高介电常数电介质资料

介电常数

一些溶剂的介电常数

介电常数(Dielectric constants) 表1列出常见气体在20℃,101 325 Pa条件下的介电常识(ε)。 数据中的有效数字表示测试精度,其中Ar,H2,He,N2,O2,CO2等被推荐为参比数据,其精度为百万分之一或更高。 1 气体的介电常数(Dielectric constants of gases) 表1 气体的介电常数 Table 1 Dielectric constants of gases

2 饱和水蒸气的介电常数(Dielectric constants of saturated water vapor) 表2给出不同温度下的液态水成平衡的水蒸气的介电常数。 表2 饱和水蒸气的介电常数 Table 2 Dielectric constants of saturated water vapor 3 液体的介电常数(Dielectric constants of liquid) 表3给出常见液体在指定温度下的介电常数(ε),测试压力为101325Pa。 加*表示测试压力为液体的饱和蒸气压(该温度下其饱和蒸气压大于101325Pa)。 表3 液体的介电常数 Table3 Dielectric constants of liquid

3 He 氦-269 1.408 I2 碘118 11.1 NH3 氨-77 25 N2氮-195 1.433 N2H4 肼20 52.9 N2O 一氧化二氮0 1.61

CH2Br2 二溴甲烷10 7.77 CH2Cl2二氯甲烷20 9.08 CH2I2二碘甲烷25 5.32 CH2O2甲酸16 58.5 CH3Br 溴甲烷0 9.82 CH3Cl 氯甲烷-20 *12.6 CH3I 碘甲烷20 7.00

高K栅介质材料的研究进展

高K栅介质材料的研究进展 摘要:对于纳米线宽的集成电路, 需要高介电常数( 高k) 的栅极介质材料代替二氧化硅以保持一定的物理厚度和优良的漏电性能. 这些栅极候选材料必须有较高的介电常数, 合适的禁带宽度, 与硅衬底间有良好界面和高热稳定性. 此外, 其制备加工技术最好能与现行的硅集成电路工艺相兼容. 本文阐述了选择高k 栅介质材料的基本原则, 介绍了典型高k 栅介质材料性能, 并展现了引入高k 栅介质材料存在的问题. 关键词: 高k 栅介质金属氧化物 HfO2 1.传统晶体管结构及瓶颈 20世纪80年代以来,CMOS集成电路的快速发展大大促进了硅基微电子工业的发展,使其在市场的份额越来越大。而CMOS集成电路的快速发展又是得益于其电路基本单元——场效应管尺寸的缩小。场效应管尺寸缩小的关键因素就是作为栅介质层的二氧化硅(SiO2)膜厚的减小。二氧化硅的作用是隔离栅极和硅通道。作为栅介质层,二氧化硅有很多优点,如热和电学稳定性好,与硅的界面质量很好以及很好的电隔离性能等。但是随着器件尺寸的不断缩小,二氧化硅的厚度被要求减到2nm以下,随之产生了许多问题 例如:1、漏电流的增加,对于低功率器件,这将是不能忍受的,而事实上,现在低功率器件的市场需求却越来越大 2、杂质扩散。栅极、二氧化硅和硅衬底之间存在杂质的浓度梯度,所以杂质会从栅极中扩散到硅衬底中或者固定在二氧化硅中,这会影响器件的阈值电压,从而影响器件的性能。当二氧化硅的厚度减小时,杂质就更容易从栅极中扩散到硅衬底中。 所以,有必要寻求一种新的栅介质层来替代二氧化硅。从以上两个存在的问题可以看出,为了减小漏电流和降低杂质扩散,最直观的方法就是增加栅介质层的厚度,但是为了保持介质层的电容不变,新的栅介质层的介电常数必须比二氧化硅要大,而且介质层的介电常数越大,膜的厚度就可以越大,因此我们引入了高K介质。 2.高k 栅介质材料要求 ( 1) 高介电常数k.高介电常数k 能维持驱动电流, 减小漏电流密度. ( 2) 较大的禁带宽度. ( 3) 与Si 导带间的偏差大于1eV. ( 4) 在Si 衬底上有良好的热力学稳定性, 生产工艺过程中尽量不与Si 发生反应, 并且相互之间扩散要小. ( 5) 与Si 界面质量应较好.新型栅介质材料与Si 之间的界面, 界面态密度和缺陷密度要低, 尽量接近于SiO2 与Si 之间的界面质量, 以削弱界面电子俘获和载流子迁移率降低造成的影响。 ( 6) 非晶态结构.非晶结构栅介质材料是各向同性的, 不存在晶粒间界引起漏电流增大的现象,且较容易制备, 是新型栅介质材料的理想结构。 3 高k 材料的选择 最有希望取代SiO2 栅介质的高k 材料主要有两大类: 氮化物和金属氧化物. 3.1 氮化物 氮化物主要包括Si3N4, SiON 等.Si3N4 介电常数比SiO2 高, 作栅介质时漏电流比SiO2 小几个数量级, Si3N4 和Si 的界面状态良好, 不存在过渡层.但Si3N4 具有难以克服的硬度和脆性, 在硅基片上的界面态密度为1.2×1012eV- 1cm- 2, 因此Si3N4 并非理想的栅介质材料.超薄SiOxNy 可代替SiO2 作为栅介质, 这主要是由于SiOxNy 的介电常数比SiO2 要高, 在相同的 等效栅氧化层厚度下, SiOxNy 的物理厚度大于SiO2, 漏电流有所降低.在SiO2- Si 界面附近含有少量的氮, 这可以降低由热电子引起的界面退化, 而且氮可以阻挡硼的扩散. 东芝

