氮化硅薄膜的钝化作用对太阳能电池片性能的影响分析和研究
氮化硅薄膜在太阳电池中的作用
氮化硅薄膜在太阳电池中的作用氮化硅薄膜在太阳电池中的作用，听起来就像个高科技的名词，但实际上，它可是个不起眼的“英雄”。
想象一下，太阳光洒在大地上，那些充满能量的阳光，就像是天上掉下来的“黄金雨”。
可是，要是没有氮化硅薄膜，这些“黄金”可就无法轻易被捕捉到，真是让人心疼。
氮化硅薄膜在太阳电池里，真是个关键角色，堪称“太阳能的守护神”！说到氮化硅薄膜，首先得提提它的“外貌”。
就像一层薄薄的透明保护膜，外表看上去没啥特别，可里面的故事可多得很。
它可不是随便一层膜，而是专门为太阳电池量身定制的。
这层薄膜不仅能有效阻挡外界的干扰，还能保护太阳电池内部那些精密的材料，免受灰尘和水分的侵害。
就像给你的爱车加个防护罩，谁会愿意让车子暴露在风吹雨打之下呢？氮化硅薄膜的神奇之处在于它的光学性质。
想象一下，阳光照射下来，氮化硅薄膜能够有效地让那些光子“转身”，确保尽可能多的阳光能够渗透到太阳电池内部。
这就好比是为太阳电池开了一扇“窗户”，让更多的光线能够进入，真是一举两得！这层薄膜还能够减少光的反射，简直就是为太阳电池提供了一条“高速公路”。
试想一下，如果光子不小心撞上了膜，然后反弹回去，那可就太可惜了，对吧？除了保护和传光，氮化硅薄膜还有个神奇的功能，那就是提升太阳电池的效率。
说到效率，大家都知道，在这个追求“快”的时代，谁不想让自己的工作效率高一点呢？太阳电池的效率也一样，氮化硅薄膜的加入，简直就像给它打了鸡血，让它的能量转化率提高了不少。
这就好比在课堂上，有个老师特别给力，能把复杂的知识用简单的方式教给学生，结果学生们个个都能轻松掌握。
而且啊，氮化硅薄膜的耐热性和耐腐蚀性也是它的一大亮点。
太阳电池经常要面对烈日的“烤验”，这时候，氮化硅薄膜就像个不怕热的“战士”，能在高温下保持稳定的性能。
还有那些腐蚀性强的环境，氮化硅薄膜也能镇定自若，真是让人放心。
有了这层膜，太阳电池就像是穿上了一身“铠甲”，无畏无惧，勇往直前。
晶体硅太阳电池的氮化硅表面钝化研究
晶体硅太阳电池的氮化硅表面钝化研究
晶体硅太阳电池作为一种新兴的太阳能发电技术，其外表面应具有良好的表面活性性能，以保证电池的高效发电性能。
但晶体硅表面的活性性能往往受到空气中的污染物的影响，为了改善这一现象，研究人员开展了对晶体硅太阳电池表面的氮化硅钝化研究。
氮化硅钝化研究是指在高温下，将蒸气中的氮源添加到晶体硅表面，形成一层厚薄的氮化硅膜，以钝化晶体硅表面，减少表面污染，改善电池的稳定性。
首先，在实验中，研究人员使用电弧气体溅射机对晶体硅表面进行氮化硅钝化处理。
在氮化硅钝化处理过程中，将电弧气体添加到晶体硅表面，在高温环境下产生自熔合效应，形成一层薄的氮化硅膜。
氮化硅膜的厚度一般在1~3微米之间，具有良好的耐磨性能，能够有效阻止污染物的吸附，改善晶体硅表面的稳定性。
其次，在试验中，研究人员还将晶体硅表面的氮化硅膜进行了多种改性处理，包括气相添加、物相添加和加热处理等。
通过改性处理，可以提高氮化硅膜的耐磨性能，改善晶体硅表面的表面活性性能，有效阻止污染物的吸附，以保证电池的高效发电效果。
最后，通过对晶体硅表面的氮化硅钝化处理，可以有效抑制污染物的吸附，降低表面活性能，抑制电池表面的电池浪涌现象，保证电池的可靠性。
此外，氮化硅膜也具有良好的耐热和耐腐蚀性能，可以有效保护晶体硅太阳电池免受外界空气环境和污染物的损害，以便提高太阳电池的发电效率和使用寿命。
综上所述，晶体硅太阳电池表面的氮化硅钝化处理，可以有效抑制污染物的吸附，改善电池的稳定性，降低太阳电池的耗能，保证其高效发电性能。
由此，氮化硅钝化技术将成为太阳能发电领域的一项重要技术，对于提高太阳电池的发电性能具有重要意义。
应用于太阳能电池的氮化硅薄膜性能研究
应用于太阳能电池的氮化硅薄膜性能研究
高鹏飞;石磊
【期刊名称】《光源与照明》
【年(卷),期】2024()2
【摘要】太阳能电池是一种将光能转化为电能的发电技术,由于光入射到太阳能电池表面时会被部分反射,为了提高太阳能电池的效率,需要在电池表面制作一层透光薄膜作为减反射层。
氮化硅(SiNx)薄膜是一种介电常数高、绝缘性好、光学性能优良的透明介质膜,广泛应用于集成电路、半导体器件和太阳能电池等领域,研究其性能对提高太阳能电池的效率具有重要意义。
