电子技术基础及实验
电子技术基础实验报告
电子技术实验报告学号： 2220姓名：刘娟专业：教育技术学实验三单级交流放大器（二）一、实验目的1. 深入理解放大器的工作原理。
2. 学习测量输入电阻、输出电阻及最大不失真输出电压幅值的方法。
3. 观察电路参数对失真的影响.4. 学习毫伏表、示波器及信号发生器的使用方法。
二. 实验设备:—1、实验台2、示波器3、数字万用表三、预习要求1、熟悉单管放大电路。
2、了解饱和失真、截止失真和固有失真的形成及波形。
3、掌握消除失真方法。
四、实验内容及步骤实验前校准示波器，检查信号源。
按图3-1接线。
图3-11、测量电压参数，计算输入电阻和输出电阻。
调整RP2，使V C=Ec/2（取6～7伏），测试V B、V E、V b1的值，填入表3-1中。
~表3-1…输入端接入f=1KHz、V i=20mV的正弦信号。
分别测出电阻R1两端对地信号电压Vi 及Vi′按下式计算出输入电阻Ri：测出负载电阻R L开路时的输出电压V∞，和接入R L（2K）时的输出电压V0 , 然后按下式计算出输出电阻R；将测量数据及实验结果填入表3-2中。
V i （mV）Vi′(mV)Ri（）V∞（V）V（V）R（）调整 R P2测量VC(V)Ve（V）Vb（V）Vb1（V）[输入信号不变，用示波器观察正常工作时输出电压V o 的波形并描画下来。
逐渐减小R P2的阻值，观察输出电压的变化，在输出电压波形出现明显失真时，把失真的波形描画下来，并说明是哪种失真。
( 如果R P2=0Ω后，仍不出现失真，可以加大输入信号V i ，或将R b1由100K Ω改为10K Ω，直到出现明显失真波形。
)逐渐增大R P2的阻值，观察输出电压的变化，在输出电压波形出现明显失真时，把失真波形描画下来，并说明是哪种失真。
如果R P2=1M 后，仍不出现失真，可以加大输入信号V i ，直到出现明显失真波形。
表 3-3调节R P2使输出电压波形不失真且幅值为最大（这时的电压放大倍数最大），测量此时的静态工作点V c 、V B 、V b1和V O 。
电子电工技术基础实验报告
电子电工技术基础实验报告实验目的：通过实际操作，加深对电子电工技术基础知识的理解，并掌握相关测量仪器的使用方法。
实验内容：1.探究电阻的基本性质2.探究电容的基本性质3.探究电感的基本性质4.测量二极管的伏安特性曲线实验步骤：1.实验一：电阻的基本性质a.将电阻器连接到恒流电源中，并调节流经电阻的电流为5mA。
b.测量电阻两端的电压，记录数据。
c.根据测得的电压和电流计算电阻值，并比较与标称值的差异。
2.实验二：电容的基本性质a.将电容器连接到恒压电源中，并调节电压为10V。
b.测量电容器两端的电流，记录数据。
c.根据测得的电流和电压计算电容值，并比较与标称值的差异。
3.实验三：电感的基本性质a.将电感器连接到交流信号发生器中，并调节频率为1kHz。
b.测量电感器两端的电流和电压，记录数据。
c.根据测得的电流、电压和频率计算电感值，并比较与标称值的差异。
4.实验四：测量二极管的伏安特性曲线a.构建二极管伏安特性曲线测试电路。
b.依次改变电压，测量二极管两端的电流，记录数据。
c.绘制二极管的伏安特性曲线图，并分析其特性。
实验结果：1.实验一：电阻的基本性质测量得到的电阻值与标称值较为接近，实验结果准确可靠。
2.实验二：电容的基本性质测量得到的电容值与标称值存在一定误差，可能是由于实验中测量仪器的一些误差所致。
3.实验三：电感的基本性质测量得到的电感值与标称值相差较大，可能是由于电感器本身的容差或者测量仪器的误差引起的。
4.实验四：测量二极管的伏安特性曲线绘制得到的伏安特性曲线表明二极管在正向偏置下具有导通特性，而在反向偏置下具有截止特性。
实验结论：1.电阻是导电材料阻碍电流流动的特性。
电阻值是电压和电流的比值，可以通过测量电压和电流来求得。
2.电容是存储电荷的元件，电容值是电容器存储电荷量与电压的比值，可以通过测量电流和电压来计算。
3.电感是储存磁场能量的元件，电感值是电感器存储磁场能量与电流的比值，可以通过测量电流、电压和频率来计算。
《电子技术基础》逻辑测试笔实验报告
《电子技术基础》逻辑测试笔实验报告一、实验目的1、掌握半导体器件二极管、三极管的工作原理，学会集成逻辑芯片的使用。
2、掌握逻辑与非门的输入输出逻辑关系。
3、掌握电路设计的基本方法、培养电路的综合设计与调试能力。
4、培养实践技能，提高分析问题和解决问题的能力。
二、实验仪器1、焊接工具：电烙铁、焊锡、斜口钳。
2、调试仪器：直流稳压电源，万用表。
3、元器件：三、实验原理1、电路原理图：2、工作原理：当被测点为高电平时，D1导通，Q1发射极输出高电平，经U2B反相后，输出低电平,红色发光二极管导通而发光。
此时，D2截止，U1A输出低电平，U3C 输出高电平。
使绿色发光二极管截止而不发光。
当被测点为低电平时，D2导通，从而使U1A输出高电平。
U3C输出低电平。
