最全半导体IC制造流程(精)
半导体芯片制造工艺流程
半导体芯片制造工艺流程一、晶圆生产过程1、切割原材料：首先，将原材料（多晶片、单晶片或多晶硅）剪切成小块，称之为原乳片（OOP）。
2、晶圆处理：将原乳片受热加热，使其变形，使其压紧一致，然后放入一种名叫抛光膏的特殊介质中，使原乳片抛光均匀，表面压处理完成后可以形成称做“光本”的片子，用于制作晶圆切片。
3、晶圆切片：将打磨后的“光本”放入切片机，由切片机按特定尺寸与厚度切割成多片，即晶圆切片。
4、外层保护：为防止晶圆切片氧化和粉化，需要给其外层加以保护，银镀层属于最常用的保护方式，银镀用于自行氧化或化学氧化，使晶圆切片的表面具有光泽滑润的特性，同时会阻止晶圆切片粉化，提升晶圆切片的质量。
二、封装1、贴有芯片的封装状态：需要将芯片封装在一个特殊容器，这个容器由多层金属合金制成，其中折叠金属层和金属緩衝層能够有效地抗震，同时能够预防芯片表面外来粉尘的影响，芯片的需要的部件，贴入折叠金属层的空隙中，用以安全固定。
2、针引线安装：引线是封装过程中用来连接外部与芯片内部的一种金属元件，一般由铜带按照需要的形状进行切割而成，由于引线的重要性，需要保证引线的装配使得引线舌语长度相等，防止引线之间相互干涉，芯片内部元件之间并不影响运行。
3、将口金连接到封装上：封装固定完毕后，需要给封装上焊上金属口金，来使得封装具有自身耐腐蚀性能，保护内部金属引线免于腐蚀。
4、将封装上封装在机柜中：把封装好的芯片安装在外壳体内，使得外壳可以有效地防止芯片的护盾被外界的破坏。
三、芯片测试1、芯片测试：芯片测试是指使用指定的设备测试芯片，通过检测芯片的性能参数，来查看芯片的表现情况，判断其是否符合要求，从而判断该芯片产品是否可以出厂销售。
2、功能测试：功能测试是检测半导体芯片的特殊功能，例如检查芯片操作程序功能是否达到产品要求，及看看芯片故障率是否太高等。
3、芯片温度：芯片也要进行温度测试，温度的大小决定了芯片的工作状况以及使用寿命，需要把比较详细的测量温度，用以检查芯片是否能够承受更高的工作温度条件；4、芯片功能检测：功能检测是常用的测试，如扫描检测或静态测试，根据设计上的配置，将芯片进行检测，来看看是否有损坏，看看功能是否正常，符合产品要求。
半导体制造流程及生产工艺流程
半导体制造流程及生产工艺流程半导体是一种电子材料，具有可变电阻和电子传导性的特性，是现代电子器件的基础。
半导体的制造流程分为两个主要阶段：前端工艺（制造芯片）和后端工艺（封装）。
前端工艺负责在硅片上制造原始的电子元件，而后端工艺则将芯片封装为最终的电子器件。
下面是半导体制造流程及封装的主要工艺流程：前端工艺（制造芯片）：1.晶片设计：半导体芯片的设计人员根据特定应用的需求，在计算机辅助设计（CAD）软件中进行晶片设计，包括电路结构、布局和路线规划。
2.掩膜制作：根据芯片设计，使用光刻技术将电路结构图转化为光刻掩膜。
掩膜通过特殊化学处理制作成玻璃或石英板。
3.芯片切割：将晶圆切割成单个的芯片，通常使用钻孔机或锯片切割。
4.清洗和化学机械抛光（CMP）：芯片表面进行化学清洗，以去除表面杂质和污染物。
然后使用CMP技术平整芯片表面，以消除切割痕迹。
5.纳米技术：在芯片表面制造纳米结构，如纳米线或纳米点。
6.沉积：通过化学气相沉积或物理气相沉积，将不同材料层沉积在芯片表面，如金属、绝缘体或半导体层。
7.重复沉积和刻蚀：通过多次沉积和刻蚀的循环，制造多层电路元件。
8.清洗和干燥：在制造过程的各个阶段，对芯片进行清洗和干燥处理，以去除残留的化学物质。
9.磊晶：通过化学气相沉积，制造晶圆上的单晶层，通常为外延层。
10.接触制作：通过光刻和金属沉积技术，在芯片表面创建电阻或连接电路。
11.温度处理：在高温下对芯片进行退火和焙烧，以改善电子器件的性能。
12.筛选和测试：对芯片进行电学和物理测试，以确认是否符合规格。
