电子技术第一章 半导体二极管、三极管
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七、应用实例
图1-17 例1-1图
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图1-18 思考题1-1-1～1-1-3图
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1-ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ 双极型三极管
一般来说，三极管包括双极型三极管和场效应管。 双极型三极管又称晶体管。它是有两个背靠背PN结且 有电子与空穴两种载流子参与导电的半导体三极管。分 PNP型和NPN型两种，二者工作原理相同。下面以NPN 管为例进行介绍。
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图1-3 价电子填补空穴示意图
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图1-4 N型半导体
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3.P型半导体 用特殊工艺向单晶硅(或锗)中注入少量三价元素硼 (或铝)，成为另一种杂质半导体。如图1-5(a)所示。每注 入一个三价原子，相应多出一个空穴。它被邻近原子的 价电子填补后，成为负离子。注入三价元素越多，空穴 越多，与自由电子复合的机会相应增多，使本来很少的 自由电子越来越少。所以，掺入三价元素的半导体，空 穴是多数载流子，电子是少数载流子，称空穴半导体， 简写成P型半导体。其符号如图1-5(b)所示。
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图1-5 P型半导体
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图1-6 PN结形成示意图
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二、PN结及其单向导电性 P型半导体和N型半导体共处一体时，在它们的交界 面处形成载流子浓度的差异。P区空穴多，电子少；N 区电子多，空穴少。于是，N区电子要向P区扩散，扩 散到P区的电子与空穴复合。结果使N区电子减少，形 成正粒子区。同时，P区一侧失去空穴形成负粒子区。 从而，产生从N区指向P区的内电场。如图1-6箭头所示。 内电场的电场力作用，导致已扩散到P区的电子返回N 区，使扩散运动削弱。这种在电场力作用下，载流子的 定向运动，称漂移运动。
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图1-8 二极管结构示意与符号
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图1-9 二极管单向导电性演示图
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四、二极管的V—A特性与等效电路 1.V—A特性 二极管两端的电压与通过它的电流的关系曲线，称 二极管的V—A特性。可以通过实验或图示仪测出。如图 1-10所示。图中第Ⅰ象限的曲线表明二极管正向电压与 正向电流的关系，称正向V—A特性。第Ⅲ象限的曲线表 明二极管反向电压与反向电流的关系，称反向V—A特性 由曲线可知：
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六、稳压、发光、光电二极管简介 1.稳压管——稳压管是一种在规定反向电流范围内 可以重复击穿的硅平面二极管。它的符号和V—A特性如 图1-13所示。它的正向V—A特性与普通硅二极管正向 V—A特性相同；它的反向V—A特性非常陡直。用电阻 R将流过稳压管的反向击穿电流Iz限制在Izmin～Izmax之 间时，稳压管两端的电压Uz几乎不变。利用稳压管的这 种特性，就能达到稳压的目的。图1-14就是稳压管稳压 电路。稳压管Dz与负载RL并联，属并联稳压电路。显然， 负载两端的输出电压UO等于稳压管的稳定电压Uz。
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图1-10 二极管的V—A特性曲线
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2.等效模型 由上述讨论知，二极管的V—A特性是非线性的。所 以，二极管是非线性元件。显然，二极管电路是非线性 电路。分析非线性电路应当用图解法。但是，图解法既 繁琐也不准确。为了分析方便，常将二极管在特定条件 下，简化成线性模型进行分析计算，这样引起的误差， 一般都在工程允许误差范围之内。
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图1-1 单晶硅（锗）共价键示意图