绿色发光二极管导通发光，此时，D1截止，Q1发射极输出低电平，经U2B反相后，输出高电平，红色发光二极管截止而不发光。
四、实验内容及步骤1、实验内容：1)熟悉有关电子元器件的使用及焊接技术；2)学习逻辑测试笔电路原理图的分析方法；3)完成逻辑测试笔电路的制作。
2、实验步骤：1)识别器件，测试器件性能的好坏；2)对PCB板进行合理布局；3)焊接制作电路板；4)调试电路板；5)测试相关参数。
五、实验原始数据记录与数据处理1、当测试点为高电平时，分别测试U1A、U2B、U3C输出端的电压值？U1A：0VU2B：0VU3C：5V2、当测试点为低电平时，分别测试U1A、U2B、U3C输出端的电压值？U1A：5VU2B：5VU3C：0V六、实验结果与分析讨论实验结果：当被测点为高电平时，红色发光二极管导通发光。
绿色发光二极管截止而不发光。
当被测点为低电平时，绿色发光二极管导通发光，红色发光二极管截止而不发光。
七、结论数字电路是最基本的逻辑关系有3种，即与逻辑或逻辑和非逻辑，它们可由相应的与门，或门和非门来实现与或非三种基本逻辑门电路是数字电路的基本单元。
八、实验心得体会。
电子技术基础实验报告一
电子技术基础实验报告班级：姓名：学号：指导教师：撰写日期：目录实验一基尔霍夫定律的验证 (4)1 实验目的 (4)2 实验原理 (4)3 实验设备 (4)4 实验内容 (4)5 实验注意事项 (6)6 实验报告 (7)实验二叠加原理的验证 (9)1 实验目的 (9)2 实验原理 (9)3 实验设备 (9)4 实验内容 (9)5 实验注意事项 (13)6 实验报告 (14)实验三电压源与电流源的等效变换 (15)1 实验目的 (15)2 实验原理 (15)3 实验设备 (15)4 实验内容 (16)5 实验注意事项 (16)实验四戴维南定理........................ (17)1 实验目的 (17)2 实验原理 (17)3 实验设备 (17)4 实验内容 (17)5 实验注意事项 (19)实验一基尔霍夫定律的验证1.1实验目的（1）验证基尔霍夫定律的正确性，加深对基尔霍夫定律的理解。
（2）进一步学会使用电压表、电流表。
1.2实验原理基尔霍夫定律是电路的基本定律。
1)基尔霍夫电流定律对电路中任意节点，流入、流出该节点的代数和为零。
即∑I=0 2)基尔霍夫电压定律在电路中任一闭合回路，电压降的代数和为零。
即∑U=01.3实验设备（1）直流电压表（2）直流毫安表（3）稳压电源（4）可变电阻箱1.4实验内容1、实验前先任意设定三条支路的电流参考方向，2、按原理的要求，分别将两路直流稳压电源接入电路。
3、将电流插头的两端接至直流数字毫安表的“+，－”两端。
4、将电流插头分别插入三条支路的三个电流插座中，记录电流值于下表。
5、用直流数字电压表分别测量两路电源及电元件上的电压值，记录于下表。
被测量I1（mA ） I2（mA ） I3（mA ）E1(V)E2 (V)UFA (V)UAB (V)UAD (V)UCD (V)UDE (V)计算值 1.93 5.99 7.92 6.00 12.00 0.98 -5.99 4.04 -1.97 0.98测量值 2.08 6.38 8.43 6.00 12.00 0.93 -6.24 4.02 -2.08 0.97相对误差7.77% 6.51% 6.43% 0% 0% -5.10%4.17% -0.50%-5.58%-1.02%2、实验箱实验内容（1）实验前先任意设定三条支路的电流参考方向，如果中的I1、I2、I3所示。
电子技术基础实验
出波形的变化原因。
(3） 实验中遇到了什么问题， 如何解决？ (4） 功率放大器与电压放大电路比较有何异同点？ (5） 查阅其他集成功率放大器的相关资料手册。
表 S2.3
第三篇 电子技术基础实验 S2.5 实验报告
(1) 整理实验测量数据。 (2) 分析静态工作点对放大器性能的影响。 (3) 分析空载和带载情况下， 放大倍数的改变原因。 (4) 初步确定输出电压达到饱和失真（或截止失真）时， 静态工作点的大致范围。
第三篇 电子技术基础实验
实验 3 多级放大器
第三篇 电子技术基础实验 表S1.1
第三篇 电子技术基础实验
（2） 用双踪示波器Y轴任一输入通道探头测量示波器 “校正电压”， 读出荧屏显示波形的UP-P值和频率f。
（3） 用交流毫伏表及双踪示波器测量信号发生器的输出 电压及周期的数值， 记入表S1.2。
第三篇 电子技术基础实验 表S1.2
第三篇 电子技术基础实验
第三篇 电子技术基础实验
(3) 双踪示波器的电压测量有“CH1”、“CH2”、 “CH1+CH2”、“断续”和“交替”五种方式。 其中“断续” 和“交替”是双踪信号测量方式。 “断续”适用于频率较高 的信号测量， “交替”用于频率较低的信号的测量。
当被测信号频率较低时， 波形会有些闪烁，但被测信号 波形只要不左右移动， 仍属于稳定显示。
第三篇 电子技术基础实验 S3.4 实验内容及步骤 (1) 按图S3.1连接好电路, 检查无误。
图 S3.1 多级放大器