后端工艺（封装）：1.芯片粘接：将芯片粘接在支架上，通常使用导电粘合剂。
2.导线焊接：使用焊锡或焊金线将芯片上的引脚和触点连接到封装支架上的焊盘。
3.封装材料：将芯片用封装材料进行保护和隔离。
常见的封装材料有塑料、陶瓷和金属。
4.引脚连接：在封装中添加引脚，以便在电子设备中连接芯片。
5.印刷和测量：在封装上印刷标识和芯片参数，然后测量并确认封装后的器件性能。
半导体芯片制造工艺流程
半导体芯片制造工艺流程晶圆加工是半导体芯片制造的第一步，主要是将硅圆片加工成晶圆，晶圆通常使用硅（Si）为基片，通过化学、光学和物理方法对其进行切割、清洗、抛光等工艺，使其表面更加平整、光滑。
曝光是指将设计好的芯片电路图案通过光刻技术印制在晶圆上。
首先使用感光胶涂覆在晶圆表面，然后使用相应的光罩通过曝光机器将芯片电路图案映射到晶圆上。
曝光完成后，通过退胶和清洗工艺将晶圆表面的胶层去除。
清洗是对晶圆表面进行清洁处理，以去除可能附着在晶圆表面的微尘、油污和其他杂质。
清洗工艺主要包括超声波清洗、化学清洗等，这些工艺能够有效地将晶圆表面的杂质清除，以保证芯片制造的质量。
刻蚀是将晶圆表面的材料进行刻蚀处理，以形成电路的结构和形状。
刻蚀工艺一般采用干法和湿法两种方式，干法刻蚀常采用等离子刻蚀（PECVD），湿法刻蚀常采用化学刻蚀（Wet Etching）。
刻蚀工艺是芯片制造中非常关键的工艺环节，能够通过控制刻蚀时间和温度等参数，对晶圆表面进行精确的刻蚀，以形成预定的电路结构。
离子注入指的是将离子注入到晶圆表面，以改变晶圆材料的导电、隔离和其他物理特性。
离子注入通常使用离子注入机，通过加速离子，使其能够穿透晶圆表面，并深入到晶体结构内部。
离子注入后，晶圆的电学性能和物理特性会发生改变。
沉积是在晶圆表面沉积一层薄膜，以增强晶圆的功能和性能。
沉积工艺通常有物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）两种方式。
其中，物理气相沉积是将金属蒸汽通过高温和高真空状态沉积到晶圆表面；化学气相沉积则是通过将气体反应在晶圆表面生成所需的薄膜。
陶瓷制造是指将晶圆切割成单个的芯片，并在芯片表面上进行焊接和封装。
这个过程主要包括切割、背面研磨、背面腐蚀、表面成形和背面蚀刻等步骤。
陶瓷制造是构成芯片最核心的工艺环节之一，能够保证芯片的完整性和可靠性。
封装是将制造好的半导体芯片封装成可供使用的集成电路。
封装主要是将芯片连接到引脚上，并采用适当的封装材料将其封装。
半导体IC制造流程
半导体IC制造流程半导体IC（集成电路）制造是一个复杂的过程，包括多个步骤和工序。
本文将详细介绍半导体IC制造的各行流程管理。
1.设计阶段：在制造IC之前，首先需要进行设计阶段。
这一阶段包括集成电路的功能设计、电路模拟和验证、物理布局设计等工作。
设计团队使用EDA （电子设计自动化）软件工具来完成这些任务。
在设计完成后，需要进行设计规则检查，以确保设计符合制造工艺的要求。
2.掩膜制备：在IC制造的下一个阶段是掩膜制备。
掩膜是制造半导体晶体管的关键工具。
它是通过将光敏胶涂在光刻板上，并使用电子束或光刻技术在光敏胶上绘制模式来制备的。
每个芯片层都需要使用不同的掩模来定义其电路结构。
3.晶圆清洗：在制备掩膜之后，需要对晶圆进行清洗。
晶圆是指用于制造芯片的硅片。
由于制备过程中会产生尘埃和杂质，所以必须将其清洗干净，以确保后续步骤的正确进行。
清洗过程通常包括使用酸、碱和溶剂等化学物质来去除污染物。
4.晶圆涂覆：在晶圆清洗后，需要对其进行涂覆。
涂覆工艺的目的是在晶圆表面形成均匀的保护层，以便实施浅掺杂、沉积和刻蚀等步骤。
现代涂覆工艺通常使用化学机械抛光（CMP）技术，它可以在晶圆表面形成非常平整的薄层。
