2019-2020-1-模电期中试卷

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模电试卷题库(含答案)

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1.某个处于放大状态的电路,当输入电压为10mV,输出电压为6.5V,输入电压为15mV时,输出电压为7V(以上均为直流电压),它的电压增益为( C )a、700b、650c、100d、-1002.当输入信号频率为f L或f H时,电压增益的幅值约下降为中频时的( B )a、05.b、0.7c、0.9d、13.当输入信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了( B )。

A、2 dBB、3dBC、4dBD、6dB4.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接3KΩ的负载电阻后输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为( C )a、10KΩb、2KΩc、1 KΩd、0.5KΩ5.用两个AU相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压信号进行放大,测试结果输出电压VOA>VOB,由此可知A比B( B )a、一样b、差c、好d、无法判别6.用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。

当输出端开路时V OA=V OB ,都接入负载R L时,测得V OA<V OB,由此必须A比B(C )a、输入电阻高b、输入电阻小c、输出电阻高d、输出电阻低理想运放7.在线性区内,分析理想运放二输入间的电压时可采用(A )a、虚短b、虚断c、虚地d、以上均否8.如图示,运放A为理想器件,则其输出电压V0为(A )a、0Vb、3Vc、6Vd、9V9.如图示,运放A为理想器件,则其输出电压VO为( C )a、9Vb、6Vc、0Vd、3V10.设V N、V P和V0分别表示反相输入端、同相输入端和输出端,则V0与V N、V P分别成( D )a、同相、同相b、反相、反相c、同相、反相d、反相、同相11.若要将幅度为±Um的矩形波转变为三角波,则应选用( D )A、反相比例运算电路B、同相比例运算电路C、微分运算电路D、积分运算电路半导体12.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的(D )。

河南省洛阳市2019-2020学年高三期中考试物理试题含解析【加15套高考模拟卷】

河南省洛阳市2019-2020学年高三期中考试物理试题含解析【加15套高考模拟卷】

河南省洛阳市2019-2020学年高三期中考试物理试题一、单项选择题:本题共6小题,每小题4分,共24分。

在每小题给出的四个选项中,只有一项是符合题目要求的。

1、如图所示为某一电场中场强E-x 图像,沿x 轴正方向,电场强度为正,则正点电荷从x 1运动到x 2,其电势能的变化是A .一直增大B .先增大再减小C .先减小再增大D .先减小再增大再减小2、长均为L 的两根轻绳,一端共同系住质量为m 的小球,另一端分别固定在等高的A 、B 两点,A 、B 两点间的距离也为L ,重力加速度大小为g 。

今使小球在竖直平面内以A 、B 连线为轴做圆周运动,若小球在最高点速率为v 时,两根绳的拉力恰好均为零,则小球在最高点速率为2v 时,每根绳的拉力大小均为( )A .B .C .D .3、如图所示,在光滑的水平面上放有两个小球A 和B ,其质量A B m m ,B 球上固定一轻质弹簧。

A 球以速率v 去碰撞静止的B 球,则( )A .A 球的最小速率为零B .B 球的最大速率为vC .当弹簧恢复原长时,B 球速率最大D .当弹簧压缩量最大时,两球速率都最小4、2018年12月8日“嫦娥四号”发射升空,它是探月工程计划中第四颗人造探月卫星.已知万有引力常量为G,月球的半径为R,月球表面的重力加速度为g,嫦娥四号绕月球做圆周运动的轨道半径为r,绕月周期为T.则下列说法中正确的是A.“嫦娥四号”绕月运行的速度大小为2 gr RB.月球的第一宇宙速度大小为grC.嫦娥四号绕行的向心加速度大于月球表面的重力加速度gD.月球的平均密度为ρ=323 3r GT R π5、如图所示,一足够长的木板的左端固定,右端的高度可调节。

