铁电薄膜铁电性能的表征
《Bi5Ti3FeO15基铁电薄膜的弛豫与储能特性调控》范文
《Bi5Ti3FeO15基铁电薄膜的弛豫与储能特性调控》篇一一、引言随着现代电子技术的飞速发展，铁电材料因其独特的电性能和物理特性在微电子器件、传感器和储能器件等领域得到了广泛的应用。
Bi5Ti3FeO15基铁电薄膜作为一种新型的铁电材料，具有优异的电性能和良好的稳定性，在铁电存储器、传感器和储能器件等领域具有巨大的应用潜力。
本文将重点探讨Bi5Ti3FeO15基铁电薄膜的弛豫与储能特性调控，为进一步优化其性能提供理论依据。
二、Bi5Ti3FeO15基铁电薄膜的弛豫特性Bi5Ti3FeO15基铁电薄膜的弛豫特性主要表现在其电性能随时间的变化。
在电场作用下，薄膜内部的极化过程会受到温度、频率和电场强度等因素的影响，导致其电性能发生弛豫现象。
为了研究这一现象，我们采用了多种实验手段，如介电谱、铁电测试等，对Bi5Ti3FeO15基铁电薄膜的弛豫特性进行了深入分析。
首先，我们通过介电谱测试得到了薄膜在不同温度和频率下的介电常数和介电损耗。
结果表明，随着温度的升高和频率的降低，薄膜的介电常数逐渐增大，而介电损耗则呈现出先减小后增大的趋势。
这表明在一定的温度和频率范围内，Bi5Ti3FeO15基铁电薄膜具有良好的弛豫特性。
其次，我们利用铁电测试手段对薄膜的极化过程进行了研究。
结果表明，在电场作用下，薄膜内部的极化过程具有明显的滞后现象，即极化强度随时间逐渐增大并达到饱和状态。
这一过程与温度、频率和电场强度等因素密切相关，进一步证实了Bi5Ti3FeO15基铁电薄膜具有良好的弛豫特性。
三、Bi5Ti3FeO15基铁电薄膜的储能特性调控为了进一步提高Bi5Ti3FeO15基铁电薄膜的储能性能，我们对其进行了多种调控手段的研究。
首先，通过改变薄膜的制备工艺参数，如沉积温度、气氛和退火时间等，可以有效地调控薄膜的微观结构和成分，从而影响其储能性能。
其次，通过引入掺杂元素或制备复合材料等方法，可以进一步提高薄膜的储能密度和效率。
《铁电性薄膜储能性能调控及其设计机理》范文
《铁电性薄膜储能性能调控及其设计机理》篇一一、引言随着科技的进步和人类对能源的需求不断增长，新型储能材料和器件的研发成为了当前的研究热点。
铁电性薄膜作为一种具有独特性能的储能材料，其储能性能的调控及其设计机理成为了众多科研工作者的研究重点。
本文将就铁电性薄膜的储能性能调控及其设计机理进行深入探讨。
二、铁电性薄膜的基本性质与储能原理铁电性薄膜是一种具有铁电性的材料，其电学性能在一定的温度范围内具有可逆的电偶极矩变化。
这种变化使得铁电性薄膜在电场作用下能够存储和释放电能，从而实现储能的目的。
铁电性薄膜的储能性能主要取决于其内部极化状态的变化，而这种变化受到温度、电场、应力等多种因素的影响。
三、铁电性薄膜储能性能的调控1. 成分调控：通过调整铁电性薄膜的成分，可以改变其晶格结构、相变温度等关键参数，从而影响其储能性能。
例如，通过掺杂不同元素，可以改变薄膜的介电常数、剩余极化强度等。
2. 结构调控：通过改变铁电性薄膜的晶粒尺寸、取向度等结构参数，可以优化其内部应力分布，从而提高其储能性能。
此外，多层膜结构的设计也能有效提高储能性能。
3. 外部场调控：通过施加外电场或热场，可以改变铁电性薄膜的极化状态，从而实现对储能性能的调控。
这种方法具有响应速度快、操作简便等优点。