5.光刻：光刻是制造IC中最重要的步骤之一、在光刻过程中，使用之前制备的掩模将光蚀胶涂在晶圆上，并使用紫外光暴露仪将掩模上的图案投影到光蚀胶上。
接下来，经过显影等步骤，将图案转移到晶圆上，形成需要的电路结构。
6.薄膜沉积：在光刻后，需要在晶圆表面形成薄膜。
薄膜通常由金属、氮化物或氧化物等材料组成，用于电极、绝缘层和导线等部分。
薄膜沉积可以通过物理蒸发、化学气相沉积（CVD）或物理气相沉积（PVD）等方法来实现。
7.刻蚀和除膜：在薄膜沉积后，需要进行刻蚀和除膜步骤。
刻蚀是指通过化学或物理手段将不需要的材料从晶圆表面去除，以形成所需的结构。
刻蚀通常使用等离子体刻蚀技术。
而除膜是指将光蚀胶和其他保护层从晶圆表面去除。
半导体芯片制造
半导体芯片制造半导体芯片制造是一项高度复杂的工艺过程，它涉及到多个步骤和多个设备的使用。
下面将对半导体芯片制造的主要步骤进行介绍。
首先，半导体芯片制造的第一步是晶圆制备。
晶圆是用来制造芯片的基材，它通常由纯净的硅材料制成。
在晶圆制备过程中，首先要将硅材料通过化学反应转化为气相中的氯化硅，然后将氯化硅沉积在旋转的蓝宝石片上，形成一个均匀而平整的薄膜。
接下来，将蓝宝石片上的薄膜分离出来，得到一个薄的硅片，即晶圆。
第二步是晶圆清洁。
由于半导体芯片制造对杂质的极度敏感，所以在制造过程中需要对晶圆进行彻底的清洗。
这一步骤主要是通过浸泡晶圆在各种溶液中，将其表面的杂质和污物彻底清除。
第三步是光刻制程。
光刻制程是半导体芯片制造中最重要的步骤之一，它用来定义芯片上各个电路元件的形状和位置。
光刻制程的主要工具是光刻机，它利用紫外线和掩模印刷技术将电路图案印刷到晶圆上。
在这个过程中，先将光刻胶涂在晶圆表面，然后将掩模放在光刻胶上，并通过紫外线照射，使光刻胶的未照射部分变得可溶，然后将其洗掉，留下所需的电路图案。
第四步是蚀刻。
蚀刻是将晶圆表面不需要的材料蚀掉，以形成芯片上各个电路元件之间的电隔离。
蚀刻过程中主要使用的是化学蚀刻液或物理蚀刻机来去除多余的材料。
第五步是沉积。
沉积是在晶圆表面以原子层的方式沉积所需的薄膜材料，以形成芯片上的电路元件。
常见的沉积方式有化学气相沉积和物理气相沉积。
第六步是热处理。
在半导体芯片制造过程中，热处理是不可或缺的一步。
它主要用来修复和改善晶圆上的材料特性，包括晶格结构和电子状态等。
热处理过程中需要使用高温炉等设备。
最后一步是封装测试。
在芯片制造完成后，需要将其封装成一个完整的芯片。
封装的主要目的是保护芯片，同时连接芯片与外部电路。
封装过程中还需要对芯片进行各项电性测试，以确保芯片的质量和性能符合规定的标准。
以上就是半导体芯片制造的主要步骤。
需要注意的是，半导体芯片制造是一个高度复杂和精密的过程，需要严格控制各个工艺参数，以确保芯片的质量和性能。
ic工艺流程及对应半导体设备
ic工艺流程及对应半导体设备？
答：IC（集成电路）工艺流程主要包括制造单晶硅片、设计IC、制作光罩、制造IC、测试IC和封装IC。
具体步骤如下：
1.制造单晶硅片：这是制造IC的第一步，单晶硅片的制造流程主要有拉晶、切割、研磨、抛光和清洗等五个步骤。
2. 设计IC：即设计ic电路，把设计好的电路转化为版图，ic设计决定了ic产品的性能和稳定性。
3.制作光罩：把设计好的ic电路版图等比例缩小转化到一块玻璃板上。
4.制造ic：在单晶硅片上制作集成电路芯片，整个过程主要有蚀刻、氧化、扩散和化学气相沉积薄膜以及金属溅镀等。
5.测试ic：为了确保ic的质量，还需要进行测试，包括功能测试和质量测试。
6.封装ic：封装ic是ic制造的最后一步流程，是指晶圆点测后对IC进行封装，主要的流程有晶圆切割，固晶、打线、塑封、切筋成形等。
而在这个工艺流程中，需要使用到的半导体设备包括但不限于光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备、离子注入机、化学机械抛光机、热处理设备以及测试与封装设备等。
