提高多晶Si薄膜太阳电池转换效率的途径
太阳能电池的效率提升技术
太阳能电池的效率提升技术随着人类对环境保护和可再生能源的重视，太阳能电池技术已经成为了最为热门的领域之一。
然而，尽管太阳能电池具有很高的发电效率和环保性能，但其成本却仍然相对较高，影响了大规模应用。
因此，提高太阳能电池效率成为了技术研究的重点之一。
下面，我们将探讨几种太阳能电池效率提升技术。
一、晶体硅太阳能电池晶体硅太阳能电池是目前应用最为广泛的太阳能电池。
为了提高晶体硅太阳能电池的效率，常见的方法是增大电池面积，提高光电转换效率和抑制重组和反射损失。
其中，提高光电转换效率是最关键的问题。
这对于太阳能电池的材料很重要，因为光电转换效率和材料之间的关系非常紧密。
尽管目前晶体硅太阳能电池的效率已经达到了很高的水平，但是由于建造成本过高，使其在大规模应用中仍面临困难。
二、多晶硅太阳能电池多晶硅太阳能电池与晶体硅太阳能电池相比具有优势，能够在较低的成本下获得较高的效率。
但是，由于晶界和缺陷等问题，多晶硅太阳能电池的电气性能和制造成本仍然不够理想。
因此，为了提高多晶硅太阳能电池的效率，需要提高材料纯度，优化晶界和缺陷，改进工艺等方法。
三、薄膜太阳能电池薄膜太阳能电池可以用较低的成本生产，但效率较低。
在提高效率方面，可以通过优化太阳能电池材料、改善电池结构、改进制造工艺等方式来实现。
其中，提高材料的光吸收和光电转换效率是很关键的。
四、钙钛矿太阳能电池钙钛矿太阳能电池作为新型太阳能电池，具有很高的效率和低成本等优势，成为了近年来研究的热点。
然而，由于钙钛矿太阳能电池材料的不稳定性和结构的复杂性，使其在实际应用中仍然面临着很大的挑战。
因此，如何提高钙钛矿材料的稳定性和效率是当前研究的重点。
综上所述，太阳能电池的效率提升是一个长期的过程，需要在材料纯度、晶体结构、电池工艺等方面进行全面的研究和改进，以实现可靠、高效、低成本的制造。
尽管目前太阳能电池仍存在许多问题，但探索更高效、更环保的太阳能电池技术，将为人类提供更为稳定可靠的清洁能源，造福人类。
薄膜太阳能电池的光电转换效率提升
薄膜太阳能电池的光电转换效率提升太阳能发电作为一种清洁、可再生能源，在当今社会的能源格局中扮演着越来越重要的角色。
众所周知，薄膜太阳能电池作为一种高效率、灵活性强的太阳能电池类型，具有广阔的市场前景。
然而，薄膜太阳能电池的光电转换效率一直是其发展的瓶颈之一。
本文将讨论薄膜太阳能电池光电转换效率提升的几个重要方面。
首先，光吸收和光利用率是影响薄膜太阳能电池光电转换效率的重要因素。
当前的薄膜太阳能电池主要采用的是多层结构，其中各层薄膜之间的吸收光强度分配不均匀，导致部分光能无法被吸收利用。
因此，改善光吸收和光利用率是提高光电转换效率的关键。
一种常见的解决方案是通过设计光栅或纳米结构，提高光在薄膜太阳能电池中的光路径长度，增加吸收光谱范围和光利用率。
此外，采用光学增强材料如金属纳米颗粒、量子点等，能够有效地抑制光能在薄膜中的反射和散射，提高光吸收和利用效率。
其次，界面特性也是影响薄膜太阳能电池光电转换效率的重要因素之一。
由于薄膜太阳能电池通常由多个不同材料的薄膜组成，而薄膜之间的界面存在很大的能带差和缺陷密度，导致电子和光的传输受阻。
因此，研究和优化薄膜太阳能电池界面特性，减小能带差和缺陷密度，成为提高光电转换效率的重要途径。