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图1-2 电子空穴对示意图
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2.N型半导体 用特殊工艺向单晶硅（或锗）中注入少量五价元素 磷(或砷)，成为杂质半导体。如图1-4(a)所示。每注入一 个五价元素的原子，其五个价电子中的四个与硅原子的 价电子形成共价键，成为固定在晶格中不动的正离子， 剩下的一个自由电子用以增强半导体的导电能力。注入 五价元素越多，自由电子数量越大，电子与空穴复合的 机会越多，使得本来很少的空穴越来越少。所以，掺入 五价元素后的杂质半导体，电子是多数载流子，空穴是 少数载流子，称为电子半导体，简写成N型半导体。其 符号如图1-4(b)所示。
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图1-15 发光与光电管及其应用电路
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图1-16 例1-1的图
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3.光电二极管——利用半导体的光敏特性制造的光 电二极管与发光二极管相反。无光照时，流过光电二极 管的反向电流(称暗电流)很小；受光照时，流过光电二 极管的反向电流(称光电流)明显增加。如2AU1B型光电 二极管的暗电流小于10 μA，光电流达到40 μA。光电二 极管的符号如图1-15(b)所示。
第一章 半导体二极管、三极管
内容提要
半导体二极管、三极管是电子电路中用得极为广泛 的元件，也是构成集成电路的基本单元。 本章在介绍PN结基础上介绍二极管、三极管的原理、 特性和主要参数，为学习后续各章奠定基础。
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1-1 PN结与二极管
一、半导体概述 1.本征半导体 导电性能介于导体与绝缘体之间的物质称半导体。 常用的半导体有硅和锗，将它们提纯后，其原子结构排 列成晶体状，称单晶硅和单晶锗。又称本征半导体。它 们的原子外层都有四个价电子。每个原子的价电子与相 邻原子的价电子“手拉手”地形成共价键结构，示意图 如图1-1所示。
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图1-13 稳压管V—A特性与符号
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图1-14 稳压管稳压电路
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2.发光二极管——由半导体砷、磷、镓及其化合物 制成的二极管，不仅具有单向导电性，而且通电后能发 出红、黄、绿……鲜艳的色光，称发光二极管。常用文 字LED表示。它工作时只需加1.5～3 V正向电压和几毫 安电流就能正常发光。体积小，反应快、价廉、工作可 靠。广泛用于各种指示电路。其符号如图1-15(a)所示。
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图1-7 PN结的单向导电性
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三、二极管结构与符号 从PN结的P区引出一个电极，称阳极；从N区引出 一个电极，称阴极。用金属、玻璃或塑料封装就构成一 只半导体二极管。显然，它是具有一个PN结的半导体 元件，也有单向导电性。图1-8(a)是二极管的结构示意 图。图1-8(b)是二极管的符号。符号中的箭头方向表明， 二极管的电流只能从阳极流向阴极；几乎不能从阴极流 到阳极。
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图1-11 用折线OKQ近似替 代实际V—A特性
19
图1-12 二极管及其等效模型
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五、主要参数与选用依据 为了正确使用二极管，必须了解它的主要参数。 1.最大整流电流IOM——在规定散热条件下，二极管 长期运行时，允许通过二极管的最大正向电流。 2.最高反向工作电压URWM——保证二极管不被击穿 的最高反向峰值电压，通常规定为击穿电压的 。
电子技术基础(一)期末复习提要
《电子技术基础》（一）期末复习提要第一章半导体二极管、三极管和MOS管一、重点掌握内容1．半导体二极管的单向导电特性，伏安特性曲线，开关应用时开关条件及开头状态的特点。
2．半导体三极管（NPN）的输入特性和输出特性，截止、放大、饱和三种工作状态下的特点。
3．NMOS管开关应用时开关条件及开关工作状态下的特点，MOS管的使用特点。
二、一般掌握的内容1．PN结形成的原因，扩散和漂移的概念，PN结外加两种不同极性电压时的导电性能。