四、铁电性薄膜储能性能的设计机理1. 畴壁运动机制：铁电性薄膜中的畴壁运动是其储能性能的重要来源之一。
通过优化畴壁运动，可以降低能量损耗，提高储能效率。
2. 极化反转机制：在电场作用下，铁电性薄膜的极化状态发生反转，从而实现能量的存储和释放。
优化极化反转机制，可以提高薄膜的剩余极化强度和抗疲劳性能。
3. 界面效应：界面效应对铁电性薄膜的储能性能具有重要影响。
通过优化薄膜与基底的界面结构，可以改善其储能性能。
此外，通过引入具有特定功能的界面层，还可以进一步提高储能性能。
五、应用前景与展望铁电性薄膜作为一种具有独特性能的储能材料，在能源存储、传感器、微电子等领域具有广阔的应用前景。
电子功能材料实验报告(3篇)
第1篇一、实验目的本次实验旨在了解电子功能材料的制备、表征及其在电子器件中的应用。
通过实验，掌握电子功能材料的制备方法、结构表征技术以及器件制备的基本流程，为今后从事相关领域的研究和工作打下基础。
二、实验内容1. 电子功能材料的制备- 采用化学气相沉积（CVD）法制备氮化镓（GaN）薄膜。
- 采用溶液法合成ZnO纳米颗粒。
2. 电子功能材料的表征- 利用X射线衍射（XRD）分析GaN薄膜的晶体结构和物相组成。
- 利用扫描电子显微镜（SEM）观察ZnO纳米颗粒的形貌和尺寸。
- 利用透射电子显微镜（TEM）观察GaN薄膜的微观结构。
3. 电子器件的制备与应用- 利用制备的GaN薄膜制备高电子迁移率晶体管（HEMT）。
- 利用制备的ZnO纳米颗粒制备光致发光二极管（LED）。
三、实验过程1. 电子功能材料的制备- 氮化镓（GaN）薄膜的制备：将高纯度氮化氢气体和氢气通入CVD反应室，在高温下使氮化氢气体分解，与氢气反应生成GaN薄膜。
- 氧化锌（ZnO）纳米颗粒的制备：将ZnO前驱体溶液滴加到去离子水中，在超声搅拌下进行溶液法合成。
2. 电子功能材料的表征- X射线衍射（XRD）分析：将制备的GaN薄膜和ZnO纳米颗粒进行XRD测试，分析其晶体结构和物相组成。
- 扫描电子显微镜（SEM）观察：将制备的ZnO纳米颗粒进行SEM测试，观察其形貌和尺寸。
- 透射电子显微镜（TEM）观察：将制备的GaN薄膜进行TEM测试，观察其微观结构。
3. 电子器件的制备与应用- 高电子迁移率晶体管（HEMT）制备：将制备的GaN薄膜进行掺杂，制备HEMT器件。
- 光致发光二极管（LED）制备：将制备的ZnO纳米颗粒与有机材料复合，制备LED器件。
四、实验结果与分析1. 电子功能材料的制备- 通过CVD法制备的GaN薄膜，XRD测试结果显示为纤锌矿结构，晶格常数为a=0.318 nm，c=0.617 nm。
- 通过溶液法制备的ZnO纳米颗粒，SEM测试结果显示颗粒形貌为球形，平均粒径约为30 nm。
《Bi5Ti3FeO15基薄膜的多铁性与铁电光伏效应》范文
《Bi5Ti3FeO15基薄膜的多铁性与铁电光伏效应》篇一一、引言随着现代科技的发展，多铁性材料因其独特的物理性质和潜在的应用前景，已成为材料科学研究的重要领域。
Bi5Ti3FeO15基薄膜作为一种典型的多铁性材料，具有丰富的物理性质和潜在的应用价值。
本文将重点探讨Bi5Ti3FeO15基薄膜的多铁性和铁电光伏效应，以期为相关研究提供参考。
二、Bi5Ti3FeO15基薄膜的结构与性质Bi5Ti3FeO15基薄膜是一种具有钙钛矿结构的复合氧化物薄膜。