例如，采用新型界面层材料如缓冲层、中间层等，能够调控能带结构和提高界面电子传输效率。
此外，利用界面工程的原理，在薄膜太阳能电池中引入能带梯度结构和界面异质结构，也可以有效地提高光电转换效率。
此外，载流子传输和收集效率对于薄膜太阳能电池光电转换效率的提升也非常重要。
由于薄膜太阳能电池的薄膜结构，载流子的传输和收集受到较大的限制。
因此，研究和改进载流子传输和收集的机制，提高电荷分离和传输效率，成为提高光电转换效率的重要途径。
一种常见的方法是通过优化薄膜太阳能电池的结构和接触电极设计，减小载流子在薄膜中的传输路径和阻抗，提高电荷传输速率。
此外，采用新型材料如导电高分子、碳纳米管等，能够提供更好的载流子传输通道，提高电荷分离和传输的效率。
新型太阳能电池的效能提升
新型太阳能电池的效能提升太阳能电池被广泛应用于太阳能发电领域，其效能的提升是实现可持续发展和清洁能源转型的关键。
随着技术的不断进步和创新，新型太阳能电池的效能逐渐得到提高。
本文将讨论新型太阳能电池的几种技术和方法，以及这些技术对效能提升的影响。
一、多晶硅太阳能电池的效能提升多晶硅太阳能电池是目前最常见的太阳能电池类型之一。
通过优化晶格结构和提高电池的电导率，可以提高多晶硅太阳能电池的效能。
此外，采用反射层材料来增加光的利用率，也可以提高电池的效能。
通过这些技术和方法，多晶硅太阳能电池的效能可以得到明显的提升。
二、单晶硅太阳能电池的效能提升与多晶硅太阳能电池相比，单晶硅太阳能电池具有更高的能量转换效率。
通过对太阳能电池的材料制备和生长工艺进行优化，可以提高单晶硅太阳能电池的晶格质量和载流子传输效率，从而提高电池的效能。
此外，在电池的反射层和抗反射层上采用先进的材料和涂层技术，也可以提高光的吸收率，从而进一步提高太阳能电池的效能。
三、薄膜太阳能电池的效能提升薄膜太阳能电池是相对传统硅基太阳能电池而言的另一种技术路线。
薄膜太阳能电池采用较薄的材料制备太阳能电池，具有重量轻、柔性强等特点。
通过改进薄膜材料的制备工艺和提高材料的光电转换效率，薄膜太阳能电池的效能可以得到效果的提升。
此外，在薄膜太阳能电池上采用纳米结构和纳米材料，可以增强光的吸收和载流子的传输，进一步提高太阳能电池的效能。
四、新型太阳能电池技术的效能提升除了上述的传统太阳能电池类型外，还出现了一些新型太阳能电池技术，如有机太阳能电池、钙钛矿太阳能电池等。
这些新型太阳能电池通过引入新材料和新结构设计，可以显著提高太阳能电池的效能。
例如，钙钛矿太阳能电池具有高光电转换效率和低制备成本的优势，因此在效能提升方面具有很大的潜力。
综上所述，新型太阳能电池的效能提升是实现可持续能源发展和清洁能源转型的关键。
通过优化传统太阳能电池的材料和制备工艺，以及引入新型太阳能电池技术，可以显著提高太阳能电池的效能。
多晶硅太阳能电池效率提升技术
多晶硅太阳能电池效率提升技术随着全球对可再生能源的需求不断增长，太阳能作为最具潜力的清洁能源之一，受到了广泛关注。
多晶硅太阳能电池作为太阳能电池的主要形式之一，具有价格低廉、制造工艺成熟等优势，但其相对较低的转换效率一直是制约其应用推广的一个关键问题。
为了提高多晶硅太阳能电池的效率，科学家们不断探索各种技术，本文将介绍多晶硅太阳能电池效率提升的一些关键技术。
首先，反射镀膜技术是一种主要应用于多晶硅太阳能电池的提升效率的方法。
