第六章 标准硅太阳能电池工艺
硅太阳能电池-制造工艺
硅太阳能电池-制造工艺————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：PV的意思：它是英文单词Photovoltaic的简写，中文意思是“光生伏特”（简称“光伏”）。
在物理学中，光生伏特效应（简称为光伏效应），是指光照使不均匀半导体或半导体与金属组合的不同部位之间产生电位差的现象硅太阳能电池制造工艺流程图1、硅片切割，材料准备：工业制作硅电池所用的单晶硅材料，一般采用坩锅直拉法制的太阳级单晶硅棒，原始的形状为圆柱形，然后切割成方形硅片（或多晶方形硅片），硅片的边长一般为10~15cm，厚度约200~350um，电阻率约1Ω.cm的p型（掺硼）。
2、去除损伤层：硅片在切割过程会产生大量的表面缺陷，这就会产生两个问题，首先表面的质量较差，另外这些表面缺陷会在电池制造过程中导致碎片增多。
因此要将切割损伤层去除，一般采用碱或酸腐蚀，腐蚀的厚度约10um。
3、制绒：制绒，就是把相对光滑的原材料硅片的表面通过酸或碱腐蚀，使其凸凹不平，变得粗糙，形成漫反射，减少直射到硅片表面的太阳能的损失。
对于单晶硅来说一般采用NaOH加醇的方法腐蚀，利用单晶硅的各向异性腐蚀，在表面形成无数的金字塔结构，碱液的温度约80度，浓度约1~2%，腐蚀时间约15分钟。
对于多晶来说，一般采用酸法腐蚀。
4、扩散制结：扩散的目的在于形成PN结。
普遍采用磷做n型掺杂。
由于固态扩散需要很高的温度，因此在扩散前硅片表面的洁净非常重要，要求硅片在制绒后要进行清洗，即用酸来中和硅片表面的碱残留和金属杂质。
5、边缘刻蚀、清洗：扩散过程中，在硅片的周边表面也形成了扩散层。
周边扩散层使电池的上下电极形成短路环，必须将它除去。
周边上存在任何微小的局部短路都会使电池并联电阻下降，以至成为废品。
目前，工业化生产用等离子干法腐蚀，在辉光放电条件下通过氟和氧交替对硅作用，去除含有扩散层的周边。
Si太阳能电池工艺
Si太阳能电池工艺流程目前主流的太阳能电池主要有硅系和化合物半导体系2大类（如图1），硅系中又分单晶硅和人多晶硅太阳能电池，本文针对硅系太阳能电池来说明太阳能电池的工艺流程。
图1 太阳能电池的主要分类及其工作原理示意图一、硅片检测硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低，因此需要对来料硅片进行检测。
该工序主要用来对硅片的一些技术参数进行在线测量，这些参数主要包括硅片表面不平整度、少子寿命（>10us）、电阻率、P/N型和微裂纹等。
该组设备分自动上下料、硅片传输、系统整合部分和四个检测模块。
其中，光伏硅片检测仪对硅片表面不平整度进行检测,同时检测硅片的尺寸和对角线等外观参数；微裂纹检测模块用来检测硅片的内部微裂纹；另外还有两个检测模组，其中一个在线测试模组主要测试硅片体电阻率和硅片类型，另一个模块用于检测硅片的少子寿命。
在进行少子寿命和电阻率检测之前，需要先对硅片的对角线、微裂纹进行检测，并自动剔除破损硅片。
硅片检测设备能够自动装片和卸片，并且能够将不合格品放到固定位置，从而提高检测精度和效率。
二、表面制绒单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀，在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。
由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了电池的短路电流和转换效率。
硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液，可用的碱有氢氧化钠，氢氧化钾、氢氧化锂和乙二胺等。
大多使用廉价的浓度约为1%的氢氧化钠稀溶液来制备绒面硅，腐蚀温度为70-85℃。
