背面钝化的硅太阳能电池工艺理论
电池片背钝化的原理
电池片背钝化的原理电池片背钝化是一种用来减少电池片背面电荷复合损失的技术，可以显著提高太阳能电池的转化效率。
下面详细介绍电池片背钝化的原理。
太阳能电池是一种将光能直接转化为电能的装置，其基本原理是光生电效应。
光生电效应是指当光照射到半导体材料上时，光子会激发材料中的电子，使其跃迁到导带中，形成电流。
然而，在实际应用中，电池片的背面会出现电荷复合的情况，导致光生电子与背面电荷复合，减少光电转换效率。
电池片背钝化的原理就是通过在电池片背面形成一层能够阻止电荷复合的钝化层，从而减少电荷复合损失，提高光电转换效率。
具体来说，背钝化层的形成可以采用多种方法，下面主要介绍两种常见的方法：Al2O3背钝化和SiNx背钝化。
Al2O3背钝化是一种常用的背钝化方法。
该方法通过在电池片背面形成一层氧化铝（Al2O3）薄膜来防止电荷的复合损失。
氧化铝薄膜可以通过原子层沉积（ALD）等技术在电池片背面均匀地生长。
该薄膜具有较高的电阻率和较低的导电性，能够有效地阻止电荷从电池片背面流失，从而提高电池片的光电转换效率。
SiNx背钝化是另一种常见的背钝化方法。
该方法通过在电池片背面形成一层氮化硅（SiNx）薄膜来阻止电荷的复合损失。
氮化硅薄膜可以通过化学气相沉积（PECVD）等技术在电池片背面生长。
该薄膜具有较高的电阻率和较低的导电性，能够有效地阻挡电荷从电池片背面流失，提高电池片的光电转换效率。
除了上述两种方法外，还有一些其他的背钝化技术，如Al2O3/SiNx多层结构背钝化、全反射背钝化等。
这些技术通过不同的手段，在电池片背面形成一层具有较高电阻率和较低导电性的材料层，阻止电荷的复合损失，提高光电转换效率。
总之，电池片背钝化是一种提高太阳能电池转化效率的重要技术。
通过在电池片背面形成钝化层，可以阻止电荷的复合损失，提高光电转换效率。
Al2O3背钝化、SiNx背钝化等方法可以有效地形成钝化层，进一步提高电池片的性能。
随着技术的不断进步，相信电池片背钝化技术将在太阳能电池领域发挥越来越重要的作用。
一种硅太阳能电池的钝化方法与流程,激光切割
一种硅太阳能电池的钝化方法与流程在太阳能电池产业中，硅太阳能电池一直以其高效能转化和稳定性而备受关注。
而对于硅太阳能电池的钝化方法和流程，激光切割作为一种先进的技术，正在逐渐受到人们的关注。
在对硅太阳能电池的钝化方法进行全面评估时，我们首先需要了解什么是硅太阳能电池的钝化，以及钝化的作用和意义。
简单来说，钝化是指通过对硅太阳能电池表面进行处理，以减少表面缺陷和电荷复合，从而提高电池的转化效率和稳定性。
而激光切割作为一种局部钝化方法，可以对硅太阳能电池表面进行精准处理，大大提高了钝化的效果和精度。
接下来，让我们来探讨激光切割在硅太阳能电池钝化中的具体流程和方法。
激光切割的过程中，高能激光可以对硅电池表面进行局部加热和熔化，形成微观结构，从而有效地减少表面反射和光伏损失。
激光切割还可以减少电池表面的缺陷和损伤，提高电池的稳定性和寿命。
激光切割可以说是一种高效、精密的硅太阳能电池钝化方法。
在这篇文章中，我们多次提及了硅太阳能电池的钝化方法和激光切割的相关内容，希望能够帮助读者更好地理解和掌握这一技术。
我们需要对这一主题进行总结和回顾，以便读者能够全面、深刻和灵活地理解硅太阳能电池钝化方法和激光切割的意义和应用。
从个人观点来看，我认为激光切割作为一种新兴的硅太阳能电池钝化方法，具有广阔的应用前景和发展空间。
随着激光技术的不断进步和成熟，激光切割将会成为硅太阳能电池钝化的主流技术之一，为太阳能产业的可持续发展贡献重要力量。