若开始时一物块A恰好沿木板匀速下滑,下列方法中能使物块A停下的是()A.增大木板的倾角θB.对物块A施加一个竖直向下的力C.对物块A施加一个垂直于木板向下的力D.在物块A上叠放一个重物B(与物块A具有相同的初速度)6、如图所示,一名消防救援队队员手拉长为L、呈水平方向的轻绳从平台上跳下,运动到B点时松开手,恰好落到障碍物后被困人员所在的A点。

模拟电子题期中考试题

模拟电子题期中考试题

《模拟电子技术》期中考试试卷姓 名: 学 号: 专业班级:一、填空题(本题共3小题,每空1分,共10分)⒈ 电路如图所示,设二极管D 为理想二极管,则此时 A 、B 之间的电压U AB = 伏。

⒉ 一共射放大电路及其输出特性曲线如下图所示。

若静态工作点由Q 1移到Q 2位置,则应调整 电阻,如何调 (调大或调小)。

若静态工作点由Q 2移到Q 3位置,则应调整电阻,如何调 (调大或调小)。

假设该电路出现非线性失真,调整R b ,使其阻值变大后,失真消失,则此失真为 失真。

容易产生截至失真的是 ,容易产生饱和失真的是 。

3. PN 结的伏安特性方程 i = ,表明PN 结呈现 导电性。

二、单选题(共20小题,每题1分,共20分) 选择正确答案填入空内,只需填入A 、B 、C … 。

⒈ PN 结加正向电压时,空间电荷区将 。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽⒉ 设二极管的端电压为U ,则二极管的电流方程是 。

A. UI e S B. TU U I eS C . )1e (S -T U U I⒊ 稳压管的稳压区是其工作在 。

A. 正向导通 B .反向截止 C .反向击穿⒋ 当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 。

A. 前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏⒌ 放大电路中三极管的三个电极为U X =-8V ,U Y =-7.3V ,U Z =0V ,如图所示。

则e 、b 、c 三极为 。

⒍ 放大器A u =100,输入电阻为10KΩ,当引入反馈系数F u =0.09的电压串联负反 馈后,电压放大倍数和输入电阻为 。

A. A uf =9,R id =100 KΩB. A uf =10,R id =100 KΩC. A uf =10,R id =90 KΩD. A uf =9, R id =90 KΩ ⒎ 放大器引入电压并联负反馈后可以稳定 。

A. 电压放大倍数B. 互阻放大倍数C. 互导放大倍数 D .电流放大倍数 ⒏ 差动放大器如图所示,则其电压放大倍数为 。

模拟电子期中试卷答案

模拟电子期中试卷答案

1、设简单二极管基本电路如下图,R=10K 欧,V DD =1V ;在每一种情况下利用理想模型、恒压降模型和折线模型(200欧)求解电路的直流电流I D 和直流电压U D 。

解:(1)V DD =1V使用理想模型:MA R V I V V D D D D 110/10/,0====0.1ma使用恒压降模型:MA R V V I V V D D D D D 93.010/)7.010(/)(,7.0=-=-== 0.03ma使用折线模型:69.02.0*931.05.05.0931.0)2.010/()5.010()/()(=+=+==+-=+-=K MA r I V V MA r R V V I d D D D th DD D 0.0490.50098V DV D2、电路如下图所示,晶体管导通时U BE =0.7V ,β=50。

试分析u i 为0V 、1V 、2.7V 三种情况下T 的工作状态及输出电压u O 的值。

解:(1)当V BB =0时,T 截止,u O =12V 。

(2)当V BB =1V 时,因为 60bBEQBB BQ =-=R U V I μAV9mA 3 C CQ CC O BQ CQ =-===R I V u I I β所以T 处于放大状态。

(3)当V BB =2.7V 时,因为 400bB E QBB BQ =-=R U V I μA 图P1.16BEC CQ O BQ CQ mA 20 U R I V u I I CC <-===β 所以T 处于饱和状态。