为了获得均匀的绒面，还应在溶液中酌量添加醇类如乙醇和异丙醇等作为络合剂，以加快硅的腐蚀。
制备绒面前，硅片须先进行初步表面腐蚀，用碱性或酸性腐蚀液蚀去约20～25μm，在腐蚀绒面后，进行一般的化学清洗。
经过表面准备的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，应尽快扩散制结。
三、扩散制结太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换，而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的专用设备。
硅太阳能电池 制造工艺
制造工艺-硅太阳能电池．PV的意思：它是英文单词Photovoltaic的简写，中文意思是“光生伏特”（简称“光伏”）。
在物理学中，光生伏特效应（简称为光伏效应），是指光照使不均匀半导体或半导体与金属组合的不同部位之间产生电位差的现象硅太阳能电池制造工艺流程图1、硅片切割，材料准备：工业制作硅电池所用的单晶硅材料，一般采用坩锅直拉法制的太阳级单晶硅棒，原始的形状为圆柱形，然后切割成方形硅片（或多晶方形硅片），硅片的边长一般为10~15cm，厚度约200~350um，电阻率约1Ω.cm的p型（掺硼）。
2、去除损伤层：硅片在切割过程会产生大量的表面缺陷，这就会产生两个问题，首先表面的质量较差，另外这些表面缺陷会在电池制造过程中导致碎片增多。
因此要将切割损伤层去除，一般采用碱或酸腐蚀，腐蚀的厚度约10um。
3、制绒：制绒，就是把相对光滑的原材料硅片的表面通过酸或碱腐蚀，使其凸凹不平，变得粗糙，形成漫反射，减少直射到硅片表面的太阳能的损失。
对于单晶硅来说一般采用NaOH加醇的方法腐蚀，利用单晶硅的各向异性腐蚀，在表面形成无数的金字塔结构，碱液的温度约80度，浓度约1~2%，腐蚀时间约15分钟。
对于多晶来说，一般采用酸法腐蚀。
4、扩散制结：扩散的目的在于形成PN结。
普遍采用磷做n型掺杂。
由于固态扩散需要很高的温度，因此在扩散前硅片表面的洁净非常重要，要求硅片在制绒后要进行清洗，即用酸来中和硅片表面的碱残留和金属杂质。
、边缘刻蚀、清洗：5扩散过程中，在硅片的周边表面也形成了扩散层。
周边扩散层使电池的上下电极形成短路周边上存在任何微小的局部环，必须将它除去。
短路都会使电池并联电阻下降，以至成为废品。
在辉光放目前，工业化生产用等离子干法腐蚀，去除含有扩电条件下通过氟和氧交替对硅作用，散层的周边。
扩散后清洗的目的是去除扩散过程中形成的磷硅玻璃。
、沉积减反射层：6增加沉积减反射层的目的在于减少表面反射，由于SiN ,PECVD淀积折射率。
太阳能电池关键工艺流程介绍
太阳能电池关键工艺流程介绍摘要太阳能电池作为一种可再生能源的重要组成部分，其工艺流程对于太阳能电池的性能和效率有着重要的影响。
本文将介绍太阳能电池制造过程中的关键工艺流程，并对其进行详细解析。
1. 晶体硅材料的准备太阳能电池通常采用晶体硅材料制备，因为晶体硅具有良好的光电转换性能。
首先，从硅矿石中提取硅，经过一系列的化学处理和纯化过程，得到高纯度的晶体硅材料。
纯度高的晶体硅材料能够提高太阳能电池的效率和稳定性。
2. 晶体硅材料的切割和抛光将准备好的晶体硅材料切割成薄片，通常厚度在200-300微米之间。
切割后的硅片表面不平整，需要进行抛光处理，以提高表面的平整度和光反射率。
抛光过程通常采用化学机械抛光方法，利用化学溶液和机械力将硅片表面的不均匀性去除。
3. 晶体硅片的清洗切割和抛光后的晶体硅片表面可能会残留有油脂、灰尘等杂质，需要进行清洗。
清洗过程通常包括浸泡在有机溶剂中去除油脂、用酸碱溶液去除残留的化学物质，并用超纯水进行最后的冲洗。
4. 晶体硅片表面的蚀刻为了增加晶体硅片表面的光吸收能力，需要对其进行一定程度的蚀刻处理。
蚀刻过程中，使用酸溶液对晶体硅片表面进行处理，以形成微小的刺激结构，增加光的散射和吸收。