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硅太阳能电池是目前主要应用于太阳能发电系统中的一种电池，其具有高效能转化和稳定性的特点。
然而，硅太阳能电池的表面缺陷和电荷复合等问题仍然制约着其转化效率和稳定性。
perc电池背钝化机理
perc电池背钝化机理摘要：perc电池是一种高效的太阳能电池，其背钝化机理是实现高转换效率的关键因素之一。
本文将介绍perc电池的背钝化机理，包括背电场和背面结构优化等方面的内容，以期对perc电池的工作原理有更深入的理解。
引言：太阳能电池是一种将太阳能转化为电能的装置，其效率的提升一直是研究的重点。
在太阳能电池中，背钝化是一种常见的技术，用以提高光电转换效率。
perc电池正是利用了背钝化机理，成为太阳能电池中的佼佼者。
一、perc电池背钝化机理概述perc电池（Passivated Emitter and Rear Cell）是一种具有背钝化层的太阳能电池。
在perc电池中，背钝化层的作用是限制电荷载流子的复合，提高电池的效率。
背钝化层是通过在太阳能电池的背面形成一个接近电池表面的电场，使得电荷载流子在背面上被集中，减少了电子和空穴的复合，从而提高了电池的光电转换效率。
二、perc电池背钝化机理详解1. 背电场的形成在perc电池中，背电场是通过某种方式形成的。
一种常见的方式是在背面上制备一个透明导电氧化物层（TCO），然后在背面形成一个p型掺杂层。
通过这种方式，在背面形成了一个电场，使得电子和空穴在背面上被分离，从而减少了电荷载流子的复合。
2. 背面结构优化除了背电场的形成，背面结构的优化也是perc电池背钝化的重要因素。
一种常见的优化方式是在背面形成一个反射层，用以增强光的吸收。
此外，还可以在背面添加一层反射层或衬底层，以增加光的路径长度，提高光的吸收效果。
3. 背钝化层的材料选择背钝化层的材料选择也对perc电池的效率有着重要影响。
目前常用的背钝化层材料有氮化硅、氧化锌等。
这些材料具有优良的电子和光学特性，能够有效地限制电荷载流子的复合，提高电池的光电转换效率。
三、perc电池背钝化机理的应用perc电池背钝化机理的应用已经广泛存在于太阳能电池的生产中。
perc电池以其高转换效率和良好的性能稳定性，成为了目前太阳能电池市场的主流产品。
(完整word版)背钝化简介
晶硅太阳能电池的表面钝化一直是设计和优化的重中之重.从早期的仅有背电场钝化，到正面氮化硅钝化,再到背面引入诸如氧化硅、氧化铝、氮化硅等介质层的钝化局部开孔接触的PERC/PERL设计。
虽然这一结构暂时缓解了背面钝化的问题,但并未根除，开孔处的高复合速率依然存在，而且使工艺进一步复杂.表面钝化的演进钝化的“史前时代"SiNx:H 第一次进化90年代，科研机构和制造商开始探索使用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术制备含氢的氮化硅（SiNx:H）薄膜用作电池正面的减反射膜。
其中原因之一在于相对合适的折射率，但更重要的原因则在于氮化硅优良的的钝化效果。
氮化硅除了可以饱和表面悬挂键，降低界面态外，还通过自身的正电荷，减少正面n型硅中的少子浓度,从而降低表面复合速率。
SiNx中携带的氢可以在烧结的过程中扩散到硅片中，对发射极和硅片的内部晶体缺陷进行钝化，这对品质较低的多晶硅片尤其有效，大幅提高了当时太阳能电池的效率。
伴随着钝化材料上的创新，银浆材料与烧结工艺上的变革也同时到来，那就是可以烧穿的浆料和共烧（Co—firing）烧结工艺.有了烧穿特性后，可以先进行减反射膜的沉积，后网印浆料,然后烧结.由于顺序的颠倒，不用再担心金属栅线上覆盖的减反射层影响焊接，也省去了沉积TiO2需要的部分遮挡。