其晶体结构由Bi、Ti和Fe等元素组成，具有较高的结晶度和良好的稳定性。
该薄膜具有多铁性，即同时具有铁电、铁磁和铁弹性质，使得其在多场耦合、磁电耦合等方面具有独特的应用价值。
三、多铁性研究多铁性是指材料同时具有多种铁性性质，如铁电、铁磁等。
Bi5Ti3FeO15基薄膜的多铁性源于其特殊的晶体结构和电子结构。
在电场作用下，该薄膜的铁电性质表现为电偶极矩的可逆变化；在磁场作用下，其铁磁性质表现为磁化强度的变化。
此外，该薄膜还具有铁弹性质，即在一定条件下可发生晶格畸变。
这些性质使得Bi5Ti3FeO15基薄膜在多场耦合、磁电耦合等方面具有广泛的应用前景。
四、铁电光伏效应铁电光伏效应是指铁电材料在电场作用下产生的光生电压效应。
Bi5Ti3FeO15基薄膜具有较高的铁电性能和光响应性能，因此具有显著的铁电光伏效应。
当光照射到该薄膜表面时，光生载流子在电场作用下发生分离和迁移，从而产生光生电压。
这一现象在太阳能电池、光电传感器等领域具有潜在的应用价值。
五、实验研究为了深入研究Bi5Ti3FeO15基薄膜的多铁性和铁电光伏效应，我们开展了系列实验。
首先，通过溶胶-凝胶法制备了Bi5Ti3FeO15基薄膜，并对其晶体结构和形貌进行了表征。
其次，利用铁电测试仪和光伏测试系统，研究了该薄膜的铁电性能和光伏性能。
实验结果表明，Bi5Ti3FeO15基薄膜具有较高的剩余极化强度和良好的光响应性能，其铁电光伏效应显著。
SBN60铁电薄膜
铁电材料BaTiO3的制备及其压电、光伏特性实验报告
铁电材料BaTiO3的制备及其压电、光伏特性实验报告调研报告一、文献综述1.背景：铁电材料是指具有自发极化，而且在外加电场下，自发极化发生转向的电介质材料，它是热释电材料的一个分支。
铁电材料由于其铁电性、介电性、压电性、热释电效应、热电效应、电光性质等特性，而广泛应用于各个领域(见下表1),如在通讯系统、微电子学、光电子学、集成光学和非机械学等领域有着重要的或潜在的应用,从而引起国内外学者的广泛研究。
表1.铁电薄膜材料的应用性质主要叁件介电性电容器，动态随机存取存储器(DRAM)压电性声表面波(SAW)器件、微型压电马达、微型压电骡动器热科电性热释电探测罂及阵列铁电性铁电HI机存取存储器(FRAM)、铁电场效应管电光效应光调制嘱，光波导声光效应声光偏转器光折交效应光注制器.光全息存储器非线性光学效应光学倍频器铁电薄膜材料根据成分可分为三大类，包括锯酸盐系、钛酸盐系、铝酸盐系，其中典型铁电材料有:钛酸钢(BaTiO3)、磷酸二氢钾(KH2Po4)等，然而BaTi03是一种强介电化合物材料，它具有很高的介电常数和较低的介电损耗，是电子陶瓷中使用最广泛的材料之一，它被称作“电子陶瓷工业的支柱”。
同时该材料是最早研究的钙钛矿结构的铁电材料，因此通过对该材料的学习、制备和性能的检测，对铁电材料领域的相关知识的了解有着重要的意义。
前人们对钛酸钢的制备和性能有着很多的研究，FI前对钛酸钢材料的研究已经往微型化发展，制备成铁电薄膜材料，同时研究不同的制备方法、元素掺杂等对钛酸钢薄膜材料性能的影响，在这基础上，研究外界条件(外加磁场等)对铁电薄膜材料的物理调控，渐渐的利用其性质应用于器件中(光伏器件、电容器等)。
2.制备方法与结构性质：结构性质：电介质材料按其晶体对称性可分为32种点群，在这32种晶体学点群中，有21种不具有对称中心，其中20种呈现压电效应。