这些设备在IC制造过程中扮演着重要的角色，它们的功能和性能直接影响到IC产品的质量和生产效率。
半导体芯片制造流程
半导体芯片制造流程半导体芯片是现代电子设备中不可或缺的核心部件，它们广泛应用于计算机、手机、通信设备、汽车电子、医疗设备等领域。
半导体芯片的制造流程是一项复杂而精密的工艺，需要经过多道工序才能完成。
下面将介绍半导体芯片制造的主要流程。
首先，半导体芯片的制造始于硅片的准备。
硅片是制造芯片的基础材料，通常采用单晶硅材料。
在制造过程中，需要对硅片进行清洗、去除杂质和生长单晶等工艺步骤，以确保硅片的纯净和完整性。
接下来是光刻工艺。
光刻是将芯片上的电路图案转移到硅片表面的关键工艺。
在这一步骤中，首先需要将硅片涂覆上光刻胶，然后使用光刻机将电路图案投射到光刻胶上，最后通过化学蚀刻将图案转移到硅片上。
随后是离子注入。
离子注入是为了改变硅片的导电性能而进行的工艺步骤。
在这一步骤中，将所需的掺杂物离子注入到硅片中，以形成N型或P型半导体材料，从而实现对芯片电性能的控制。
然后是蚀刻工艺。
蚀刻是用来去除硅片表面不需要的部分，形成电路图案和结构的工艺步骤。
在这一步骤中，使用化学蚀刻或物理蚀刻的方法，将硅片表面的材料逐渐去除，形成所需的电路结构。
紧接着是金属化工艺。
金属化是为了形成芯片上的金属导线和连接器而进行的工艺步骤。
在这一步骤中，先在硅片表面涂覆金属膜，然后通过光刻和蚀刻工艺形成金属导线和连接器，从而实现芯片内部电路的连接和导电功能。
最后是封装和测试。
封装是将制造好的芯片封装在塑料或陶瓷封装体中，以保护芯片并方便连接外部电路。
测试是为了确保芯片的质量和性能符合要求而进行的工艺步骤，通过对芯片进行功能和可靠性测试，最终确定芯片是否合格。
总的来说，半导体芯片的制造流程涉及到硅片准备、光刻、离子注入、蚀刻、金属化、封装和测试等多个工艺步骤。
这些工艺步骤需要高度的精密度和稳定性，以确保最终制造出的芯片具有良好的质量和性能。
半导体芯片制造是一项高技术含量的工艺，对制造工艺和设备要求都非常严格，因此在实际生产中需要有高水平的技术和管理团队来保障制造流程的稳定和可靠。
半导体芯片制作流程工艺
半导体芯片制作流程工艺半导体芯片制作可老复杂啦，我给你好好唠唠。
1. 晶圆制造(1) 硅提纯呢，这可是第一步，要把硅从沙子里提炼出来，变成那种超高纯度的硅，就像从一群普通小喽啰里挑出超级精英一样。
这硅的纯度得达到小数点后好多个9呢，只有这样才能满足芯片制造的基本要求。
要是纯度不够，就像盖房子用的砖都是软趴趴的，那房子肯定盖不起来呀。
(2) 拉晶。
把提纯后的硅弄成一个大的单晶硅锭，就像把一堆面粉揉成一个超级大的面团一样。
这个单晶硅锭可是有特殊形状的，是那种长长的圆柱体，这就是芯片的基础材料啦。
(3) 切片。
把这个大的单晶硅锭切成一片一片的，就像切面包片一样。
不过这可比切面包难多啦，每一片都得切得超级薄，而且厚度要非常均匀，这样才能保证后面制造出来的芯片质量好。
2. 光刻(1) 光刻胶涂覆。
先在晶圆表面涂上一层光刻胶，这光刻胶就像给晶圆穿上了一件特殊的衣服。
这件衣服可神奇啦，它能在后面的光刻过程中起到关键作用。
(2) 光刻。
用光刻机把设计好的电路图案投射到光刻胶上。
这光刻机可厉害啦，就像一个超级画家，但是它画的不是普通的画，而是超级精细的电路图案。
这图案的线条非常非常细，细到你都想象不到，就像头发丝的千分之一那么细呢。
(3) 显影。
把经过光刻后的晶圆进行显影，就像把照片洗出来一样。
这样就把我们想要的电路图案留在光刻胶上啦，那些不需要的光刻胶就被去掉了。
3. 蚀刻(1) 蚀刻过程就是把没有光刻胶保护的硅片部分给腐蚀掉。
这就像雕刻一样，把不要的部分去掉，留下我们想要的电路结构。