2．二极管的主要参数，几种常用的特殊二极管及它们的工作原理和特点。
3．三极管的工作原理和主要参数，α、β、I CBO、I CＥO的物理意义，它们之间的关系及对三极管性能的影响，三极管极限工作区的物理意义和划分。
4．增强型MOS管的工作原理、输出特性和转移特性，MOS管的工作特点及主要参数。
三、一般了解的内容1．三极管的内部载流子运动过程，三极管的开关时间、类型和型号。
2．耗尽型MOS管的工作原理，特性曲线和主要参数，MOS管的开关时间。
第二章数字逻辑基础一、重点掌握的内容1．二进制数的计数规律，二进制数、八进制数、十六进制数与十进制数之间的转换方法（整数）2.逻辑代数的三种基本运算，逻辑代数的基本公式和常用公式。
3．逻辑函数的公式化简法和卡诺图化简法。
4．逻辑函数的五种表示方法及其相互转换。
二、一般掌握的内容1．几种常用的复合函数（与非、或非、异或、同或、与或非）的定义及其表示方法。
2．逻辑函数中约束的概念，约束条件的表示方法，具有约束的逻辑函数的化简方法。
3．逻辑代数的三个基本规则。
三、一般了解的内容几种常用的二进制码及其特点：第三章门电路一、重点掌握的内容1．CMOS反相器的组成、工作原理及CMOS与非门、或非门、传输门、三态门、异或门的电路符号、逻辑功能和性能特点。
2．TTL反相器的电路组成、工作原理及TTL与非门、或非门、OC门、三态门、与或非门、异或门的电路符号、逻辑功能和性能特点。
电子技术基础题库(I_II类题)[1]
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第一章 半导体二极管I 类题一、简答题1． 杂质半导体有哪些？与本征半导体相比导电性有什么不同？答杂质半导体有P 型半导体和N 半导体两种，比本征半导体导电性能增强很多。
2．什么是PN 结？PN 结最基本的特性是什么？ 答；P 型半导体和N 型半导体采用特殊的加工工艺制作在一起，在其交界处产生的特殊薄层称为PN 结。
PN 结最基本的特性是单向导电性。
3． 什么是半导体？半导体有哪些特性？答：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。
具有热敏特性、光敏特性和掺杂特性。
二、计算题1． 在下图所示电路中，哪一个灯泡不亮？答：b 不亮2．如图所示的电路中，试求下列两种情况下输出端Y 的电位U Y 及各元件（R ，VD A ，VD B ）中通过的电流；（1）U A =U B =0V ；（2）U A =+3V ，U B =0V ；答：（1）V Y =0VmA 33.9K Ω12V ≈=R I mA5.1232R DB DA ≈===I I I （2）D B 导通，D A 截止 V Y =0VmA39.312≈=R I V 0DA =I mA 3DB =I 3． 在下图所示电路中，设二极管是理想二极管，判断各二极管是导通还是截止？并求U AO =？答：a）图中，二极管导通，U AO=-6V；b）图，二极管截止，U AO=-12V；c）图V1导通，V2截止，U AO=0V。
II类题一、简答题1．从晶体二极管的伏安特性曲线看，硅管和锗管有什么区别？答：硅管死区电压为0.5V左右而锗管为0.2V左右；硅管的正向管压降为0.7V左右而锗管为0.3V左右；硅管的反向饱和电流较小而锗管较大。
2．光电二极管和发光二极管有什么区别？答：发光二极管将电信号转化成光信号，工作时加正向电压；光电二极管将光信号转化成电信号，工作时加反向电压。
3．为什么用万用表的不同电阻档测量同一二极管的正偏内阻数值上差别很大？答：因二极管的非线性。
第一章 基本放大电路
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学习方法
对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和 正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器 件的目的在于应用。 学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对 器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似， 以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。 对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就 不要过分追究精确的数值。 器件是非线性的、特性有分散性、RC 的值有误差、 工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。
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二极管电路分析举例
导通 定性分析：判断二极管的工作状态 截止 若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为零， 反向截止时二极管相当于断开。