而这20种压电性晶体中的10种具有受热而自发极化现象，因其是受热而引起电极化状态的改变，故这10种晶体又称为热释电晶体。
铁电薄膜铁电性能的表征
铁电薄膜铁电性能的表征091120***引言：铁电体是如此一类晶体:在必然温度范围内存在自发极化,自发极化具有两个或多个可能的取向,其取向可能随电场而转向.铁电体并非含“铁”,只是它与铁磁体具有磁滞回线相类似，具有电滞回线，因此称为铁电体。
在某一温度以上，它为顺电相，无铁电性，其介电常数服从居里-外斯（Curit-Weiss）定律。
铁电相与顺电相之间的转变通常称为铁电相变，该温度称为居里温度或居里点Tc。
铁电体即便在没有外界电场作用下，内部也会显现极化，这种极化称为自发极化。
自发极化的显现是与这一类材料的晶体结构有关的。
晶体的对称性能够划分为32种点群。
在无中心对称的21种晶体类型种除432点群外其余20种都有压电效应，而这20种压电晶体中又有10种具热释电现象。
热释电晶体是具有自发极化的晶体，但因表面电荷的抵偿作用，其极化电矩不能显示出来，只有当温度改变，电矩（即极化强度）发生转变，才能显示固有的极化，这能够通过测量一闭合回路中流动的电荷来观测。
热释电确实是指改变温度才能显示电极化的现象，铁电体又是热释电晶体中的一小类，其特点确实是自发极化强度可因电场作用而反向，因此极化强度和电场E 之间形成电滞回线是铁电体的一个要紧特性。
自发极化可用矢量来描述，自发极化出此刻晶体中造成一个特殊的方向。
晶体红，每一个晶胞中原子的构型使正负电荷重心沿那个特殊方向发生位移，使电荷正负中心不重合，形成电偶极矩。
整个晶体在该方向上呈现极性，一端为正，一端为负。
在其正负端别离有一层正和负的束缚电荷。
束缚电荷产生的电场在晶体内部与极化反向（称为退极化场），使静电能升高，在受机械约束时，伴随着自发极化的应变还将使应变能增加，因此均匀极化的状态是不稳固的，晶体将分成假设干小区域，每一个小区域称为电畴或畴，畴的间界叫畴壁。
畴的显现使晶体的静电能和应变能降低，但畴壁的存在引入了畴壁能。
总自由能取极小值的条件决定了电畴的稳固性。
实验目的：1、了解铁电参数测试仪的工作原理和利用方式2、了解什么是铁电体，什么是电滞回线及其测量原理和方式。
PZT铁电薄膜材料的制备技术
PZT铁电薄膜材料的制各技术1.铁电薄膜材料背景综述薄膜和层状结构工艺的进步对于集成电路和光电子器件的发展是至关重要的臼。
铁电薄膜是指具有铁电性、且厚度在数十纳米至数微米问的薄膜。
铁电材料的研究一般被认为是始于1920年，法国人发现了罗息盐，即酒石酸钾钠(NaKC4H4O6-4H2O),在外电场E作用下，其极化强度P有如图1所示滞后回线关系，表现出特殊的非线性介电行为。
由于图1的P・E 关系曲线有和铁磁体的关系曲线相类似的特点，因而P-E关系被称为电滞回线(Hysteiesisloop)拥有这种特性的晶体被称为“铁电体”，相应的材料被称为“铁电材料”口】。
随后发现了相似结构的KH2P。
4系列；1940〜1958年，发现了第一个不含氢键，具有多个铁电相的铁电体BaPCh; 1959年到上世纪70年代，包括钙钛矿结构的PbPO3系列、铝青铜结构的锯酸盐系列等在内的大量铁电体被发现，也是铁电的软模理论出现并基本完善的时期；上世纪80年代至今，铁电体的研究主要集中于铁电液晶、聚合物复合铁电材料、薄膜材料和异质结构等非均匀系统。