不过这个过程得非常小心，要是腐蚀多了或者少了，那芯片就报废了。
(2) 去光刻胶。
把之前用来形成图案的光刻胶去掉，这时候晶圆上就留下了我们想要的电路形状啦。
4. 掺杂(1) 离子注入。
通过离子注入的方式把一些特定的杂质原子注入到硅片中，这就像给硅片注入了特殊的能量一样。
这些杂质原子会改变硅片的电学性质，从而形成我们需要的P型或者N型半导体区域。
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《半导体IC制造流程》、晶圆处理制程晶圆处理制程之主要工作为在硅晶圆上制作电路与电子组件（如晶体管、电容体、逻辑闸等，为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程，以微处理器（Micro processor为例,其所需处理步骤可达数百道，而其所需加工机台先进且昂贵,动辄数千万一台，其所需制造环境为为一温度、湿度与含尘量（Particle均需控制的无尘室（Clea n-Room虽然详细的处理程序是随着产品种类与所使用的技术有关；不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗（Cleaning之后,接着进行氧化（Oxidation及沈积,最后进行微影、蚀刻及离子植入等反复步骤，以完成晶圆上电路的加工与制作。
、晶圆针测制程经过Wafer Fab之制程后，晶圆上即形成一格格的小格，我们称之为晶方或是晶粒（Die,在一般情形下，同一片晶圆上皆制作相同的芯片，但是也有可能在同一片晶圆上制作不同规格的产品；这些晶圆必须通过芯片允收测试，晶粒将会一一经过针测（Probe仪器以测试其电气特性,而不合格的的晶粒将会被标上记号（Ink Dot，此程序即称之为晶圆针测制程（Wafer Probeo然后晶圆将依晶粒为单位分割成一粒粒独立的晶粒，接着晶粒将依其电气特性分类（Sort并分入不同的仓（Die Bank,而不合格的晶粒将于下一个制程中丢弃。
二、IC构装制程IC构装制程（Packaging则是利用塑料或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路（Integrated Circuit;简称IC,此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。
最后整个集成电路的周围会向外拉出脚架（Pin ,称之为打线，作为与外界电路板连接之用。
四、测试制程半导体制造最后一个制程为测试，测试制程可分成初步测试与最终测试，其主要目的除了为保证顾客所要的货无缺点外，也将依规格划分IC的等级。
在初步测试阶段，包装后的晶粒将会被置于各种环境下测试其电气特性，例如消耗功率、速度、电压容忍度…等。
测试后的IC将会将会依其电气特性划分等级而置入不同的Bin中（此过程称之为Bin Splits,最后因应顾客之需求规格，于相对应的Bin中取出部份IC 做特殊的测试及烧机（Burn-In,此即为最终测试。
最终测试的成品将被贴上规格卷标（Brand并加以包装而后交与顾客。
未通过的测试的产品将被降级（Downgrading或丢弃。
《晶柱成长制程》硅晶柱的长成，首先需要将纯度相当高的硅矿放入熔炉中，并加入预先设定好的金属物质，使产生出来的硅晶柱拥有要求的电性特质，接着需要将所有物质融化后再长成单晶的硅晶柱，以下将对所有晶柱长成制程做介绍。
长晶主要程序：融化（MeltDown此过程是将置放于石英坩锅内的块状复晶硅加热制高于摄氏1420度的融化温度之上，此阶段中最重要的参数为坩锅的位置与热量的供应，若使用较大的功率来融化复晶硅，石英坩锅的寿命会降低，反之功率太低则融化的过程费时太久，影响整体的产能。