否则，正向管压降 硅0.6~0.7V 锗0.2~0.3V
分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位 的高低或所加电压UD的正负。 若 V阳 >V阴或 UD为正( 正向偏置 )，二极管导通
温度愈高，晶体中产 生的自由电子便愈多。
空穴
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价电子 在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子 来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当 于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。
当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出 现两部分电流 (1)自由电子作定向运动 电子电流 (2)价电子递补空穴 空穴电流 自由电子和空穴都称为载流子。 自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复 合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态 平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。 注意： (1) 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差； (2) 温度愈高， 载流子的数目愈多,半导体的导电性能 也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。
参考点
t
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电子技术试题及答案
电子技术试题及答案电子技术试题及答案3、4、5、6班备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。
1、填空题：第1章半导体二极管○1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体，半导体和绝缘体三类。
Δ2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。
○3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。
Δ4、PN结正偏时，P区接电源的正极，N极接电源的负极。
○5、PN结具有单向导电特性。
○6、二极管的P区引出端叫正极或阳极，N区的引出端叫负极或阴极。
Δ7、按二极管所用的材料不同，可分为硅二极管和锗二极管两类；○8、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。
★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极，负极接电源的负极；反响接法相反。
○10、硅二极管导通时的正向管压降约 0、7V ，锗二极管导通时的管压降约0、3V。
Δ11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流，最高反向电压和反向电流。
★12、发光二极管将电信号转换为光信号。
★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。
★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。
第2章半导体三极管及其放大电路○15、三极管是电流控制元件。
○16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。
★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。
Δ18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。
★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。
Δ20、三极管实现放大作用的内部条件是：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小、Δ21、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA 时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为100 。
○22、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。