文章采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备氮化硅薄膜,研究了NH3/SiH4流量比、衬底温度、反应腔气体压强等工艺参数对薄膜性能的影响,并进行分析。
【总页数】3页(P41-43)
【作者】高鹏飞;石磊
【作者单位】河北省产业转型升级服务中心
【正文语种】中文
【中图分类】TM914.4
【相关文献】
1.柔性薄膜太阳能电池与乙烯-四氟乙烯薄膜复合材料电-热-力性能试验研究
2.太阳能电池PECVD工艺参数对生长氮化硅薄膜影响的研究
3.应用于太阳能电池的
AZO透明导电薄膜光学性质研究4.光化学气相淀积氮化硅的工艺及其应用研究——(Ⅲ)光CVD氮化硅薄膜应用于提高器件可靠性
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太阳能电池钝化层的作用
太阳能电池钝化层的作用
太阳能电池钝化层是指在太阳能电池的表面形成的一层氧化层或氮化层，其作用是防止电极表面的氧化或腐蚀，以提高太阳能电池的稳定性和寿命。
太阳能电池的电极由金属和半导体材料构成，在使用过程中会受到环境因素的影响，例如水分、氧气、酸碱度等因素会使电极表面发生氧化或腐蚀，导致电极性能下降，甚至失效。
而太阳能电池钝化层的形成可以在一定程度上防止这种情况的发生，保护电极表面，延长太阳能电池的使用寿命。
太阳能电池钝化层的形成有多种方法，包括化学处理、物理气相沉积、电化学氧化等。
不同的方法会形成不同的钝化层，其结构和性能也有所不同。
目前，氧化铝、氧化钛、氮化硅等材料被广泛用于太阳能电池钝化层的制备中。
总之，太阳能电池钝化层的作用是保护电极表面，提高太阳能电池的稳定性和寿命。
在太阳能电池的制备和应用中，钝化层的制备和优化是一个重要的研究方向。
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太阳能电池PECVD工艺参数对生长氮化硅薄膜影响的研究
层 中Ｈ 含量 的上升 ，膜层 中Ｓ ｉ — Ｈ 键 、Ｎ — Ｈ 键 的数量 也
随之增 多 ，氮化 硅膜质 地变 得疏 松 。如果提 高氨 气 流量 ，则会 使 膜 中富 含Ｎ 元 素 ，从 而导 致 膜 的绝 缘 性下 降 。同样 ，硅 烷流 量 的增 大将 提升膜 中ｓ ｉ 元 素
的含量 ，这 也会 使膜 的绝缘 性变差 。若 气体 流量 比 过大 ，会 使反应 室 内气 体浓 度增加 ，气 体分 子平 均 自由程 变 小，淀 积到表 面 的反应 生成物 减少 ，导致 淀积速率 随流量增加 反而减少 。
可 以使薄膜前后两个表面产 生的反射光相 互干扰 ，从 而抵消反射光 ，达到减反射 的效果 ，增加对太 阳光的 吸 收 ，提 高光生 电流密度 ，从而提 高 电池 的转换 效 率 。同时，氮化硅膜 中的Ｈ 降低 了表面 复合速 率 ，带
３ 影响氮化硅膜生 长的工艺参数
Ｐ Ｅ Ｃ Ｖ Ｄ 生长氮 化硅 薄 膜涉 及 到的主 要 工艺参 数
方程 式为：Ｓ ｉ Ｈ ４ ＋Ｎ Ｈ ３ 一Ｓ ｉ ３ Ｎ ４ ＋Ｈ ２ ｆ。
氮化硅 薄膜 的基本制 各方法 是 ：采 用低温 等离
子体 作 能 量 源 ，将 样 品置 于低 压 辉 光 放 电的 阴极 上 ，利 用辉光 放 电使样 品升温 到预 定的温度 ，然 后 通入适量 的反应气 体Ｓ ｉ Ｈ 和Ｎ Ｈ ，气体经 一系列化 学
氨气 流量 比 、射频 功率 、温度 、淀积 时间等 工艺参
数 的变化 对氮化硅薄膜 的生长 均有影响 。
１ 氮化硅膜在 太阳能电池 中的作 用
通 常Ｓ ｉ Ｎ 中的ｓ ｉ ／ Ｎ 值 为０ ． ７ ５ ， 即Ｓ Ｊ ａ Ｎ ４ ，而实 际
多层氮化硅膜对太阳电池的影响
多层氮化硅膜对太阳电池的影响摘要：氮化硅膜层在晶体硅太阳电池中起到钝化和减反射的作用，对太阳电池的转换效率有着重要的影响。
实验采用P型多晶硅片，经制绒、扩散和湿法刻蚀等工艺后，在温度460℃，NH3:SiH4气体比例3:1-10:1，射频功率5300-6100W，压强为1500mTorr等工艺参数下，沉积了不同厚度组合的多层氮化硅膜。
利用少子寿命测试仪和反射率测试仪对PECVD沉积氮化硅膜前后硅片的少子寿命和沉积氮化硅膜后的反射率进行了测量。
实验结果表明，第一、第二层厚度为33nm，而顶层厚度为15nm时，钝化效果最好较沉积氮化硅膜之前提高了54.5%，而反射率则是在第一层厚度为45nm、第二层厚度为22nm、顶层为15nm时，反射率最低值为4.51%。
