抗雪崩能力测试电路
TJM–TC = PDM*ZθJC (t)
Surge Case 2
Vac=230V，浪涌电压=600V
LSD07N65-1运行波形 通道1: MOS 漏源电压(黄色, 200V/div); 通道2: 电源母线电压(绿色, 200V/div); 通道3:: MOS 漏源电流(黄色, 5A/div); 时间: 10μs/div Idmax=8.3A
MOSFET的UIS及雪崩能量解析
MOSFET 的UIS 及雪崩能量解析及雪崩能量解析 在功率的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS ，雪崩电流IAR ，重复脉冲雪崩能量EAR 等参数，而许多电子工程师在设计电源系统的过程中，很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系，如何在实际的应用中评定这些参数对其的影响，以及在哪些应用条件下需要考虑这些参数。
本文将论述这些问题，同时探讨功率MOSFET 在非钳位感性开关条件下的工作状态。
EAS ，IAR 和EAR 的定义及测量MOSFET 的雪崩能量与器件的热性能和工作状态相关 在功率的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS，雪崩电流IAR，重复脉冲雪崩能量EAR 等参数，而许多电子工程师在设计电源系统的过程中，很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系，如何在实际的应用中评定这些参数对其的影响，以及在哪些应用条件下需要考虑这些参数。
本文将论述这些问题，同时探讨功率MOSFET 在非钳位感性开关条件下的工作状态。
EAS EAS，，IAR 和EAR 的定义及测量的定义及测量 MOSFET 的雪崩能量与器件的热性能和工作状态相关，其最终的表现就是温度的上升，而温度上升与功率水平和硅片封装的热性能相关。
功率半导体对快速功率脉冲（时间为100～200μs）的热响应可以由式1说明：(1)其中，A 是硅片面积，K 常数与硅片的热性能相关。
由式(1)得：(2)其中，tav 是脉冲时间。
当长时间在低电流下测量雪崩能量时，消耗的功率将使器件的温度升高，器件的失效电流由其达到的峰值温度所决定。
如果器件足够牢靠，温度不超过最高的允许结温，就可以维持测量。
在此过程内，结温通常从25℃增加到TJMAX，外部环境温度恒定为25℃，电流通常设定在ID 的60%。
雪崩电压VAV 大约为1.3倍器件额定电压。
雪崩能量通常在非钳位感性开关UIS 条件下测量。
其中，有两个值EAS 和EAR，EAS 为单脉冲雪崩能量，定义了单次雪崩状态下器件能够消耗的最大能量；EAR 为重复脉冲雪崩能量。
雪崩测试机简述-2009[1].6.9
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佛山市联动科号 1 2 3 4 5 6 模 块 VD信号源 VG信号源 规 格
±40V/50AADC分辨率：16bit 可编程脉冲发生模块（±15V，最大脉 宽：100ms，DAC分辨率：16Bit） 固定，coil：500uH，Load board 电平：5V/12V可选128 Bin, START,EOT, Active Signal：高/低电平触发 DELL电脑
测试功能： 测试功能：EAS
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可编程Handler接口信号 可编程Handler接口信号 Handler
性能：BVdss：+/-2000V， 性能：BVdss：+/-2000V， ID：+/ID：+/-50A 检测能力
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可编程VG脉宽调节 可编程VG脉宽调节 VG 分辨率：1us） （分辨率：1us）
HeadBox
Handler
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佛山市联动科技实业有限公司
雪崩测试-原理图
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雪崩测试-测试波形
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电压电流检测 BVDSS：2000V，ID：50A 测试盒 Handler接口 控制系统
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雪崩测试-系统框图
VD Source 控制器 PC VG/IB DETECTOR HD I/F 电源
VD,VG,IDT,VDT
雪崩测试机简述
佛山市联动科技实业有限公司
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雪崩测试-特征
单脉冲电子雪崩击穿效应 模拟测试（无损测试） 模拟测试（ 无损测试）
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易于操作和维护