3、电路如下图所示,晶体管的β=100,已知发射结电阻be r =2.73k Ω。

(1)求电路的交流参数u A (电压放大倍数)、输入电阻Ri 和输出电阻Ro ;(2)若电容Ce 开路,则将引起电路的哪些交流参数发生变化?变化后的交流参数值具体结果是多少?(1)动态分析:分)(∥∥∥2k 5k 7.3])1([7.7)1()(k 73.2mV26)1(c o f be b2b1i fbe L c EQbb'be Ω==Ω≈++=-≈++-=Ω≈++=R R R r R R R R r R R A I r r uββββ(2)R i 增大,R i ≈4.1k Ω;u A 减小,ef 'L R R R A u+-≈ ≈-1.92。

河南省洛阳市2019-2020学年高二上学期期中考试物理试题及答案

河南省洛阳市2019-2020学年高二上学期期中考试物理试题及答案
源与该定值电阻连成闭合电路(已知该电源的内阻 r= 2. ),则下列说法错误的是 A.该定值电阻为 6
B.该电源的电动势为 20V C.将两个这种电阻串联作为外电阻,电源输出功率最大 D.将三个这种电阻并联作为外电阻,电源输出功率最大
1ห้องสมุดไป่ตู้
4.如图所示,在磁感应强度大小为 B0 的匀强磁场中,两长直导线 P 和 Q 垂直于纸面固定放
电路测得的电阻值分别记为和,则下列说法正确的是
A. Rx1 更接近真实阻值 B.Rx2 更接近真实阻值 C. Rx1 大于真实阻值,Rx3 小于真实阻值 D. Rx1 小于真实阻值,Rx2 大于真实阻值 13.如图所示为多用电表欧姆挡的原理图,表头内阻为 Rg,调零电阻的最大阻值为 R0,电池 的电动势为 E,内阻为 r。则下列说法中正确的是 A.它是根据闭合电路欧姆定律制成的
置,两者之间的距离为 l 。在两导线中均通有方向垂直于纸面向里的电流 I 时,纸面内与两 导线距离均为 l 的 a 点处的磁感应强度为零。如果让 P 中的电流反向、其他条件不变,则 a
点处磁感应强度的大小为 A.0
B.
2
3 3
B0
3 C. 3 B0
D. 2B0
5.如图所亦,空间某区域存在匀强电场和勻强磁场,电场方向竖直_向上与纸面平行,磁场 方向垂直于纸面向里,三个带正电的微粒 a、b、c 电荷量相等,质量分别为 ma、 mb、mc。 已知在该区域内,“在纸面内做匀速圆周运动,b 在纸面内向右做匀速直线运动,c 在纸面内 向左做匀速直线运动。下列选项正确的是 A. ma> mb > mc B. mb > ma > mc C. mc > ma > mb D. mc > mb > ma 6.1930 年劳伦斯制成了世界上第一台回旋加速器:其原理如图 1 所示。这台加器由两个铜 质 D 形盒 D1、D2 构成,其间留有空隙。下列说法正确的是 A.粒子从电场中获得能量 B.粒子由加速器的边缘进入加速器 C.加速电场的周期随粒子速度增大而增大. D.粒子从 D 形盒射出时的动能与加速电场的电压有关 7.如图所示,MN 是匀强磁场中的一块薄金属板,带电粒子(不计重力)在匀强磁场中运动 并穿过金属板(粒子速率变小),实线表示其运动轨迹,由图知 A.粒子带正电 B.粒子运动方向是 abcde C.粒子运动方向是 edcba

模电期中考试答案+试卷

模电期中考试答案+试卷

温州大学期中考试试卷A二、选择题(26分)1.当温度升高时,二极管反向饱和电流将 。

[ ]A.减弱B.不变C.增强2.PN 结外加反向电压时,其内电场 [ ]A.减弱B.不变C.增强3.测得BJT 三个管脚1、2、3对地电位分别为0V ,—0.2V ,—3V ,则1、2、3脚对应的三个极是 [ ] A 、ebc B 、ecb C 、cbe D 、bec a4. 某只硅稳压管的稳定电压Vz = 4v ,其两端施加的电压分别为+5v (正向偏置)和-5v (反向偏置)时,稳压管两端的最终电压分别为 。