蚀刻过程的条件和时间需要精确控制，以确保形成的表面结构符合设计要求。
5. 制备p-n结的过程太阳能电池通常采用p-n结的结构，以实现光电转换的过程。
制备p-n结的关键是向晶体硅片表面引入杂质，形成n型和p型区域。
这一过程通常称为掺杂。
n型区域通常掺入磷或砷等杂质，而p型区域通常掺入硼或铝等杂质。
6. 金属电极的沉积制备完p-n结后，需要在晶体硅片的两侧分别沉积金属电极，以收集光电转换过程中产生的电子。
金属电极的沉积通常采用真空蒸镀或电镀等方法，将铝、银等材料沉积在晶体硅片表面。
7. 表面涂层为了减少光的反射和提高光吸收率，太阳能电池的表面通常会涂覆一层抗反射膜。
这一层膜能够减少光的反射，增加光的穿透深度，并提高光的吸收效率。
太阳能电池的制造过程
太阳能电池的制造过程一、硅材料的提取和精炼太阳能电池的主要材料是硅，而硅又以二氧化硅的形式存在于自然界中的石英和长石等矿石中。
首先，从矿石中提取出二氧化硅，然后通过冶炼和精炼等工艺进行加工处理，使其达到电池制造的要求。
二、硅片的制备在硅材料精炼后，需要将其制成硅片，也称为硅棒。
首先，将精炼后的硅材料加热至高温，然后通过拉拔或浇铸等方法将熔融的硅液注入到特制的硅棒模具中，待其冷却凝固后，即可获得硅片。
三、硅片的切割硅片通常为圆形，而太阳能电池需要的是方形或长方形的硅片。
因此，在硅片制备完成后，需要对其进行切割。
切割过程中使用钻石刀具，将硅片切割成所需的尺寸和形状。
四、硅片的抛光硅片的表面通常会有一些不平整和缺陷，这对太阳能电池的性能有一定的影响。
因此，在切割完成后，需要对硅片进行抛光，使其表面光滑，以提高光的吸收效率和电子传导性能。
五、硅片的清洗在抛光后，硅片表面可能会残留一些油脂、灰尘等杂质，这些杂质会影响电池的性能。
因此，需要将硅片进行清洗，去除上述杂质，以保证电池的质量和性能。
六、硅片的扩散扩散是太阳能电池制造中的一项重要工艺。
通过将硅片浸泡在磷酸或硼酸等掺杂液中，使掺杂物进入硅片内部，形成P型或N型硅片。
这样，硅片就具备了正负电性，为后续形成PN结铺平了道路。
七、金属化金属化是为了提高太阳能电池的电流传输能力。
在金属化工艺中，会在硅片表面涂覆金属导电膜，通常使用的是铝或银等金属。
这样，当光照射到电池表面时，金属导电膜就能将电子迅速传导出来，形成电流。
八、组装组装是将硅片和其他组件组合成太阳能电池的过程。
首先，将金属化后的硅片与前面板玻璃、背面板玻璃以及密封胶带等材料进行粘合。
然后，通过焊接或压接等方式，将金属导电膜与电池的正负极连接起来。
九、封装封装是保护太阳能电池并提高其稳定性的过程。
在封装中，会在电池表面覆盖一层透明的封装材料，通常是聚合物或硅胶等材料。
这样可以防止电池受到外界环境的影响，同时提高其耐久性和抗压能力。
太阳能电池制造工艺流程
太阳能电池制造工艺流程
《太阳能电池制造工艺流程》
太阳能电池是利用光能转化为电能的一种装置，它可以在阳光直射的情况下产生电能，这是一种十分环保的能源技术。
太阳能电池制造过程十分复杂，需要经过多道工艺流程才能制造出高品质的太阳能电池。
首先，太阳能电池的制造需要原材料，主要原材料是硅。
硅是制造太阳能电池的关键材料，它需要进行提纯和晶体生长的工艺流程。
首先，通过化学方法或物理方法将硅中的杂质去除，获得高纯度的硅材料。
然后，将高纯度的硅材料放入熔炉中，进行晶体生长，制备成硅片。
接下来，硅片需要进行多道工艺流程的加工，包括切割、清洗、腐蚀、扩散、沉积、膜沉积、薄膜蚀刻等多道工序。
这些工序需要精密的设备和严格的操作，以保证硅片的质量和性能。
在硅片的加工过程中，需要将硅片处理成n型和p型的硅片，然后将它们组装成太阳能电池芯片，这是太阳能电池制造的关键一步。
最后，将太阳能电池芯片进行封装，组合成太阳能电池板。
在封装的过程中，需要进行光伏玻璃的加工、防反射膜的膜沉积、电池片的粘接封装等工艺流程。