雪崩管选择和使用注意事项
雪崩整流二极管的选择与使用一、雪崩整流二极管额定正向平均电流I F(A V)的选择：一般来讲雪崩整流二极管额定正向平均电流I F(A V)是交流发电机额定输出电流I0的0.4至0.5倍，即：I F(A V)=(0.4～0.5)×I0---------------------------------------(1)这样选择的先决条件是雪崩整流二极管的外壳温度T C低于170℃。
图1、交流发电机应用电原理图图2、交流发电机三相整流电压、电流波形图二、雪崩击穿电压V(BR)的选择交流发电机所用雪崩二极管的雪崩击穿电压选择要根据其作用耒选择，它的主要目的是当产生故障时，在抛负载时雪崩管要能吸收故障电压，保护调节器不受损伤、在调节器失控时雪崩管要击穿使交流发电机不发电，起到保险丝作用，保护车内ECU不受损伤，把恶性事故化成一般故障。
汽车上ECU本身它在输入端接了一个MR2535L雪崩二极管，它选用的击穿电压是27—32V(对14V系统讲)，所以它要求发电机所用的雪崩二极管的雪崩击穿电压小于27V，原配套的发电机所选用的雪崩击穿电压为20—24V，这一点希望大家注意。
三、反向重复峰值浪涌电流I RSM的选择从图1、图2中我们可以看到在任一时刻三相整流桥中只有一对桥臂中有电流，即只有两根相线中有电流通过，通过的电流波形是带馒头形的近似矩形波电流。
为了估算方便我们把它看成一个矩形波电流，峰值电流为发电机输出电流I0 。
如果我们假设每相线圈的电感为L、直流电阻为零，此时发电机绕组具有能量为2I0L2，绕组具有的能量与抛负载后产生的峰值电压与抛负载时的电流成正比、与发电机绕组电感的平方成正比。
L值的大小决定抛负载后雪崩击穿的持续时间。
××××图3、抛负载后能量泄放示意图我们为了估算方便，假设抛负载前后发电机的输出功率不变，抛负载前发电机输出电压为V R0、电流为I0，则输出功率为V R0×I0。
APD光电二极管综合实验
APD光电二极管综合实验仪GCAPD-B实验指导书武汉光驰科技WUHAN GUANGCHI TECHNOLOGY CO.,LTD目录第一章 APD光电二极管综合实验仪说明 ................ - 3 -一、电子电路部份结构散布........................ - 3 -二、光通路组件 ................................. - 4 - 第二章 APD光电二极管特性测试.................... - 5 -一、APD光电二极管暗电流测试.................... - 7 -二、APD光电二极管光电流测试.................... - 8 -3、APD光电二极管伏安特性....................... - 8 -4、APD光电二极管雪崩电压测试 ................... - 9 -五、APD光电二极管光照特性...................... - 9 -六、APD光电二极管时刻响应特性测试 ............. - 10 -7、APD光电二极管光谱特性测试 .................. - 10 -第一章 APD光电二极管综合实验仪说明一、产品介绍雪崩光电二极管的特点是高速响应性和放大功能。
雪崩光电二极管(APD)的基片材料可采纳硅和锗等材料。
其结构是在n型基片上制作p层，然后在配置上p+层。
一样上部的电极制作成环状，这是考虑到能取得稳固的“雪崩”效应。
外来的光线通过薄的p+层，然后被p层吸收，从而产生了电子和空穴。
由于在p层上存在着105V/cm的电场，因此位于价带的电子被冲击离子化后，产生雪崩倍增效应，电子和空穴不断产生。
这种元件能够用作范围的光纤通信的受光装置和光磁盘的受光期间还，能够有效地处置微弱光线的问题，当量子效率为68%以上时，可取得大于300MH z的高速响应。
模块测试报告模板
模块测试报告模板篇一：测试报告模版测试报告项目：工业智能与供应链编写：张华文档版本目录1. 简介 ................................................ . (4)编写目的................................................. ................................................... ................ 4 参考资料................................................. ................................................... ................ 4 术语定义................................................. ................................................................... 4 项目背景................................................. ................................................... ................ 