经典模拟电子技术基础知识总结习题(选择,填空,解答题)
1)开关S合上时，电压表V、电流表A1和电流表A2的读数为
多少？
V：12V A1：12mA A2：6mA
2)开关S打开时，流过稳压管的电流为多少？ IZ：12mA
3)开关S合上，且输入电压由原来30 V上升到33 V时，
此时电压表V、电流表A1和电流表A2的读数为多少？
V：12V
A1：14mA A2：6mA
7.电路如图所示，试估算输出电压 U o 1 和 U o 2，
并标出输出电压对地极性。
-
-45V
+
+9V
8．电容滤波桥式整流电路及输出电压极性如图所示
u2102si n t( V )试求：
（1）画出图中4只二极管和滤波电容（标出极性）；
（2）正常工作时，Uo =？ 12V
（3）若电容脱焊，Uo=？ 9V
＿偏置。
正向
反向
7.当＿三＿极管工作＿在偏＿置截＿，止＿集＿电区极时＿，＿I＿C≈偏0置；。发射极＿
零或反向
反向
8.当＿三正＿极向＿管＿工偏作置在，＿集＿饱电＿和极＿＿区＿正时＿向，＿U偏CE置≈。0。发射极
9.当NPN硅管处在放大状态时，在三个电极电位中， 以＿＿＿＿集极电的电位最高，＿＿＿发＿射极电位最低， ＿＿＿＿极基和＿＿＿＿极发电射位差等于＿＿＿＿。
28V
（5）若其中一个二极管开路，Uo =？ 20V
10. 试分析图示电路的工作原理， 标出电容电压的极性和 数值，并标出电路能输出约多少大的输出电压和极性。
＋
＋
约
＋
＋
2 U 2 、 22 U 2 、 32 U 2 、 42 U 2
第二章 半导体三极管
一、填充题
1.三极管从结构上看可以分成＿＿N＿PN＿＿和＿＿PN＿P＿＿ 两种类型。
第二个教案 2.1 半导体二极管
二极管的伏安特性曲线 二极管的伏安特性曲线： 伏安特性曲线： 硅管
UBE(on)= 0.7V IS=(10-9~10-16)A UBE(on)= 0.25V IS=(10-6~10-8)A
PN结导通； PN结导通； 结导通
锗管
U >UBE(on)时
随着U
↑
I
↑↑
正向R很小 正向R
很小( U < UBE(on)时 IR很小(IR≈ 反向R PN结截止 结截止。 反向R很大 PN结截止。 I S) 温度每升高1℃ 1℃， 约减小2.5mV 2.5mV。 温度每升高1℃， UBE(on)约减小2.5mV。 温度每升高10℃ 10℃， 约增加一倍。 温度每升高10℃，IS约增加一倍。
1.1 半导体的特性
半导体：指导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。 半导体：指导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。
大多数半导体器件所用的主要材料是硅 (Si) 、锗 (Ge) 大多数半导体器件所用的主要材料是硅
原子结构及简化模型： 硅 、锗 原子结构及简化模型：
+4 +14 2 8 4 +32 2 8 18 4
当原子中的价电子在光照或温度升高时获得能量挣脱共价键的束 缚而成为自由电子，原子中留下空位（即空穴），（即产生自由电 同时原子因失去价电子而带正电。 子－空穴对）同时原子因失去价电子而带正电。 当邻近原子中的价电子释放能量不断填补这些空位时（ 当邻近原子中的价电子释放能量不断填补这些空位时（自由电子与空穴 的复合）形成一种运动，该运动可等效地看作是空穴的运动 空穴的运动。 的复合）形成一种运动，该运动可等效地看作是空穴的运动。空穴运动方向 与价电子填补方向相反。 与价电子填补方向相反。即自由电子和空穴都能在晶格中自由移动。因 而统称它们为半导体的载流子。
第一章 半导体器件
第一章半导体器件本章是学习模拟电子技术的基础，主要介绍了半导体的特性，PN结的形成及其单向导电性，然后介绍了半导体二极管、三极管和场效应管的结构、工作原理、特性曲线及主要参数。
本章主要内容：1.1 半导体的特性1.2 半导体二极管1.3 半导体三极管本章小结重点：二极管的单向导通特性及伏安关系；三极管的电流放大关系。
难点：PN结的形成；三极管的电流放大原理。
返回目录1.1 半导体的特性讲课思路：什么是半导体？→为什么采用半导体材料制作电子器件？→PN结有何特性和作用？PN结电压与电流符合欧姆定律吗？→怎样获得三极管？它的工作方式和作用是怎样的？本节课重点在于学习本征半导体、杂质半导体、多子、少子等概念，了解PN结形成的基本原理，1.1.1半导体半导体是指导电能力介于导体和绝缘体之间的一类物质，如硅、锗、砷化镓以及大多数的金属氧化物等，它们都具有半导体特性。
半导体的导电能力在不同的条件下有很大的差别。
如大多数半导体对温度反应敏感，当环境温度升高时，它的导电能力要增强许多，利用这种特性可做成热敏元件。
有些半导体在受到光照时，它的导电能力变的很强，而在无光照时，又变得像绝缘体一样不导电，利用这种特性可做成光敏元件。
半导体掺入杂质后其电阻率大大减小，可以做成可控的电子开关元件。
1.本征半导体纯净半导体称为本征半导体。
我们以硅和锗原子的简化原子模型来说明，二维晶格结构如图1.1所示。