太阳能电池在接收阳光时，会出现一部分光线被材料反射的情况，导致部分光能无法被利用。
反射镀膜技术通过在多晶硅片上涂覆一层具有高反射率的薄膜，使得光线在多晶硅电池中来回反射，从而增加太阳能光子的传输距离，提高了光能的吸收效率和转换效率。
其次，表面改性技术也是提高多晶硅太阳能电池效率的一种重要方法。
多晶硅太阳能电池的效率受到表面缺陷和电子捕捉中心的影响。
通过在多晶硅表面施加化学处理、表面镀膜或激光加工等方法，可以减少电荷载流子的捕获和表面反射，提高电流收集效率和发电效率。
同时，表面改性技术还可以增加表面的光吸收，增强多晶硅太阳能电池对太阳辐射的利用，进一步提高电池的效率。
此外，叠层电池技术也是提高多晶硅太阳能电池效率的一种重要手段。
利用多晶硅太阳能电池与其他类型的太阳能电池的互补性，可以将它们叠加在一起形成叠层电池。
多晶硅太阳能电池在高能量光谱上效果较好，而其他类型的太阳能电池如单晶硅太阳能电池在低能量光谱上效果较好。
通过将这些太阳能电池叠加在一起，可以充分利用不同波长的光线，提高整个光谱范围内的光吸收效率，从而提高整个太阳能电池组的转换效率。
此外，提高多晶硅太阳能电池效率的关键还在于改进材料和制造工艺。
科学家们不断努力研发新型的多晶硅材料，以提高其光电转换效率和导电性能。
同时，通过优化制造工艺，如控制熔炼温度、精细控制晶体生长过程等，可以降低多晶硅内部缺陷，提高电池的质量和效率。
太阳能电池效率提升方案
太阳能电池效率提升方案随着全球能源需求的增长和环境保护的重要性日益凸显，太阳能发电作为一种可再生能源，被广泛应用于各个领域。
然而，太阳能电池的效率仍然是制约其应用的关键问题之一。
本文将探讨几种太阳能电池效率提升的方案。
一、材料改进太阳能电池的核心是光伏材料，材料的性质直接决定了电池的效率。
因此，改进光伏材料是提高太阳能电池效率的重要途径之一。
1. 多晶硅太阳能电池：将传统的单晶硅太阳能电池转变为多晶硅太阳能电池，可以降低成本，并提高光电转换效率。
多晶硅太阳能电池的生产工艺更简单，制作周期更短，可以大规模生产。
2. 薄膜太阳能电池：与传统的硅基太阳能电池相比，薄膜太阳能电池具有较低的制造成本和更高的光电转换效率。
采用薄膜材料制造电池可以提高光吸收效率，提升电池的发电能力，并减少材料的使用量。
3. 铜铟镓硒（CIGS）太阳能电池：CIGS太阳能电池是一种光电转换效率较高的薄膜太阳能电池，具有较高的光吸收系数和较低的光电子复合概率。
通过优化CIGS材料的结构和制备工艺，可以进一步提高电池的效率。
二、结构优化除了改进材料，优化太阳能电池的结构也可以提高其效率。
1. 反射层和透明导电层：在太阳能电池的前表面添加反射层，可以提高光的利用率。
同时，在电池的背表面添加透明导电层，可以减少电池内部电阻，提高电荷收集效率。
2. 光陷阱和光学腔：通过在电池结构中引入光陷阱和光学腔，可以增加光的传输路径，提高光的吸收率和效率。
这些结构的设计需要考虑材料的光学性质和电池的制备工艺。
三、工艺改进除了材料和结构的优化，改进太阳能电池的制备工艺也是提高效率的关键。
1. 纳米技术应用：通过纳米技术在太阳能电池的制备中应用，可以增加电池的表面积和界面反应效率。
例如，使用纳米线作为电极材料，可以提高电子的运输速度和电荷的收集效率。
2. 去除接触电阻：接触电阻是限制电池性能的一个重要因素。