介电常数

介电常数 求助编辑 介质在外加电场时会产生感应电荷而削弱电场,原外加电场(真空中)与最终介质中电场比值即为介电常数(permittivity),又称诱电率。如果有高介电常数的材料放在电场中,场的强度会在电介质内有可观的下降。 目录 编辑本段简介 介质在外加电场时会产生感应电荷而削弱电场,原外加电场(真空中)与最终介质中电场比值即为相对介电常数(permittivity),又称相对电容率,以εr表示。如果有高介电常数的材料放在电场中,场的强度会在电介质内有可观的下降。介电常数(又称电容率),以ε表示,ε=εr*ε0,ε0为真空绝对介电常数,ε0=8.85*e-12,F/m。 一个电容板中充入介电常数为ε的物质后电容变大ε倍。 介电常数 电介质有使空间比起实际尺寸变得更大或更小的属性。例如,当一个电介质材料放在两个电荷之间,它会减少作用在它们之间的力,就像它们被移远了一样。 当电磁波穿过电介质,波的速度被减小,有更短的波长。 相对介电常数εr可以用静电场用如下方式测量:首先在其两块极板之间为空气的时候测试电容器的电容C0。然后,用同样的电容极板间距离但在极板间加入电介质后侧得电容Cx。然后相对介电常数可以用下式计算εr=Cx/C0

编辑本段相关解释 "介电常数" 在工具书中的解释 1.又称电容率或相对电容率,表征电介质或绝缘材料电性能的一个重要数据,常用ε表示。它是指在同一电容器中用同一物质为电介质和真空时的电容的比值,表示电介质在电场中贮存静电能的相对能力。介电常数愈小绝缘性愈好。空气和CS2的ε值分别为1.0006和 2.6左右,而水的ε值特别大,10℃时为 8 3.83,与温度t的关系是 介电常数 查看全文 2.介电常数是物质相对于真空来说增加电容器电容能力的度量。介电常数随分子偶极矩和可极化性的增大而增大。在化学中,介电常数是溶剂的一个重要性质,它表征溶剂对溶质分子溶剂化以及隔开离子的能力。介电常数大的溶剂,有较大隔开离子的能力,同时也具有较强的溶剂化能力。介电常数用ε表示,一些常用溶剂的介电常数见下表: "介电常数" 在学术文献中的解释

常见物质介电常数汇总知识交流

常见物质介电常数汇 总

精品资料 Sir-20说明书普通材料的介电值和术语集材料介电值速度毫米/纳秒 空气 1 300 水淡81 33 水咸81 33 极地雪 1.4 - 3 194 - 252 极地冰 3 - 3.15 168 温带冰 3.2 167 纯冰 3.2 167 淡水湖冰 4 150 海冰 2.5 - 8 78 - 157 永冻土 1 - 8 106 - 300 沿岸砂干燥10 95 砂干燥 3 - 6 120 - 170 砂湿的25 - 30 55 - 60 粉沙湿的10 95 粘土湿8 - 15 86 - 110 粘土土壤干 3 173 沼泽12 86 农业耕地15 77 畜牧土地13 83 土壤平均16 75 花岗岩 5 - 8 106 - 120 石灰岩7 - 9 100 - 113 白云岩 6.8 - 8 106 - 115 玄武岩湿8 106 泥岩湿7 113 砂岩湿 6 112 煤 4 - 5 134 - 150 石英 4.3 145 混凝土 6 - 8 55 - 112 沥青 3 - 5 134 - 173 聚氯乙烯 pvc 3 173 仅供学习与交流,如有侵权请联系网站删除谢谢2

常见物质的相对介电常数值和电磁波传播速度(RIS-K2说明书) 常见介质的相对介电常数—网上搜集

------------------《探地雷达方法与应用》(李大心)

2007第二期勘察科学与技术

电磁波在部分常见介质中的传播参数 (The propagation parameters of the electromagnetic wave in the medium) 地球表面大部分无水的物质(如干燥的土壤和岩石等)的介电常数,实部一般介于1.7-6之间,水的介电常数一般为81,虚部很小,一般可以忽略不计。岩石和土壤的介电常数与其含水量几乎呈线形关系增长,且与水的介电常数特性相同。所以天然材料的电学特性的变化,一般都是由于含水量的变化所致。

电介质的介电常数

电介质的介电常数 温度() 温度()

石英玻璃电学性能 石英玻璃具有很高的介电强度,很低的电导率折电损失,即使在高温时,其电导率与介电损失也较一般材料低,特别适合高温高机械应力条件下作高频和电压绝缘材料。 电导率在20o C时,透明石英玻璃的电导率为10-17-10-16西/米,不透明石英玻璃的电导率为10-14-3.2×10-13西/米,其值与石英玻璃的纯度有关。 介电常数在常温和0-106赫兹频率下,透明石英玻璃的介电常数为3.70;不透明石英玻璃为3.50,温度升高,介电常数略有增加,到450o C以后,介电常数显著增加。 介电损失石英玻璃的介电损失与温度的关系是随温度的升高,介电损失增加,在350o C 以上,介电损失随温度的升高而增加更为显著。 石英玻璃的介电损失 击穿强度在200o C时,透明石英玻璃的击穿电压约为普通玻璃的三倍, 500o C时为普通玻璃的十倍。 石英光学玻璃 我厂生产的光学石英光学玻璃窗口片,能耐高温和高压,主要应用于:特种光源,光学仪器,光电子,军工,冶金,半导体,光通讯等领域。它能实验温度:1200度,软化温度为:1730度,具体参数如下。 1.JGS1(远紫外光学石英光学玻璃) 它是用高纯度氢氧熔化的光学石英光学玻璃。具有优良的透紫外性能,特别是在短波紫外区,其透