[ ] A +5v 和-5v B -5v 和+4v C +4v 和-0.7v D +0.7v 和-4v5.在单级放大电路的三种接法中,它们相互比较起来正确的说法是: 。

[ ] A 共发射极电路的A V 最大、R I 最小、R O 最小 B 共集电极电路的A V 最小、R I 最大、R O 最小C 共 基极电路的A V 最小、R I 最小、R O 最大D 共发射极电路的A V 最小、R I 最大、R O 最大 6.场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。

[ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区 7.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。

[ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响8.组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使 。

[ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 9.差动放大电路的主要特点是 。

[ ] A 有效放大差模信号,有力抑制共模信号;B 既放大差模信号,又放大共模信号 C 有效放大共模信号,有力抑制差模信号;D 既抑制差模信号,又抑制共模信号。

10互补输出级采用射极输出方式是为了使 。

[ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小学院-------------------------------------- 班级---------------------------------- 姓名------------------------------------- 学号-------------------------------------C 输出电阻增大D 带负载能力强11.OTL 功放电路的输出端通过耦合电容与负载相联。

模电考试试题10套和答案(打印版)

坑爹的模电试卷编号01………………………………………………………………………………………………………………一、填空(本题共20分,每空1分):1.整流电路的任务是__________;滤波电路的任务是__________。

2.在PN结的形成过程中,载流子的扩散运动是由于__________而产生的,漂移运动是__________作用下产生的。

3.放大器有两种不同性质的失真,分别是__________失真和__________失真。

4.在共射阻容耦合放大电路中,使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响;使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。

5.在交流放大电路中,引入直流负反馈的作用是__________;引入交流负反馈的作用是___________。

6.正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。

7.某多级放大器中各级电压增益为:第一级25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ,放大器的总增益为__________,总的放大倍数为__________。

8.在双端输入、单端输出的差动放大电路中,发射极公共电阻R e对__________信号的放大无影响,对__________信号的放大具有很强的抑制作用。

共模抑制比K CMR为__________之比。

9.某放大电路的对数幅频特性如图1所示,当信号频率恰好为上限频率时,实际的电压增益为__________dB。

图1二、判断(本题共10分,每小题1分,正确的打√,错误的打×):1、()构成各种半导体器件的基础是PN结,它具有单向导电和反向击穿特性。

2、()稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。

3、()在三极管的三种基本组态中,只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。

4、()若放大电路的放大倍数为负值,则引入的一定是负反馈。

模电试题及答案doc

模电试题及答案doc一、单项选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电路中,运算放大器的输入端通常具有什么特性?A. 高输入阻抗B. 低输入阻抗C. 高输出阻抗D. 低输出阻抗答案:A2. 以下哪个不是模拟信号的特点?A. 连续性B. 离散性C. 可模拟性D. 可测量性答案:B3. 晶体管的放大作用是通过什么实现的?A. 电流控制B. 电压控制C. 电阻控制D. 电容控制答案:A4. 在理想运算放大器中,输入端的电压差是多少?A. 0VB. 1VC. 5VD. 10V答案:A5. 模拟信号的频率范围通常是多少?A. 20Hz-20kHzB. 20Hz-20MHzC. 20Hz-200kHzD. 20Hz-2GHz答案:A6. 什么是共模抑制比?A. 差模信号与共模信号的比值B. 差模信号与噪声信号的比值C. 共模信号与差模信号的比值D. 共模信号与噪声信号的比值答案:C7. 模拟电路中,滤波器的作用是什么?A. 放大信号B. 衰减信号C. 过滤信号D. 转换信号答案:C8. 以下哪个元件不是模拟电路的基本元件?A. 电阻B. 电容C. 电感D. 数字逻辑门答案:D9. 模拟电路中的反馈通常分为哪两种类型?A. 正反馈和负反馈B. 直流反馈和交流反馈C. 电压反馈和电流反馈D. 线性反馈和非线性反馈答案:A10. 什么是增益?A. 输出电压与输入电压的比值B. 输出电流与输入电流的比值C. 输入电压与输出电压的比值D. 输入电流与输出电流的比值答案:A二、填空题(每题2分,共20分)1. 运算放大器的输出电压与输入电压的比值称为________。