通过优化接触材料和界面处理技术，可以降低接触电阻，提高电池的输出功率。
太阳能电池板技术创新提高发电效率的新方法
太阳能电池板技术创新提高发电效率的新方法Introduction太阳能电池板是一种转换太阳能光线为电能的装置，已经广泛应用于环保能源领域。
然而，传统太阳能电池的发电效率有限，这限制了其在可再生能源产业中的更大应用。
近年来，为了提高太阳能发电效率，科学家们进行了众多研究，提出了各种新的创新方法。
本文将探讨几种太阳能电池板技术创新，以提高发电效率的新方法。
1. 多晶硅太阳能电池板技术创新多晶硅太阳能电池板是目前市场上最为常见的太阳能电池板类型之一。
为了提高多晶硅太阳能电池板的发电效率，科学家们已经提出了一些创新的方法。
首先，表面结构改善是一种常用的方法。
通过在多晶硅表面形成微观结构，如纳米柱、纳米洞等，可以增加表面积，提高光吸收率和光电转换效率。
此外，近年来透明导电氧化物层的研究也得到了广泛关注。
透明导电氧化物层具有高导电性和高透明性，可以作为太阳能电池板的表面电极。
通过使用高质量的透明导电氧化物层，可以减少电池内部电阻，提高电池的填充因子和转换效率。
2. 硅薄膜太阳能电池板技术创新相比多晶硅太阳能电池板，硅薄膜太阳能电池板更薄，更灵活，更容易制造。
然而，传统的硅薄膜太阳能电池板的转换效率相对较低。
为了提高硅薄膜太阳能电池板的发电效率，科学家们进行了不懈的努力。
一种创新方法是通过掺杂来改变硅薄膜的性质。
通过在硅薄膜中掺入其他元素，如磷、硼等，可以改善硅薄膜的导电性能和光吸收性能，从而提高发电效率。
此外，硅纳米线的应用也被认为是提高硅薄膜太阳能电池板效率的有潜力的方法。
硅纳米线具有高表面积、高导电性和较低的反射率等优点，可以增强光与电池的交互作用，使得光能更有效地转化为电能。
3. 非硅太阳能电池板技术创新除了硅材料外，科学家们还发展了一些非硅太阳能电池板技术，以提高发电效率。
有机太阳能电池是一种应用于非硅太阳能电池板的新技术。
有机太阳能电池采用有机分子材料来吸收光线并产生电流。
与传统的硅太阳能电池板相比，有机太阳能电池具有较低的制造成本和更高的柔性，可以应用于更广泛的场景。
太阳能电池的效率提升研究
太阳能电池的效率提升研究太阳能电池是一种将太阳能转化为电能的设备，是可持续能源的重要组成部分。
随着能源需求的增加以及对环境友好能源的追求，提高太阳能电池的效率已成为当今科学界研究的焦点之一。
本文将探讨几种可以提高太阳能电池效率的方法。
一、多晶硅太阳能电池多晶硅太阳能电池是目前应用最广泛的一种太阳能电池。
在制造过程中，多晶硅通过熔融再结晶的方式形成大颗粒晶体。
多晶硅太阳能电池的效率相对较低，主要原因是结晶界面和晶界附近的缺陷和杂质会限制电荷的流动。
为了提高多晶硅太阳能电池的效率，研究人员采取了一些改进措施。
例如，通过增加导电层的厚度和改进背电场结构，可以提高光电转换效率。
此外，可以将多晶硅太阳能电池与其他材料（如氧化锌）组成异质结，利用电子的择优运动和光致电荷分离来提高效率。
二、单晶硅太阳能电池单晶硅太阳能电池是由单一晶体制成的太阳能电池。
相比于多晶硅太阳能电池，单晶硅太阳能电池的效率更高。
制造单晶硅太阳能电池的过程更加复杂和昂贵，但由于其高效率，仍然广泛应用于市场。