以钻钛酸铅Pb(Zr】_xPx)O3(简称PZT)为代表的一大类铁电压电功能薄膜材料因其具有良好的压电、铁电、热释电、电光及非线性光学等特性，在微电子和光电子技术领域有着广阔的应用前景，受到人们的广泛关注和重视几乎所有的铁电体材料均可通过不同的制备技术制成相应的薄膜材料，但迄今为止研究较为集中的铁电薄膜材料主要有两大类，一类是钛酸盐系铁电薄膜; 另一类是锯酸盐系铁电薄膜。
最典型的铁电体是具有钙铁矿结构的铁电体-ABO3(Perovskite)结构，如图2 所示。
佟I 2钙钛矿铁电材料晶胞小意图PZT是典型的ABO3钙钛矿结构，在每个钙钛矿元胞中，铅离子(Pb?与占据8个顶点的位置，氧离子(O')占据6个面心，结或钛粒子亿产m4+)位于八面体的空位。
在现有的铁电薄膜材料中，使用较多的是PZT薄膜系列。
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四、测量仪简介
1、铁电性能综合测试仪硬件结构
铁电薄膜材料的测量仪主要包括可编程信号源、微电流放大器、积分器、放大倍数可编程放大器、模/数转换器、数/模转换器、微机接口部分、微机和应用软件等部分组成。系统框图见图12-2-3，硬件系统由一台计算机、信号调理电路部分组成。
图12-2-3 铁电性能测量仪结构框图
2、试画出铁电薄膜样品的等效电路并分析其各个部分对铁电薄膜样品性能的影响。
虚框就是铁电薄膜样品的等效电路图
Cxi为线性感应等效电容， Rx为铁电薄膜样品的漏电导及损耗等效电阻，Cxs为与自发极化反转对应的非线性等效电容。
在理想情况下，若只考虑Cxs的作用（认为Cxi与Rx开路），很容易证明Uy与铁电薄膜样品的极化强度P成正比[2]。但一般情况下，铁电薄膜样品同时具有漏电导和线性感应电容，如果要获得铁电薄膜样品的本征电滞回线，必须在测量过程中对样品的漏电导和线性感应电容进行合适的补偿，但这在实际测量中是较难处理的。另外，此电路中外接积分电容Co的选取和精度会影响测试的精确度，当然给铁电薄膜样品提供的信号源U的频率对测试结果也有很大的影响，这样就较难对测试结果进行标定和校准。
3、Sawyer-Tower电路测量电滞回线有何缺点？试改进之。
可以在基础的Sawyer-Tower电路的基础上， 采取频率补偿法、电阻补偿法、移相补偿 法、线性补偿法等方法以得到更为准确的电滞回线。
4、信号源的频率对测试结果有无影响？
答：有影响不同的信号源频率会使电容产生不同大小的漏电流这样对实验的结果产生一定的偏差。
根据实验中得到的数据，我们可以画出相应的电压Vy（正比于极化P）对于外加电压U（正比于电场E）的图，相应的作图如图3所示。值得注意的是，我们作图的数据并不直接是极化相对于电场强度的关系，而是电压Vy(mV )～U(V )的关系，它们与我们需要测试的量成正比关系，因此图形形态上一样。下面我们对于实验数据进行处理，可以得 到不同高压下的自发极化Ps(nC/cm2)随外加电 压U(V )的变化关系、剩余极化Pr(nC/cm2)随外 加电压U(V )的变化关系以及矫顽场Ec(V )随外加 电压U(V )的变化关系。我们将相应的关系作图 画出，如图4所示。值得注意的是由电压Vy到极 化P的换算由具体的测试仪器参数决定，下图中 作图所用到的极化值由测试软件算出。
下面证明Vy和P的正比关系， 12.2-1)