4 测试环境................................................. ................................................... ................ 4 测试人员安排情况 ................................................ ....................................................5 测试时间................................................. ................................................... ................ 5 测试版本信息 ................................................ ................................................... .........6 测试案例分布情况 ................................................ ....................................................6 测试案例执行情况 ................................................ ....................................................6 测试结果汇总 ................................................ ................................................... ......... 7 测试缺陷状态分析 ................................................ ....................................................8 测试结果分析 ................................................ ................................................... ......... 9 重要缺陷摘要 ................................................ ................................................... ....... 11 残留缺陷与未解决问题 ................................................ .......................................... 11 测试结论................................................. ................................................... .............. 12 建议 ................................................ ................................................... . (12)2. 测试背景 ................................................ (4)3. 测试计划进度执行情况 ................................................ (5)4. 测试执行阶段情况报告 ................................................ (6)5. 缺陷的统计与分析 ................................................ . (7)6. 测试结论和建议 ................................................ .. (12)1. 简介编写目的本测试报告为XXX项目的测试报告，目的在于总结测试阶段的测试以及分析测试结果，描述系统是否符合需求（或达到XXX功能目标）。
MOSFET雪崩测试及失效模式分析
MOSFET雪崩测试及失效模式分析摘要：本文介绍了功率MOSFET及雪崩测试的基本概念，并对雪崩测试后产生的失效样品进行了研究分析，从而得出封装过程及晶圆设计缺陷均能引起器件雪崩失效。
关键词： MOSFET 雪崩测试失效分析1. 功率MOSFE简介金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。
依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。
功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称功率MOSFET。
2. 雪崩测试原理雪崩能量通常在非钳位感性开关UIS条件下测量。