在温度为T=0K和没有外界激发时，每一个电子均被共价键所束缚。
在室温条件下，部分价电子就会获得足够的能量而挣脱共价键的束缚，成为自由电子，这称为本征激发。
自由电子是一种带负电的载流子，在外加电场的作用下可以移动。
自由电子移动后在原来共价键中留下的空位称为空穴，此时可把空穴认为是一个带正电的粒子，空穴和相邻的价电子很容易复合，复合后在相邻价电子处形成空穴，这相当于空穴的移动。
在空穴和自由电子不断地产生的同时，原有的空穴和自由电子也会不断地复合，形成一种平衡。
电子技术基础(模拟电子电路)精选全文完整版
Ω
1.86
kΩ
ri RB // rbe (1 β )RE Ii
8 .03 kΩ
+
ro RC 6 kΩ
Au
rbe
βRL (1 β
) RE
RS
E
+ S-
U i
B Ib
Ic C
IRB
β Ib rbe
RB
E RC RL
RE Ie
8.69
-
+ U o -
微变等效电路
射极输出器
RB C1 +
RB1 C1
RC
+C2
+
+
+
ui RB2 RE1
RL uo
–
RE2
+ CE
–
解: (1)由直流通路求静态工作点。
VB
RB2 RB1 RB2
UCC
20 12V 60 20
3V
IC
IE
VB
UBE RE
3 0.6 3
mA
0.8 mA
RB1 VB
RC IB
+UCC IC +
UCE
IB
IC β
0.8 μ A 50
2. 放大电路的微变等效电路
将交流通路中的晶 体管用晶体管微变等 效电路代替即可得放 大电路的微变等效电 路。
ii B ib
+
RS+ eS -
ui RB -
ic C
+
RC RL uO -
E
ii B ib
ic C
+
RS
ib
+ ui RB rbe
电工学电子技术期末复习总结知识点PPT课件
第一章 半导体二极管及电路分析
第2页/共80页
1.1.1 半导体二极管的结构、特性与参数
一、二极管的结构与类型
二极管由一个PN
结，加相应的电极 引线和管壳封装而 成。
（P）
（N）
电路符号
空心三角形箭头表示实际电流方向：
电流从P流向N。
第3页/共80页
本征半导体的电特性
2.用逻辑代数或卡诺图对逻辑表达式进 行化简。
3.列出输入输出状态表并画出逻辑电路 图。
第47页/共80页
例：设计三人表决电路（A、B、C）。每人 一个按键，如果同意则按下，不同意则不按。 结果用指示灯表示，多数同意时指示灯亮， 否则不亮。 1.首先指明逻辑符号取“0”、“1”的含义。三 个按键A、B、C按下时为“1”，不按时为“0”。 输出量为 F，多数赞成时是“1”，否则是“0”。
第10页
mA
C
A
B
RC
E
USC
RB
V UBE
V UCE
USB
实验线路(共发射极接法)
第11页/共80页
此输区出域中特U性CEUBE,集 电 UC结E正0.3偏V，称为IB饱>I和C，I区C(。mA )
4
3
当UCE大于一定的数 值时，IC只与IB有关， IC=IBI。B ,此且1区00域IA称C =为线 性放大区。80A
“与”逻辑关系用“与”门逻 1 1 1 辑符号表示：
第23页/共80页
2.“或”逻辑关系及运算
决定结果成立的所有条件只要有一个具
备时，结果就成立，这种条件与结果之
间的关系称为“或”逻辑。
这种关系在日常生活中也是非常普遍的。以二
《电子技术基础》第1章
集电结 集电极c
发射结
Collector
基极b Base 发射极e Emitter NPN型
PNP型
晶体管的分类
材料
用途
硅管
锗管 放大管 开关管 低频管
结构
PNP
NPN
不论是硅管还是锗管 都有NPN型和PNP型
频率
高频管
功率
小功率管 中功率管 大功率管
2．晶体三极管的放大原理
晶体三极管具有放大作用，因此常 用它组成放大电路。放大电路框图如图 1-6所示。在输入端加上一个小信号ui， 在输出端可以得到比较大的信号uo。
图1-6 放大电路框图
三极管的三种连接方法
晶体三极管只有三个电极，用它组成放大电路时，一 个电极作为输入端，一个电极作为输出端，剩下的一个 电极作为输入、输出的公共端，所以用三极管组成放大 器时就有三种接法。如图1-7所示。
图1-7 三极管的三种连接方法
（1）晶体三极管具有放大作用的条件
要使三极管能够放大，必须满足一定的外部条件 ： 发射结加一个正向电压，习惯上称为正向偏置。 P端电位大于N端电位。 给集电结加一个反向电压，习惯上称为反向偏置 。 P端电位小于N端电位。
晶体二极管特性曲线
击穿电压 门限电压
图1-4 晶体二极管伏安特性曲线
曲线分析
（1）正向特性
① 只有当正向电压超过某一数值 时，才有明显的正向电流，这个电压 数值称为“门限电压”或“死区电压 ”用UT 表示。对于硅管UT 为0.6～0.8 伏； 对于锗管UT 为0.2～0.3伏。一般情 况下，从曲线近似直线部分作切线， 切线与横坐标的交点即为UT。 ② 随着电压u的增加，电流i按照 指数的规律增加，当电流较大时，电 流随着电压的增加几乎直线上升。 ③ 不论硅管还是锗管，即使工作 在最大允许电流，管子两端的电压降 一般也不会超过1.5伏，这是晶体二极 管的特殊结构所决定的。