式中 为图中电源V的角频率 为铁电体的介电常数, 为真空的介电常数,S为平板电容 的面积， 为平行平板间距离，代入（12.2-1）式得：
(12.2-2)
根据电磁学
(12.2-3)
对于铁电体 1，固有后一近似等式，代入（12.2-2）式 ，
因 与 都是常数，故 与 成比。
实验结果及数据处理
【实验得到的图片截图】
【数据绘制成的表格】
Vmax
500
550
600
650
700
750
Ps(uc/cm2)
85.28
86.43
88.51
88.76
90.65
91.20
Pr(uc/cm2)
69.28
72.49
72.40
74.82
74.96
74.84
-Pr(cu/cm2)
-68.54
-72.76
4.测量电滞回线：在刚刚确定的那个电压范围内，选择五个电压值，间隔为?V /5，分别测量在这五个电压值下的电滞回线，并且保留电滞回线测量数据。
5. 拷贝并带回电滞回线测量数据，以便于后续数据处理使用。
6. 实验结束后，先关闭测量仪，后关闭计算 机。
7. 用 电 滞 回 线 测 量 数 据， 计 算 相 应 的 数 据Pr、Ps、Ec。
所示此曲线称为电滞回线。
图12.2-1 铁电体的电滞回线
图12.2-2 电滞回线的显示
电滞回线可以用图12.22-2的装置显示出来（这就是着名的Sawyer-Tower电路），以铁电晶体作介质的电容Cx上的电压V是加在示波器的水平电极板上，与Cx串联一个恒定电容Cy(即普通电容)，Cy上的电压Vy加在示波器的垂直电极板上，很容易证明Vy与铁电体的极化强度P成正比，因而示波器显示的图象，纵坐标反映P的变化，而横坐标Vx与加在铁电体上外电场强成正比，因而就可直接观测到P-E的电滞回线。
二、实验目的
1、了解什么是铁电体，什么是电滞回线及其测量原理和方法。
2、了解铁薄膜材料的功能和应用前景。
三、实验原理
1、铁电体的特点
（1）电滞回线
铁电体的极化随外电场的变化而变化，但电场较强时，极化与电场之间呈非线性关系。在电场作用下新畴成核长，畴壁移动，导致极化转向，在电场很弱时，极化线性地依赖于电场 见图(12.2-1) ,此时可逆的畴壁移动成为不可逆的，极化随电场的增加比线性段快。当电场达到相应于B点值时，晶体成为单畴，极化趋于饱和。电场进一步增强时，由于感应极化的增加，总极化仍然有所增大(BC)段 。如果趋于饱和后电场减小，极化将循 CBD段曲线减小，以致当电场达到零时，晶体仍保留在宏观极化状态，线段OD表示的极化称为剩余极化Pr。将线段CB外推到与极化轴相交于E，则线段OE 为饱和自发极化Ps。如果电场反向，极化将随之降低并改变方向，直到电场等于某一值时，极化又将趋于饱和。这一过程如曲线DFG所示，OF所代表的电场是使极化等于零的电场，称为矫顽场?Ec。电场在正负饱和值之间循环一周时，极化与电场的关系如曲线CBDFGHC
实验结果讨论与分析
在实验中，我们观察到如下一些显着的现象：
1. 电滞回线总体上呈现出中心对称的形态，在一些细节处表现出不对称的特征。例如在穿越负Vy轴处出现的跳变等。
2. 随着外加电压的增大，电滞回线形态上“由 胖变瘦”，与坐标轴围成的面积变大。
3. 随着外加电场的增大，自发极化Ps、剩余极 化Pr和矫顽场Ec总体上都增大，并且对于剩 余极化Pr和矫顽场Ec而言，其正向比负向的绝对值要大。
-75.09