同时人们发明了将正反面浆料一次烧结的共烧工艺，在一次烧结中，正面的银浆穿过SiNx与硅形成接触，而背面的铝浆也同步形成背面电极和背电场（back surface field）.这一系列改进大大简化了丝网印刷电池的工艺，并逐渐成为了晶硅电池生产的主流。
AlOx 第二次进化随着电池正面的钝化效果和接触性能由于SiNx的使用和银浆改进在不断提高，进一步优化正面已经进入瓶颈阶段，人们把视线投向了另一个复合严重的区域，那就是电池的背表面.虽然在传统丝网印刷的晶硅电池中,铝背场可以减少少子浓度，减少复合，但仍然无法与使用介质层带来的钝化效果相比较。
高效晶体硅太阳能电池背场钝化技术
高效晶体硅太阳能电池作者：S.W. Glunz，Fraunhofer Institute of Solar Energy System如今的晶体硅光伏组件的成本分布主要是材料成本，特别是硅片成本。
因此，采用更薄的硅片以及增加电池的转换效率引起了光伏业界的广泛兴趣。
表面钝化电介质钝化与背表面场所有转换效率大于20%的电池结构都具有电介质层的钝化表面。
然而，目前业界的晶体硅太阳能电池的表面结构多采用的是丝网印刷和热场Al背表面场（Al-BSF）。
它有两个主要的限制：由烧结工艺带来的硅片弯曲；更低的电学和光学特性。
特别是，Sback、背表面再复合速率是关键的参数，但是在文献中却有着大量的数值。
这使得衡量Al-BSF的潜力与电介质钝化变得很困难。
我们对不同的背表面结构并结合高效前表面结构进行了实验。
这将有可能准确的确定表面的再复合速率、Sback以及内部反射率Rback。
图1表示了不同背表面结构的内部量子效率，从低质量的欧姆Al接触开始一直到PERL/LBSF背表面。
有效的Sback和Rback已经从IQE和反射率测量中去除。
采用这些参数就有可能确定不同背表面结构对太阳能电池性能的影响（图2）。
电介质钝化甚至比高质量的发射极和更薄的硅片带来的好处更多。
电介质层的钝化机理良好的表面钝化有两种不同的机理：交界面状态Dit的降低；场效应钝化，即钝化层中一种载子类型与固定电荷Qf结合时的显著降低。
尽管这些机理或两种机理的结合会导致较低的表面再复合速率，Seff(Δn)曲线显示了不同的特性（图3）。
热生长的SiO2层更容易获得交界面状态的降低，而对于PECVD沉积的薄膜，如SiNx，场效应钝化和中等程度的Dit降低则更为常见。
SiO2的Dit=1010cm2eV-1，Qf=1010cm2。
而SiNx的Dit=1011cm2eV-1，Qf=1011cm2。
沉积温度形成电介质钝化层的一个关键问题是沉积温度。
目前为止，最好的电池钝化是热生长的氧化层。
PERC电池工艺
PERC太阳能电池技术PERC技术，即钝化发射极背面接触，通过在太阳能电池背面形成钝化层，提升转换效率。
PERC电池具有工艺简单，成本较低，且与现有电池生产线兼容性高的优点，有望成为未来高效太阳能电池的主流方向。
PERG技术通过在电池的后侧上（如下面图像中的黄色层所示）添加一个电介质钝化层来提高转换效率。
标准电池结构中更高的效率水平受限于光生电子重组的趋势。
PERC电池最大化跨越了P-N结的电势梯度，这使得电子更稳定的流动，减少电子重组，以及更高的效率水平。
其电池的特点是：（1）电池的正反两面都沉积钝化膜；（2）背场的铝浆则直接覆盖在背面钝化膜上与硅基体形成局部接触。
根据PERC 电池的结构特点，电池需要双面钝化和背面局部接触，从而大幅降低表面复合，提高电池转化效率。
双面钝化则要求电池两面都需镀介质膜，背面局部接触则需要背面开膜，因此PERC电池工艺流程为：（1）碱制绒（2）POCl3扩散（3）湿法背面刻蚀（4）双面钝化薄膜（5）背面介质薄膜开孔（6）金属化。
PERC电池产业化技术关键PERC电池的显著进展取决于以下三个方面：工艺，设备以及相关材料。