第三篇 电子技术基础实验
(2) 闭合开关S，将直流电源UCC调到12V，接入电路输入 端，分别调节Rp1和Rp2，使UC1、UC2调至8～10V（建立各级合 适的静态工作点）, 测量UC1Q、UC2Q, 填入表S3.1中。
电子技术基础实验报告
电子技术基础实验报告电子技术基础实验报告近年来，随着科技的迅猛发展，电子技术在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。
电子技术基础实验作为电子工程专业学习的重要组成部分，对于我们深入了解电子技术的原理和应用具有重要意义。
在本次实验中，我们将学习和掌握一些基础的电子技术实验。
实验一：电路基础实验在电子技术的学习中，电路是最基础也是最重要的一环。
通过本次实验，我们将学习到电路的基本组成和工作原理。
首先，我们使用电阻、电容和电感等元件搭建了一个简单的RC电路。
通过观察电压和电流的变化，我们发现电容器在充电和放电过程中会产生不同的电压曲线。
这说明电容器具有存储电能的特性。
接下来，我们搭建了一个简单的RL电路。
通过测量电感器两端的电压和电流，我们发现电感器会产生电压和电流的相位差，这是由于电感器对电流变化的延迟导致的。
实验二：半导体器件实验半导体器件是现代电子技术的核心组成部分。
通过本次实验，我们将学习到半导体器件的基本原理和应用。
首先，我们实验了二极管的特性。
通过改变二极管的正向电压，我们观察到了二极管的导通和截止状态。
这说明二极管具有单向导电性。
接下来，我们实验了晶体管的特性。
通过改变晶体管的基极电压和发射极电压，我们观察到了晶体管的放大效果。
这说明晶体管具有放大信号的功能。
实验三：数字电路实验随着数字技术的快速发展，数字电路在现代电子设备中扮演着重要角色。
通过本次实验，我们将学习到数字电路的基本原理和应用。
首先，我们实验了逻辑门电路。
通过搭建与门、或门和非门电路，我们观察到了逻辑门的输入和输出关系。
这说明逻辑门可以实现不同的逻辑运算。
接下来，我们实验了触发器电路。
通过改变触发器的输入信号，我们观察到了触发器的状态变化。
这说明触发器可以实现存储和传输信息的功能。
通过以上实验，我们对电子技术的基础知识有了更深入的了解。
电路、半导体器件和数字电路是电子技术的重要组成部分，掌握它们的原理和应用对于我们日后的学习和工作具有重要意义。
和电子技术有关的实验报告
和电子技术有关的实验报告实验名称：电子技术基础实验实验目的：1. 理解电子元件的基本特性和工作原理。
2. 掌握电路设计和搭建的基本方法。
3. 学习使用电子测量仪器进行电路参数测试。
实验原理：电子技术是研究电子器件及其电路的科学。
本次实验主要涉及电阻、电容、电感等基本电子元件的特性，以及它们在电路中的作用。
通过实验，学生将了解这些元件的工作原理，并学会如何将它们应用于实际电路设计中。
实验设备与材料：1. 多用电表2. 电阻、电容、电感元件3. 面包板及连接线4. 信号发生器5. 示波器实验步骤：1. 电阻特性测试：使用多用电表测量不同电阻值的电阻器，记录测量结果，并分析电阻对电流的影响。
2. 电容充放电特性测试：搭建RC电路，使用信号发生器提供周期性信号，通过示波器观察电容的充放电过程。
3. 电感特性测试：构建含有电感的电路，测量电感对交流信号的阻抗，并分析电感对电路的影响。
4. 电路设计：根据给定的电路图，使用面包板和连接线搭建电路，并进行实际测试，验证电路设计的正确性。
实验结果：1. 电阻测试结果表明，电阻值与通过电阻的电流成反比，符合欧姆定律。
2. 电容测试结果展示了电容在充放电过程中的电压变化，符合电容的充放电公式。
3. 电感测试结果表明，电感对交流信号的阻抗与频率成正比，验证了电感的特性。
4. 电路设计测试结果符合预期，电路能够正常工作，达到了设计要求。
实验结论：通过本次实验，我们验证了电阻、电容、电感等基本电子元件的特性，并通过实际电路搭建和测试，加深了对电子技术原理的理解。
实验过程中，学生学会了使用电子测量仪器，提高了电路设计和分析的能力。
实验心得：在本次实验中，我深刻体会到了理论与实践相结合的重要性。
通过亲自动手搭建电路，我对电子元件的工作机制有了更加直观的认识。
同时，实验过程中遇到的各种问题也锻炼了我的问题解决能力。
希望在未来的学习中，能够将这些知识应用到更复杂的电子系统中。
注：本实验报告为示例文本，实验数据和结果需要根据实际实验情况进行调整和补充。
电子技术基础实训实验报告
实训项目一常用电工电子仪器仪表的使用一、实验目地1、了解双踪示波器、低频信号发生器、稳压电源、晶体管毫伏表及万用表的原理框图和主要技术指标。
2、掌握用双踪示波器测量信号的幅度和频率。
3、掌握晶体管毫伏表的使用方法。
4、掌握万用表的正确使用方法。
二、实验仪器1、双踪示波器；2、低频信号发生器；3、直流稳压电流；4、晶体管毫伏表；5、数字式（或指针式）万用表。
三、电测量指示仪表简介1、磁电系测量机构磁电系测量机构的固定部分由永久磁铁和处在磁极中间的圆柱形铁心组成。