关键词：管式PECVD；钝化效果；减反射；多层氮化硅膜一、引言SiNx薄膜具有良好的绝缘性、化学稳定性和致密性等特点，被广泛地用于半导体的绝缘介质层或钝化层。
等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）制备的SiNx膜具有沉积温度低，沉积速度快、薄膜质量好、工艺简单易于工人操作等优点被大量应用于晶体硅太阳电池产业中[1-4]。
管式PECVD参数主要包括：温度、气体流量、压强、功率、频率开关比和沉积时间等。
影响氮化硅膜质量的工艺参数较多，采用传统实验方法研究各工艺参数对氮化硅膜的减反射和钝化效果的影响，需要进行的实验数量是非常大的，同时各工艺参数具有交互性，所以获得优化的工艺参数组合是非常复杂困难的。
二、实验方法采用p型多晶硅片（15.6cm×15.6cm），方块电阻为50Ω/□的扩散层，利用管式PECVD设备在温度460℃，NH3:SiH4气体比例3:1-10:1，射频功率5300-6100W，压强为1500mTorr等工艺参数下沉积不同厚度的多层氮化硅膜作为多晶太阳电池的减反射膜层。
利用少子寿命测试仪和反射率测试仪对PECVD 制备的氮化硅膜前后的硅片少子寿命以及反射率进行了测量。
40-背面氮化硅钝化膜厚度对单晶硅太阳能电池的影响
第 12 届中国光伏大会暨国际光伏展览会论文（A 晶体硅材料及电池）背面氮化硅钝化 氮化硅钝化膜厚度对单晶硅太阳能电池的影响 钝化膜厚度对单晶硅太阳能电池的影响孟庆蕾, 钱洪强, 陆红艳 ,王振交 ,吴甲奇,韩培育, 姜勇飞,陈如龙,杨健,张光春,施正 荣（无锡尚德太阳能电力有限公司 214028 qinglei.meng@）摘要：背面局部接触电池可以减少背面复合。
本文通过调节背面局部接触电池背场和硅基材之间 SIN 钝化层不同的厚度，对电池电性能进行研究。
电池 IV 参数表明三层氮化硅具有更佳的表 面钝化效果，硅太阳电池的转换效率、开路电压 Voc 和短路电流密度 Jsc 都有所提升。
关键词： 关键词：晶体硅太阳能电池 ；钝化 ；SINx背场；不同SINx厚度 1 前言高效低成本是当今太阳能电池发展的两大趋 势。
通过硅片的减薄,可以不断地降低硅太阳电池制 造成本。
但是当硅片厚度降低到一定程度时，长波 长的光子在被吸收前就有可能透过硅片。
所以， 随着硅片厚度的降低，电池背面需有一定的具有行 之有效的长波反射能力将没有被吸收的光子反射 回到电池内部，从而进行二次或者多次反射后的吸 收。
背面氮化硅膜钝化太阳电池在修复背表面态 方面有很大优势[3]，德国Fraunhofer ISE 的 Schneiderlochner采用Al/PECVD SiNx 薄膜并以激 光烧结背电极技术制备的电池转换效率在10 cm×10 cm 上达到17.1% ，斯图加特大学采用的低[1]温背钝化技术和LFC 技术制备的电池的转换效率 达到20.5%[2]。
本文采用PECVD方法在单晶硅背面沉积不同 膜厚的氮化硅,研究不同膜厚的氮化硅对单晶硅太 阳电池的影响。
2 实验取用体少子寿命在100µs左右单晶片原始硅片, 厚度在200µm左右,实测电阻率范围1～3Ωm。
将实 验片分为两组，A组使用PECVD在硅片背面沉积约 180nmSINx，B组使用PECVD在硅片背面沉积约 270nmSINx。
太阳能电池背表面钝化的研究
收稿日期:2008-11-04作者简介:周国华(1981-),男,江苏泰州人,检测技术与自动化装置。
主要从事高效太阳能电池方面的研究。
太阳能电池背表面钝化的研究周国华1,施正荣2,3,朱 拓2,吴 俊3,梅晓东3,姚海燕3(1.江南大学信控学院,江苏无锡214122;2.江南大学理学院,江苏无锡214122;3.无锡尚德太阳能电力有限公司,江苏无锡214000)摘 要:利用PC1D 模拟不同少子寿命的电池效率与背表面复合速率的关系,采用氮化硅和及其与二氧化硅薄膜的叠加层作为背面钝化膜,通过丝网印刷的方法形成条形局域背接触和局域背面点接触,条形接触的面积为背表面的25%,背面点接触孔径为250μm,间距2mm 。
经过RTP 处理之后,两种不同的接触方式存在相同的问题,串联电阻大,并联电阻小,而利用腐蚀浆料的方法形成背面点接触,在电性能参数有少许改善。
结果表明,在正常的烧结状态下,常规铝浆很难完全穿透氮化硅薄膜及其叠加层背面钝化层。
而利用腐蚀浆料的方法形成背面点接触,在电性能参数有少许改善。