整个太阳能电池制造工艺流程是一项技术密集、过程繁复的工
艺流程，需要高精度的设备和严格的操作规范。
通过这些工艺流程，才能制造出高效、高品质的太阳能电池，为可再生能源发展做出贡献。
晶硅太阳能电池的原理和工艺流程
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晶体硅太阳能电池的制造工艺
PN结的形成及工作原理
零偏
负偏
正偏
当PN结反偏时，外加电场与内电场方向一致，耗尽区在外电 场作用下变宽，使势垒加强；当PN结正偏时，外加电场与内电 场方向相反，耗尽区在外加电场作用下变窄，势垒削弱。当光 电池用作光电转换器时，必须处于零偏或反偏状态。
硅光电池是一个大面积的光电二极管，它可把入射到它表 面的光能转化为电能。当有光照时，入射光子将把处于介带中 的束缚电子激发到导带(光生伏特效应），激发出的电子空穴 对在内电场作用下分别漂移到N型区和P型区，当在PN结两端加 负载时就有一光生电流流过负载。
李 金 华
太阳能电池制造工艺
主要内容
1.硅太阳能电池工作原理 2.太阳能电池硅材料
3.硅太阳能电池制造工艺
4.提高太阳能电池效率的途经
5.高效太阳能电池材料
6.高效太阳能电池结构
一、硅太阳能电池工作原理
太阳能是人类取之不尽用之不竭的可再生能源。也是清 洁能源，不产生任何的环境污染。在太阳能的有效利用中； 大阳能光电利用是近些年来发展最快，最具活力的研究领 域，是其中最受瞩目的项目之一。 制作太阳能电池主要是 以半导体材料为基础， 其工作原理是利用光电材料 吸收光能后发生内光电效应， 将光能转换为电能。根据所 用材料的不同，太阳能电池 可分为：硅基太阳能电池和 薄膜电池，本章主要讲硅基 太阳能电池。
SiN钝化与APCVD淀积TiO2
先期的地面用高效单晶硅太阳电池一般采用钝化发射区 太阳电池(PESC)工艺。扩散后，在去除磷硅玻璃的硅片上, 热氧化生长一层10nm~25nm厚SiO2,使表面层非晶化,改变 了表面层硅原子价键失配情况,使表面趋于稳定,这样减少 了发射区表面复合,提高了太阳电池对蓝光的响应,同时也 增加了短路电流密度Jsc,由于减少了发射区表面复合,这样 也就减少了反向饱和电流密度,从而提高了太阳电池开路电 压Voc。还有如果没有这层SiN,直接淀积TiO2薄膜,硅表面 会出现陷阱型的滞后现象导致太阳电池短路电流衰减,一般 会衰减8%左右,从而降低光电转换效率。故要先生长SiN钝 化再生长TiO2减反射膜。 TiO2减反射膜是用APCVD设备生长的,它通过钛酸异丙脂 与纯水产生水解反应来生长TiO2薄膜。
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切片
在切割中，对钢线施加 适当的张力，使钢线来回 拉动。 钢线带动浆料（油及 SiC），使其对晶棒进行切 割。浆料不仅是研磨剂， 还带走研磨中的热量。占 整个切片成本的25%~35%。 太阳能电池厚度为 200~280μm 。 钢 线 直 径 180μm ， 碳 化 硅 为 5~30μm 。
26
使用线切割机进行切片
有良好的光电转换效率；
有长期的稳定性；
硅太阳能电池的种类
单晶硅： 硅原子排列是周期性的，且朝 同一个方向。 晶格缺陷较少，用作太阳能电 池材料时转换效率高。 多晶硅： 由许许多多不同排列方向的单 晶粒组成。 晶界缺陷使得转换效率降低，但 成本相对较低。
4
非晶硅： 排列松散，没有规则。 目前全球生产的太阳能电池90%以上使 用的是结晶硅，10%使用了薄膜技术。在 结晶硅太阳能电池中，多晶硅太阳能电池 占了50%以上，单晶硅占40%左右。
单晶硅原子的价带结构。每个硅 原子的最外层都有四个电子，与 相邻原子共享电子对。
单晶硅通常被制成大的圆筒形硅锭， 然后切割成圆形或半方的太阳能电 池。还需将边缘切掉，便于装入模 块。
生产单晶硅片的制作工艺
16
单晶硅片的制备