过性能远远地胜过所有其他玻璃,在185mμ处的透过率可达90%,是185—2500mμ波段范围内的优良光学材料。 2.JGS2(紫外光学石英光学玻璃) 它是用氢氧熔化的光学石英光学玻璃。它是透过220—2500mμ波段范围内的良好材料。 3.JGS3:(红外石英光学玻璃) 它是具有较高的透红外性能,透过率高达85%以上,其应用波段范围260—3500mμ的光学材料。石英光学玻璃物理性能

High-K和Low-K电介质材料

High-K和Low-K电介质材料 不同电介质的介电常数k 相差很大,真空的k 值为1,在所有材料中最低;空气的k值为1.0006;橡胶的k值为2.5~3.5;纯净水的k值为81。工程上根据k值的不同,把电介质分为高k(high-k)电介质和低k(low-k)电介质两类。介电常数k >3.9 时,判定为high-k;而k≤3.9时则为low-k。IBM将low-k标准规定为k≤2.8,目前业界大多以2.8作为low-k电介质的k 值上限。 一、High-K电介质材料 随着集成电路的飞速发展,SiO2作为传统的栅介质将不能满足MOSFET,器件高集成度的要求,需要一种新型High-k材料来代替传统的SiO2。[1]所谓High-K电介质材料,是一种可取代二氧化硅作为栅介质的材料。它具备良好的绝缘属性,同时可在栅和硅底层通道之间产生较高的场效应(即高-K)。两者都是高性能晶体管的理想属性。 High-K电介质材料应满足的要求::(1) 高介电常数,≤50 nm CMOS 器件要求k >20;(2)与Si 有良好的热稳定性;(3)始终是非晶态,以减少泄漏电流; (4)有大的带隙和高的势垒高度,以降低隧穿电流;(5) 低缺陷态密度/ 固定电荷密度,以抑制器件表面迁移率退化。[2] 最有希望取代SiO2栅介质的高K材料主要有两大类:氮化物和金属氧化物。 1.氮化物 氮化物主要包括Si3N4,SiON等。Si3N4介电常数比SiO2高,作栅介质时漏电流比SiO2小几个数量级,Si3N4和Si的界面状态良好,不存在过渡层。但Si3N4具有难以克服的硬度和脆性,因此Si3N4并非理想的栅介质材料。 超薄SiOxNy可代替SiO2作为栅介质,这主要是由于SiOxNy的介电常数比SiO2要高,在相同的等效栅氧化层厚度下,SiOxNy的物理厚度大于SiO2,漏电流有所降低。在SiO2-Si界面附近含有少量的氮,这可以降低由热电子引起的界面退化,而且氮可以阻挡硼的扩散。东芝公司2004年采用SiO2作为栅介质,多晶硅为栅极,试制成功等效氧化层厚度(EOT)为1nm的符合22nm工艺要求的

介电常数

实 验 报 告 00系 2007级 姓名 宁盛嵩 日期 2008-11-24 台号 8号台 实验题目:简易介电常数测试仪的设计与制作 88 实验目的: (1)了解多种测量介电常数的方法及其特点和适用范围; (2)掌握替代法,比较法和谐振法测固体电介质介电常数的原理和方法; (3)用自己设计与制作的介电常数测试仪,测量压电陶瓷的介电常数。 实验原理: 介质材料的介电常数一般采用相对介电常数ε r 来表示,通常采用 测量样品的电容量,经过计算求出εr ,它们满足如下关系: S Cd r 00εεεε== (1) 式中ε为绝对介电常数,ε0为真空介电常数,m F /10 85.812 0-?=ε,S 为样品的有效面积,d 为样品的厚度,C 为被测样品的电容量,通常取频率为1kHz 时的电容量C 。 一、替代法 当实验室无专用测量电容的仪器,但有标准可变电容箱或标准可变电容器时,可采用替代法设计一简易的电容测试仪来测量电容。这种方法的优点是对仪器的要求不高,由于引线参数可以抵消,故测量精度只取决于标准可变电容箱或标准可变电容器读数的精度。若待测电容与标准可变电容的损耗相差不大,则该方法具有较高的测量精度。 替代法参考电路如图2.2.6-1(a)所示,将待测电容C x (图中R x 是待测电容的介电损耗电阻),限流电阻R 0(取1k Ω)、安培计与信号源组成一简单串联电路。合上开关K 1,调节信号源的频率和电压及限流电阻R 0,使安培计的读数在毫安范围恒定(并保持仪器最高的有效位数),记录读数I x 。将开关K 2打到B 点,让标准电容箱C s 和交流电阻箱R s 替代C x 调节C s 和R s 值,使I s 接近I x 。多次变换开关K 2的位置(A,B 位),反复调节C s 和R s ,使X S I I =。假定C x 上的介电损耗电阻R x