为了提高单晶硅太阳能电池的效率，一种方法是通过控制多晶硅的生长过程来减少晶界和缺陷。
此外，利用异质结构和光学增强结构也是提高效率的有效手段。
例如，通过在表面镀上抗反射涂层，可以提高光的吸收率，并减少光线的反射。
三、钙钛矿太阳能电池钙钛矿太阳能电池是近年来备受关注的一种新型太阳能电池。
钙钛矿材料具有良好的光学和电学性能，其光电转换效率较高。
然而，钙钛矿太阳能电池目前还存在稳定性和制备成本高的问题。
为了提高钙钛矿太阳能电池的效率，研究人员进行了大量的探索和改进。
例如，通过控制钙钛矿膜的成长过程和改变材料配比，可以提高钙钛矿太阳能电池的效率和稳定性。
此外，结合钙钛矿材料和其他材料，如有机物和无机氧化物，可以构建复合结构来提高效率。
四、光伏材料研究除了传统的太阳能电池材料，还有许多新型光伏材料被提出并进行研究。
例如，有机太阳能电池利用有机半导体材料来转化太阳能。
提高晶硅太阳能电池转换效率的方法
提高晶硅太阳能电池转换效率的方法(1) 光陷阱结构。
一般高效单晶硅电池采用化学腐蚀制绒技术，制得绒面的反射率可达到10%以下。
目前较为先进的制绒技术是反应等离子蚀刻技术(RIE)，该技术的优点是和晶硅的晶向无关，适用于较薄的硅片，通常使用SF6/O2混合气体，在蚀刻过程中，F**基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF4，O**基形成SixOyFz对侧墙进行钝化处理，形成绒面结构。
目前韩国周星公司应用该技术的设备可制得绒面反射率低于在2%~20%范围。
(2) 减反射膜。
它的基本原理是位于介质和电池表面具有一定折射率的膜，可以使入射光产生的各级反射相互间进行干涉从而完全抵消。
单晶硅电池一般可以采用TiO2、SiO2、SnO2、ZnS、MgF2单层或双层减反射膜。
在制好绒面的电池表面上蒸镀减反射膜后可以使反射率降至2%左右。
(3) 钝化层：钝化工艺可以有效地减弱光生载流子在某些区域的复合。
一般高效太阳电池可采用热氧钝化、原子氢钝化，或利用磷、硼、铝表面扩散进行钝化。
热氧钝化是在电池的正面和背面形成氧化硅膜，可以有效地阻止载流子在表面处的复合。
原子氢钝化是因为硅的表面有大量的悬挂键，这些悬挂键是载流子的有效复合中心，而原子氢可以中和悬挂键，所以减弱了复合。
(4) 增加背场：如在P型材料的电池中，背面增加一层P+浓掺杂层，形成P+/P 的结构，在P+/P的界面就产生了一个由P区指向P+的内建电场。
由于内建电场所分离出的光生载流子的积累，形成一个以P+端为正，P端为负的光生电压，这个光生电压与电池结构本身的PN结两端的光生电压极**相同，从而提高了开路电压Voc。
同时由于背电场的存在，使光生载流子受到加速，这也可以看作是增加了载流子的有效扩散长度，因而增加了这部分少子的收集几率，短路电流Jsc也就得到提高。
(5) 改善衬底材料：选用优质硅材料，如N型硅具有载流子寿命长、制结后硼氧反应小、电导率好、饱和电流低等。