关键词:背面钝化;背面局域接触中图分类号:T M914.4 文献标识码:A 文章编号:1004-3950(2009)01-0017-04Study on the rear surface pa ssi va ti on of sol ar cellsZHOU Guo 2hua 1,SH I Zheng 2rong2,3,ZHU Tuo 2,et al(1.School of Communicati on &Contr ol Engineering,Southern Yangtze University,W uxi 214122,China;2.School of Science,Southern Yangtze University,W uxi 214122,China;3.Suntech,W uxi 214000,China )Abstract:The relati onshi p bet w een the battery efficiency with different m inority carrier life and the conversi on efficien 2cy on the backside surface different bulk life ti m e silicon was si m ulated by using PC1D.The SI N and SI N /SI O stacks were used as the dielectric rear passivati on layers .The screen p rinting technol ogy was used t o f or m the grid back con 2tact with the area of the rear surface 25%and point contact with dia meter of 250u m and s pace 2mm.There is the sa me p r oble m in the t w o different f or m s .The series resistance is t oo big,and the shunt resistance is t oo s mall .By using acid method,the electric perfor mance para meters become a little better .The results above indicate that it is difficult t o go thr ough the dielectric rear passivati on layers by using the common A l paste,while using acid method,the electric per 2f or mance para meters become a little better .Key words:rear surface passivati on;l ocal back contact0 引 言降低晶体硅成本,是竞争日益激烈的光伏产业追求的目标之一,降低硅原料成本,一般需要向更薄的硅片发展,采用更薄的硅片是以后晶体硅太阳能电池产业发展的趋势之一。
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KEYWORDS:siliconnitride film;PECVD;ACR;passivation;silicon solar cells
第一章
§1
§
随着人类社会的高速发展，环境恶化与能源短缺己成为全世界最为突出的问题。目前，全球总能耗的70％以上都来自石油、天然气、煤等化石能源。但是这些常规能源都是不可再生能源，图1-1给出了世界和中国主要常规能源储量预测，全球已探明的石油储量只能用到2040年，天然气也只能延续到2060年左右，即使储量丰富的煤炭资源也只能维持两百年左右[1]。无论从世界还是从中国来看，常规能源都是很有限的，因此开发利用可再生能源、实现能源工业可持续发展的任务更加迫切，更具深远的意义。
氮化硅薄膜的钝化作用对太阳能电池片
性能的影响分析和研究
摘要