Dielectric Constant(介电常数表)超全

ABS RESIN, LUMP 丙烯晴-丁二烯-苯乙烯树脂块 2.4-4.1 ABS RESIN, PELLET丙烯晴-丁二烯-苯乙烯树脂球 1.5-2.5 ACENAPHTHENE二氢苊21 3.0 ACETAL聚甲醛21 3.6 ACETAL BROMIDE溴代乙缩醛二乙醇16.5 ACETAL DOXIME乙二醛肟20 3.4 ACETALDEHYDE乙醛521.8 ACETAMIDE乙酰胺2041 ACETAMIDE乙酰胺8259 ACETANILIDE乙醛22 2.9 ACETIC ACID乙酸20 6.2 ACETIC ACID乙酸2 4.1 ACETIC ANHYDRIDE乙酸酐1921.0 ACETONE丙酮2520.7 ACETONE丙酮5317.7 ACETONE丙酮0 1.0159 ACETONITRILE乙睛 2137.5 ACETOPHENONE苯乙酮2417.3 ACETOXIME丙酮肟-43 ACETYL ACETONE乙酰丙酮2023.1 ACETYL BROMIDE乙酰溴2016.5 ACETYL CHLORIDE乙酰氯2015.8 ACETYLE ACETONE乙酰丙酮2025 ACETYLENE乙炔0 1.0217 ACETYLMETHYL HEXYL KETONE己基甲酮1927.9 ACRYLIC RESIN丙烯酸树脂 2.7 - 4.5 ACTEAL乙醛21.0-3.6 AIR空气1 AIR (DRY)空气(干燥)20 1.000536 ALCOHOL, INDUSTRIAL工业酒精16-31 ALKYD RESIN醇酸树脂 3.5-5 ALLYL ALCOHOL丙烯醇1422 ALLYL BROMIDE溴丙烯197.0 ALLYL CHLORIDE烯丙基氯208.2 ALLYL IODIDE碘丙烯19 6.1 ALLYL ISOTHIOCYANATE异硫氰酸丙烯酯1817.2 ALLYL RESIN (CAST)烯丙基脂(CAST) 3.6 - 4.5 ALUMINA氧化铝9.3-11.5 ALUMINA氧化铝 4.5 ALUMINA CHINA氧化铝瓷 3.1-3.9 ALUMINUM BROMIDE溴化铝100 3.4 ALUMINUM FLUORIDE氟化铝 2.2 ALUMINUM HYDROXIDE氢氧化铝 2.2 ALUMINUM OLEATE油酸铝20 2.4 ALUMINUM PHOSPHATE硷式磷酸铝-14 ALUMINUM POWDER铝粉 1.6-1.8 AMBER琥珀 2.8-2.9 AMINOALKYD RESIN酸硬化树脂 3.9-4.2 AMMONIA血氨-5925

常见物质介电常数汇总

Sir-20说明书普通材料的介电值和术语集 1

常见物质的相对介电常数值和电磁波传播速度(RIS-K2说明书)

------------------《探地雷达方法与应用》(李大心)

2007第二期勘察科学与技术

电磁波在部分常见介质中的传播参数 (The propagation parameters of the electromagnetic wave in the medium) 地球表面大部分无水的物质(如干燥的土壤和岩石等)的介电常数,实部一般介于1.7-6之间,水的介电常数一般为81,虚部很小,一般可以忽略不计。岩石和土壤的介电常数与其含水量几乎呈线形关系增长,且与水的介电常数特性相同。所以天然材料的电学特性的变化,一般都是由于含水量的变化所致。对于岩石和土壤含水量和介电常数的关系国内外进行了详细研究(P.Hoekstra, 1974; J.E.Hipp,1 974;J .L.Davis,1 976;G A.Poe,1 971;J .R.Wang,1 977;E .G.巧okue tal ,1 977)。在实验室内大量测量了不同粒度的土壤一水混合物介电常数,考虑到束缚水和游离水,提出了经验土壤介电常数混合模型(J.R.Wang, 1985)。实验室内用开路探头技术和自由空间天线技术测量干燥岩石的介电常数(F.TUlaby, 1990)。国内肖金凯等人(1984, 1988)测量了大量的岩石和土壤的介电常数,王湘云、郭华东(1999)研究了三大岩类中所含的矿物对其介电常数的影响。研究表明,土壤中

含水量的变化影响介电常数的实部,水溶液中含盐量的变化影响土壤的导电性,即介电常数的虚部。水与某些铁锰化合物具有高的介电常数,绝大多数矿物的介电常数较低,约为4--12个相对单位,由于主要造岩矿物与水的相对介电常数存在较大差异,所以,具有较大孔隙度岩石的介电常数主要取决于它的含水量,泥岩由于含有大量的弱束缚水,所以其相对介电常数可高达50--60,岩石含泥质较多时,它们的介电常数与泥质含量有明显的关系,很多火成岩的孔隙度只有千分之几,其相对介电常数主要取决于造岩矿物,一般变化范围为6--12,水的介电常数与其矿化度的关系较弱,与此相应,岩石孔隙中所含水的矿化度同样对其介电常数不应有大的影响,水的矿化度的增大只导致岩石介电常数的少许增加。 表1 常见介质的电性参数值 媒质电导率 / (S/m) 介电常 数(相对 值) 电磁波速度/ (m/ns) 空气0 1 0.3 水10-4~3х10-281 0.033 花岗岩(干)10-8 5 0.15 灰岩(干)10-97 0.11 灰岩(湿) 2.5х10-28~10 0.11~0.095 粘土(湿)10-1~1 8~12 0.11~0.087 混凝土10-9~10-86~15 0.12~0.077 钢筋∞∞