答案:增益2. 模拟电路中,信号的频率范围通常在________以下。

答案:20kHz3. 在模拟电路中,使用________可以将直流分量与交流分量分离。

答案:电容4. 晶体管的三个主要区域是发射区、基区和________。

答案:集电区5. 理想运算放大器的输入阻抗是________。

模拟电子技术期中考试试题

12预科(2)电子线路期中考试试题考试时间:90分钟班级____________ 姓名____________ 学号_______________一、填空题(每格1分共25分)1.半导体一种导电能力介于与之间的物质。

2.PN结具有_________导电性。

PN结的正向偏置就是在P区加_______偏置电压,N加__________偏置电压。

3.硅二极管的导通压降为________V,死区电压为______V,锗二极管的导通压降为______V,死区电压为______V。

4.三极管工作状态有三种,即______状态,_____状态和_______状态。

要使三极管工作在放大状态,发射结必须加______偏置,集电结加_____偏置,要使信号不失真的放大,三极管应工作于____状态。

5.三极管的三种基本组态是电路、电路、共集电极电路.6.画直流通路时将电容视为,主要用于分析放大器的;画交流通路时,将______________视为短路,将接地、其余不变。

7.用直流电压表测量某放大电路中的一只NPN型晶体三极管,各电极对地电位是:U1=2V,U2=6V,U3=2.7V,可判断管脚:1是_____2是_______,3是________,三极管工作于________状态。

二、选择题(每题2分共20分)( ) 8.用万用表欧姆档测量小功率晶体二极管的好坏时,应把欧姆档拨到A R×100Ω或R×1KΩB R×1Ω档C R×10KΩ( ) 9.当硅晶体二极管加上0.3V正向电压时,该晶体管相当于A小阻值电阻B阻值很大的电阻C内部短路( )10.要使发光二极管发光,必须A 电源正向连接B电源反向连接C正、反向连接都可以( ) 11.晶体三极管工作在饱和状态时,它的集电极电流将()A随I B增加而增加B随I B增加而减少C与I B无关,只决定于R L和R C ( ) 12.当环境温度升高时,晶体二极管的反向电流将( )。

19级机电电子专业——电子技术期中考试试题

专业: 班级: 姓名: 考号: …………………………………………………………………………………………………………………………………………………………… 装 订 线黄岛区高职校2019-2020学年度第一学期期中考试19级《电子技术》试卷本试卷分为第Ⅰ卷(客观题)和第Ⅱ卷(主观题)两部分。