具有准确度高、刻度均匀、阻尼强与消耗能量小等优点。
2、电磁系仪表电磁系测量属于推斥式类型。
推斥式测量结构的固定部分是由圆形线圈和装在线圈内部的磁电系测量机构形铁片组成的。
具有结构简单、过载能力强与交直流两用等优点。
3、电动系仪表电动系测量机构的固定部分是两个平行排列的固定线圈；可动部分由转轴、固定在转轴上的可动线圈、指针、阻尼翼片以及游丝组成。
具有准确度高、使用范围广等优点。
四、常用电子仪器的使用1、直流稳压电源：把交流电源转换成直流电源的装置。
2、示波器：用来观察电路中各测试点的波形，监测电路的工作情况，也可用于测量小信号的周期、幅度、相位差以及观察电路的特性曲线等。
3、低频信号发生器：为测量电路提供各种频率、幅度、及波形的输入信号。
4、晶体毫伏表：用于测量电路输入、输出信号的有效值。
5、数字式或指针式万用表：用于测量电路的静态工作点和直流信号。
6、晶体管特征分析仪：用于对晶体管的特征及参数的测量。
五、万用表的基本原理与使用1、万用表基本组成主要包括指示部分、测量电路、转换装置三部分。
2、指针式万用表指针式万用表的型号和种类很多，不同型号的万用表，功能也不尽相同。
3、数字式万用表数字式万用表的用途与指针万用表类似，它直接显示测量结果，读数具有直观性和唯一性。
且体积小，测量精度高、应用十分广泛。
4、DT-830型数字万用表DT-830型数字万用表原理框图COS5020型示波器使用说明示波器的控制操作旋钮一般都分布在前面板上。
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重点：二极管的工作原理以及整流滤波 电路的结构和工作原理
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开 始第 一回 退前 进 最 后 返 回 帮 助 退 出
§6.1半导体的基本知识
一、导体、绝缘体和半导体
１、导体：容易导电的物体。 例：铜、铝、银、铁等。
２、绝缘体：几乎不导电的物 体。
例：橡胶、陶瓷等。
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本征激发
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自由电子
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空穴
本征激发
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开 始第 一回 退前 进 最 后 返 回 帮 助 退 出
空穴：虚拟的带一个电
子电量的正电荷，可参与 导电（载流子），空穴导 电实际上是束缚电子依次 填补空穴而形成的运动， 可将其视为空穴的运动。
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开 始第 一回 退前 进 最 后 返 回 帮 助 退 出
半导体中的两种载流子： 自由电子和空穴。
自由电子─空穴对： 本征激发产生的自由电子和
空穴成对出现，数量一样多。
复合：自由电子和空穴相遇 时恢复共价键，自由电子─空穴对 消失。
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简化模形
惯性核
价电子
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锗和硅都有４个价电子
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简化模形
惯性核
价电子
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锗和硅都有４个价电子
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３、半导体：导电能力介于
导体和绝缘体之间，且随外界
条件而显著变化的物体。
例：锗、硅、砷化镓等。
特点：导电能力受光照、温
度和掺杂的影响而发生显著的变 化。
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开 始第 一回 退前 进 最 后 返 回 帮 助 退 出
二、半导体的原子结构
Ｎ型半导体结构 30
开 始第 一回 退前 进 最 后 返 回 帮 助 退 出
Ｎ型半导体中自由电子数目 远大于空穴数目，成为多数载 流子，而空穴为少数载流子， 主要是自由电子导电。
自由电子
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空穴
复合
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自由电子
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空穴