常见介电常数

Material物质名* 温度(°C) 介电常数 ABS RESIN, LUMP 丙烯晴-丁二烯-苯乙烯树脂块2.4-4.1 ABS RESIN, PELLET 丙烯晴-丁二烯-苯乙烯树脂球1.5-2.5 ACENAPHTHENE 二氢苊21 3.0 ACETAL 聚甲醛21 3.6 ACETAL BROMIDE 溴代乙缩醛二乙醇16.5 ACETAL DOXIME 乙二醛肟20 3.4 ACETALDEHYDE 乙醛5 21.8 ACETAMIDE 乙酰胺20 41 ACETAMIDE 乙酰胺82 59 ACETANILIDE 乙醛22 2.9 ACETIC ACID 乙酸20 6.2 ACETIC ACID 乙酸2 4.1 ACETIC ANHYDRIDE 乙酸酐19 21.0 ACETONE 丙酮25 20.7 ACETONE 丙酮53 17.7 ACETONE 丙酮0 1.0159 ACETONITRILE 乙睛21 37.5 ACETOPHENONE 苯乙酮24 17.3 ACETOXIME 丙酮肟-4 3 ACETYL ACETONE 乙酰丙酮20 23.1 ACETYL BROMIDE 乙酰溴20 16.5 ACETYL CHLORIDE 乙酰氯20 15.8 ACETYLE ACETONE 乙酰丙酮20 25 ACETYLENE 乙炔0 1.0217 ACETYLMETHYL HEXYL KETONE 己基甲酮19 27.9 ACRYLIC RESIN 丙烯酸树脂2.7 - 4.5 ACTEAL 乙醛21.0-3.6 AIR 空气1 AIR (DRY) 空气(干燥)20 1.000536 ALCOHOL, INDUSTRIAL 工业酒精16-31 ALKYD RESIN 醇酸树脂3.5-5 ALLYL ALCOHOL 丙烯醇14 22 ALLYL BROMIDE 溴丙烯19 7.0 ALLYL CHLORIDE 烯丙基氯20 8.2 ALLYL IODIDE 碘丙烯19 6.1 ALLYL ISOTHIOCYANATE 异硫氰酸丙烯酯18 17.2 ALLYL RESIN (CAST) 烯丙基脂(CAST) 3.6 - 4.5 ALUMINA 氧化铝9.3-11.5 ALUMINA 氧化铝4.5 ALUMINA CHINA 氧化铝瓷3.1-3.9 ALUMINUM BROMIDE 溴化铝100 3.4 ALUMINUM FLUORIDE 氟化铝2.2 ALUMINUM HYDROXIDE 氢氧化铝2.2 ALUMINUM OLEATE 油酸铝20 2.4 ALUMINUM PHOSPHATE 硷式磷酸铝-14 ALUMINUM POWDER 铝粉1.6-1.8 AMBER 琥珀2.8-2.9 AMINOALKYD RESIN 酸硬化树脂3.9-4.2 AMMONIA 血氨-59 25 DIELECTRIC CONSTANT REFERENCE GUIDE介电常数参考表Material 物质名* 温度(°C) 介电常数DIELECTRIC CONSTANT REFERENCE GUIDE介电常数参考表AMMONIA 血氨-34 22 AMMONIA 血氨4 18.9 AMMONIA 血氨21 16.5 AMMONIA (GAS? ) 血氨(气体)0 72 AMMONIUM BROMIDE 溴化铵7.2 AMMONIUM CHLORIDE 氯化铵7 AMYL ACETATE 醋酸戊酯20 5 AMYL ALCOHOL 戊醇-118 35.5 AMYL ALCOHOL 戊醇20 15.8 AMYL ALCOHOL 戊醇60 11.2 AMYL BENZOATE 苯甲酸戊酯20 5.1 AMYL BROMIDE 溴化环戊烷10 6.3 AMYL CHLORIDE 戊基氯11 6.6 AMYL ETHER 戊基醚16 3.1 AMYL FORMATE 甲酸戊基19 5.7 AMYL IODIDE 碘化戊基17 6.9 AMYL NITRATE 硝酸戊基17 9.1 AMYL THIOCYANATE 硫氰酸盐戊基20 17.4 AMYLAMINE 戊胺22 4.6 AMYLENE 戊烯21 2 AMYLENE BROMIDE 溴戊烯14 5.6 AMYLENETETRARARBOXYLATE 19 4.4 AMYLMERCAPTAN 戊基硫醇20 4.7 ANILINE 苯胺0 7.8 ANILINE 苯胺20 7.3 ANILINE 苯胺100 5.5 ANILINE FORMALDEHYDE RESIN 苯氨-甲醛树脂3.5 - 3.6 ANILINE RESIN 苯胺树脂3.4-3.8 ANISALDEHYDE 茴香醛20 15.8 ANISALDOXINE 茴香肟63 9.2 ANISOLE 苯甲醚20 4.3 ANITMONY TRICHLORIDE 三氯化锑5.3 ANTIMONY PENTACHLORIDE 五氯化锑20 3.2 ANTIMONY TRIBROMIDE 三溴化锑100 20.9 ANTIMONY TRICHLORIDE 三氯化锑5.3 ANTIMONY TRICHLORIDE 三溴化锑74 33 ANTIMONY TRICODIDE 三碘化锑175 13.9 APATITE 磷灰石7.4 ARGON 氩-227 1.5 ARGON 氩20 1.000513 ARSENIC TRIBROMIDE 三溴化砷37 9 ARSENIC TRICHLORIDE 三氯化砷66 7 ARSENIC TRICHLORIDE 三氯化砷21 12.4 ARSENIC TRIIODIDE 三碘化砷150 7 ARSINE 胂-100 2.5