工艺方面的关键在于背面钝化以及背面局部接触技术的实现。
背面钝化技术，涉及到钝化膜的选择。
新南威尔士大学赵建华博士在1999发表的文章报道了采用SiO2薄膜钝化制备的P型PERC电池，同一年该校的A.G.Aberle也报道了SiO2作为P型PERC电池背钝化薄膜的缺点：弱光下氧化硅的钝化效果会急剧变差，那么产业化P型PERC 电池该选择氧化铝还是氧化硅呢？首先对比Al2O3和SiO x作为背面钝化薄膜的性能,氧化铝含有高密度的固定负电荷形成的电场可以有效减少表面的电子浓度，从而对p 型表面有极好的场钝化效应减少复合，从而导致PFF上，氧化铝钝化的PERC电池更有优势。
在强弱光下氧化铝叠层膜PERC电池和氧化硅层膜PERC电池的IQE性能氧化铝叠层膜PERC电池和氧化硅叠层膜PERC电池在长波的IQE均优于常规铝背场电池。
单品硅太阳能电池的背场钝化技术研究
关键 词 钝化
ｓＮ 背场 ＳＯ 背场 Ｉ Ｅ响应 ｉｘ ｉ： Ｑ
Ｂａ ｋｓ ｆ ｃ ｓ ｉ ａ ｉ ｎ ｍ ｅ ｈ ｄ ｏ ｉ ｃ ｏｌｒｃ ｌ ｃ ｕｒａ ｅ ｐａ ｓ ｖ ｔ ｔ ｏ ｏｆｍ ｎｏ ｓ ｌ ｏｎ ｓ ａ ｌ ｏ ｉ ｅ Ｅ ｕＲ ｎ ｉ ＊Ｗ ａ ｇＸ ｓ ｅ ｇａ ｄＺ ａ ｇＬ ｊｎ ｈ ａｑｎ ， ｎ ｕ ｈ ｎ ｎ ｈ ｎ ｉｕ ｇ ｎ
使用 了ＳＯ 或 ＳＮ 背场钝化层 后， ｉ： ｉ 长波 区域 的 Ｉ Ｅ响应相 比正 常电池片有明显提升， 明 ＳＯ 或 ＳＮ 确实起到钝化 作用。而再 对电 Ｑ 说 ｉ： ｉ
性参数分析后发现，ｉ： Ｓ ＳＯ 与 ｉ 相比可 以有效提高 电池的 Ｒ ｈ降低反 向电流 。同时在 Ｅ Ｆ测试 方面， Ｏ 与 ＳＮ 相 比， Ｎ ｓ， Ｆ Ｓ ｉ ｉ 也具有 一定 的
Ａｂ ｔ ａ ｔ ｐ ｌ ａｏ ｌｒ ｎｒｙｉ ａ ｅｔ ｅａｄｐ ｓ ｉ ｅｈｄｔ ｓｌ ｈ ｎ ｉ ｎ ｅｔａｄｅ ｒ ｒ ｉ ｎｗ ｄｙ． ｉｈ ｓｒ ｃ Ａ ｐｉ ｔ ｎｏ ｓ ａ ｅｇ ｎｅ ｃｉ ｎ ｏｉ ｅｍ ｔｏ ｏ ｅｔｅｅｖｒ ｍ ｎ ｎ ｎ ｇ ｃｉｓ ｏ ａ ａｓ Ｈｇ ｃｉ ｆ ｏ ｅ ｓ ｆ ｖ ｔ ｖ ｏ ｖ ｏ ｅ ｙ ｓ ｅ ｃ ｎｙ ｌ ｏｔ ｎ ａｉ ｏｓｐｏｕｔ ｎｉ ｔｅｕｔ ａ ｏｌｏ ｔ ｏａ ｅｌ ｅｅ ｐ ｅ ｔＩ ｅｅｔ ｅ ｓ ｍ ｎ ｉ ｆ ｉ ｃ ｅ ｆ ｉ ｃ， ｏ ｃｓ ａｄｅｓｙＦ ｓ ｒｄｃｉ ｈ ｌｍ ｔ ｇａ ｆ ｈ ｓｌ ｃｌ ｄｖｌ ｍ ｎ ｎ ｒ ｎ ａ ， ａｙｈ ｈｅ ｃ ｎｙｃｌ ｉ ｆ ｅ ｗ ｌ ｎ ｏ ｓ ｉ ｅ ｅ ｒ ｏ ． ｃ ｙｒ ｇ ｆ ｅ ｉ ｌ
的 目标。近年来 高转换效 率技术层 出不穷， 例如 Ｓ Ｅ电池（ ｌｃｖ ｍ ｔｒＣ ｌ， Ｓ ｅｔｅｅ ｉｅ ｅ） ｅ ｉ ｔ １ＭＷＴ电池ｆ ｔ ａ ｒｕｈｃｌ和 Ｅ Ｍｅ ｌ ｒ ｔ ｏｇ ｅ ） ＷＴ 电池（ｍ ｔｒ ａｗ ｐ ｈ １ Ｅ ｉｅ ｔ
太阳能电池背表面钝化的研究
收稿日期:2008-11-04作者简介:周国华(1981-),男,江苏泰州人,检测技术与自动化装置。
主要从事高效太阳能电池方面的研究。
太阳能电池背表面钝化的研究周国华1,施正荣2,3,朱 拓2,吴 俊3,梅晓东3,姚海燕3(1.江南大学信控学院,江苏无锡214122;2.江南大学理学院,江苏无锡214122;3.无锡尚德太阳能电力有限公司,江苏无锡214000)摘 要:利用PC1D 模拟不同少子寿命的电池效率与背表面复合速率的关系,采用氮化硅和及其与二氧化硅薄膜的叠加层作为背面钝化膜,通过丝网印刷的方法形成条形局域背接触和局域背面点接触,条形接触的面积为背表面的25%,背面点接触孔径为250μm,间距2mm 。