其中，有两个值EAS和EAR，EAS为单脉冲雪崩能量，定义了单次雪崩状态下器件能够消耗的最大能量;EAR为重复脉冲雪崩能量。
雪崩能量依赖于电感值和起始的电流值。
实际封装测试时只测试EAS。
EAS 特性通常用来描述功率MOSFET在非钳制电感电路中能够承受电流大小的能力，或通常用来描述功率MOSFET在雪崩击穿下负载能量的能力。
EAS特性好坏会直接影响到器件的安全工作区及寿命，因此对于功率MOSFET而言，EAS特性被认为是器件安全性的重要指标。
图2 EAS测试原理图及波形3. 失效分析EAS测试是通过施加一单脉冲能量来考核MOSFET产品的承受能力, 用以剔除芯片本身存在的潜在缺陷或装配过程中造成轻微损伤的不良品, 从而使产品在使用前得到有效的筛选, 能够更可靠的工作。
EAS测试的不良品通常表现为栅极漏电流ISGS超标或短路。
现代汉语,章节测试第四章 词汇
第四章词汇一.单项选择题1.“老生常读”中的“老”是（）。
A.实语素，音节B.虚语素，音节C.词，音节D.音节【解析】A “老生常读”中的“老”是实语素，也是音节。
2.“放牧“一词的复合方式属于（）。
A.联合式B.偏正式C.动宾式D.补充式【解析】A 本题考查联合式的复合方式，联合式复合词由两个意义相同、相近、相关或相反的词根并列组成。
本题“放牧”符合联合式复合词的这一概念。
3.下面词例中都为重叠式合成词的一组是（）。
A.刚刚，漫漫，仅仅，偏偏B.匆匆，偏偏，潺潺，灿灿C.纷纷，淡漫，灿灿，起起D.刚刚，姐姐，仅仅，偏偏【解析】D 本题考查重叠式合成词，重叠式由同一个语素前后重叠而成。
这种合成词有的是名词，例如：姐姐、爸爸、妈妈、星星等。
也有些是副词，例如：常常、刚刚、偏偏、渐渐、仅仅等。
4.复合词“海洋，飞跑，傍晚，书本”的结构关系分别是（）。
A.偏正、动宾、补充、联合B.联合、偏正、动宾、补充C.联合、补充、偏正、主谓D.偏正、动宾、联合、补充【解析】B 本题考查复合词的结构，复合词“海洋，飞跑，傍晚，书本”关系分别是联合、偏正、动宾、补充的结构。
5.下面在普通话中其有同音词关系的是（）。
A.因为——音位B.依——医C.是——事儿D.公式——攻势【解析】D 本题考查同音词，同音词是语音形式相同而意义完全不同的词，也称为同音异义词。
本题“公式——攻势”是有其同音词的关系。
6.下列各组词中，都是两极关系反义词的一组是（）。
A.生—死；正确—错误B.动一静；朋友—敌人C.大一小；先进—落后D.高—低；出席—缺席【解析】A 本题考查反义词，词的理性意义相反相对的词叫反义词。
本题属于两极关系反义词的是A答案。
7.对下列词语解释得不切当的是（）。
A.首当其冲—最先受到攻击或遭遇灾难。
B.庸人自扰—本来无事，自己惹出麻烦来干着急。
C.少不更事—年纪轻，经历的事不多，缺乏经验。
D.水落石山—水退了，石头露出来了。
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功率MOSFET雪崩电流及重复雪崩能量有些功率MOSFET的数据表中列出了重复雪崩电流IAR和重复雪崩能量EAR，同时标注了测量条件，通常有起始温度25C，最高结温150C或者175C，以及电感值、脉冲宽度和脉冲频率，这些测量的条件不同，对测量结果的影响非常大。
IAR和EAR的测试电路和单脉冲雪崩电流以及单脉冲雪崩能量一样，中、低功率MOSFET使用去耦测量电路，高压功率MOSFET使用非去耦测量电路，只是在测试过程中使用多个重复的连续脉冲测量，上面为非去耦电路测量的波形，下面为去耦电路测量的波形。
IAR和EAR的测量的条件为：
1、电感值；
2、起始温度，如25C；
2、MOSFET硅片最大的结温，不超过150C或175C。
其它的条件：
1、雪崩电流值：电感值一定，由MOSFET导通的时间决定；
2、重复脉冲间隔的时间，也就是脉冲周期Ts或频率fs。
重复UIS脉冲加到功率MOSFET，它的结温将会有一个平均值的增加, 此平均值基于平均的功耗，同时伴随着每一个脉冲的峰值温度。
当电流密度足够大，峰值的温度足够高，器件将会产生和单脉冲雪崩机理一样的破坏。
没有通用标准来定义重复脉冲的额定值，有二种方法来标定重复脉冲的额定值。
方法1：选择一个电感值，如L=1μH，脉冲占空比0.01，fs=100kHz，增加测量的雪崩电流，直到平均的温度达到TJ=150C或175C来设定电流IAR，或增加电流直到器件破坏发生，然后降额到一定的IAR额定值。
这种方法依赖于测量的电感值和频率。
频率增加，IAR下降；电感变化，IAR也会变化。
方法2：由于功率MOSFET结温受限于TJ=150C或175C，在测试过程中，为了满足这个限制的条件，就要限制雪崩的电流值或测量的频率。
如果减小测量的频率，当频率足够低，以致于器件在每个脉冲后可以回到起始结温TJ=25C，这样重复脉冲和单脉冲的雪崩电流和能
量值就会相同：EAR=EAS，IAR=IAS，也就不用区分EAR和EAS，IAR 和IAS。
在雪崩曲线上更短的持续时间，可以使用时间来计算最大允许的雪崩电流，从平均功耗P和热阻来估计初始的结温TJ。
正因为如此，现在许多公司功率MOSFET的数据表中，不再标示重复雪崩电流和重复雪崩能量，只标示单脉冲雪崩电流和单脉冲雪崩能量。