常见介质介电常数

薅H2O (水) 78.5 螅HCOOH (甲酸) 58.5 袃HCON(CH3)2 (N,N-二甲基甲酰胺)36.7 蕿CH3OH (甲醇) 32.7 芇C2H5OH (乙醇) 24.5 薄CH3COCH3 (丙酮) 20.7 羃n-C6H13OH (正己醇)13.3 羀CH3COOH (乙酸或醋酸) 6.15 螅 莃温度对介电常数的影响 肃C6H6 (苯) 2.28 肇CCl4 (四氯化碳) 2.24 蒇n-C6H14 (正己烷)1.88 肂电介质的相对介电常数

【正文】:@@1.判别乳状液的类型和稳定性常规测定乳状液类型的方法主要有染料法,冲淡法,电导法,荧光法和润湿滤纸法,这些方法均简单易行其实利用介电常数测试法也可以判别乳状液的类型,其道理同电导法类似电导法所依据的原理是水和油电导率的差异,当乳状液为WO型时,由于外相是油,乳状液的电导率很小,当乳状液为O W型时,由于外相是水,乳状液的电导率很大水和油不仅在电导率方面有差异,在介电常数方面也有很大区别一般纯净原油的相对介电常数接近2,纯净水的相对介电常数接近80,所以原油乳状液的相对介电常数基本介于2和80之间当原油乳状液的外相为油时,乳状液的介电性质同油的性质类似,所以测得的介电常数偏小当乳状液的外相为水时,乳状液的介电性质同水的性质类似,所以介电常数偏大,因此,根据被测乳状液介电常数的大小,可判断乳状液的类型曾测试两种原油乳状液的相对介电常数分别是6.8和75.4,初步判断前一种是WO型,后一种是OW型,当用染料法和润湿滤纸法进行验证后,确认判断结果是正确的,这说明用介电常数测试法判别乳状液的类型是可行的 For personal use only in study and research; not for commercial use

高k材料(精品文档)

高k栅介质材料研究 黄玲10092120107 摘要 在传统的MOSFET中,栅介质材料大部分采用二氧化硅,因为SiO2具有良好的绝缘性能及稳定的二氧化硅—硅衬底界面。然而对于纳米线宽的集成电路,需要高介电常数(高k)的栅极介质材料代替二氧化硅以保持优良的漏电性能。这些栅极候选材料必须有较高的介电常数,合适的禁带宽度,与硅衬底间有良好界面和高热稳定性。此外,其制备加工技术最好能与现行的硅集成电路工艺相兼容。 关键字:高介电常数;MOSFET; 1.引言 过去的几十年中,SiO2容易在硅表面氧化生长,工艺简,单热稳定性好,作为栅介质材料,是一种非常重要的绝缘材料。但随着集成电路规模的不断增大,需要减小器件的特征尺寸。对于给定的电压,增加电容量有两种途径:一种是减小栅绝缘层的厚度,一种是增加绝缘层的介电常数。对于SiO2来说,由于其介电常数较小,只有3. 9 ,当超大规模集成电路的特征尺寸小于0. 1μm时,SiO2绝缘层的厚度必须小于2nm ,这时,无法控制漏电流密度。而且,当SiO2薄膜的厚度小于7nm 时,很难控制这么薄SiO2薄膜的针孔密度。另外SiO2难以扩散一些电极掺杂物,比如硼。薄氧化层带来的另一个问题是,因为反型层量子化和多晶硅栅耗尽效应的存在,使等效电容减小,导致跨导下降。因此,有必要研究一种高介质材料(又叫高- k 材料)来代替传统的SiO2。 2.1传统晶体管结构的瓶颈及转变方向 进入21 世纪以来集成电路线宽进一步缩小,SiO2栅介质层厚度成为首个进入原子尺度的关键参数,由公式 C=ε *ε0* A/Tox, 为了保证CMOS 晶体管的功能特性,增大C,最直接的做法是降低二氧化硅的厚度Tox,然而当Tox很小时会产生以下问题: (1)漏电流增加,使MOSFET功耗增加。(2)杂质扩散更容易通过SiO2栅介质薄膜,从栅极扩散到衬底,影响MOSFET参数,如阈值电压(3)因为反型层量子化和多晶硅栅耗尽效应的存在,使等效电容减小,导致跨导下降。(4)当SiO2栅介质薄膜做到很薄时,难以控制SiO2薄膜的针孔密度。(5)制作如此薄的SiO2栅介质在工艺上很难做到。 于是,在不能再减小Tox的情况下,研究方向转为增大ε,由于SiO2介电常

低介电常数材料论文

低介电常数材料的特点、分类及应用 胡扬 摘要: 本文先介绍了低介电常数材料(Low k Materials)的特点、分类及其 在集成电路工艺中的应用。指出了应用低介电常数材料的必然性,举例说明了低介电常数材料依然是当前集成电路工艺研究的重要课题,并展望了其发展前景。正文部分综述了近年研究和开发的low k材料,如有机和无机低k材料,掺氟低k材料,多孔低k材料以及纳米低k材料等,评述了纳米尺度微电子器件对低k 薄膜材料的要求。最后特别的介绍了一种可能制造出目前最小介电常数材料的技术: Air-Gap。 关键词:低介电常数;聚合物;掺氟材料;多孔材料;纳米材 料 ;Air-Gap 1.引言 随着ULSI器件集成度的提高,纳米尺度器件内部金属连线的电阻和绝缘介质层的电容所形成的阻容造成的延时、串扰、功耗就成为限制器件性能的主要因素,微电子器件正经历着一场材料的重大变革:除用低电阻率金属(铜)替代铝,即用低介电常数材料取代普遍采用的SiO2(k:3.9~4.2)作介质层。对其工艺集成的研究,已成为半导体ULSI工艺的重要分支。 这些低k材料必须需要具备以下性质:在电性能方面:要有低损耗和低泄漏电流;在机械性能方面:要有高附着力和高硬度;在化学性能方面:要有耐腐蚀和低吸水性;在热性能方面:要有高稳定性和低收缩性。 2.背景知识 低介电常数材料大致可以分为无机和有机聚合物两类。目前的研究认为,降低材料的介电常数主要有两种方法: 其一是降低材料自身的极性,包括降低材料中电子极化率(electronic polarizability),离子极化率(ionic polarizability)以及分子极化率(dipolar polarizability)。在分子极性降低的研究中,人们发现单位体积中的分子密度对降低材料的介电常数起着重要作用。材料分子密度的降低有助于介电常数的降低。这就是第二种降低介电常数的方法:增加材料中的空隙密度,从而降低材料的分子密度。 针对降低材料自身极性的方法,目前在0.18mm技术工艺中广泛采用在二氧化硅中掺杂氟元素形成FSG(氟掺杂的氧化硅)来降低材料的介电常数。氟是具有强负电性的元素,当其掺杂到二氧化硅中后,可以降低材料中的电子与离子极化,