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中文word文档库免费提供海量教学资料、行业资料、范文模板、应用文书、考试学习和社会经济等word文档“微纳电子技术”2008年第4期专家论坛187-提高多晶Si薄膜太阳电池转换效率的途径纳米器件与技术193-小尺寸超高频双极晶体管工艺及特性模拟198-单电子晶体管的蒙特卡罗模拟及宏观建模纳米材料与结构205-腐蚀法制备绒面ZnO透明导电薄膜209-Bi2O3/TiO2纳米复合物的微波合成及光催化性质MEMS器件与技术214-基于MEMS技术的微波滤波器研究进展219-新型三轴MEMS热对流加速度传感器的研究显微、测量、微细加工技术与设备222-纳米光刻对准方法及其原理231-变温腐蚀法制备纳米光纤探针235-一维纳米结构的拉伸力学测试240-Si 基GaN薄膜的制备方法及结构表征=======================================专家论坛187-提高多晶Si薄膜太阳电池转换效率的途径彭英才1，2，姚国晓3，马蕾1，王侠1（1. 河北大学电子信息工程学院，河北保定071002；2. 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室，北京 100083；3. 中国天威英利新能源有限公司，河北保定071051）摘要：多晶Si薄膜对可见光进行有效地吸收、光照稳定性好、制作成本低，被公认为是高效率和低成本的光伏器件材料。
以提高多晶Si薄膜太阳电池转换效率为主线，介绍了增大晶粒尺寸以增加载流子迁移率、进行表面和体内钝化以减少复合中心、设计p-I-n结构以增加光收集效率、制作绒面结构以提高对入射光的吸收效果、改进电池结构以谋求最大效率等工艺措施；综述了近5年来多晶Si薄膜电池在材料生长、结构制备和性能参数方面取得的最新进展，并对其发展前景做了预测。
关键词：多晶Si薄膜；大晶粒；氢钝化；p-I-n结构；太阳电池；转换效率纳米器件与技术193-小尺寸超高频双极晶体管工艺及特性模拟赵守磊，李惠军，吴胜龙，刘岩（山东大学孟尧微电子研发中心，济南250100）摘要：基于通信系统中射频电路设计的特殊要求，对小尺寸（基区宽度低于100 nm）、超高频（特征频率高于15 GHz）双极晶体管工艺制程和器件的物理特性进行了模拟，为工艺线流片进行可行性研究。
该器件采用BiCMOS制程结构实现，在对小尺寸、超高频双极性器件物理模型进行详尽分析的基础上，实现了该器件工艺级（Sentaurus Process）及器件物理特性级（Sentaurus Device）的仿真，提出TCAD工艺及器件的一体化设计方案。
模拟结果表明，在高频指标参数 17GHz下，所得β值接近于80，满足设计要求。
关键词：小尺寸；双极器件；频率特性；工艺仿真；特性模拟198-单电子晶体管的蒙特卡罗模拟及宏观建模孙海定，江建军（华中科技大学电子科学与技术系，武汉430074）摘要：以单电子晶体管为研究对象，系统阐述了库仑阻塞、库仑台阶、单电子隧穿等物理现象的产生机理。
微观模拟与宏观建模相结合,着重介绍了如何用蒙特卡罗方法和Matlab相结合对上述各种物理现象进行数值模拟,同时对单电子晶体管进行宏观电路等效,用一些常用元器件进行宏观建模。
采用强大的模拟集成电路软件Hspice进行分析模拟,大大减少了计算及仿真时间。
通过分析比较,两者曲线得到了较好的吻合,直观地反映了单电子晶体管的电学特性,为进一步研究复杂系统提供了理论依据。
关键词：单电子晶体管；单电子隧穿；库仑阻塞；库仑台阶；蒙特卡罗；Hspice 纳米材料与结构205-腐蚀法制备绒面ZnO透明导电薄膜刘佳宇，朱开宇，王文辕（河北理工大学信息学院，河北唐山063000）摘要：利用中频脉冲磁控溅射系统制备高透过率、高电导率的平面ZnO薄膜。