颈部成长（Neck Growth当硅融浆的温度稳定之后，将＜1.0.0＞方向的晶种渐渐注入液中，接着将晶种往上拉升,并使直径缩小到一定（约6mm,维持此直径并拉长10-20cm,以消除晶种内的排差（dislocation,此种零排差（dislocation-free的控制主要为将排差局限在颈部的成长。
晶冠成长（Crown Growth长完颈部后，慢慢地降低拉速与温度，使颈部的直径逐渐增加到所需的大小。
晶体成长（Body Growth利用拉速与温度变化的调整来迟维持固定的晶棒直径，所以坩锅必须不断的上升来维持固定的液面高度，于是由坩锅传到晶棒及液面的辐射热会逐渐增加，此辐射热源将致使固业界面的温度梯度逐渐变小，所以在晶棒成长阶段的拉速必须逐渐地降低,以避免晶棒扭曲的现象产生。
尾部成长（Tail Growth当晶体成长到固定（需要的长度后，晶棒的直径必须逐渐地缩小，直到与液面分开, 此乃避免因热应力造成排差与滑移面现象。
《晶柱切片后处理》硅晶柱长成后，整个晶圆的制作才到了一半，接下必须将晶柱做裁切与检测，裁切掉头尾的晶棒将会进行外径研磨、切片等一连串的处理，最后才能成为一片片价值非凡的晶圆，以下将对晶柱的后处理制程做介绍。
切片（Slic ing长久以来经援切片都是采用内径锯，其锯片是一环状薄叶片，内径边缘镶有钻石颗粒，晶棒在切片前预先黏贴一石墨板，不仅有利于切片的夹持，更可以避免在最后切断阶段时锯片离开晶棒所造的破裂。
切片晶圆的厚度、弓形度（bow及挠屈度（warp等特性为制程管制要点。
影响晶圆质量的因素除了切割机台本身的稳定度与设计外，锯片的张力状况及钻石锐利度的保持都有很大的影响。
圆边（Edge P olishi ng刚切好的晶圆，其边缘垂直于切割平面为锐利的直角，由于硅单晶硬脆的材料特性,此角极易崩裂，不但影响晶圆强度，更为制程中污染微粒的来源，且在后续的半导体制成中，未经处理的晶圆边缘也为影响光组与磊晶层之厚度，固须以计算机数值化机台自动修整切片晶圆的边缘形状与外径尺寸。
研磨（La pping研磨的目的在于除去切割或轮磨所造成的锯痕或表面破坏层，同时使晶圆表面达到可进行抛光处理的平坦度。
蚀刻（Etch ing晶圆经前述加工制程后，表面因加工应力而形成一层损伤层（damaged layer在抛光之前必须以化学蚀刻的方式予以去除，蚀刻液可分为酸性与碱性两种。
去疵（Getteri ng利用喷砂法将晶圆上的瑕疵与缺陷感到下半层，以利往后的IC制程。
抛光（P olish ing晶圆的抛光，依制程可区分为边缘抛光与表面抛光两种边缘抛光（Edge Polishing边缘抛光的主要目的在于降低微粒（particle附着于晶圆的可能性，并使晶圆具备较佳的机械强度，但需要的设备昂贵且技术层面较高，除非各户要求，否则不进行本制程。
表面抛光（Surface Polishing表面抛光是晶圆加工处理的最后一道步骤，移除晶圆表面厚度约10-20微米，其目的在改善前述制程中遗留下的微缺陷，并取得局部平坦度的极佳化，以满足IC制程的要求。
基本上本制程为化学-机械的反应机制，由研磨剂中的NaOH , KOH ,NH4OH腐蚀晶圆的最表层，由机械摩擦作用提供腐蚀的动力来源。
《晶圆处理制程介绍》基本晶圆处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗（Clea ning之后，送到热炉管（Furnace内，在含氧的环境中，以加热氧化（Oxidation的方式在晶圆的表面形成一层厚约数百个的二氧化硅（Si02层，紧接着厚约1000A到2000A的氮化硅（Si3N4层将以化学气相沈积（Chemical Vapor Deposition;CVP的方式沈积（Deposition在刚刚长成的二氧化硅上，然后整个晶圆将进行微影（Lithography的制程，先在晶圆上上一层光阻（Photoresist再将光罩上的图案移转到光阻上面。