经过RTP 处理之后,两种不同的接触方式存在相同的问题,串联电阻大,并联电阻小,而利用腐蚀浆料的方法形成背面点接触,在电性能参数有少许改善。
结果表明,在正常的烧结状态下,常规铝浆很难完全穿透氮化硅薄膜及其叠加层背面钝化层。
而利用腐蚀浆料的方法形成背面点接触,在电性能参数有少许改善。
关键词:背面钝化;背面局域接触中图分类号:T M914.4 文献标识码:A 文章编号:1004-3950(2009)01-0017-04Study on the rear surface pa ssi va ti on of sol ar cellsZHOU Guo 2hua 1,SH I Zheng 2rong2,3,ZHU Tuo 2,et al(1.School of Communicati on &Contr ol Engineering,Southern Yangtze University,W uxi 214122,China;2.School of Science,Southern Yangtze University,W uxi 214122,China;3.Suntech,W uxi 214000,China )Abstract:The relati onshi p bet w een the battery efficiency with different m inority carrier life and the conversi on efficien 2cy on the backside surface different bulk life ti m e silicon was si m ulated by using PC1D.The SI N and SI N /SI O stacks were used as the dielectric rear passivati on layers .The screen p rinting technol ogy was used t o f or m the grid back con 2tact with the area of the rear surface 25%and point contact with dia meter of 250u m and s pace 2mm.There is the sa me p r oble m in the t w o different f or m s .The series resistance is t oo big,and the shunt resistance is t oo s mall .By using acid method,the electric perfor mance para meters become a little better .The results above indicate that it is difficult t o go thr ough the dielectric rear passivati on layers by using the common A l paste,while using acid method,the electric per 2f or mance para meters become a little better .Key words:rear surface passivati on;l ocal back contact0 引 言降低晶体硅成本,是竞争日益激烈的光伏产业追求的目标之一,降低硅原料成本,一般需要向更薄的硅片发展,采用更薄的硅片是以后晶体硅太阳能电池产业发展的趋势之一。