-77.76
-77.24
-80.26
+Vc(V)
193.23
195.10
199.40
202.8
202.90
202.90
-Vc(V)
-117.30
-120.8
-126.00
-133.10
-132.90
-132.70
由图可看出饱和极化强度随着外加电场的增加而增加，
由图可知剩余极化强度随外加电场的增加而增加随后趋于饱和
铁电性
【引言】
铁电体是这样一类晶体:在一定温度范围内存在自发极化,自发极化具有两个或多个可能的取向,其取向可能随电场而转向.铁电体并不含“铁”,只是它与铁磁体具有磁滞回线相类似，具有电滞回线，因而称为铁电体。在某一温度以上，它为顺电相，无铁电性，其介电常数服从居里-外斯（Curit-Weiss）定律。铁电相与顺电相之间的转变通常称为铁电相变，该温度称为居里温度或居里点Tc。铁电体即使在没有外界电场作用下，内部也会出现极化，这种极化称为自发极化。自发极化的出现是与这一类材料的晶体结构有关的。晶体的对称性可以划分为32种点群。在无中心对称的21种晶体类型种除432点群外其余20种都有压电效应，而这20种压电晶体中又有10种具热释电现象。热释电晶体是具有自发极化的晶体，但因表面电荷的抵偿作用，其极化电矩不能显示出来，只有当温度改变，电矩（即极化强度）发生变化，才能显示固有的极化，这可以通过测量一闭合回路中流动的电荷来观测。热释电就是指改变温度才能显示电极化的现象，铁电体又是热释电晶体中的一小类，其特点就是自发极化强度可因电场作用而反向，因而极化强度和电场E 之间形成电滞回线是铁电体的一个主要特性。自发极化可用矢量来描述，自发极化出现在晶体中造成一个特殊的方向。晶体中，每个晶胞中原子的构型使正负电荷重心沿这个特殊方向发生相对位移，使电荷正负重心不重合，形成电偶极矩。整个晶体在该方向上呈现极性，一端为正，一端为负。在其正负端分别有一层正和负的束缚电荷。束缚电荷产生的电场在晶体内部与极化反向（ 称为退极化场） ，使静电能升高，在受机械约束时，伴随着自发极化的应变还将使应变能增加，所以均匀极化的状态是不稳定的，晶体将分成若干小区域，每个小区域内部电偶极子沿同一方向，但各个小区域电偶极子方向不同，这些小区域称为电畴或畴，畴的间界叫畴壁。畴的出现使晶体的静电能和应变能降低，但畴壁的存在引入了畴壁能。总自由能取极小值的条件决定了电畴的稳构型。
2、实验内容
测量铁电薄膜样品的电滞回线，画出电滞回线及得到铁电薄膜材料的饱和极化±Ps、剩余极化±Pr、矫顽场±Ec、电容量C等参数。
【实验步骤】
1. 准备工作：首先开启计算机，阅读仪器说明书。
2. 初始化：在低电压（100V）下运行测量软 件，开启测量仪，并检查探针位置是否正确。
3.确定高压区间?V：调整高电压和低电压，观察能出现标准电滞回线的最大和最小的电压值，并记录为Vmax和Vmin，高压区间为?V = Vmax?Vmin。值得注意的是，软件中输入的高压值在本次试验的试验仪上通常达不到，因此需要输入比目标电压更高一些的电压值，电压值以实际高压为准。备注：高压区间指的是保持标准电滞回线的最低和最高电压。
4. 为了消除上述提到的Qr和Qi的不良影响， 可以在基础的Sawyer-Tower电路的基础上， 采取频率补偿法、电阻补偿法、移相补偿 法、线性补偿法等方法以得到更为准确的电滞回线。
【实验思考题】
1、铁电体的电滞回线和温度有无关系，为什么？