试卷满分100分。

注意事项:1、答卷前考生务必将学校、专业、班级、姓名填写在答题纸密封线内。

2、考生必须用钢笔或圆珠笔将答案直接写在答题纸上,如果答案不填写在答题纸上,成绩将无效。

3、考试结束,考生将第Ⅰ卷、第Ⅱ卷及其答题纸一并交回。

第Ⅰ卷( 60分)一、单项选择题(20×3′=60′) 1、P 型半导体是在本征半导体内掺杂( )价元素。

A 、3 B 、5 C 、2 D 、4 2、在三极管的放大电路中,三极管电位最高的一端是( )A 、 NPN 管的发射极B 、PNP 管的发射极C 、PNP 管的集电极D 、无法确定3、三极管工作在截止区,要求( )A 、发射结正偏,集电结正偏B 、发射结正偏,集电结反偏C 、发射结反偏,集电结正偏D 、发射结反偏,集电结反偏 4. 下列硅二极管质量最好的是( ) A 正向电阻为1千欧,反向电阻为100千欧 B 正向电阻为50千欧,反向电阻为100千欧 C 正向电阻为20千欧,反向电阻为20千欧 D 正向电阻为无穷大,反向电阻为无穷大5下列三极管各个极的电位,处于放大状态的三极管是( )A V C =0.3V ,V E =0V , VB =0.7V B VC =-4V , V E =-7.4V ,V B =-6.7V C V C =6V , V E =0V , V B =-3VD V C =2V ,V E =2V , V B =2.7V 6、NPN 型和PNP 型三极管的区别是( ) A 由两种不同的材料硅和锗制成B 掺入的杂质不同C P 区和N 区的位置不同D 电流的放大倍数不同7、工作在放大区的某三极管,如果当Ib 从12μA 增大到22μA 时,Ic 从1mA 变为2mA ,那么它的β约为( ) 。

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考核人数______ 考核班次_______________ 任课教员_________ 出题教员签名________ 任课教研室主任签名_______日期_______ 队别__________ 教学班次___________ 学号___________ 姓名____________
…………………………密………………………………封………………………………线………………………………………
南京信息工程大学
《模拟电子电路》期中考试试卷
题目部分,(卷面共有25题,100分,各大题标有题量和总分)
1.二极管具有_______导电性,稳压二极管在稳压时,工作在_______区域。

2.当温度升高时,二极管的正向压降将________;反向饱和电流将________。

3.某放大器空载时,输出电压为6V ,接入3kΩ负载后输出电压为3V ,则该放大器的输出电阻为________;接入负载后输出电压几乎没有变化,说明输出电阻__________(很大/很小)。

4.在放大电路中,能实现阻抗变换的耦合方式是________;集成电路中一般采用的耦合方式是_________。

5.根据器件的工作原理,晶体三极管是_________控制器件,场效管是__________控制器件。

6.实验室中现有以下仪器(仪表):A 、0~1kHz 的3位半数字万用表,B 、20Hz~1MHz 电子毫伏表,C 、0~30MHz 示波器。

为测量下列性能指标应选择最合理的仪器(仪表),测电路的静态工作点,应选用________;测视频(6MHz )放大器输出电压,应选用________。

1.在本征半导体中加入 元素可形成P 型半导体。

( ) A. 五价
B. 四价
C. 三价
2.测得某放大电路中三极管三个电极ABC 对地的电位分别为12V ,0.7V ,0V ,则该管是______
管,ABC 分别为_____。

( ) A. 硅;集电极,基极,发射极 B. 硅;集电极,发射极,基极
C. 锗;发射极,基极,集电极
D. 锗;集电极,基极,发射极
3.三极管共射、共集、共基三种放大电路中,频率特性最好的是______。

( )
A 、共射
B 、共集
C 、共基
D 、无区别
4.差分放大电路中,共模抑制比越小,说明电路中_______。

( ) A. 差模放大倍数越小 B. 共模放大倍数越大 C. 抑制温漂的能力越弱
D. 共模放大倍数越小
5.在一个由NPN 管构成的单管共射放大电路中,输出波形正弦波下半周发生失真,属于_____失真。

( )
A.截止失真
B.饱和失真
C.频率失真
D.交越失真
6.有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B ,对同一个内阻等于零的信号源电压进行放大,并接有相同大小的负载电阻,测得A 的输出电压比B 的大,这说明_____。

( )
A .A 的输入电阻比
B 大 B .A 的输入电阻比B 小
C .A 的输出电阻比B 大
D .A 的输出电阻比B 小
7.某单管放大电路在负载开路情况下,输入端接1kHz 、50mV 正弦信号,测得输出电压为 2V (有效值)。

当一个阻抗为8 、额定功率为 1W 的扬声器接至输出端,扬声器获得的电功率为 _________。

( )
A. 1W B . 0.5W C. 0.25W D . 小于0.25W
8.某直接耦合放大电路在输入电压为 0.1V 时,输出电压为 8V ;输入电压为 0.2V 时,输出 电压为 4V (均指直流电压)。