生长单晶硅的方法：CZ法（Czochralski） FZ法（Float Zone 浮融法） CZ 拉晶法： Czochralski于1917年发明。 理论转换效率24.7%。
第六章 标准硅太阳能电池工艺
南京理工大学 材料科学与工程学院
1
内容
6.1 由砂还原为冶金级硅
6.2 冶金级硅提纯为半导体级硅
2
6.3 半导体级多晶硅转变为单晶硅片
6.4 单晶硅片制成太阳能电池 6.5 太阳能电池封装成太阳能电池组件 6.6 能量收支结算
2
太阳能电池材料
3
禁带宽度1.1eV~1.7eV，以直接带隙半导体为佳； 组成的材料不具有毒性； 材料易取得，成本低；
43
将金属膏添加到印刷板上面，用滚轮对金属膏施压， 从一端滑倒另一端，金属膏就会依据印刷板上的图案印 制到晶片上。
将晶片置于100～200℃的环境下，进行干燥处理，去 除有机挥发物。
背面电极的网印
背面金属电极也采用网印技术制造。
44
与正面制造情况不同点在于，金属膏成分同时含有Ag 粉和Al粉。这是由于： • 银粉本身无法与P型硅形成欧姆接触； • 铝粉可形成欧姆接触，但焊接性差。 由于一整层连续背面电极银不同的热膨胀系数，使得 晶片在高温处理时将发生挠曲变形，所以背面电极结构 也为网状。
正面电极的网印
太阳能电池对正面金属电极的要求： •与硅接触时电阻低 •金属线宽小： •与硅之间的黏着力强 •可焊性高； •可以大量生产、制造成本低等。 网印技术是目前最为普遍的正面电极制造技术。
40
正面电极的网印
41
印刷板： 一个铝制边框，上面有许多不锈钢线，密度 为80～100条/cm，线直径为10 μm ，线间距 为10 μm 。
17
在石英坩埚中加入半导体级多晶硅，熔融。 加入微量掺杂剂。控制温度，籽晶能够从 熔融硅中拉出圆柱形单晶硅。
CZ拉晶设备
石英坩埚（SiO2）是 最为重要的热场组件。 石英坩埚内装有熔融 态的硅熔液，两者会发 生化学反应，产生SiO, 将影响长出晶棒的质量。
18
降低成本：
拉晶炉内部
CZ拉晶炉设备的外观
火烤
45
将晶片置于高温炉内进行火烤，烧掉金属膏里的有机 化合物，并将金属颗粒烧结在一起。
太阳能电池的丝网印刷流程
46
46
6.5 太阳能电池封装成太阳能电池组件
47
6.5.1 组件结构 6.5.2 电池的工作温度 6.5.3 组件的耐久性 6.5.4 组件电路设计
47
6.5.1 组件结构
48
太阳能电池可用20年以上，其模块结构设计需考虑的因素：
正面电极的网印
金属膏： •有机溶剂，使金属膏呈现流体状态，有利于印刷的进 行；
42
•有机结合剂，用于固定金属粉末；
•导电金属材料，一般是银的粉末，颗粒大小约为数十微 米，质量约占整个金属膏的60～80%；
•玻璃粉，由低熔点、高活性氧化物粉末组成。可对硅表 面进行蚀刻反应，帮助硅表面与银粉接合。
正面电极的网印
f.晶冠和 晶肩生长
降低拉速与温度，使得晶体直径渐渐 增大到所需大小。
CZ拉晶流程
22
g.晶身生长
直径固定的部分为晶身。硅晶片取自 晶身。拉速随着晶身长度的增加而递减， 这是因为随着液面高度的下降，晶棒受 到石英坩埚壁的热辐射增加，散热能力 变差。 为避免热应力产生的位错，将晶棒直 径慢慢缩小，直到成一个尖点再与液面 分开。
边缘绝缘处理
N
38
需把边缘的N型掺杂区 移除，不然将出现正面 与背面电极的导通。 N P 采用低温干蚀刻方法： 将晶片堆栈在一起； 放入反应炉； 用CF4和O2的等离子进 行干蚀刻；
金属电极的制作
39
金属电极位于太阳能电池结构的表面，通过它，可以取出 带电的光生载流子，进而在半导体与外电路之间产生流通。 太阳能电池正面与背面，会 有 两 条 平 行 的 金 属 电 极 (Bus Bar)，提供了与外界线路的接 焊。宽度在0.5mm左右。 正面的金属电极向侧面伸展 出一系列的细金属线，称为 格子线。用于收集载流子。 为了防止遮光，宽度在50μm 以下。 金属电极材料通常以铝或者银合金为主。