常见物质介电常数汇总

常见物质介电常数汇总 Document number:NOCG-YUNOO-BUYTT-UU986-1986UT

Sir-20说明书普通材料的介电值和术语集材料介电值速度毫米/纳秒空气1300 水淡8133 水咸8133 极地雪194-252 极地冰168 温带冰167 纯冰167 淡水湖冰4150 海冰78-157 永冻土1-8106-300 沿岸砂干燥1095 砂干燥3-6120-170 砂湿的25-3055-60 粉沙湿的1095 粘土湿8-1586-110 粘土土壤干3173 沼泽1286 农业耕地1577 畜牧土地1383 土壤平均1675 花岗岩5-8106-120 石灰岩7-9100-113 白云岩106-115 玄武岩湿8106 泥岩湿7113 砂岩湿6112 煤4-5134-150 石英145 混凝土6-855-112 沥青3-5134-173 聚氯乙烯pvc3173

常见物质的相对介电常数值和电磁波传播速度(RIS-K2说明书) 常见介质的相对介电常数—网上搜集

------------------《探地雷达方法与应用》(李大心) 2007第二期勘察科学与技术 电磁波在部分常见介质中的传播参数(Thepropagationparametersoftheelectromagneticwaveinthemedium) 地球表面大部分无水的物质(如干燥的土壤和岩石等)的介电常数,实部一般介于之间,水的介电常数一般为81,虚部很小,一般可以忽略不计。岩石和土壤的介电常数与其含水量几乎呈线形关系增长,且与水的介电常数特性相

常见物质介电常数汇总

. . .专业. .专注. Sir-20说明书普通材料的介电值和术语集 材料介电值速度毫米/纳秒空气 1 300 水淡81 33 水咸81 33 极地雪 1.4 - 3 194 - 252 极地冰 3 - 3.15 168 温带冰 3.2 167 纯冰 3.2 167 淡水湖冰 4 150 海冰 2.5 - 8 78 - 157 永冻土 1 - 8 106 - 300 沿岸砂干燥10 95 砂干燥 3 - 6 120 - 170 砂湿的25 - 30 55 - 60 粉沙湿的10 95 粘土湿8 - 15 86 - 110 粘土土壤干 3 173 沼泽12 86 农业耕地15 77 畜牧土地13 83 土壤平均16 75 花岗岩 5 - 8 106 - 120 石灰岩7 - 9 100 - 113 白云岩 6.8 - 8 106 - 115 玄武岩湿8 106 泥岩湿7 113 砂岩湿 6 112 煤 4 - 5 134 - 150 石英 4.3 145 混凝土 6 - 8 55 - 112 沥青 3 - 5 134 - 173 聚氯乙烯pvc 3 173

常见物质的相对介电常数值和电磁波传播速度(RIS-K2说明书) r 常见介质的相对介电常数—网上搜集

------------------《探地雷达方法与应用》(大心)

2007第二期勘察科学与技术

电磁波在部分常见介质中的传播参数 (The propagation parameters of the electromagnetic wave in the medium)

介电常数

脆化温度brittle temperature 塑料低温力学行为的一种量度。以具有一定能量的冲锤冲击试样时,当试样开裂几率达到50%时的温度称脆化温度。 屈服点(yield point) 钢材或试样在拉伸时,当应力超过弹性极限,即使应力不再增加,而钢材或试样仍继续发生明显的塑性变形,称此现象为屈服,而产生屈服现象时的最小应力值即为屈服点。 设Ps为屈服点s处的外力,Fo为试样断面积,则屈服点σs =Ps/Fo(MPa),MPa称为兆帕等于N(牛顿)/mm2, (MPa=10^6(10的6次方)Pa,Pa: 帕斯卡=N/m2)2.屈服强度(σ0.2)有的金属材料的屈服点极不明显,在测量上有困难,因此为了衡量材料的屈服特性,规

定产生永久残余塑性变形等于一定值(一般为原长度的0.2%)时的应力,称为条件屈服强度或简称屈服强度σ0.2 。 什么是介电常数,介电损耗,介电强度?[科学电力 ] 收藏转发至天涯微博 悬赏点数 10 6个回答 屋里有灯不黑啊2009-05-12 10:15:37 什么是介电常数,介电损耗,介电强度? 回答 换一张 码:

登录并发表取消 回答 heyerijue2009-05-12 10:15:55 介质在外加电场时会产生感应电荷而削弱电场,原外加电场(真空中)与最终介质中电场比值即为介电常数(permeablity),又称诱电率. 介电强度(dielectric strength)是指单位厚度的绝缘材料在击穿之前能够承受的最高电压,即电场强度最大值,单位是 kV/mm。包括塑料 010********-05-12 10:16:02