则该放大电路的电压放大倍数为________。

( )
A. 80 B . 40 C .-40 D .20
1.放大电路只能放大交流信号。

( ) 2.本征半导体不带电,N 型半导体带负电,P 型半导体带正电。

( )
3.PN 结加正向电压时,空间电荷区将变窄;PN 结加反向电压时,空间电荷区变宽。

( )
4.当晶体管工作在放大区时,发射结处于正向偏置,集电结处于反向偏置。

( )
5.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度,而少数载流子的浓度则与晶体缺陷有关。

( )
6.多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比,放大倍数变大,通频带变窄。

( )
一、填空题(6小题,共12分)
二、选择题(8小题,共16分)
三、判断题(6小题,共12分)
考核人数______ 考核班次_______________ 任课教员_________ 出题教员签名________ 任课教研室主任签名_______日期_______ 队别__________ 教学班次___________ 学号___________ 姓名____________
…………………………密………………………………封………………………………线………………………………………
1.(8分)二极管电路如图4-1(a )(b )所示,试判断图中二极管是导通还是截止,写出分析过程,并求出AO 两端电压U AO 。

假设图中二极管均为理想模型。

VD1
VD2
5K
12V
18V
A O
VD1
VD2
5K
12V
9V
A O
(a) (b)
图4-1
2. (8分)已知图4-2所示电路中稳压管的稳定电压U Z =6V ,最小稳定电流I Zmin =5mA ,最
大稳定电流I Zmax =25mA 。

(1)分别计算U I 为10V 、35V 二种情况下输出电压U O 的值;
(2)若U I =50V 时负载开路,则电路会出现什么现象?为什么?
图4-2
评卷人
得分
四、分析计算题(5小题,共60分)
考核人数______ 考核班次_______________ 任课教员_________ 出题教员签名________ 任课教研室主任签名_______日期_______
队别__________ 教学班次___________ 学号___________ 姓名____________
…………………………密………………………………封………………………………线………………………………………
3.(16)两级阻容耦合放大电路如图4-3所示。

设晶体管VT 1、VT 2均为硅管,参数β1、β2、r be1、
r be2及各电阻均为已知量,电容器对交流信号均可视为短路。

(1)写出VT 1和VT 2的静态工作点的求解过程(无需具体计算值); (2)写出放大倍数A v1=
v O1v i
和A v2=
v O v O1
的表达式;
(3)写出电路中输入电阻R i 和R o 的表达式;
(4)电路中电容C e 的作用是什么?若电容烧坏开路,则电路的放大倍数A v =v O v i
发生什么样的
变化,为什么?
_
v i
图4-3
4.(12分)如图4-4所示为共源放大电路,V DD =12V , R g1=100kΩ,R g2=300kΩ,R g3=1MΩ,R d =R L =4.7kΩ, R s =2kΩ, JFET 的参数为I DSS =4.5mA ,V P =−3V ,r ds 可以忽略不计。

(1)求解静态工作点I D 、V GS 和V DS ;
(2)求解中频放大倍数A v 、输入电阻R i 和R o 。

图4-4
考核人数______ 考核班次_______________ 任课教员_________ 出题教员签名________ 任课教研室主任签名_______日期_______
队别__________ 教学班次___________ 学号___________ 姓名____________
…………………………密………………………………封………………………………线………………………………………
5.(16分)某放大电路如图4-5所示。

设晶体管VT 1、VT 2、VT 3的特性相同,且|U BE |=0.7V ,
β=25,电阻R b1=R b2=10kΩ,R c2=5kΩ,R e3=1kΩ,R c3=6kΩ,电源电压V cc =V EE =12V 。

(1)若要求v i =0V 时,v o =0V ,I E 应选多大?
提醒:先计算VT 3的静态工作点(v o =0V 意味着V c3=0V ),再推算VT 1、VT 2的静态工作点。

(2)试求差分电路的放大倍数A v1,第二级放大电路的放大倍数A v2以及总的放大倍数A v 。

_
v o cc
图4-5。

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