作为一种器件表面介质膜，SiNx薄膜已被广泛应用于IC以及太阳能光伏器件的制造中。在高效太阳能电池研究中，发射结表面钝化和减反射一直是其研究的主题。电池正面发射结不仅要求表面钝化层有优良的钝化性能，同时也要求介质层能够与表面层减反射膜一起产生很好的减反射效果，从而进一步提高太阳电池器件的光生电流、开路电压以及电池效率。
当波长为λ的光垂直入射时，如果膜层光学厚度为λ的1/4，即nd=λ/4则由式上式可得
（1-2）
上式中R表示波长为λ的光的反射率；理论上为了达到最小的反射率R＝0时，需要的条件是: 从而得到最小反射率时薄膜的折射率和膜层的厚度
为了使反射损失减到最小，即希望R=0，应有
（1-3）
因此，对于给定的波长λ所需减反射膜的折射率由式1.3就可求得，而最佳膜层光学厚度是该波长的四分之一，此时反射率最小，接近为零。但当波长偏离λ0时，反射率将增加。为了使电池输出尽可能增加，应先取一个合理的设计波长λ0。这需要考虑两个方面，即太阳光谱的成分和电池的相对光谱响应。地面太阳光谱能量的峰值在波长0.5μm，而硅太阳电池的相对响应峰值在波长0.8～0.9μm。因此减反射效果最好的波长范围在0.5～0.7μm，可取λ0=0.6μm。具有这一厚度减反射膜的硅太阳电池，由肉眼看来呈深蓝色。此时硅的折射率nSi=3.9，所以如果电池直接暴露在真空或大气中使用，最匹配的减反射膜折射率为
PECVD对于晶体硅中少子寿命影响较小，而且生产能耗低；沉积速度快，生产效率高；SiNx薄膜的质量好，薄膜均匀且缺陷密度较低[7][8]。PECVD制备SiNx减反射薄膜的反应温度一般在300℃-400℃，反应气体为硅烷和高纯氨气，其反应式为
我国属太阳能资源较丰富的国家之一，国家对光伏工业和光伏市场的发展给以支持，在“七五”期间，光伏发电不但列入到国家的攻关计划，而且列入到国家的电力建设计划，同时也在一些重大工程项目中得到采用，如国家计委的“光明工程”、电力部的西藏无电县建设计划、西藏阿里光电计划、林业部的森林防火通信工程、邮电部的光缆工程、石油部的管道阴极保护工程、广电部的村村通工程等。2002年，原国家计委启动了“西部省区无电乡通电计划”，即“送电到乡”工程，通过光伏和小型风力发电的方式，最终解决了西部七省区(西藏、新疆、青海、甘肃、内蒙、陕西和四川)近800个无电乡的用电问题，这一项目的启动大大刺激了我国光伏工业的发展。在我国太阳电池市场中，通讯及工业用光伏系统将从目前的40~50％的市场份额下降到2010年的20~30％，户用及民用光伏系统将从目前的30％上升到40~50％。到2015年中国将开始大规模发展并网式屋顶光伏系统[1]。
In this thesis we describe the passivation & Antireflection of high efficient SiliconSolar cells on the front emmiterand then we focus onPECVDanalysising the Mechanism ofhydrogen passivation.In the experiments I used the tubular and plate PECVD preparing silicon nitride thin film.Then,I texted minority carrier lifetime by minority carrier lifetime tester(WT2000),film thickness and refractive indexby ellipsometer,reflectivity by D8 integral reflectivity,and using HFsolution tested the film density.These were used to ailalyze the properties of silicon nitride films.Another,Improving the conditionoftheplate PECVD deposition .The results show that thetemperature of deposition is 370,SiH4:NH3=500:1600,time:3min.In this conditionSilicon have a good passivation quality, film thickness and refractive indexwellmatchingandlow reflectance.