介电常数, 用于衡量绝缘体储存电能的性能. 它是两块金属板之间以绝缘材料为介质时的电

折射率与介电常数之间的关系

折射率与介电常数之间的关系 1 可见光和金属间的相互作用 可见光入射金属时,其能是可被金属表层吸收,而激发自由电子,使之具有较高的能态。当电子由高能态回到较低能态时,发射光子。金属是不透光的,故吸收现象只发生在金属的厚约 100nm 的表层内,也即金属片在 100nm 以下时,才是“ 透明” 的。只有短波长的X -射线和γ -射线等能穿过一定厚度的金属。所以,金属和可见光间的作用主要是反射,从而产生金属的光泽。 2 可见光和非金属间的作用 1) 折射 当光线以一定角度入射透光材料时,发生弯折的现象就是折射 ( Refraction ),折射指数n 的定义是: 光从真空进入较致密的材料时,其速度降低。光在真空和材料中的速度之比即为材料的折射率。 如果光从材料 1 ,通过界面进入材料 2 时,与界面法向所形成的入射角、折射角与材料的折射率、有下述关系:

介质的折射率是永远大于 1 的正数。如空气的 n=1.0003 ,固体氧化物 n=1.3 ~ 2.7 ,硅酸盐玻璃 n=1.5 ~ 1.9 。不同组成、不同结构的介质,其折射率不同。 影响 n 值的因素有下列四方面: a) 构成材料元素的离子半径 根据 Maxwell 电磁波理论,光在介质中的传播速度应为: μ 为介质的导磁率, c 为真空中的光速,ε 为介质的介电常数,由此可得: 在无机材料这样的电介质中,μ = 1 ,故有 说明介质的折射率随其介电常数的增大而增大。而介电常数则与介质极化有关。由于电磁辐射和原子的电子体系的相互作用,光波被减速了。

当离子半径增大时,其介电常数也增大,因而 n 也随之增大。因此,可以用大离子得到高折射率的材料,如 PbS 的 n=3.912 ,用小离子得到低折射率的材料,如 SiCl 4 的 n=1.412 。 b) 材料的结构、晶型和非晶态 折射率还和离子的排列密切相关,各向同性的材料,如非晶态(无定型体)和立方晶体时,只有一个折射率 (n 0 ) 。而光进入非均质介质时,一般都要分为振动方向相互垂直、传播速度不等的两个波,它们分别有两条折射光线,构成所谓的双折射。这两条折射光线,平行于入射面的光线的折射率,称为常光折射率 (n 0 ) ,不论入射光的入射角如何变化,它始终为一常数,服从折射定律。另一条垂直于入射面的光线所构成的折射率,随入射光的方向而变化,称为非常光折射率 (n e ) ,它不遵守折射定律。当光沿晶体光轴方向入射时,只有 n 0 存在,与光轴方向垂直入射时, n e 达最大值,此值为材料的特性。 规律:沿着晶体密堆积程度较大的方向 n e 较大。 c) 材料所受的内应力 有内应力的透明材料,垂直于受拉主应力方向的 n 大,平行于受拉主应力方向的 n 小(提问:为什么?)。 规律:材料中粒子越致密,折射率越大。

偶极矩,介电常数概要

溶液法测定极性分子的偶极矩 一、实验目的 了解电介质极化与分子极化的概念,以及偶极矩与分子极化性质的关系。掌握溶液法测定极性分子永久偶极矩的理论模型和实验技术,用溶液法测定乙酸乙酯的偶极矩。 二、实验原理 德拜(Peter Joseph William Debye )指出,所谓极性物质的分子尽管是电中性的,但仍然拥有未曾消失的电偶极矩,即使在没有外加电磁场时也是如此。分子偶极矩的大小可以从介电常数的数据中获得,而对分子偶极矩的测量和研究一直是表征分子特性重要步骤。 1、偶极矩、极化强度、电极化率和相对电容率(相对介电常数) 首先定义一个电介质的偶极矩(dipole moment )。考虑一簇聚集在一起的电荷,总的净电荷为零,这样一堆电荷的偶极矩p 是一个矢量,其各个分量可以定义为 ∑∑∑===i i i z i i i y i i i x z q p y q p x q p 式中电荷i q 的坐标为),,(i i i z y x 。偶极矩的SI 制单位是:m C ?。 将物质置于电场之中通常会产生两种效应:导电和极化。导电是在一个相对较长的(与分子尺度相比)距离上输运带电粒子。极化是指在一个相对较短的(小于等于分子直径)距离上使电荷发生相对位移,这些电荷被束缚在一个基本稳定的、非刚性的带电粒子集合体中(比如一个中性的分子)。 一个物质的极化状态可以用矢量P 表示,称为极化强度(polarization )。矢量P 的大小 定义为电介质内的电偶极矩密度,也就是单位体积的平均电偶极矩,又称为电极化密度,或 电极化矢量。这定义所指的电偶极矩包括永久电偶极矩和感应电偶极矩。P 的国际单位制 度量单位是2 -?m C 。为P 取平均的单位体积当然很小,但一定包含有足够多的分子。在一个微小的区域内,P 的值依赖于该区域内的电场强度E 。 在这里,有必要澄清一下物质内部的电场强度的概念。在真空中任意一点的电场强度E 的定义为:在该点放置一个电荷为dq 的无限微小的“试验电荷”,则该“试验电荷”所受

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