接着利用蚀刻（Etching技术,将部份未被光阻保护的氮化硅层加以除去，留下的就是所需要的线路图部份。
接着以磷为离子源（Io n Source对整片晶圆进行磷原子的植入（Ion Imp la ntatio n,然后再把光阻剂去除（Photoresist Scrip制程进行至此,我们已将构成集成电路所需的晶体管及部份的字符线（Word Lines,依光罩所提供的设计图案，依次的在晶圆上建立完成，接着进行金属化制程（Metallization,制作金属导线，以便将各个晶体管与组件加以连接，而在每一道步骤加工完后都必须进行一些电性、或是物理特性量测，以检验加工结果是否在规格内（Inspection and Measuremen如此重复步骤制作第一层、第二层…的电路部份,以在硅晶圆上制造晶体管等其它电子组件；最后所加工完成的产品会被送到电性测试区作电性量测。
根据上述制程之需要，FAB厂内通常可分为四大区：1黄光本区的作用在于利用照相显微缩小的技术，定义出每一层次所需要的电路图，因为采用感光剂易曝光，得在黄色灯光照明区域内工作，所以叫做「黄光区」。
微影成像（雕像术；lithography决定组件式样（pattern尺寸（dimension以及电路接线（routing 在黄光室内完成，对温•湿度维持恒定的要求较其它制程高一个现代的集成电路（IC含有百万个以上的独立组件，而其尺寸通常在数微米，在此种尺寸上，并无一合适的机械加工机器可以使用，取而代之的是微电子中使用紫外光的图案转换（Patterning这个过程是使用光学的图案以及光感应膜来将图案转上基板，此种过程称为光刻微影（Photolithography,此一过程的示意图说明于下图光刻微影技主要在光感应薄膜，称之为光阻，而光阻必须符合以下五点要求：1.光阻与基板面黏着必须良好。
2.在整个基板上，光阻厚度必须均匀。
3.在各个基板上，光阻厚度必须是可预知的。
4.光阻必须是感光的所以才能做图案转换。
5.光阻必须不受基板蚀刻溶液的侵蚀。
在光刻微影过程，首先为光阻涂布，先将适量光阻滴上基板中心，而基板是置于光阻涂布机的真空吸盘上，转盘以每分钟数千转之转速，旋转30-60秒，使光阻均匀涂布在基板上，转速与旋转时间，依所需光阻厚度而定。
曝照于紫外光中，会使得光阻的溶解率改变。
紫外光通过光罩照射于光阻上，而在光照及阴影处产生相对应的图形，而受光照射的地方，光阻的溶解率产生变化，称之为光化学反应，而阴影处的率没有变化，这整个过称之为曝光（exposu©在曝光之后, 利用显影剂来清洗基板，将光阻高溶解率部份去除，这个步骤，称之为显影（Develo pment而光阻去除的部份依不同型态的光阻而有不同，去除部份可以是被光照射部份或是阴影部份，如果曝光增加光阻的溶解率，则此类光阻为正光阻，如果曝光降低光阻的溶解率，则称此类光阻为负光阻。
在显影后，以蚀刻液来蚀刻含在有图案（pattern光阻的基板蚀刻液去除未受光阻保护的基板部份，而受光阻保护部份，则未受蚀刻。
最后，光阻被去除，而基板上则保有被制的图案。
黄光制程:1.上光阻2.软烤（预烤：90 - 100度C - 30 min <—使光阻挥发变硬一点o3.曝光显像4.硬烤：200度C〜30 min <~~把剩下的挥发气体完全挥发使其更抗腐蚀但不可烤太久因为最后要把光阻去掉o相关仪器材料：1.光阻（P hotoresist2.光罩（mask3.对准机（mask alig ner4.曝光光源（exposure source5.显像溶液（develope solution6.烤箱（heat ing ove n光阻：1.正光阻:曝光区域去除2.负光阻:曝光区域留下曝光光源:1.可见光4000〜7000埃2.紫外线< 4000埃（深紫外线0.25um最多到0.18um ,找不到合适的光阻及散热问题，但解析很好，可整片曝光。