经历了2008年的金融危机之后，全球光伏市场也随之进入低谷，曾有分析机构预测，2009年光伏新增装机容量将比2008年减少12%，仅4.8GW。然而庆幸的是，到了2009年第三季度，光伏市场再呈活跃趋势，第四季度更是促使光伏产品供不应求，太阳电池厂商满负荷生产。据欧洲光伏工业协会（EPIA）统计，2009年全球新增装机容量达7.2GW，比2008年的5.5GW增长了31%。2009年末全球光伏市场的强劲势头保持到了2010年，据此iSuppli预计，2010年全球光伏装机容量将达到13.6GW，光伏产业再次迎来高速发展时代。
中国在2009年中也新增了140MW以上的光伏系统安装容量，累计安装超过300MW。对于2008年新安装的20MW而言，2009年新增安装量翻了7倍。随着我国政府对可再生能源的重视，“太阳能屋顶计划”和“金太阳”工程的实施，2010年光伏安装量还将会成倍的增长，中国必将成为全球光伏市场的中坚力量。
§
太阳能是人类最主要的可再生资源。太阳能以其独具的优势，其开发利用是最终解决常规能源特别是石化能源短缺、环境污染和温室效应等问题的有效途径，是人类理想的替代能源。
§
目前，开发利用太阳能已成为世界上许多国家可持续发展的重要战略决策。1990年以来，联合国组织召开了一系列会议，讨论和制定了世界太阳能利用的战略规划、国际太阳能公约以及推行可再生能源发电的配额政策(RPS)等。1992年美国政府颁布了新的发展目标，1997年又宣布了“百万屋顶光伏计划”。日本自1993年以来先后推出了“月光计划”、“环境计划”、“阳光计划”等，对居民住宅用屋顶光伏发电及公共设施用光伏发电采取了补助造价1／3～1／2的优惠政策。德国2000年通过新的可再生能源法，支持光伏发电，实行政府补贴和零利息贷款等优惠政策。
上图为2009全球十大太阳能电池厂商[3]，可以看出在这十大太阳电池厂商当中，中国的厂商占据五席，总产能达到2.5GWp,占45%，其中天合光能和台湾昱晶首次进入前十大，因此也将茂迪和三洋挤下十大之列。同时，中国厂商的增长速度也是惊人的，天合、晶澳、英利、昱晶的增速都超过了85%，尚德也增长了41%。此外，中国的阿特斯、林洋、中电虽没有入围，其产量也是非常高的。
Ti(OC3H7)4+2H2O==TiO2+4(C3H7)OH
SiNx是另一种常用的晶体硅太阳电池的减反射膜。由于SiNx薄膜具有良好的绝缘性、致密性、稳定性和对杂质离子的掩蔽能力，SiNx薄膜作为一种高效器件表面的钝化层已被广泛应用于半导体工艺中。SiNx薄膜也有极好的光学性能，波长为632.8nm时，其折射率在1.8-2.5之间；而且在SiNx薄膜的制备过程中，还能对硅片产生H钝化的作用，明显改善晶体硅太阳电池的光电转换效率。因此，20世纪90年代以来，采用SiNx薄膜为晶体硅太阳电池的减反射膜已经成为研究和应用的重点，特别是在铸造多晶硅太阳电池上的应用[5][6]
关键词：氮化硅薄膜；PECVD；减反膜；钝化；太阳能电池
THE PASSIVATION OF SILICON NITRIDE FILM ON SOLAR CELLS ANALYSISANDRESEARCH
ABSTRACT
As a dielectric thin film of device,SiNx has widely used in IC and Solar cellsmanufacturing .In the research and investigation of high efficiency silicon solar cell,thepassivation of front emitter and anti reflection has been their focus. Because，for thefront emitter,we need it have excellent passivation quality and good antireflectionproperty,in this way to improve the Isc and Uoc,further more to get much highefficiency.