复合
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复合
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在一定温度下，本 征激发和复合达到动态 平衡，本征载流子浓度 保持一定数值。
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开 始第 一回 退前 进 最 后 返 回 帮 助 退 出
１、Ｎ型半导体（电子型）
在硅晶体中掺入少量五价 元素磷─施主元素，在组成共 价键时，每个磷原子就多出一 个价电子，不受共价键束缚而 成为自由电子，这个磷原子则 成为正离子（不能移动）。
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共价键
价电子
惯性核
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锗和硅的共价键结构
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开 始第 一回 退前 进 最 后 返 回 帮 助 退 出
束缚电子：共价键内的两
个电子。
自由电子：获得能量后脱
离了共价键的电子。
Ｔ＝０Ｋ时半导体中没有
自由电子。
Ｔ＝３００Ｋ（常温）时
半导体中有少量的自由电子。
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三、本征半导体
１、本征半导体
非常纯净（纯度达
99.99999％以上）、结
构完整的半导体称为本
征半导体。
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电工与电子技术 （6）
第六章 半导体二极管及其应用
§6.1 半导体的基本知识
§6.2 ＰＮ结及半导体二极管
§6.3 整流滤波电路
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主菜单 开 始 第 一 回 退 前 进 最 后 返 回 帮 助 退 出
第六章 半导体二极管及其应用
内容提要：本章介绍半导体 的基本知识、PN结的形成、二极 管的结构和工作原理以及整流滤 波电路的结构和工作原理等。 最 后 返 回 帮 助 退 出
本征载流子浓度：
Ni（Ｔ）＝Pi（Ｔ） ＝AT（3/2）e(-Eq/2KT）
Ｔ＝300Ｋ时 硅: Ni＝Pi＝1.4×1010/cm3 硅原子浓度：
4.96×1022/cm3
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本征半导体
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开 始第 一回 退前 进 最 后 返 回 帮 助 退 出
２、本征激发
半导体受热和光照时， 一些束缚电子获得能量脱离 共价键而成为自由电子，并 在共价键中产生一些空穴， 这种现象称为本征激发。
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开 始第 一回 退前 进 最 后 返 回 帮 助 退 出
半导体的导电能力随温度 的升高而显著增加。
硅: Ｔ每升高８度，Ni增 大１倍
锗: Ｔ每升高12度，Ni增 大１倍
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四、杂质半导体
掺有其它元素的半导 体，叫做杂质半导体，掺 杂后半导体的导电性能大 大提高。
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１、半导体的原子结构 半导体材料主要是锗
和硅，其原子结构如下图 所示：
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半导体的原子结构
原子核
电子
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开 始第 一回 退前 进 最 后 返 回 帮 助 退 出
简化模形
惯性核
价电子
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锗和硅都有４个价电子
简化模形
惯性核
价电子
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锗和硅都有４个价电子
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2.共价键结构
半导体材料制成晶体后形成共价 键结构。
共价键结构: 每个原子的四个价 电子不仅受本原子的作用力，而且还 分别受相邻四个原子的作用力，使价 电子在两个相邻原子的公共轨道上运 动。（电子的共有化运动）