铝和铁为主要杂质
9
生产的冶金级硅中，大部分被用于钢铁与铝工业上。 只有很少的一部分用于半导体行业，用于制作太阳能 电池的更少。
6.2 冶金级硅提纯为半导体级硅
10
将冶金级硅转变为挥发性的化合物，采用分馏的方法将它 冷凝、提纯，然后提取超纯硅。 1. 利用HCl将冶金级硅原料转换为液态的三氯硅烷SiHCl3。 Si 3HCl SiHCl 3 H 2 这一过程中，Fe、Al、B等杂质也形成了各自的卤化物。 2. SiHCl3为无色易燃液体，沸点为31.9℃ ，通过多重的分馏 法可将它与其他卤化物分离，提高纯度。 3. 采用西门子化学沉积法，将SiHCl3及H2通入1100℃反应炉 内，进行200~300小时： SiHCl 3 H 2 Si 3HCl Si被还原，以细晶粒的多晶硅形式沉积到电加热的硅棒上。
薄膜太阳电池
5
薄膜太阳电池可以使用在价格低廉的玻璃、塑料、 陶瓷、石墨，金属片等不同材料当基板来制造。薄膜 厚度仅为数μm，目前转换效率最高可达13%。
6.1 由砂还原为冶金级硅
提炼硅的原始材料是SiO2，是砂的主要成分。
6
在电弧炉中加入碳，利用氧化还原反应提取硅：
SiO2 +2C Si+2CO
可承受机械负载；
避免环境污染；
电绝缘； 紫外稳定性； 在高低极限温度及热冲击下电池不致因应力而破裂； 自净能力； 维持电池低温以将功率损失最小化的能力； 成本低廉等。
组件结构
强化玻璃：有足够的机械强
49
度和透光性（紫外）。
EVA高分子塑料，作为保护
层。
背面层：复合塑料，防水汽
设计热场，提高长晶的良率（生产不含任何位错的硅单晶 棒的能力） 18 重复加料，增加出产率
19
溶解反应：
SiO2 Si+2O
CZ拉晶流程
在石英坩埚中加入多晶硅原料和掺杂 无。P型掺杂B，N型掺杂P。 a.加料 长晶炉关闭并抽成真空，使其保持一 定的压力值。打开石墨加热器电源，将 原料加热至熔融。
20
b.熔化
将硅溶液的温度调节到适合拉晶的稳 定状态。 c.稳定化
CZ拉晶流程
一般使用<100>方向的硅晶片，将该 方向的晶种浸入硅熔液。 d.晶种浸入
21
e.晶颈生长
将晶种快速向上提升，使长出的晶体 直径缩小到一定的大小（3~6mm）只要 晶颈足够长，位错（晶种与硅熔液接触 时，产生了热应力，导致晶种产生位错） 能长出晶体表面，产生零位错的晶体。
三氯硅烷的制造与纯化
11
600℃ 时， Si 3HCl SiHCl 3 H 2 低温保存，避免日照， 防止SiHCl3发生急速气化 而爆炸。
11
Siemens方法生产多晶硅
1100℃反应炉： SiHCl 3 H 2 Si 3HCl 将晶种固定在电极上
12
H2还充当了SiHCl3的运输气体
蚀刻清洗
27
在切割中，硅片表面会有一层因机械应力所造成的结构 损失层，影响了太阳能电池效率，所以需去掉。 通常用化学蚀刻的方法，加入HF和HNO3调配的混酸，去 除10μm ~20μm厚的表层。
单晶硅太阳电池的制造与结构
28
多晶硅的制备
29
制备多晶硅的技术相对要简单一些，成本也因此比单晶硅 更低一些。然而由于有晶界的存在，所以多晶硅材料的性能 不如单晶硅材料。 铸造多晶硅一般采用定向凝固的方式。可以长出宽度约数 毫米到数厘米的柱状排列晶体。
和腐蚀。
组件结构
50
当晶片焊上互联条，再与EVA及铁质强化玻璃堆栈好后， 放入层压机做真空封装。
互联条
51
温度上升时，电池与电池的间隙将扩大。所以用互联条 来调节电池之间的膨胀。 通常，电池之间的连接线是成圆形的，以尽量减小周期应 力（收缩与膨胀）。互联条一般为双层以防止被这种应力破 坏。
6.5.2 电池的工作温度
35
将硅片置入石英炉管
36
磷扩散制作工艺—石英炉管
37
1.P型半导体为基板，三氯氧磷（POCl3）通过载气进入加热炉 管； 4POCl +3O 2P O +6Cl
2P2O5 +5Si 4P+6SiO2
3
2