对平面ZnO薄膜进行短时间弱酸腐蚀，可以获得绒面效果的ZnO透明导电薄膜。
分析了工作气压和衬底温度对薄膜绒面结构的影响，获得了适合薄膜太阳能电池的绒面ZnO透明导电薄膜。
当压力控制在1.92 Pa左右，衬底温度150~170 ℃范围内沉积的薄膜具有最佳的绒面和较低的电阻率，电阻率可达5.57×10-4 Ω·cm，载流子浓度2.2×1020 cm-3，霍尔迁移率40.1 cm2/V·s,在可见光范围平均透过率超过85％。
关键词：中频脉冲溅射；绒面ZnO；透明导电膜；腐蚀；结构209-Bi2O3/TiO2纳米复合物的微波合成及光催化性质廖学红，王小佳（黄冈师范学院化学系，湖北黄冈438000）摘要：以硝酸铋和硫酸钛为原料，通过直接投料微波辐射水解合成法制备了掺铋TiO2纳米复合物，并用XRD、TEM进行了表征。
结果表明，直接投料摩尔比为1∶10掺铋TiO2纳米复合物，经500 ℃热处理后晶型为锐钛矿型，粒径为6~10 nm。
以催化降解甲基橙来考察其光催化活性，结果表明所制备的纳米复合物是一个好的催化剂。
研究了Bi3+的掺杂量、热处理温度、催化剂用量对掺铋TiO2纳米复合物光催化性能的影响。
当催化剂用量为1 g/L时，2 mg/L 的甲基橙溶液在紫外光辐射30 min后，降解率达到97%。
该复合物对甲基橙溶液的光催化降解符合一级动力学方程。
关键词：Bi3+掺杂；二氧化钛；纳米复合物；微波合成；光催化MEMS器件与技术214-基于MEMS技术的微波滤波器研究进展欧阳炜霞，张永华，王超，郭兴龙，赖宗声(华东师范大学微电子电路与系统研究所，上海200241)摘要：基于MEMS技术的滤波器是现行RF结构中一个关键的MEMS器件。
与传统的采用金属矩形或圆柱波导以及半导体元件制作的滤波器相比，MEMS滤波器具有低损耗、高隔离度、线性好、体积小、易于集成等优点。
对利用MEMS 技术制作的滤波器做了分类总结，综述了近几年MEMS滤波器的研究进展，包括硅体微加工滤波器、LIGA传输线型滤波器和基于MEMS开关/电容实现的可调滤波器。
指出可调滤波器的开发适应微波、毫米波波段的多频段、宽带无线通信系统的迫切需要，具有重要的现实意义。
关键词：MEMS技术；硅体微加工；LIGA技术；微波滤波器；可调滤波器219-新型三轴MEMS热对流加速度传感器的研究吕树海，杨拥军，徐淑静，徐爱东，徐永青(中国电子科技集团公司第十三研究所，石家庄050051)摘要：介绍了一种基于热流原理的新型三轴MEMS热对流加速度传感器，它没有活动质量，无需多个器件组合就可以进行任意方向的加速度信号测量。
分析了该器件的工作原理，设计了器件结构，进行了工艺开发，加工出了原理样机。
测试表明：该器件实现了三个轴向的加速度信号的检测性能，验证了新原理的可行性；测量量程达到±2 g，分辨率达到1 mg，抗冲击能力达到10 000 g，具备了良好的性能。
关键词：微电子机械系统；三轴；对流场；加速度；传感器显微、测量、微细加工技术与设备222-纳米光刻对准方法及其原理周绍林1，2，唐小萍1，胡松1，马平1，陈旺富1，2，杨勇1，2，严伟1(1. 中国科学院光电技术研究所，成都610209 ；2. 中国科学院研究生院，北京100039)摘要：对准技术对光刻分辨力的提高有着重要作用。
45 nm节点以下的光刻技术如纳米压印等，对相应的对准技术提出了更高的要求。
对光刻技术发展以来主要用于接近接触式和纳米压印光刻的对准技术做总结分类，为高精度的纳米级光刻对准技术提供理论研究基础和方向。
经过分析，从原理上将对准技术分为几何成像对准、波带片对准、干涉光强度对准、外差干涉对准及莫尔条纹等五种对准方法。
最后结论得出基于条纹空间相位的对准方法具有最好的抗干扰能力且理论上能达到最高的对准精度，而其他基于光强的对准方法的精度更易受到工艺涂层的影响。
因此，基于干涉条纹空间相位对准的方法在纳米级光刻对准中具有很好的理论前景。
关键词：纳米光刻；对准技术；掩模与硅片；标记；对准精度231-变温腐蚀法制备纳米光纤探针杨修文1，祝生祥2，胡毅1（1. 郧阳师范高等专科学校物理系，湖北丹江口442700；2. 同济大学 Pohl 固体物理研究所，上海200092）摘要：通过改变温度，用腐蚀的方法制备出用于近场光学显微镜的光纤探针。
通过控制光纤在不同温度的腐蚀液中腐蚀的时间，制备出多种形貌的光纤探针，所制作探针的锥形过渡区短而锥角大。
该法具有重复性高、探针形貌可控、操作方便、实验费用低廉、制备的探针表面光滑等优点，利用该方法成功地制备出针尖尺寸50～300 nm、针尖锥角在40°～74°可调的光纤探针。
将制备的探针用于扫描全息光栅（500线/mm），结果在40 mm范围内扫描有20个周期，与全息光栅的标定结果相符。
关键词：纳米光纤探针；近场光学；显微镜；腐蚀法；温度235-一维纳米结构的拉伸力学测试金钦华1，2，王跃林1，2，李铁2（1.上海交通大学微纳科学技术研究院，上海200030；2.中国科学院微系统与信息技术研究所，上海200050）摘要：对一维纳米结构开展轴向拉伸测试时，面临着样品制备、装载、拉伸、样品的轴向应力与应变的高精度测量等难点，解决途径包括改造现代显微仪器、研制MEMS力学测试芯片及发展一维纳米样品的制备与装载技术。
从实验使用的测试仪器及拉伸方式出发，将目前发表的一维纳米拉伸实验分为基于探针、MEMS和电子束辐照开展的拉伸实验，并对各种实验方法进行了比较。
发现基于MEMS的拉伸实验由于其对测试仪器的改造小、花费少、且通过设计制作不同测试功能的芯片可实现多样测试，是更有发展前景的测试技术。
关键词：一维纳米结构；轴向拉伸实验；纳米力学；微机电系统力学测试芯片；原位测试240-Si 基GaN薄膜的制备方法及结构表征张敬尧，李玉国，崔传文，张月甫，卓博世(山东师范大学物理与电子科学学院，济南250014)摘要：分别采用射频磁控溅射、热壁化学气相沉积（CVD）、电泳沉积法制备GaN薄膜。
利用扫描电镜（SEM）、荧光光谱仪对样品进行结构、形貌和发光特性的分析比较。
射频磁控溅射方法中, 把SiC中间层沉淀到Si衬底上，目的是为了缓冲由GaN外延层和Si衬底的晶格失配造成的应力。
结果证实了SiC 中间层提高了GaN薄膜的质量。
热壁化学气相沉积法制备GaN晶体膜时，选择H2作反应气体兼载体，有利于GaN膜的形成。
电泳沉积法显示所得样品为六方纤锌矿结构的GaN多晶薄膜。
结果表明：溅射法制备的GaN薄膜结晶效果好；CVD法制备时GaN薄膜应用范围广；电泳沉积法操作方便、简单易行。
关键词：GaN薄膜；Si基；溅射；化学气相沉积；电泳沉积。